專利名稱：半導(dǎo)體用粘接膜、復(fù)合片及使用它們的半導(dǎo)體芯片的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體用粘接膜、復(fù)合片以及使用了它們的半導(dǎo)體芯片的制造方法。
背景技術(shù)：
在將半導(dǎo)體芯片安裝于支承部件上時(shí)，作為粘接半導(dǎo)體芯片和支承部件的管芯焊接(die bonding)材料，以往主要使用銀膏(silver paste)。但是,隨著半導(dǎo)體芯片的小型化 高性能化以及所使用的支承部件的小型化 精密化，在使用銀膏的方法中，存在由于膏劑的滲出、半導(dǎo)體芯片的傾斜引起的引線接合(wire bonding)時(shí)的不佳狀況的產(chǎn)生之類的問題變得日益明顯。為此，近年來逐漸取代銀膏而使用粘接膜(半導(dǎo)體用粘接膜)。作為使用粘接膜獲得半導(dǎo)體裝置的方式，有單片貼附方式及晶片背面貼附方式。在單片貼附方式中，從卷軸狀的粘接膜中利用切割或沖孔切出單片，將該粘接膜的單片粘接在支承部件。借助粘接于支承部件上的粘接膜，將另外地利用切割工序單片化了的半導(dǎo)體芯片接合在支承部件。其后，根據(jù)需要經(jīng)過引線接合工序、密封工序等得到半導(dǎo)體裝置。但是，在單片貼附方式的情況下，由于需要用于將粘接膜以單片切出而粘接于支承部件上的專用的組裝裝置，因此與使用銀膏的方法相比，有制造成本變高的問題。在晶片背面貼附方式中，首先，在半導(dǎo)體晶片的背面依次貼附粘接膜及切割膠帶。此后，將半導(dǎo)體晶片切割而分割為多個(gè)半導(dǎo)體芯片，并且將粘接膜隨著各個(gè)半導(dǎo)體芯片切斷。其后，將半導(dǎo)體芯片與層疊于其背面的粘接膜一起撿取(Pick-up)，借助粘接膜將半導(dǎo)體芯片接合在支承部件。其后，再經(jīng)過加熱、固化、引線接合等工序而得到半導(dǎo)體裝置。在晶片背面貼附方式的情況下，不需要用于將粘接膜單片化的組裝裝置，可以直接使用現(xiàn)有的銀膏用組裝裝置，或者通過附加熱盤等將裝置的一部分改良而使用。由此，在使用了粘接膜的方法當(dāng)中，作為能夠?qū)⒅圃斐杀究刂频帽容^低的方法而備受關(guān)注。另一方面，近年來，作為將半導(dǎo)體晶片切割的方法，提出過如下的隱形切割(stealth dicing)方法通過對(duì)半導(dǎo)體晶片照射激光而在半導(dǎo)體晶片內(nèi)部選擇性地形成改質(zhì)部，并沿著改質(zhì)部將半導(dǎo)體晶片切斷(專利文獻(xiàn)1、2)。該方法中，例如，通過拉伸切割膠帶而對(duì)半導(dǎo)體晶片施加應(yīng)力，從而沿著改質(zhì)部將半導(dǎo)體晶片分割為多個(gè)半導(dǎo)體芯片。專利文獻(xiàn)I :日本特開2002-192370號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2 日本特開2003-338467號(hào)公報(bào)在上述晶片背面貼附方式的情況下，在半導(dǎo)體晶片的切割之時(shí)需要將粘接膜也同 時(shí)地切斷。但是，如果利用使用了金剛石刀片的普通的切割方法將半導(dǎo)體晶片及粘接膜同時(shí)地切斷，就會(huì)有在切斷后的半導(dǎo)體芯片側(cè)面中產(chǎn)生裂紋(芯片裂紋)、或在切斷面中粘接膜形成毛口而產(chǎn)生很多毛刺(burr)的問題。如果存在該芯片裂紋或毛刺，則在撿取半導(dǎo)體芯片之時(shí)半導(dǎo)體芯片變得容易斷裂，導(dǎo)致產(chǎn)品合格率降低。所以，為了抑制芯片裂紋或毛刺的產(chǎn)生，本發(fā)明人等對(duì)如下的方法進(jìn)行了研究，該方法包括準(zhǔn)備疊層體的工序，將半導(dǎo)體晶片、半導(dǎo)體用粘接膜及切割膠帶依次層疊，按照將半導(dǎo)體晶片分割為多個(gè)半導(dǎo)體芯片并且將半導(dǎo)體用粘接膜的厚度方向的至少一部分不切斷而殘留的方式，從半導(dǎo)體晶片側(cè)形成切槽；通過將切割膠帶沿著使多個(gè)半導(dǎo)體芯片相互分離的方向拉伸，而將半導(dǎo)體用粘接膜沿著切槽分割的工序。然而，在使用以往的半導(dǎo)體用粘接膜并利用上述方法進(jìn)行切割時(shí)，明顯會(huì)有難以將半導(dǎo)體用粘接膜沿著切槽完全地?cái)嚅_的問題。另外，期待通過上述隱形切割在某種程度上抑制伴隨著切割而產(chǎn)生的芯片裂紋或毛刺。但是，在采用通過激光加工在半導(dǎo)體晶片形成改質(zhì)部后拉伸切割膠帶來切割半導(dǎo)體晶片的方法的情況下，僅利用切割膠帶的拉伸很難將半導(dǎo)體用粘接膜完全地?cái)嚅_，顯而易、見，由此可知得到高合格率的半導(dǎo)體芯片實(shí)際上是困難的。