專利名稱：玻璃涂覆工藝和設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及根據(jù)權(quán)利要求1的前序所述的在玻璃基板上涂覆的工藝，且特別地涉及一種通過使用至少一種或多種液體原材料來涂覆玻璃基板的工藝，液體原材料基本在玻璃基板表面的至少一部分上或附近起反應(yīng)以在其上形成涂層，該工藝包括以下步驟a)加熱該玻璃基板到至少大致涂覆溫度；b)通過將該一種或多種液體材料轉(zhuǎn)換成液體氣溶膠和將該液體-氣溶膠的至少一部分沉積到玻璃基板表面的所述部分上而在玻璃基板表面上形成涂層；c)重復步驟b)至少一次；以及，d)在多個步驟b)的至少一個之前加熱該玻璃基板表面。本發(fā)明還涉及根據(jù)權(quán)利要求14的前序所述在玻璃基板上形成涂層的設(shè)備，且特別地涉及用于在玻璃基板上熱解地形成涂層的設(shè)備，該設(shè)備包括輸送機裝置，其用于沿著涂覆路徑在下游方向輸送玻璃基板；至少兩個涂覆單元，其沿著涂覆路徑連續(xù)地布置，用于將一種或多種液體材料轉(zhuǎn)換成液體-氣溶膠，且將該液體-氣溶膠噴涂到玻璃基板上以在玻璃基板上形成涂層；玻璃基板加熱裝置，其用于在形成涂層之前加熱該玻璃基板到大致至少玻璃基板的涂覆溫度、退火溫度；以及，一個或多個玻璃基板表面加熱裝置，其用于加熱該玻璃基板表面。
背景技術(shù)：
出于各種目的來制造涂層玻璃，選擇該涂層以給予玻璃某些特定需要的性質(zhì)。用于建筑和汽車玻璃的涂層的重要實例為那些被設(shè)計成相對于紅外輻射減小涂層面的發(fā)射率的涂層(低發(fā)射涂層)，被設(shè)計成減小總太陽能透射的涂層和被設(shè)計成提供親水性或自我清潔玻璃表面的涂層。對于光伏應(yīng)用，具有透明導電氧化物(TCO)涂層的玻璃是很重要的。已知，例如，摻氟氧化錫(FTO)或摻鋁氧化鋅涂層良好地用于TCO和低發(fā)射涂層；氧化鈦涂層，特別地具有銳鈦礦晶體結(jié)構(gòu)，用于自我清潔涂層；且鐵-鈷-鉻基氧化物涂層用于近紅外反射涂層。玻璃上的涂層可被分成兩種不同組，軟涂層和硬涂層。軟涂層通常通過濺射而涂覆且其對于玻璃表面的粘附性相當差。硬涂層通常具有良好的粘附性和高耐磨性，其通常通過熱解方法來涂覆，諸如化學氣相沉積(CVD)和噴霧熱解。在CVD中，涂層前體材料為氣相且使得蒸氣進入涂覆腔室且作為良好控制且均勻的流隨著被涂覆的基板流動。涂層形成速率相當緩慢且因此該工藝通常在超過650°C的溫度執(zhí)行，因為涂層生長速率通常隨著溫度升高指數(shù)地增加。相當高的溫度要求使得CVD工藝相當不適合于在浮法玻璃工藝之外進行玻璃涂覆操作，即，離線涂覆應(yīng)用。為了在低于大約650°C的溫度形成厚涂層，通常厚度超過400nm的涂層，常規(guī)地使用噴涂設(shè)備來在基板上噴涂涂層前體液滴流。但常規(guī)噴霧熱解系統(tǒng)具有許多缺點，諸如生成陡峭的熱梯度，且具有涂層不均勻性和品質(zhì)的問題。通過減小液滴大小可以實現(xiàn)該工藝的重要改進，如在本申請者的目前未公開的芬蘭專利申請FI20071003和FI20080217中所述。涂層形成工藝是表面溫度的阿累尼烏斯型函數(shù)(Arrhenius-type function)且因此需要高玻璃表面溫度來用于快速涂層增長速率。