公開了一種有機(jī)光電元件和一種顯示裝置。

背景技術(shù)：

有機(jī)光電元件(有機(jī)光電二極管)是一種將電能轉(zhuǎn)化為光能且反之亦然的裝置。

根據(jù)它的驅(qū)動(dòng)原理，有機(jī)光電元件可被如下分類。一種是有機(jī)光電元件，其中由光能產(chǎn)生激子(exciton)，其被分離成電子和空穴并被轉(zhuǎn)移至不同電極以產(chǎn)生電能，且另一種是發(fā)光裝置，其中電壓或電流被供給至電極以由電能產(chǎn)生光能。

有機(jī)光電元件的實(shí)例可以是有機(jī)光電裝置、有機(jī)發(fā)光二極管、有機(jī)太陽能電池及有機(jī)光導(dǎo)鼓。

在這些之中，由于對(duì)平板顯示器的需求增加，最近有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)受到越來越多的關(guān)注。有機(jī)發(fā)光二極管通過將電流施加至有機(jī)發(fā)光材料而將電能轉(zhuǎn)化為光，并且具有其中有機(jī)層插入在陽極和陰極之間的結(jié)構(gòu)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

【技術(shù)問題】

一個(gè)實(shí)施方式提供了一種能夠?qū)崿F(xiàn)具有高效特性的有機(jī)光電元件的有機(jī)化合物。

另一個(gè)實(shí)施方式提供了一種包括有機(jī)光電元件的顯示裝置。

【技術(shù)方案】

根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式，有機(jī)光電元件包括彼此面對(duì)的陽極和陰極、設(shè)置在陽極和陰極之間的發(fā)光層、設(shè)置在陽極和發(fā)光層之間的空穴傳輸層以及設(shè)置在空穴傳輸層和發(fā)光層之間的空穴傳輸輔助層，其中發(fā)光層包括至少一種由化學(xué)式1表示的第一化合物和至少一種由化學(xué)式2表示的第二化合物，并且空穴傳輸輔助層包括至少一種由化學(xué)式3表示的第三化合物。

[化學(xué)式1]

在化學(xué)式1中，

Z獨(dú)立地為N或CR^a，

至少一個(gè)Z為N，

R¹至R¹⁰以及R^a獨(dú)立地為氫、氘、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C10烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6至C12芳基或它們的組合，

在化學(xué)式1中，取代三亞苯基的6-元環(huán)的總數(shù)小于或等于6，

L¹是經(jīng)取代或未經(jīng)取代的亞苯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的亞聯(lián)苯基或經(jīng)取代或未經(jīng)取代的亞三聯(lián)苯基，

n1至n3獨(dú)立地為0或1，且

n1+n2+n3≥1，

其中“經(jīng)取代的”是指至少一個(gè)氫被氘、鹵素、羥基、氨基、經(jīng)取代的或未經(jīng)取代的C1至C30胺基、硝基、經(jīng)取代的或未經(jīng)取代的C1至C40甲硅烷基、C1至C30烷基、C3至C30環(huán)烷基、C2至C30雜環(huán)烷基、C6至C30芳基、C2至C30雜芳基、C1至C20烷氧基、氟基、C1至C10三氟烷基或氰基取代，

[化學(xué)式2]

其中，在化學(xué)式2中，

Y¹是單鍵、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C20亞烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C20亞烯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6至C30亞芳基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C30亞雜芳基或它們的組合，

Ar¹是經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6至C30芳基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C30雜芳基或它們的組合，

R¹¹至R¹⁴獨(dú)立地為氫、氘、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C20烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6至C50芳基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C50雜芳基或它們的組合，并且

R¹¹至R¹⁴以及Ar¹中的至少一個(gè)包括經(jīng)取代或未經(jīng)取代的三亞苯基或經(jīng)取代或未經(jīng)取代的咔唑基，

其中“經(jīng)取代的”是指至少一個(gè)氫被氘、鹵素、羥基、氨基、經(jīng)取代的或未經(jīng)取代的C1至C30胺基、硝基、經(jīng)取代的或未經(jīng)取代的C1至C40甲硅烷基、C1至C30烷基、C3至C30環(huán)烷基、C2至C30雜環(huán)烷基、C6至C30芳基、C2至C30雜芳基、C1至C20烷氧基、氟基、C1至C10三氟烷基或氰基取代，

[化學(xué)式3]

其中，在化學(xué)式3中，

X¹是O、S、SO₂、PO或CO，

R¹⁵和R¹⁶獨(dú)立地為氫、氘、鹵素、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C20烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C3至C20環(huán)烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C20烷氧基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C3至C20環(huán)烷氧基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C20烷硫基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6至C30芳烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6至C30芳基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6至C30芳氧基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6至C30芳硫基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C30雜芳基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C30氨基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C3至C30甲硅烷基、氰基、硝基、羥基、羧基或它們的組合，

Ar²和Ar³獨(dú)立地為經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6至C30芳基或經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C30雜芳基，

L²至L⁴獨(dú)立地為單鍵、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C30亞烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C6亞烯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C6亞炔基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6至C30亞芳基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的亞雜芳基或它們的組合，并且

n4至n6獨(dú)立地為0至3的整數(shù)，

其中“經(jīng)取代的”是指至少一個(gè)氫被氘、鹵素、羥基、氨基、經(jīng)取代的或未經(jīng)取代的C1至C30胺基、硝基、經(jīng)取代的或未經(jīng)取代的C1至C40甲硅烷基、C1至C30烷基、C3至C30環(huán)烷基、C2至C30雜環(huán)烷基、C6至C30芳基、C2至C30雜芳基、C1至C20烷氧基、氟基、C1至C10三氟烷基或氰基取代。

根據(jù)另一個(gè)實(shí)施方式，提供了一種包括有機(jī)光電元件的顯示裝置。

【有益效果】

可實(shí)現(xiàn)一種具有高效率的有機(jī)光電元件。

附圖說明

圖1是根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式示出了有機(jī)光電元件的示意性截面圖。

<符號(hào)說明>

10：陽極 20：陰極

30：有機(jī)層 31：空穴傳輸層(HTL)

32：發(fā)光層 33：空穴傳輸輔助層

34：電子傳輸層(ETL)

【最佳方式】

在下文中，詳細(xì)地描述了本發(fā)明的實(shí)施方式。然而，這些實(shí)施方式是示例性的，本發(fā)明不局限于此并且本發(fā)明由權(quán)利要求書的范圍限定。

在本說明書中，當(dāng)未另外提供定義時(shí)，“經(jīng)取代的”是指被氘、鹵素、羥基、氨基、經(jīng)取代的或未經(jīng)取代的C1至C30胺基、硝基、經(jīng)取代的或未經(jīng)取代的C1至C40甲硅烷基、C1至C30烷基、C1至C10烷基甲硅烷基、C3至C30環(huán)烷基、C2至C30雜環(huán)烷基、C6至C30芳基、C2至C30雜芳基、C1至C20烷氧基、氟基、C1至C10三氟烷基諸如三氟甲基等或氰基取代來代替取代基或化合物的至少一個(gè)氫的基團(tuán)。