此外，在使用形成了切槽的疊層體的方法或利用隱形切割的方法中，雖然通過在粘接膜中含有大量的填充劑，粘接膜容易斷裂，可以在一定程度上抑制毛刺的產(chǎn)生，然而該情況下會(huì)有難以在低溫下將粘接膜貼附在半導(dǎo)體晶片的問題。為了實(shí)現(xiàn)對(duì)由半導(dǎo)體晶片的翹曲或各部件的熱過程引起的損傷的抑制等，最好能夠?qū)⒄辰幽ぴ诒M可能低的溫度下貼附在半導(dǎo)體晶片。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于如上所述的情況完成的，其目的在于，提供一種半導(dǎo)體用粘接膜，其能夠在低溫下貼附在半導(dǎo)體晶片，并可以在充分地抑制芯片裂紋或毛刺的產(chǎn)生的同時(shí)，以良好的產(chǎn)品合格率由半導(dǎo)體晶片得到半導(dǎo)體芯片。另外，本發(fā)明的目的還在于，提供一種方法，其使用該半導(dǎo)體用粘接膜，可以在充分地抑制芯片裂紋或毛刺的產(chǎn)生的同時(shí)，以良好的產(chǎn)品合格率由半導(dǎo)體晶片獲得半導(dǎo)體芯片。根據(jù)一個(gè)方面，本發(fā)明涉及一種能夠在100°C以下貼附在半導(dǎo)體晶片的半導(dǎo)體用粘接膜。本發(fā)明的半導(dǎo)體用粘接膜含有聚酰亞胺樹脂，可以利用以總體的50質(zhì)量％以上的比例含有由下述化學(xué)式(I)表示的4，4’ -氧雙鄰苯二甲酸酐的四羧酸二酐與以總體的30質(zhì)量％以上的比例含有由下述通式(II)表示的硅氧烷二胺的二胺的反應(yīng)得到。式(II)中，R表不碳數(shù)為I 5的燒基、碳數(shù)為I 5的燒氧基、苯基或苯氧基，同一分子中的多個(gè)R可以相同或不同，n及m分別獨(dú)立地表示I 3的整數(shù)。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體用粘接薄膜在半導(dǎo)體芯片的制造方法中的應(yīng)用， 所述半導(dǎo)體用粘接薄膜含有聚酰亞胺樹脂，并且能夠在100°c以下貼附于半導(dǎo)體晶片，所述聚酰亞胺樹脂能夠利用以總體的50質(zhì)量％以上的比例含有由下述化學(xué)式(I)表示的4，4’ -氧雙鄰苯二甲酸酐的四羧酸二酐與以總體的30質(zhì)量％以上的比例含有由下述通式(II)表示的硅氧烷二胺的二胺的反應(yīng)來得到，
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體用粘接薄膜在半導(dǎo)體芯片的制造方法中的應(yīng)用，其中， 所述聚酰亞胺樹脂的玻璃化溫度為30°C以上、80°C以下。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的半導(dǎo)體用粘接薄膜在半導(dǎo)體芯片的制造方法中的應(yīng)用，其中， 所述半導(dǎo)體用粘接薄膜還含有熱固化性成分及填充劑， 所述填充劑的含量相對(duì)于該半導(dǎo)體用粘接薄膜的質(zhì)量小于30質(zhì)量％。
4.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的半導(dǎo)體用粘接薄膜在半導(dǎo)體芯片的制造方法中的應(yīng)用，其中， 所述二胺以總體的70質(zhì)量％以上的比例含有由上述通式(II)表示的硅氧烷二胺的二胺。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體用粘接薄膜在半導(dǎo)體芯片的制造方法中的應(yīng)用，其中， 所述二胺以總體的70質(zhì)量％以上的比例含有由上述通式(II)表示的硅氧烷二胺的二胺。
全文摘要
本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體用粘接膜，其能夠在低溫下貼附在半導(dǎo)體晶片，可以在充分地抑制芯片裂紋或毛刺的產(chǎn)生的同時(shí)，以良好的產(chǎn)品合格率由半導(dǎo)體晶片得到半導(dǎo)體芯片。本發(fā)明的半導(dǎo)體用粘接膜含有聚酰亞胺樹脂，可以利用含有由下述化學(xué)式(I)表示的4，4’-氧雙鄰苯二甲酸酐的四羧酸二酐；與含有由下述通式(II)表示的硅氧烷二胺的二胺的反應(yīng)得到，能夠在100℃以下貼附在半導(dǎo)體晶片。
文檔編號(hào)C09J7/00GK102709201SQ201210191649
公開日2012年10月3日 申請(qǐng)日期2008年3月31日 優(yōu)先權(quán)日2007年4月6日
發(fā)明者中村祐樹, 北勝勉, 片山陽二, 畠山惠一 申請(qǐng)人:日立化成工業(yè)株式會(huì)社