US5，124，180，BTU工程公司(BTU Engineering Corporation)，1992年6月23日，描述了一種用于在基板上產(chǎn)生基本無光霧 (haze free)摻氟金屬氧化物涂層的方法，該方法包括以下步驟加熱基板表面；使所述表面與蒸氣接觸，蒸氣包括金屬氧化物前體、含氧劑、含氟乙烯的摻雜劑；以及，使得所述蒸氣熱反應(yīng)為含氟金屬氧化物。該公開文獻還描述了用于在基板上產(chǎn)生均勻金屬氧化物薄膜涂層的設(shè)備。該設(shè)備包括加熱器和輸送機，加熱器用于加熱該基板到大約450°C與600°C之間，輸送機將加熱的基板輸送到鄰近噴射器頭的反應(yīng)區(qū)。因此，實際上，加熱整個基板，不僅是基板表面。并未描述加熱機制，但該公開文獻的圖IA示出放置于輸送基板下方的加熱
οUS4, 917，717，Glaverbel, 1990年4月17日，描述了一種在熱玻璃基板的上面上熱解形成金屬化合物涂層的設(shè)備。該設(shè)備包括用于噴涂液體原材料的裝置和用于向噴涂區(qū)供熱的加熱裝置。加熱涂覆腔室的噴涂區(qū)以使得涂層前體材料的部分在其到達基板之前蒸發(fā)以利用蒸發(fā)的涂層前體材料充注該區(qū)?；谝后w-氣溶膠的涂層，S卩，前體材料包括氣體和液滴的涂層，通常需要比基于蒸氣的涂層更多的熱，這歸因于液體蒸發(fā)所需的能量。液滴較大，通常具有大約100微米直徑的噴涂涂層，需要較多的蒸發(fā)能量使得噴涂涂層工藝通常不能應(yīng)用于像浮法玻璃生產(chǎn)或玻璃回火的高速工藝中。在涂覆工藝中，冷卻玻璃表面。對于有效的多階段涂覆，必須補償冷卻效果。為了避免玻璃變形，玻璃應(yīng)僅從其表面加熱。美國專利4，655，810，Glaverbel, 1987年4 月7日，描述了通過使表面向一個或多個輻射加熱器暴露而加熱玻璃的表面層，一個或多個輻射加熱器具有低于1100°C的黑體溫度。類似加熱方案也描述于美國專利4，536，204， Glaverbel, 1985年8月20日中。本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知鈉鈣玻璃對于小于2. 5微米的波長具有較高的透明度。因此，僅加熱玻璃表面層的高效輻射加熱器必須在高于此的波長下工作，即在低于900°C的溫度下工作。涂覆工藝常常在600°C左右的溫度執(zhí)行。因此，凈加熱功率低于大約70kW/m2。生產(chǎn)透明導電氧化物(TCO)涂層時不能使用輻射加熱，因為涂層反射紅外光且因此玻璃表面沒有被有效地加熱。UK 專利申請 GB2016444A，Saint-Gobain Industries，1979 年 9 月 26 日，描述了利用火焰來調(diào)整玻璃表面溫度，火焰掃掠離開浮爐的玻璃表面。這種加熱不能用于上面有涂層的玻璃，因為涂層的穩(wěn)定性溫度低于火焰溫度。優(yōu)選地在浮法制造工藝中在線地制造熱解涂層或者在高速離線涂覆系統(tǒng)中制造熱解涂層。在這些情況下，玻璃速度通常在5m/min與50m/min之間。常常需要薄涂層，即用于光伏(PV)應(yīng)用的玻璃上的高效TCO涂層的涂層厚度可為大約1微米。在各種情況下， 可需要多個涂層，即，用于PV應(yīng)用的涂層堆疊可包括兩個襯層和若干TCO層。生產(chǎn)這種涂層需要對玻璃表面進行多階段高速加熱，玻璃表面可包括涂層層。這種加熱不能僅通過輻射加熱進行。因此，現(xiàn)有技術(shù)多階段液體-氣溶膠涂覆工藝和設(shè)備的問題在于噴涂到玻璃表面上的液體-氣溶膠冷卻玻璃表面，使得后面的涂覆階段降級?