此外，經(jīng)取代的鹵素、羥基、氨基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C20胺基、硝基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C3至C40甲硅烷基、C1至C30烷基、C1至C10烷基甲硅烷基、C3至C30環(huán)烷基、C2至C30雜環(huán)烷基、C6至C30芳基、C2至C30雜芳基、C1至C20烷氧基、氟基、C1至C10三氟烷基諸如三氟甲基等或氰基的兩個(gè)相鄰的取代基可彼此稠合以形成環(huán)。例如，經(jīng)取代的C6至C30芳基可與另一個(gè)相鄰的經(jīng)取代的C6至C30芳基稠合以形成經(jīng)取代或未經(jīng)取代的芴環(huán)。

在本說明書中，當(dāng)未另外提供具體定義時(shí)，“雜”是指在一個(gè)官能團(tuán)中包括至少一個(gè)選自由N、O、S、P和Si組成的組的雜原子并且剩余是碳的基團(tuán)。

在本說明書中，當(dāng)未另外提供定義時(shí)，“烷基”是指脂肪族烴基。烷基可以是“飽和的烷基”而沒有任何雙鍵或三鍵。

烷基可以是C1至C30烷基。更具體地，烷基可以是C1至C20烷基或C1至C10烷基。例如，C1至C4烷基可具有烷基鏈中的1至4個(gè)碳原子，其可選自甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、異丁基、仲丁基和叔丁基。

烷基的具體實(shí)例可以是甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、叔丁基、戊基、己基、環(huán)丙基、環(huán)丁基、環(huán)戊基、環(huán)己基等。

在本說明書中，“芳基”是指包括具有形成共軛的p-軌道的環(huán)的所有元素的取代基，并且可以是單環(huán)、多環(huán)或稠環(huán)多環(huán)(即，共享相鄰的碳原子對(duì)的環(huán))官能團(tuán)。

在本說明書中，術(shù)語“雜芳基”是指包括1至3個(gè)選自N、O、S、P和Si的雜原子并且剩余是碳的芳基。當(dāng)雜芳基為稠環(huán)時(shí)，每個(gè)環(huán)可包括1至3個(gè)雜原子。

更具體地，經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6至C30芳基和/或經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C30雜芳基可以是經(jīng)取代或未經(jīng)取代的苯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的萘基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的蒽基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的菲基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的并四苯基(naphthacenyl group)、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的芘基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的聯(lián)苯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的對(duì)三聯(lián)苯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的間三聯(lián)苯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的三亞苯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的苝基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的茚基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的呋喃基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的硫代苯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的吡咯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的吡唑基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的咪唑基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的三唑基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的噁唑基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的噻唑基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的噁二唑基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的噻二唑基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的吡啶基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的嘧啶基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的吡嗪基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的三嗪基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的苯并呋喃基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的苯并硫代苯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的苯并咪唑基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的吲哚基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的喹啉基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的異喹啉基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的喹唑啉基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的喹喔啉基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的萘啶基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的苯并噁嗪基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的苯并噻嗪基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的吖啶基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的吩嗪基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的吩噻嗪基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的吩噁嗪基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的芴基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的二苯并呋喃基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的二苯并硫代苯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的咔唑基或它們的組合，但不局限于此。

在說明書中，空穴特性是指根據(jù)最高占有分子軌道(HOMO)水平，當(dāng)施加電場(chǎng)時(shí)能夠供給電子，并且在陽極中形成的空穴由于導(dǎo)電特性而容易被注入發(fā)光層中并在發(fā)光層中傳輸?shù)奶匦浴?/p>

此外，電子特性是指根據(jù)最低未占有軌道(LUMO)水平，當(dāng)施加電場(chǎng)時(shí)能夠接受電子，并且在陰極中形成的電子由于導(dǎo)電特性而容易被注入發(fā)光層中并且在發(fā)光層中傳輸?shù)奶匦浴?/p>

在下文，描述了根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式的有機(jī)光電元件。

有機(jī)光電元件可以是將電能轉(zhuǎn)化為光能并且反之亦然的任何裝置，沒有特殊限制，并且可以是例如，有機(jī)光電裝置、有機(jī)發(fā)光二極管、有機(jī)太陽能電池和有機(jī)光導(dǎo)鼓。

在此，描述了有機(jī)發(fā)光二極管作為有機(jī)光電元件的一個(gè)實(shí)例，但可以以相同的方式將本發(fā)明應(yīng)用于其他有機(jī)光電元件。

在附圖中，為清楚起見放大了層、膜、板、區(qū)域等的厚度。在整個(gè)說明書中，相同的引用數(shù)字表示相同元件。應(yīng)該理解，當(dāng)諸如層、膜、區(qū)域或基板的元件被稱為在另一個(gè)元件“上”時(shí)，它可以直接位于其他元件上或者也可以存在中間元件。相反，當(dāng)元件被稱為在另一個(gè)元件“直接上方”時(shí)，則不存在中間元件。

圖1是根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式的示出了有機(jī)光電元件的示意性截面圖。

參考圖1，根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式的有機(jī)光電元件包括彼此面對(duì)的陽極(10)和陰極(20)以及在陽極(10)和陰極(20)之間的有機(jī)層(30)。

陽極(10)可由具有大的功函數(shù)的導(dǎo)體制成以幫助空穴注入，并且可以是例如，金屬、金屬氧化物和/或?qū)щ娋酆衔?。陽極(10)可以是例如，金屬諸如鎳、鉑、釩、鉻、銅、鋅和金或它們的合金；金屬氧化物諸如氧化鋅、氧化銦、氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)等；金屬和氧化物的組合諸如ZnO和Al或SnO₂和Sb；導(dǎo)電聚合物諸如聚(3-甲基噻吩)、聚(3,4-(乙烯-1,2-二氧基)噻吩)(PEDT)、聚吡咯和聚苯胺，但不局限于此。

陰極(20)可由具有小的功函數(shù)的導(dǎo)體制成以幫助電子注入，并且可以是例如，金屬、金屬氧化物和/或?qū)щ娋酆衔?。陰極(20)可以是例如，金屬或它們的合金諸如鎂、鈣、鈉、鉀、鈦、銦、釔、鋰、釓、鋁、銀、錫、鉛、銫、鋇等；多層結(jié)構(gòu)材料諸如LiF/Al、LiO2/Al、LiF/Ca、LiF/Al和BaF2/Ca，但不局限于此。

有機(jī)層(30)包括空穴傳輸層(31)、發(fā)光層(32)和在空穴傳輸層(31)和發(fā)光層(32)之間的空穴傳輸輔助層(33)。

空穴傳輸層(31)有助于空穴從陽極(10)到發(fā)光層(32)的傳輸，并且可例如，由胺化合物形成，但不局限于此。

胺化合物可包括，例如至少一種芳基和/或雜芳基。胺化合物可例如，由化學(xué)式a或化學(xué)式b表示，但不局限于此。

在化學(xué)式a或b中，

Ar^a至Ar^g獨(dú)立地為氫、氘、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C20烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6至C30芳基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C30雜芳基或它們的組合，

Ar^a至Ar^c中的至少一個(gè)和Ar^d至Ar^g中的至少一個(gè)是經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6至C30芳基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C30雜芳基或它們的組合，并且

Ar^h是單鍵、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C20亞烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6至C30亞芳基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C30亞雜芳基或它們的組合。

發(fā)光層(32)包括至少兩種主體(host)和摻雜劑(dopant)，并且主體包括具有雙極特性的第一化合物，其中電子特性相對(duì)更強(qiáng)和具有雙極特性的第二化合物，其中空穴特性相對(duì)更強(qiáng)。

第一化合物是具有雙極特性的化合物，其中電子特性相對(duì)更強(qiáng)并且由化學(xué)式1表示。

[化學(xué)式1]

在化學(xué)式1中，

Z獨(dú)立地為N或CR^a，

至少一個(gè)Z為N，

R¹至R¹⁰以及R^a獨(dú)立地為氫、氘、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C10烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6至C12芳基或它們的組合，

在化學(xué)式1中，取代三亞苯基的6-元環(huán)的總數(shù)小于或等于6，

L¹是經(jīng)取代或未經(jīng)取代的亞苯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的亞聯(lián)苯基或經(jīng)取代或未經(jīng)取代的亞三聯(lián)苯基，

n1至n3獨(dú)立地為0或1，且n1+n2+n3≥1。

取代三亞苯基的6-元環(huán)表示直接或間接連接至三亞苯基的所有6-元環(huán)并且包括由碳原子、氮原子或它們的組合組成的6-元環(huán)。

根據(jù)三亞苯基的鍵合位置，第一化合物可以是例如，由化學(xué)式1-I或化學(xué)式1-II表示。

在化學(xué)式1-I或1-II中，Z、R¹至R¹⁰、L¹和n1至n3與以上描述相同。

第一化合物包括三亞苯基和至少一個(gè)含氮雜芳基。第一化合物包括至少一個(gè)含氮環(huán)，從而可具有當(dāng)對(duì)其施加電場(chǎng)時(shí)容易接受電子的結(jié)構(gòu)，因此降低了包含第一化合物的有機(jī)光電元件的驅(qū)動(dòng)電壓。

此外，第一化合物通過包括容易接受空穴的三亞苯基結(jié)構(gòu)和容易接受電子的含氮環(huán)部分二者而具有雙極結(jié)構(gòu)，并且可適當(dāng)?shù)仄胶饪昭ê碗娮拥牧髁?，因此，?dāng)應(yīng)用其時(shí)提高了有機(jī)光電元件的效率。

由化學(xué)式1表示的第一化合物具有作為亞芳基和/或亞雜芳基的中心的至少一個(gè)扭結(jié)結(jié)構(gòu)。

扭結(jié)結(jié)構(gòu)是亞芳基和/或亞雜芳基的連接部分不是線性結(jié)構(gòu)的一種結(jié)構(gòu)。例如，對(duì)于亞苯基，鄰亞苯基(o-亞苯基)和間亞苯基(m-亞苯基)具有連接部分不形成線性結(jié)構(gòu)的扭結(jié)結(jié)構(gòu)，而對(duì)亞苯基(p-亞苯基)由于其中連接部分形成了線性結(jié)構(gòu)而不具有扭結(jié)結(jié)構(gòu)。

在化學(xué)式1中，可形成作為連接基團(tuán)(L)和/或亞芳基/亞雜芳基的中心的扭結(jié)結(jié)構(gòu)。

例如，當(dāng)化學(xué)式1中的n1為0時(shí)，即，沒有連接基團(tuán)(L)，可形成作為亞芳基/亞雜芳基的中心的扭結(jié)結(jié)構(gòu)，并且例如，化合物可由化學(xué)式1a或1b表示。

在化學(xué)式1a或1b中，Z、R¹至R¹⁰與以上描述相同。

例如，當(dāng)化學(xué)式1中的n1為1時(shí)，形成作為連接基團(tuán)(L¹)的中心的扭結(jié)結(jié)構(gòu)，并且例如，L¹可以是具有扭結(jié)結(jié)構(gòu)的經(jīng)取代或未經(jīng)取代的亞苯基、具有扭結(jié)結(jié)構(gòu)的經(jīng)取代或未經(jīng)取代的亞聯(lián)苯基或具有扭結(jié)結(jié)構(gòu)的經(jīng)取代或未經(jīng)取代的亞三聯(lián)苯基。

L¹可選自例如，組1的經(jīng)取代或未經(jīng)取代的基團(tuán)。

[組1]

在組1中，

R¹⁷至R⁴⁰獨(dú)立地為氫、氘、鹵素、C1至C20烷基、C3至C20環(huán)烷基、C1至C20烷氧基、C3至C20環(huán)烷氧基、C1至C20烷硫基、C6至C30芳烷基、C6至C30芳基、C6至C30芳氧基、C6至C30芳硫基、C2至C30雜芳基、C2至C30氨基、C3至C30甲硅烷基、氰基、硝基、羥基、羧基或它們的組合。

第一化合物可優(yōu)選地具有至少兩個(gè)扭結(jié)結(jié)構(gòu)，并且例如，兩至四個(gè)扭結(jié)結(jié)構(gòu)。

由于上述扭結(jié)結(jié)構(gòu)，第一化合物可適當(dāng)?shù)鼐钟蚧姾刹⒖刂乒曹楏w系流動(dòng)，因此提高了應(yīng)用的組合物的有機(jī)光電元件的壽命。

此外，在化學(xué)式1中，R¹至R⁶的數(shù)量，即取代三亞苯基的6-元環(huán)的總數(shù)被限制為小于或等于6，從而在低沉積工藝期間可以降低化合物由于高溫所致的熱分解。

此外，根據(jù)結(jié)構(gòu)可以有效防止第一化合物堆積，并且降低工藝穩(wěn)定性，同時(shí)降低沉積溫度。當(dāng)化合物包括化學(xué)式1的連接基團(tuán)(L¹)時(shí)，該堆積預(yù)防效果可被進(jìn)一步增強(qiáng)。