，F(xiàn)有技術(shù)加熱器和加熱方法對于在浮法玻璃制造工藝期間在線實施的熱解涂覆中或在高速離線涂覆系統(tǒng)和方法中實施的熱解涂覆中加熱玻璃表面是不夠的，在高速離線涂覆系統(tǒng)和方法中玻璃速度通常在 5m/min與50m/min之間。因此，需要能高速形成涂層的更好的基于液體-氣溶膠的涂覆工藝和設(shè)備，包括玻璃表面加熱。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種工藝和設(shè)備以便克服上述現(xiàn)有技術(shù)問題。本發(fā)明的目的通過根據(jù)權(quán)利要求1的特征部分的工藝和特別地通過由對流加熱執(zhí)行玻璃基板表面加熱的工藝來實現(xiàn)。本發(fā)明的目的進一步通過根據(jù)權(quán)利要求14的特征部分的設(shè)備和特別地通過其中玻璃基板表面加熱裝置被布置成通過對流向基板表面供應(yīng)熱能的設(shè)備來實現(xiàn)。在從屬權(quán)利要求中公開本發(fā)明的優(yōu)選實施例。本發(fā)明的主要目的是介紹用于涂覆玻璃的工藝，特別地通過基于液體-氣溶膠的方法來涂覆玻璃的工藝，利用此工藝能以高涂層生長速率產(chǎn)生均勻涂層。本發(fā)明的另一特征是用于以高涂層生長速率在玻璃上產(chǎn)生均勻涂層的設(shè)備。本發(fā)明的目的通過使用至少液體原材料的工藝來達成，液體原材料基本在玻璃表面的至少一部分上起反應(yīng)以在其上形成涂層，在該工藝中，熱玻璃基板的表面，即，具有涂覆溫度或者高于所述玻璃的退火點的溫度的玻璃基板，被加熱到高于玻璃主體的溫度或到玻璃主體的溫度。這種加熱優(yōu)選地通過對流來進行，因為對流基本加熱該玻璃表面且玻璃主體僅通過自玻璃表面的熱的傳導和輻射加熱，且因此玻璃主體比玻璃表面更緩慢地加熱。液體原材料被轉(zhuǎn)換成液滴與氣體的混合物，即，轉(zhuǎn)換為液體-氣溶膠。氣溶膠至少沉積于熱玻璃表面的一部分上，其中原材料起反應(yīng)且形成涂層。本發(fā)明限于任何特定涂層形成機制?？衫鐚嵤┩繉訖C制使得液滴可在撞擊玻璃表面之前以氣相蒸發(fā)且從氣相執(zhí)行涂層形成?？梢詢上嗷騼蓚€以上的相執(zhí)行涂層形成，包括重復玻璃表面加熱和氣溶膠沉積。顯然，第一步也可為氣溶膠在熱玻璃基板上的沉積，之后執(zhí)行至少一個表面加熱-氣溶膠沉積循環(huán)。或者，從玻璃基板上的液體-氣溶膠沉積形成涂層，在液體-氣溶膠中的原材料基本上在玻璃表面上起反應(yīng)使得在玻璃基板上形成涂層，在此工藝中，玻璃表面實質(zhì)上剛好在液體-氣溶膠沉積到該表面上之前被加熱。玻璃表面加熱使得可能施加高于這樣溫度的表面溫度，在所述的這樣溫度下，玻璃變軟從而可彎曲、粘附到輸送機輥或者以其它方式形成使得損害玻璃基板的光學或其它性質(zhì)。實質(zhì)上在玻璃表面加熱工藝之后立即在玻璃表面上沉積液體-氣溶膠。玻璃表面由噴涂、液體蒸發(fā)和涂層形成所致的對流而冷卻，且因此實質(zhì)上通過對流加熱而置于玻璃中的相同熱量由于液體-氣溶膠沉積和涂層形成而取出。這意味著玻璃主體且基本上玻璃主體的相反表面并不顯著地加熱且玻璃基板的性質(zhì)并不在實質(zhì)上受損。對于典型浮法工藝鈉鈣玻璃，玻璃表面通過對流加熱到至少600°C，優(yōu)選地到至少700°C。玻璃表面可通過施加對流而有效地加熱(或冷卻)。在此情形下，對流被定義為由于任何氣體流動引起的傳熱。氣體可包括若干不同氣體且其可包含蒸氣，例如水蒸氣。形成用于對流加熱的氣體混合物的優(yōu)選方式是使用焚燒器來燃燒固體、液體或氣態(tài)燃料且使用燃燒氣體進行對流加熱。當玻璃被加熱時，熱通過氣體流動而傳到玻璃表面。該熱然后通過傳導和輻射而滲透玻璃。當通過對流傳熱時，工藝效率主要取決于氣體流動的動量和玻璃與氣體之間的溫差。術(shù)語‘強制對流’常常用于有意對流加熱以使之與由例如空氣流造成的自然對流進行區(qū)分。有利地使用強制對流來加熱玻璃表面，最優(yōu)選的方式是使用沖擊氣體射流。對流傳熱由方程式
WZA^h(Ty-Ts)描述，其中力為傳熱系數(shù)(w/m2K)，Tg是加熱氣體溫度且Ts是表面溫度。為
了高效加熱，傳熱W/Α應(yīng)高于10kW/m2，更優(yōu)選地高于50 kff/m2且最優(yōu)選地高于100 kW/m2。 顯然，存在兩種替代方案來調(diào)整傳熱系數(shù)調(diào)整傳熱系數(shù)力或者調(diào)整氣體-表面溫差。出于實用觀點，優(yōu)選地使用盡可能高的傳熱系數(shù)力。通過使用沖擊高速射流，可優(yōu)選地增加傳熱系數(shù)到超過100 W/m2K，更優(yōu)選地到超過300 W/n^K且最優(yōu)選地到超過500 W/m2K。液體原材料被霧化且與氣體混合且因此形成液體-氣溶膠。其中流體由高速氣體流動霧化的雙流體霧化器是霧化的優(yōu)選方法，因為可在單個步驟中形成具有良好液滴密度的氣溶膠。為了快速蒸發(fā)液滴，有利地，液體被霧化成小液滴，優(yōu)選地為具有單模態(tài)液滴大小分布的液滴且平均液滴大小為10微米或更小。本發(fā)明的優(yōu)點在于能在浮法玻璃制造工藝中在線地有效加熱玻璃表面或在高速離線涂覆系統(tǒng)和方法中有效加熱玻璃表面，在高速離線涂覆系統(tǒng)和方法中玻璃速度通常在 5m/min 與 50m/min 之間。


在下文中將參看原理附圖更詳細地描述本發(fā)明，在附圖中
圖1示出根據(jù)本發(fā)明用于在浮法玻璃工藝中形成涂層的設(shè)備的實施例。為了清楚起見，圖1僅示出理解本發(fā)明所必要的細節(jié)。對于理解本發(fā)明不必要且對于本領(lǐng)域技術(shù)人員顯然的結(jié)構(gòu)和細節(jié)已從附圖省略以便強調(diào)本發(fā)明的特征。
具體實施例方式根據(jù)本發(fā)明，一種在熱玻璃基板表面上產(chǎn)生涂層的工藝使用至少一種或多種液體原材料，液體原材料基本在玻璃基板表面的至少一部分上起反應(yīng)以在上面形成涂層，在該工藝中，玻璃熱玻璃基板的表面，即，溫度高于所述玻璃基板的退火點的玻璃基板，被加熱高于玻璃主體的溫度。換言之，玻璃基板表面被加熱到比玻璃基板更高的溫度。在此情形下，玻璃基板表面意指玻璃基板的表面或表面層。圖1在原理上示出在浮法玻璃工藝中用于在玻璃帶、玻璃基板2上形成熱解涂層的設(shè)備1的實施例。玻璃基板2在輥4上沿著涂覆路徑在下游方向輸送。玻璃基板2從錫浴3到達涂覆部段且因此在浮法玻璃制造工藝中在錫浴3與退火窯9之間進行涂覆。在涂覆路徑中的第一涂覆單元5在玻璃基板2的頂表面10上噴涂液體-氣溶膠。涂覆單元5 包括一個或多個雙流體霧化器，其中，由高速氮氣流7霧化液體流6，在霧化器頂端的氣流的速度通常為50-300m/s。而且，其它氣體、霧化氣體可用于霧化。液體-氣溶膠沉積工藝冷卻玻璃基板表面10，表面溫度利用曲線T示意性地示出。涂覆單元5因此將液體-氣溶膠噴涂于玻璃基板表面10上且形成熱解涂層。玻璃基板表面加熱裝置8布置到第一涂覆單元5之后的涂覆路徑上?？蓮膱D1看出，若干涂覆單元5沿著涂覆路徑連續(xù)地布置且在涂覆單元之間布置玻璃基板加熱表面裝置8。