第一化合物可由例如通過化學(xué)式1c至1t中的一個(gè)表示。

在化學(xué)式1c至1t中，

Z以及R¹至R¹⁰獨(dú)立地與以上描述相同，并且

R⁶⁰至R⁷⁷獨(dú)立地為氫、氘、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C10烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C3至C30環(huán)烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C30雜環(huán)烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6至C30芳基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C30雜芳基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的胺基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6至C30芳基胺基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6至C30雜芳基胺基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C30烷氧基、鹵素、含鹵素的基團(tuán)、氰基、羥基、氨基、硝基、羧基、二茂鐵基或它們的組合。

第一化合物可以是例如，組2的化合物，但不局限于此。

[組2]

可使用至少一種或多種第一化合物。

第二化合物可例如，由化學(xué)式2表示。

[化學(xué)式2]

在化學(xué)式2中，

Y¹是單鍵、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C20亞烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C20亞烯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6至C30亞芳基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C30亞雜芳基或它們的組合，

Ar¹是經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6至C30芳基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C30雜芳基或它們的組合，

R¹¹至R¹⁴獨(dú)立地為氫、氘、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C20烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6至C50芳基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C50雜芳基或它們的組合，并且

R¹¹至R¹⁴以及Ar¹中的至少一個(gè)包括經(jīng)取代或未經(jīng)取代的三亞苯基或經(jīng)取代或未經(jīng)取代的咔唑基。

由化學(xué)式2表示的化合物是具有其中空穴特性相對(duì)強(qiáng)的雙極特性的化合物，因此當(dāng)與發(fā)光層中的第一化合物一起使用時(shí)，可以增加電荷遷移性和穩(wěn)定性，并且防止空穴和/或電子在空穴傳輸層和發(fā)光層之間的界面處累積，并且當(dāng)在鄰近發(fā)光層的空穴傳輸輔助層中使用時(shí)可以增加電荷平衡。因此，可顯著提高有機(jī)光電元件的發(fā)光效率和壽命特性。

由化學(xué)式2表示的化合物可例如，由化學(xué)式2-I至化學(xué)式2-III中的至少一個(gè)表示。

在化學(xué)式2-I至2-III中，

Y¹至Y³獨(dú)立地為單鍵、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C20亞烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C20亞烯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6至C30亞芳基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C30亞雜芳基或它們的組合,

Ar¹、Ar^1a和Ar^1b獨(dú)立地為經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6至C30芳基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C30雜芳基或它們的組合，并且

R¹¹至R¹⁴以及R⁴⁵至R⁵⁶獨(dú)立地為氫、氘、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C20烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6至C50芳基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C50雜芳基或它們的組合，

其中“經(jīng)取代的”是指至少一個(gè)氫被氘、鹵素、羥基、氨基、經(jīng)取代的或未經(jīng)取代的C1至C30胺基、硝基、經(jīng)取代的或未經(jīng)取代的C1至C40甲硅烷基、C1至C30烷基、C3至C30環(huán)烷基、C2至C30雜環(huán)烷基、C6至C30芳基、C2至C30雜芳基、C1至C20烷氧基、氟基、C1至C10三氟烷基或氰基取代。

由化學(xué)式2-I表示的化合物具有其中具有取代基的兩個(gè)咔唑基彼此連接的結(jié)構(gòu)。

化學(xué)式2-I的Ar^1a和Ar^1b是具有空穴或電子特性的取代基，并且可獨(dú)立地為例如，經(jīng)取代或未經(jīng)取代的苯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的聯(lián)苯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的三聯(lián)苯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的萘基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的蒽基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的咔唑基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的苯并呋喃基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的苯并硫代苯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的芴基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的吡啶基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的嘧啶基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的吡嗪基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的三嗪基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的三亞苯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的二苯并呋喃基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的二苯并硫代苯基或它們的組合。

化學(xué)式2-I的Ar^1a和Ar^1b中的至少一個(gè)可以是例如，具有電子特性的取代基，并且可以是例如，由化學(xué)式A表示的取代基。

[化學(xué)式A]

在化學(xué)式A中，

Z獨(dú)立地為N或CR^b，

A1和A2獨(dú)立地為經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6至C30芳基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C30雜芳基或它們的組合，

Z、A1和A2中的至少一個(gè)包含N，并且

a和b獨(dú)立地為0或1。

由化學(xué)式A表示的取代基可以是例如，組3的官能團(tuán)。

[組3]

此外，化學(xué)式2-I的Ar^1a和Ar^1b中的至少一個(gè)可以是例如，具有空穴特性的取代基，并且可以是例如，組4的取代基。

[組4]

由化學(xué)式2-I表示的化合物可以是例如，選自組5的化合物的化合物，但不局限于此。

[組5]

由化學(xué)式2-II或2-III表示的化合物具有其中經(jīng)取代或未經(jīng)取代的咔唑基和經(jīng)取代或未經(jīng)取代的三亞苯基鍵合在一起的結(jié)構(gòu)。

化學(xué)式2-II的Ar¹是具有空穴或電子特性的取代基，并且可以是例如，經(jīng)取代或未經(jīng)取代的苯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的聯(lián)苯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的三聯(lián)苯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的萘基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的蒽基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的咔唑基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的苯并呋喃基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的苯并硫代苯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的芴基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的吡啶基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的嘧啶基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的吡嗪基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的三嗪基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的三亞苯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的二苯并硫代苯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的二苯并呋喃基或它們的組合。

由化學(xué)式2-II表示的化合物可以是例如，選自組6的化合物的化合物，但不局限于此。

[組6]

由化學(xué)式2-III表示的化合物可以是例如，選自組7的化合物，但不局限于此。

[組7]

可使用至少一種或多種第二化合物。

在發(fā)光層(32)中，可包括作為主體的第一化合物和第二化合物，并且可例如，包括重量比為約1:10至10:1的第一化合物和第二化合物。在該范圍內(nèi)，可有效地實(shí)現(xiàn)雙極特性以同時(shí)提高效率和壽命。

除第一化合物和第二化合物之外，發(fā)光層(32)可進(jìn)一步包括至少一種的化合物。

發(fā)光層(32)可進(jìn)一步包括摻雜劑?？蓪⑸倭康膿诫s劑與主體混合以導(dǎo)致光發(fā)射，并且通?？梢允侵T如金屬復(fù)合物的材料，金屬復(fù)合物通過多重激發(fā)將光激發(fā)成為三重或多重。摻雜劑可以是例如，無機(jī)、有機(jī)或有機(jī)/無機(jī)復(fù)合物，并且可使用其一種或多種。

摻雜劑可以是紅色、綠色或藍(lán)色摻雜劑，例如，磷光摻雜劑。磷光摻雜劑可以是包括Ir、Pt、Os、Ti、Zr、Hf、Eu、Tb、Tm、Fe、Co、Ni、Ru、Rh、Pd或它們的組合的有機(jī)金屬化合物。磷光摻雜劑可以是例如，由化學(xué)式Z表示的化合物，但不局限于此。