該設(shè)備1可包括兩個或兩個以上的涂覆單元 5和至少一個玻璃基板表面加熱裝置8。玻璃基板表面加熱裝置8可布置于涂覆單元之一的前方或后方，例如在第一涂覆單元5之前或最后涂覆單元5之后。而且，玻璃基板表面加熱裝置8可布置于任兩個涂覆單元5之間且優(yōu)選地在每個連續(xù)的涂覆單元5之間。玻璃基板加熱裝置8被布置成通過將一個或多個沖擊氣體射流引導到玻璃基板表面10上而產(chǎn)生強制對流加熱。因此，玻璃基板加熱裝置8可包括一個或多個氣體射流以朝向玻璃基板表面10產(chǎn)生氣流且引導該氣流。玻璃基板加熱裝置8中至少一個被布置成提供至少10kW/m2的傳熱且額外地玻璃基板加熱裝置8中至少一個被布置成提供至少100 ff/m2K的對流傳熱系數(shù)力以用于產(chǎn)生玻璃基板表面 10的充分加熱。玻璃基板表面加熱裝置8，強制對流單元，可使用高速氮氣-水蒸氣流，且氣體溫度為大約650°C且氣體射流8在出口的氣體速度為30-200m/s，加熱玻璃表面，這從圖1中的曲線T被看出。然后重復玻璃基板表面10的涂層加熱直到實現(xiàn)所需涂層厚度。在產(chǎn)生例如透明導電氧化物(TCO)涂層中，涂層厚度可為300-900nm且在產(chǎn)生例如自我清潔銳鈦礦涂層中，涂層厚度可為15-50nm。本發(fā)明通過使用至少一種或多種液體原材料來涂覆玻璃基板2的工藝包括若干步驟，其中液體原材料基本在玻璃基板表面10的至少一部分上或附近起反應(yīng)以在其上形成涂層。首先玻璃基板2，整個玻璃基板，被加熱至大致涂覆溫度或至少玻璃基板2的退火溫度。然后通過將該一種或多種液體材料轉(zhuǎn)換成液體氣溶膠和將該液體-氣溶膠的至少一部分沉積到玻璃基板表面10的所述部分上而在玻璃基板表面10上形成涂層。涂覆步驟可進行至少一次。在第一涂覆步驟之前，在連續(xù)涂覆步驟之間和/或在最后涂覆步驟之后，玻璃基板表面10被加熱到涂覆溫度或到高于玻璃基板2的溫度。因此，玻璃基板表面10加熱通過對流加熱來進行。玻璃基板2的涂覆溫度取決于所提供的涂層和玻璃基板的性質(zhì)。以下涂覆材料和涂覆溫度作為實例公開
摻銻氧化錫(ATO) 200-400 0C 摻銦氧化錫(ITO) 300-4000C 摻硼氧化鋅 200-400°C 摻氟氧化鋅 400-500°C 摻鋁氧化鋅(AZO) 400-500 0C 摻氟氧化錫(FTO) 500-800 0C 二氧化鈦 500-800 °C 氮氧化硅(SiOxNy) 500-8000C 碳氧化硅(SiOxCy) 500-800°C。對流加熱可在第一涂覆步驟之前或之后，在至少兩個涂覆步驟之間，優(yōu)選地在每個重復涂覆步驟之間進行。對于本領(lǐng)域技術(shù)人員很顯然的是，隨著技術(shù)進步，本發(fā)明的概念可以各種方式來實施。本發(fā)明和其實施例并不限于上文所述的實例，而是可在權(quán)利要求的范圍內(nèi)變化。
權(quán)利要求
1.一種通過使用至少一種或多種液體原材料來涂覆玻璃基板O)的工藝，所述液體原材料基本在玻璃基板表面(10)的至少一部分上或附近起反應(yīng)以在上面形成涂層，所述工藝包括以下步驟a)加熱所述玻璃基板( 到至少大致涂覆溫度；b)通過將所述一種或多種液體材料轉(zhuǎn)換成液體氣溶膠和將該液體-氣溶膠的至少一部分沉積到所述玻璃基板表面(10)的所述部分上而在所述玻璃基板表面(10)上形成涂層；c)重復步驟b)至少一次；以及，d)在多個步驟b)的至少一個之前加熱所述玻璃基板表面(10)，其特征在于，在步驟d)中所述玻璃基板表面(10)加熱通過對流加熱來進行。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的工藝，其特征在于，所述對流加熱步驟d)在所述多個步驟b) 的第一個之前或之后進行。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的工藝，其特征在于，所述對流加熱步驟d)在所述多個步驟b)的至少兩個之間進行。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的工藝，其特征在于，所述對流加熱步驟d)在每個重復步驟b)之間進行。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的工藝，其特征在于，所述對流加熱步驟d)是強制對流加熱步驟。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項所述的工藝，其特征在于，所述至少一個對流加熱步驟d)中的傳熱是至少10 kW/m2。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項所述的工藝，其特征在于，所述至少一個對流加熱步驟具有至少100 ff/m2K的對流傳熱系數(shù)力。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項所述的工藝，其特征在于，在步驟d)中加熱所述玻璃基板表面(10)到大致所述涂覆溫度或到高于在步驟a)中被加熱的所述玻璃基板( 的溫度。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至8中任一項所述的工藝，其特征在于，加熱所述玻璃基板表面 (10)到至少 600°C。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至9中任一項所述的工藝，其特征在于，使用雙流體霧化器來形成所述液體-氣溶膠。
11.根據(jù)權(quán)利要求1至10中任一項所述的工藝，其特征在于，將所述液體原材料霧化成液滴，且平均液滴直徑為10微米或更小。
12.根據(jù)權(quán)利要求1至11中任一項所述的工藝，其特征在于，在步驟a)中加熱所述玻璃基板( 到至少所述玻璃基板O)的退火溫度。
13.根據(jù)權(quán)利要求1至11中任一項所述的工藝，其特征在于，在步驟a)中加熱所述玻璃基板(2)到至少100°C，優(yōu)選地到至少200°C且最優(yōu)選地到至少300°C。
14.一種用于在玻璃基板( 上熱解地形成涂層的設(shè)備(1)，所述設(shè)備包括-輸送機裝置G)，其用于沿著涂覆路徑( 在下游方向輸送所述玻璃基板O)；-至少兩個涂覆單元(5)，其沿著所述涂覆路徑連續(xù)地布置，用于將一種或多種液體材料轉(zhuǎn)換成液體-氣溶膠，且將該液體-氣溶膠噴涂到所述玻璃基板( 上以在所述玻璃基板( 上形成涂層；-玻璃基板加熱裝置(3)，其用于在形成所述涂層之前加熱所述玻璃基板( 到至少大致所述玻璃基板O)的涂覆溫度；以及-一個或多個玻璃基板表面加熱裝置(8)，其用于加熱該玻璃基板表面(10)，其特征在于，所述玻璃基板表面加熱裝置(8)被布置成通過對流向所述基板表面供應(yīng)熱能。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的設(shè)備(1)，其特征在于，玻璃基板表面加熱裝置(8)布置于所述涂覆單元之一之前或之后。