[化學(xué)式Z]

L₂MX

在化學(xué)式Z中，M為金屬，且L和X相同或不同，并且是配體以與M形成復(fù)合化合物。

M可以是例如，Ir、Pt、Os、Ti、Zr、Hf、Eu、Tb、Tm、Fe、Co、Ni、Ru、Rh、Pd或它們的組合，并且L和X可以是例如，雙齒配體。

空穴傳輸輔助層(33)包括具有其中空穴特性相對(duì)強(qiáng)的雙極特性的第三化合物。

如上所述，發(fā)光層(32)增加了電子和空穴遷移性，因此與使用單獨(dú)的化合物相比，通過使用具有其中電子特性相對(duì)強(qiáng)的雙極特性的第一化合物和具有相對(duì)強(qiáng)的空穴特性的第二化合物，顯著改善了發(fā)光效率。

當(dāng)使用具有偏向電子或空穴特性的材料形成發(fā)光層時(shí)，由于發(fā)光層與電子或空穴傳輸層的界面上的載流子復(fù)合而在包括發(fā)光層的裝置中相對(duì)更多地產(chǎn)生了激子。因此，發(fā)光層中的分子激子與空穴傳輸層界面上的電荷相互作用，從而導(dǎo)致了使效率急劇下降的滾降(roll-off)并且還使發(fā)光壽命特性急劇下降。

為了解決這些問題，在發(fā)光層中同時(shí)包含第一和第二化合物以使發(fā)光區(qū)域不偏向電子傳輸層或空穴傳輸層，并且額外地，在空穴傳輸層和發(fā)光層之間的空穴傳輸輔助層包括具有其中空穴特性相對(duì)強(qiáng)的雙極特性的第三化合物，從而防止電荷在空穴傳輸層和發(fā)光層之間的界面處累積，并且可以提供能夠調(diào)節(jié)發(fā)光層中的載流子平衡的裝置。因此，可以提高有機(jī)光電元件的滾降特性，同時(shí)可顯著提高壽命特性。

第三化合物是由化學(xué)式3表示的化合物。

[化學(xué)式3]

在化學(xué)式3中，

X¹是O、S、SO₂、PO或CO，

R¹⁵和R¹⁶獨(dú)立地為氫、氘、鹵素、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C20烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C3至C20環(huán)烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C20烷氧基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C3至C20環(huán)烷氧基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C20烷硫基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6至C30芳烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6至C30芳基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6至C30芳氧基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6至C30芳硫基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C30雜芳基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C30氨基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C3至C30甲硅烷基、氰基、硝基、羥基、羧基或它們的組合，

Ar²和Ar³獨(dú)立地為經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6至C30芳基或經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C30雜芳基，

L²至L⁴獨(dú)立地為單鍵、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C30亞烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C6亞烯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2至C6亞炔基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6至C30亞芳基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的亞雜芳基或它們的組合，并且

n4至n6獨(dú)立地為0至3的整數(shù)，

其中“經(jīng)取代的”是指至少一個(gè)氫被氘、鹵素、羥基、氨基、經(jīng)取代的或未經(jīng)取代的C1至C30胺基、硝基、經(jīng)取代的或未經(jīng)取代的C1至C40甲硅烷基、C1至C30烷基、C3至C30環(huán)烷基、C2至C30雜環(huán)烷基、C6至C30芳基、C2至C30雜芳基、C1至C20烷氧基、氟基、C1至C10三氟烷基或氰基取代。

第三化合物可由例如，化學(xué)式3-I或化學(xué)式3-II中的一個(gè)表示。

在化學(xué)式3-I和化學(xué)式3-II中，X¹、R¹⁵、R¹⁶、Ar²、Ar³、L²至L⁴以及n4至n6與以上描述相同。

化學(xué)式3的Ar²和Ar³可具體地為經(jīng)取代或未經(jīng)取代的苯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的聯(lián)苯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的三聯(lián)苯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的四聯(lián)苯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的萘基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的蒽基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的菲基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的芘基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的三亞苯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的芴基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的吡啶基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的嘧啶基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的三嗪基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的咔唑基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的二苯并呋喃基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的二苯并硫代苯基或它們的組合。

例如，它們可以是組8的官能團(tuán)中的一個(gè)。

[組8]

在組8中，

Y是O、S、CR^cR^d、SiR^eR^f或NR^g，

R⁷⁸至R¹⁴³以及R^c至R^g獨(dú)立地為氫、氘、鹵素、羥基、氨基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C30胺基、硝基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1至C40甲硅烷基、C1至C30烷基、C3至C30環(huán)烷基、C2至C30雜環(huán)烷基、C6至C30芳基、C2至C30雜芳基、C1至C20烷氧基、氟基、C1至C10三氟烷基或氰基或它們的組合，并且

*是連接點(diǎn)。

第三化合物可以是例如，選自組9的化合物，但不局限于此。

[組9]

有機(jī)層(30)可進(jìn)一步包括電子傳輸層(34)。電子傳輸層(34)是幫助電子從陰極(20)轉(zhuǎn)移至發(fā)光層(32)的層，并且根據(jù)需要可被省略。

有機(jī)層(30)可進(jìn)一步包括任選地位于陽極(10)和空穴傳輸層(31)之間的空穴注入層(未示出)和/或位于陰極(20)和電子傳輸層(34)之間的電子注入層(未示出)。

可以將有機(jī)發(fā)光二極管應(yīng)用于有機(jī)發(fā)光顯示裝置。

具體實(shí)施方式

在下文，參考實(shí)例更詳細(xì)地說明實(shí)施方式。然而，這些實(shí)例在任何意義上均不被理解為限制本發(fā)明的范圍。

第一化合物的合成

合成實(shí)施例1：中間體I-1的合成

[反應(yīng)方案1]

在氮?dú)鈿夥障?，?00g(326mmol)的2-溴三亞苯溶于1L的二甲基甲酰胺(DMF)，對(duì)其添加99.2g(391mmol)的雙(頻哪醇)二硼、2.66g(3.26mmol)的(1,1’-雙(二苯基膦)二茂鐵)二氯化鈀(II)和80g(815mmol)的醋酸鉀，并加熱且在150℃下回流5小時(shí)。當(dāng)反應(yīng)完全時(shí)，將水添加至反應(yīng)溶液，過濾混合物，并在真空干燥箱中干燥。將獲得的剩余物分離，并通過柱層析(快速柱層析)純化以獲得113g(98％)的化合物I-1。

HRMS(70eV,EI+)：m/z：C24H23BO2的計(jì)算值：354.1791，求得值：354

元素分析：C，81％；H，7％

合成實(shí)施例2：中間體I-2的合成

[反應(yīng)方案2]