16.根據(jù)權(quán)利要求14或15所述的設(shè)備(1)，其特征在于，玻璃基板表面加熱裝置(8) 布置于兩個涂覆單元( 之間。
17.根據(jù)權(quán)利要求14或15所述的設(shè)備(1)，其特征在于，玻璃基板表面加熱裝置(8) 布置于每個連續(xù)涂覆單元( 之間。
18.根據(jù)權(quán)利要求14至17中任一項所述的設(shè)備(1)，其特征在于，所述玻璃基板加熱裝置(8)被布置成產(chǎn)生強制對流加熱。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的設(shè)備(1)，其特征在于，所述玻璃基板加熱裝置(8)包括一個或多個氣體射流以朝向所述玻璃基板表面(10)產(chǎn)生氣流且引導該氣流。
20.根據(jù)權(quán)利要求14至19中任一項所述的設(shè)備(1)，其特征在于，所述玻璃基板加熱裝置(8)被布置成加熱所述玻璃基板表面(10)到大致涂覆溫度或到比利用所述玻璃基板加熱裝置( 加熱的所述玻璃基板( 更高的溫度。
21.根據(jù)權(quán)利要求14至20中任一項所述的設(shè)備(1)，其特征在于，所述玻璃基板加熱裝置(8)中的至少一個被布置成提供至少10 kff/m2的傳熱。
22.根據(jù)權(quán)利要求14至21中任一項所述的設(shè)備(1)，其特征在于，所述玻璃基板加熱裝置(8)中的至少一個被布置成提供至少100 ff/m2K的對流傳熱系數(shù)力。
23.根據(jù)權(quán)利要求14至22中任一項所述的設(shè)備(1)，其特征在于，所述涂覆單元(5) 包括一個或多個雙流體霧化器用于將所述液體原材料轉(zhuǎn)換成液體-氣溶膠。
24.根據(jù)權(quán)利要求14至23中任一項所述的設(shè)備(1)，其特征在于，所述涂覆單元(5) 被布置成將所述液體原材料霧化成液滴，且平均液滴直徑為10微米或更小。
25.根據(jù)權(quán)利要求14至M中任一項所述的設(shè)備(1)，其特征在于，所述設(shè)備(1)被布置到玻璃生產(chǎn)線上。
26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的設(shè)備(1)，其特征在于，所述設(shè)備(1)布置于錫浴C3)與退火窯(9)之間。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種通過使用至少一種或多種液體原材料來涂覆玻璃基板(2)的工藝和設(shè)備，液體原材料基本在玻璃基板表面(10)的至少一部分上或附近起反應(yīng)。該工藝包括以下步驟a)加熱該玻璃基板(2)到至少大致涂覆溫度；b)通過將該一種或多種液體材料轉(zhuǎn)換成液體-氣溶膠和將該液體-氣溶膠的至少一部分沉積到玻璃基板表面(10)上而在玻璃基板表面(10)上形成涂層；c)重復步驟b)至少一次；以及，d)在多個步驟b)的至少一個之前加熱該玻璃基板表面(10)。根據(jù)本發(fā)明，通過對流加熱來執(zhí)行步驟d)中的加熱。
文檔編號B05D1/02GK102264661SQ200980152180
公開日2011年11月30日 申請日期2009年12月21日 優(yōu)先權(quán)日2008年12月23日
發(fā)明者塞帕萊南 E., 拉賈拉 M., 科雷林 T. 申請人:本尼克公司