在氮?dú)鈿夥障拢瑢?2.7g(107mmol)的2-溴三亞苯溶于0.3L的四氫呋喃(THF)，并對(duì)其添加3-氯苯硼酸(20g,128mmol)和四(三苯基膦)鈀(1.23g,1.07mmol)，然后攪拌。對(duì)其添加36.8g(267mmol)的飽和碳酸鉀水溶液，并將獲得的混合物加熱，且在80℃下回流24小時(shí)。當(dāng)反應(yīng)完全時(shí)，將水添加至反應(yīng)溶液，用二氯甲烷(DCM)萃取混合物，用無水MgSO4處理萃取物以從其中除去水分，過濾并在降低的壓力下濃縮。將獲得的剩余物分離，通過柱層析純化以獲得22.6g(63％)的化合物I-2。

HRMS(70eV,EI+)：m/z：C24H15Cl的計(jì)算值：338.0862，求得值：338

元素分析：C，85％；H，5％

合成實(shí)施例3：中間體I-3的合成

[反應(yīng)方案3]

根據(jù)中間體I-1中相同的合成方法，通過進(jìn)行合成和純化過程獲得18.6g(65％)的化合物I-3。

HRMS(70eV,EI+)：m/z：C30H27BO2的計(jì)算值：430.2104，求得值：430

元素分析：C，84％；H，6％

合成實(shí)施例4：中間體I-4的合成

[反應(yīng)方案4]

將100g(282mmol)的化合物I-1溶于1L的四氫呋喃(THF)，對(duì)其添加95.9g(339mmol)的1-溴-2-碘苯和3.26g(2.82mmol)的四(三苯基膦)鈀，然后攪拌。對(duì)其添加97.4g(705mmol)的飽和碳酸鉀水溶液，并將獲得的混合物加熱，在80℃下回流53小時(shí)。當(dāng)反應(yīng)完全時(shí)，將水添加至反應(yīng)溶液，用二氯甲烷(DCM)萃取混合物，用無水MgSO4處理萃取物以從其中除去水分、過濾并在降低的壓力下濃縮。將獲得的剩余物分離，通過柱層析純化以獲得95.1g(88％)的化合物I-4。

HRMS(70eV,EI+)：m/z：C24H15Br的計(jì)算值：382.0357，求得值：382

元素分析：C，75％；H，4％

合成實(shí)施例5：中間體I-5的合成

[反應(yīng)方案5]

根據(jù)中間體I-1中相同的合成方法，通過進(jìn)行合成和純化過程獲得74.8g(74％)的化合物I-5。

HRMS(70eV,EI+)：m/z：C30H27BO2的計(jì)算值：430.2104，求得值：430

元素分析：C，84％；H，6％

合成實(shí)施例6：中間體I-6的合成

[反應(yīng)方案6]

根據(jù)中間體I-1中相同的合成方法，通過進(jìn)行合成和純化過程獲得42.6g(80％)的化合物I-6。

HRMS(70eV,EI+)：m/z：C30H19Br的計(jì)算值：458.0670，求得值：458

元素分析：C，78％；H，4％

合成實(shí)施例7：中間體I-7的合成

[反應(yīng)方案7]

根據(jù)中間體I-1中相同的合成方法，通過進(jìn)行合成和純化過程獲得34g(77％)的化合物I-7。

HRMS(70eV,EI+)：m/z：C36H31BO2的計(jì)算值：506.2417，求得值：506

元素分析：C，85％；H，6％

合成實(shí)施例8：化合物A-33

[反應(yīng)方案8]

在氮?dú)鈿夥障?，?0g(39.5mmol)的化合物I-7溶于0.2L的四氫呋喃(THF)，對(duì)其添加10.6g(39.5mmol)的2-氯-4,6-二苯基-1,3,5-三嗪和0.46g(0.4mmol)的四(三苯基膦)鈀，并攪拌。對(duì)其添加13.6g(98.8mmol)的飽和碳酸鉀水溶液，并將獲得的混合物加熱，在80℃下回流23小時(shí)。當(dāng)反應(yīng)完全時(shí)，將水添加至反應(yīng)溶液，用二氯甲烷(DCM)萃取混合物，用無水MgSO4處理萃取物以從其中除去水分、過濾并在降低的壓力下濃縮。將獲得的剩余物分離，通過柱層析純化以獲得化合物A-33(17.9g,74％)。

HRMS(70eV,EI+)：m/z：C45H29N3的計(jì)算值：611.2361，求得值：611

元素分析：C，88％；H，5％

第二化合物的合成

合成實(shí)施例9：化合物C-10的合成

[反應(yīng)方案9]

將10g(34.83mmol)的苯基咔唑基硼酸、11.77g(38.31mmol)的化合物2、14.44g(104.49mmol)的碳酸鉀和0.80g(0.7mmmol)的四-(三苯基膦)鈀(0)懸浮在140ml的甲苯和50ml的蒸餾水中，然后回流并攪拌12小時(shí)。隨后，用二氯甲烷和蒸餾水萃取生成物，并將從其獲得的有機(jī)層硅膠過濾。然后，通過從其除去有機(jī)溶液并進(jìn)行使用己烷:二氯甲烷＝7:3(v/v)的硅膠柱獲得固體，然后使用二氯甲烷和正己烷重結(jié)晶以獲得14.4g(88％)的化合物C-10。

HRMS(70eV,EI+)：m/z：C36H23N的計(jì)算值：469.18，求得值：469

元素分析：C，92％；H，5％

合成實(shí)施例10：化合物B-10的合成

[反應(yīng)方案10]

第一步：化合物J的合成

根據(jù)化合物C-10的相同合成方法，通過進(jìn)行合成過程獲得化合物J。

當(dāng)反應(yīng)完全時(shí)，將通過向反應(yīng)物倒入甲醇產(chǎn)生的固體過濾、再次溶于氯苯中，對(duì)其添加活性炭和無水硫酸鎂，并將混合物攪拌。將溶液過濾，并通過使用氯苯和甲醇重結(jié)晶以獲得22.6g(68％)的化合物J。

HRMS(70eV,EI+)：m/z：C30H20N2的計(jì)算值：408.16，求得值：408

元素分析：C，88％；H，5％

第二步：化合物B-10的合成

將22.42g(54.88mmol)的化合物J、20.43g(65.85mmol)的2-溴-4,6-二苯基吡啶和7.92g(82.32mmol)的叔丁氧基鈉溶于400ml的甲苯，然后以滴加方式對(duì)其添加1.65g(1.65mmol)的鈀二亞芐基胺和1.78g(4.39mmol)的叔丁基磷。將反應(yīng)溶液加熱，并在氮?dú)饬飨略?10℃下攪拌12小時(shí)。當(dāng)反應(yīng)完全時(shí)，將通過向反應(yīng)物中倒入甲醇產(chǎn)生的固體過濾，并再次溶于氯苯，對(duì)其添加活性炭和無水硫酸鎂，并將混合物攪拌。將溶液過濾，并通過使用氯苯和甲醇重結(jié)晶以獲得28.10g(80％)的化合物B-10。

HRMS(70eV,EI+)：m/z：C47H31N3的計(jì)算值：637.25，求得值：637

元素分析：C，89％；H，5％

合成實(shí)施例11：化合物B-31的合成

[反應(yīng)方案11]

通過與化合物C-10相同的方法合成并使用二氯甲烷和正己烷重結(jié)晶來獲得13.8g(92％)的化合物B-31。

HRMS(70eV,EI+)：m/z：C36H24N2的計(jì)算值：484.19，求得值：484

元素分析：C，89％；H，5％

合成實(shí)施例12：化合物B-43的合成

[反應(yīng)方案12]

通過與化合物C-10相同的方法合成并使用二氯甲烷和正己烷重結(jié)晶來獲得18.7g(92％)的化合物B-43。

HRMS(70eV,EI+)：m/z：C48H32N2的計(jì)算值：636.26，求得值：636

元素分析：C，91％；H，5％

第三化合物的合成

合成實(shí)施例13：中間體M-1的合成

[反應(yīng)方案13]

根據(jù)中間體I-4中相同的合成方法，通過進(jìn)行合成和純化過程獲得27g(89％)的化合物M-1。

LC-質(zhì)譜(理論值：322.00g/mol，測(cè)量值：M+＝322.09g/mol，M+2＝324.04g/mol)

合成實(shí)施例14：中間體M-2的合成

[反應(yīng)方案14]

根據(jù)中間體I-4中相同的合成方法，通過進(jìn)行合成和純化過程獲得29g(91％)的化合物M-2。

LC-質(zhì)譜(理論值：337.98g/mol，測(cè)量值：M+＝338.04g/mol，M+2＝340.11g/mol)

合成實(shí)施例15：中間體M-3的合成

[反應(yīng)方案15]

根據(jù)中間體I-2中相同的合成方法，通過進(jìn)行合成和純化過程獲得23.9g(91％)的化合物M-3。

LC-質(zhì)譜(理論值：278.05g/mol，測(cè)量值：M+＝278.12g/mol，M+2＝280.13g/mol)

合成實(shí)施例16：中間體M-4的合成

[反應(yīng)方案16]

根據(jù)中間體I-2中相同的合成方法，通過進(jìn)行合成和純化過程獲得25.6g(92％)的化合物M-4。

LC-質(zhì)譜(理論值：294.03g/mol，測(cè)量值：M+＝294.16g/mol，M+2＝296.13g/mol)

合成實(shí)施例17：中間體M-5的合成

[反應(yīng)方案17]

將10g(30.9mmol)的中間體M-1和6.3g(37.08mmol)的4-氨基聯(lián)苯基以及5.35g(55.6mmol)的叔丁醇鈉放入圓底燒瓶中，并對(duì)其添加155ml的甲苯以溶解它們。依次添加0.178g(0.31mmol)的Pd(dba)₂和0.125g(0.62mmol)的三叔丁基膦，并在氮?dú)鈿夥障聦⑸晌锘亓骱蛿嚢?小時(shí)。當(dāng)反應(yīng)完全時(shí)，使用乙酸乙酯和蒸餾水萃取生成物，用硫酸鎂干燥有機(jī)層并過濾，在降低的壓力下濃縮過濾的溶液。然后，通過使用正己烷/二氯甲烷(7:3體積比)的硅膠柱層析純化從其獲得的產(chǎn)物以獲得9.92g(78％)的中間體M-5作為目標(biāo)化合物。

LC-質(zhì)譜(理論值：411.16g/mol，測(cè)量值：M+＝411.21g/mol)

合成實(shí)施例18：中間體M-6的合成

[反應(yīng)方案18]

根據(jù)中間體M-5中相同的合成方法，通過進(jìn)行合成和純化過程獲得11g(76％)的中間體M-6。

LC-質(zhì)譜(理論值：467.17g/mol，測(cè)量值：M+＝467.23g/mol)

合成實(shí)施例19：中間體M-7的合成

[反應(yīng)方案19]

根據(jù)中間體M-5中相同的合成方法，通過進(jìn)行合成和純化過程獲得10.6g(80％)的中間體M-7。

LC-質(zhì)譜(理論值：427.14g/mol，測(cè)量值：M+＝427.19g/mol)

合成實(shí)施例20：中間體M-8的合成

[反應(yīng)方案20]

根據(jù)中間體M-5中相同的合成方法，通過進(jìn)行合成和純化過程獲得10.5g(80％)的中間體M-8。

LC-質(zhì)譜(理論值：427.14g/mol，測(cè)量值：M+＝427.20g/mol)

合成實(shí)施例21：化合物H-1的合成

[反應(yīng)方案20]

將15g(46.4mmol)的中間體M-1和3.9g(23.2mmol)的4-氨基聯(lián)苯基以及6.7g(69.6mmol)的叔丁醇鈉放入圓底燒瓶中，并對(duì)其添加155ml的甲苯以溶解它們。依次添加0.53g(0.928mmol)的Pd(dba)₂和0.38g(1.86mmol)的三叔丁基膦，并在氮?dú)鈿夥障聦⑸晌锘亓骱蛿嚢?小時(shí)。當(dāng)反應(yīng)完全時(shí)，使用甲苯和蒸餾水萃取生成物，用硫酸鎂干燥有機(jī)層并過濾，在降低的壓力下濃縮過濾的溶液。然后，通過使用正己烷/二氯甲烷(8:2體積比)的硅膠柱層析純化從其獲得的產(chǎn)物以獲得13.7g(90％)的H-1作為目標(biāo)化合物。

LC-質(zhì)譜(理論值：653.24g/mol，測(cè)量值：M+＝653.31g/mol)

合成實(shí)施例22至32：化合物的合成

有機(jī)發(fā)光二極管的制造

實(shí)施例1

在玻璃基板上涂覆ITO(氧化銦錫)達(dá)到厚，并用蒸餾水將經(jīng)涂覆的玻璃超聲波清洗。在用蒸餾水清洗之后，用諸如異丙醇、乙醇、丙酮、甲醇等的溶劑將經(jīng)清洗的玻璃基板超聲波清洗，移至等離子體清潔器以通過使用氧等離子體基板將清潔10分鐘，然后移至真空沉積器。將ITO透明電極用作陽極，將N4,N4’-二苯基-N4,N4’-雙(9-苯基-9H-咔唑-3-基)聯(lián)苯基-4,4’-二胺(化合物A)真空沉積在ITO基板上以形成-厚的空穴注入層，將1,4,5,8,9,11-六氮雜三亞苯基-六腈(HAT-CN)(化合物B)以的厚度沉積在空穴注入層(HIL)上，并將N-(聯(lián)苯基-4-基)-9,9-二甲基-N-(4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-芴-2-胺)(化合物C)以的厚度沉積以形成空穴傳輸層。將合成實(shí)施例23的化合物H-11以的厚度真空沉積在空穴傳輸層上以形成空穴傳輸輔助層。隨后，在空穴傳輸輔助層上，將合成實(shí)施例8的化合物A-33和合成實(shí)施例12的化合物B-43同時(shí)用作主體并通過真空沉積摻雜作為摻雜劑的7wt％的三(4-甲基-2,5-二苯基吡啶)銥(III)(化合物D)以形成-厚的發(fā)光層。在此，以4:6的重量比使用化合物A-33和化合物B-43。

隨后，在發(fā)光層上，以1:1的比例將8-(4-(4-(萘-2-基)-6-(萘-3-基)-1,3,5-三嗪-2-基)苯基)喹啉(化合物E)和Liq同時(shí)真空沉積以形成-厚的電子傳輸層，并在電子傳輸層上，將的Liq和的Al依次真空沉積以形成陰極，從而制造有機(jī)發(fā)光二極管。

有機(jī)發(fā)光二極管具有包括六層有機(jī)薄層的結(jié)構(gòu)，具體地具有以下結(jié)構(gòu)。

ITO/A/B/C/空穴傳輸輔助層[H-11]/EML[A-33:B-43:D＝X:X:7％]/E:Liq/Liq/Al

(X＝重量比)

實(shí)施例2

根據(jù)與實(shí)施例1相同的方法制造有機(jī)發(fā)光二極管，區(qū)別在于使用根據(jù)合成實(shí)施例24的化合物H-6代替化合物H-11用于空穴傳輸輔助層。

實(shí)施例3

根據(jù)與實(shí)施例1相同的方法制造有機(jī)發(fā)光二極管，區(qū)別在于使用根據(jù)合成實(shí)施例25的化合物E-53代替化合物H-11用于空穴傳輸輔助層。

實(shí)施例4

根據(jù)與實(shí)施例1相同的方法制造有機(jī)發(fā)光二極管，區(qū)別在于使用根據(jù)合成實(shí)施例26的化合物E-70代替化合物H-11用于空穴傳輸輔助層。

實(shí)施例5

根據(jù)與實(shí)施例1相同的方法制造有機(jī)發(fā)光二極管，區(qū)別在于使用根據(jù)合成實(shí)施例21的化合物H-1代替化合物H-11用于空穴傳輸輔助層。

實(shí)施例6

根據(jù)與實(shí)施例1相同的方法制造有機(jī)發(fā)光二極管，區(qū)別在于使用根據(jù)合成實(shí)施例32的化合物F-41代替化合物H-11用于空穴傳輸輔助層。

實(shí)施例7

根據(jù)與實(shí)施例1相同的方法制造有機(jī)發(fā)光二極管，區(qū)別在于使用根據(jù)合成實(shí)施例26的化合物E-70代替化合物H-11用于空穴傳輸輔助層并且使用重量比為5:5的化合物A-33和化合物B-43用于發(fā)光層。

實(shí)施例8

根據(jù)與實(shí)施例7相同的方法制造有機(jī)發(fā)光二極管，區(qū)別在于使用根據(jù)合成實(shí)施例32的化合物F-41代替化合物H-11用于空穴傳輸輔助層。

比較實(shí)施例1

根據(jù)與實(shí)施例1相同的方法制造有機(jī)發(fā)光二極管，區(qū)別在于未形成空穴傳輸輔助層并且以的厚度沉積化合物C以形成空穴傳輸層。

比較實(shí)施例2

根據(jù)與實(shí)施例5相同的方法制造有機(jī)發(fā)光二極管，區(qū)別在于未形成空穴傳輸輔助層并且以的厚度沉積化合物C以形成空穴傳輸層。

比較實(shí)施例3

根據(jù)與實(shí)施例1相同的方法制造有機(jī)發(fā)光二極管，區(qū)別在于未形成空穴傳輸輔助層，以的厚度沉積化合物C以形成空穴傳輸層以及通過只沉積化合物A-33代替化合物A-33:化合物B-43(4:6或5:5)形成發(fā)光層。

比較實(shí)施例4

根據(jù)與實(shí)施例1相同的方法制造有機(jī)發(fā)光二極管，區(qū)別在于未形成空穴傳輸輔助層，以的厚度沉積化合物C以形成空穴傳輸層以及通過只沉積化合物B-43代替化合物A-33:化合物B-43(4:6或5:5)形成發(fā)光層。

評(píng)價(jià)

測(cè)量根據(jù)實(shí)施例1至8和比較實(shí)施例1至4的有機(jī)發(fā)光二極管的發(fā)光效率和滾降特性。

具體地，按以下方法實(shí)施測(cè)量，結(jié)果在表1中示出。

(1)根據(jù)電壓變化測(cè)量電流密度變化

當(dāng)將電壓從0V升高至10V時(shí)，使用電流-電壓表(Keithley 2400)測(cè)量在獲得的有機(jī)發(fā)光二極管的單元期間中流動(dòng)的電流值，并將測(cè)量的電流值除以面積以提供結(jié)果。

(2)根據(jù)電壓變化測(cè)量亮度變化

通過使用亮度計(jì)(Minolta Cs-1000A)測(cè)量亮度，同時(shí)將有機(jī)發(fā)光二極管的電壓從0V升高至10V。

(3)發(fā)光效率的測(cè)量

通過使用來自項(xiàng)目(1)和(2)的亮度、電流密度和電壓計(jì)算在相同電流密度(10mA/cm²)下的電流效率(cd/A)。

(4)滾降測(cè)量

根據(jù)來自(3)的特征測(cè)量的{(最大測(cè)量-6000cd/m²處的測(cè)量)/最大測(cè)量}，通過計(jì)算％形式的效率下降量來測(cè)量滾降。

[表1]

參考表1，與根據(jù)比較實(shí)施例1至4的有機(jī)發(fā)光二極管相比，根據(jù)實(shí)施例1至8的有機(jī)發(fā)光二極管顯示出顯著提高的發(fā)光效率和滾降特性。

盡管結(jié)合目前被認(rèn)為具有實(shí)用性的示例性實(shí)施方式描述了本發(fā)明，但應(yīng)該理解，本發(fā)明不局限于公開的實(shí)施方式，但相反，本發(fā)明意圖涵蓋包括在所附權(quán)利要求書的實(shí)質(zhì)和范圍內(nèi)的各種修改和等效布置。因此，前述實(shí)施方式應(yīng)被理解為示例性的而不以任何方式限制本發(fā)明。