專利名稱：納米防偽標(biāo)識的制作工藝及設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種利用納米技術(shù)制作防偽標(biāo)識的制作工藝及設(shè)備。
目前使用的防偽標(biāo)識多數(shù)是基于某種物理或化學(xué)性質(zhì)研制成功，防偽特征和識別比較單一，而多數(shù)需借用檢測儀器。早期的激光商標(biāo)既精美又有一定的防偽功能，但近十年來由于國內(nèi)生產(chǎn)廠家太多，而且管理混亂，激光商標(biāo)在消費(fèi)者的心目中已經(jīng)失去防偽功效。人民幣防偽集中當(dāng)今多種高水平的防偽技術(shù)工藝，其標(biāo)識反映不同層次、從簡單到復(fù)雜的鑒別方式，使造假者難以仿制，起到了防偽的作用。但其防偽制作工藝復(fù)雜、設(shè)備昂貴、成本費(fèi)用高，中小型企業(yè)無法接受生產(chǎn)，因而難以在大量流通的商品中使用。
本發(fā)明的目的在于提供一種防偽力度高、能夠肉眼簡易辨認(rèn)、成本費(fèi)用低、能大批量生產(chǎn)、適用于大量流通商品中的納米防偽標(biāo)識的制作工藝及設(shè)備。
本發(fā)明的目的是通過下述技術(shù)方案實現(xiàn)的一種納米防偽標(biāo)識的制作工藝及設(shè)備，其制作工藝包括下列工序(1)清洗處理用于制作標(biāo)識的金屬條帶，而后裝入帶盒內(nèi)；(2)工作室抽真空；(3)接通寬束離子源裝置電源，通入氬氣，在高壓2kv電場和永磁鐵磁場的作用下，產(chǎn)生密度約2毫安/平方厘米的氬離子流；(4)氬離子流以30°方向轟擊設(shè)在真空工作室內(nèi)的金屬靶；(5)在氬離子流的轟擊下，金屬靶濺射出負(fù)離子和中性原子；(6)負(fù)離子和中性原子在電場的作用下?lián)袈湓跇?biāo)識模版與其上面的金屬條帶上，與金屬條帶上的原子結(jié)合形成為納米超微粒子；(7)將帶有納米超微粒子的金屬條帶放置在恒溫?zé)崽幚硌b置內(nèi)，進(jìn)行加熱恒溫處理；(8)經(jīng)高溫恒溫處理后的金屬條帶面上顯示出清晰精美的文字圖象，成為具有防偽標(biāo)識的成品。
實施上述工藝所采用的設(shè)備，包括由真空工作室、輸送裝置、寬束離子源裝置、自動控制裝置和恒溫?zé)崽幚硌b置所構(gòu)成，其中所述真空工作室的下方設(shè)有高真空渦輪分子泵和低真空機(jī)械泵，在真空工作室底部與高真空渦輪分子泵之間設(shè)有相連通的閥門，在真空工作室內(nèi)底部設(shè)有金屬靶，真空工作室內(nèi)金屬靶的上方設(shè)置有標(biāo)識模版，模版面上設(shè)有可移動的金屬條帶；所述寬束離子源裝置設(shè)在真空工作室的一側(cè)面上；所述輸送裝置設(shè)在真空工作室的兩側(cè)，與設(shè)置的金屬條帶盒和半成品盒相聯(lián)動；所述自動控制裝置對設(shè)在標(biāo)識模版面上的金屬條帶進(jìn)行步進(jìn)式輸送控制；所述恒溫?zé)崽幚硌b置設(shè)在真空工作室的近處。
本發(fā)明采用上述工藝與設(shè)備，其優(yōu)點(diǎn)為工藝簡單、操作方便、成本費(fèi)用較低，適合于中小型企業(yè)承接生產(chǎn)，可大批量制作，適用于大量流通商品的防偽標(biāo)識。
下面結(jié)合實施例進(jìn)一步詳述本發(fā)明。


圖1為本發(fā)明的制作設(shè)備示意圖。
圖2為圖1的A-A面剖視圖如圖中所示，一種納米防偽標(biāo)識的制作過程如下A、首先將加工成用于制作防偽標(biāo)識的金屬條帶(4)進(jìn)行清洗干凈，然后裝入帶盒(6)中，該金屬條帶(4)為寬80毫米、厚0.01-0.5毫米的鋁箔金屬片；B、由真空工作室(5)下方安裝的帶閥門(8)的高真空渦輪分子泵(10)和低真空機(jī)械泵(11)對該工作室(5)進(jìn)行抽真空，真空度至少達(dá)到0.001帕斯卡；C、接通設(shè)在該真空工作室(5)一側(cè)面上的寬束離子源裝置(1)的電源，通入壓強(qiáng)為0.01帕斯卡的氬氣，在高壓2kv電場和永磁鐵產(chǎn)生的磁場作用下，產(chǎn)生密度近2毫安/平方厘米的氬離子流(12)；D、該氬離子流(12)以30°角度方向轟擊設(shè)在該真空工作室(5)內(nèi)的金屬靶(2)，使該金屬靶(2)濺射出負(fù)離子與中性原子(13)，該金屬靶(2)為由黃金、鈀、銀、鉑金或其二種或其三種的合金制成；E、該負(fù)離子與中性原子(13)在電場作用下，擊落到設(shè)在該金屬靶(2)上方的標(biāo)識模版(3)與置在該模版(3)面上的金屬條帶(4)上，與該金屬條帶(4)上的原子結(jié)合形成為納米超微粒子，其該標(biāo)識模版(3)為厚0.03毫米刻蝕有商標(biāo)文字圖像的鉬箔片；F、在設(shè)置的自動控制裝置(9)控制下，由設(shè)在該真空工作室(5)兩側(cè)的輸送裝置(15)將面上帶有納米超微粒子金屬條帶(4)進(jìn)行步進(jìn)式輸送，送入到該輸送裝置(15)另一端的半成品盒(7)中；G、該真空工作室(5)制作完畢后，關(guān)閉該閥門(8)，系統(tǒng)放氣，關(guān)閉電源，取出該半成品盒(7)；H、將該半成品盒(7)中的金屬條帶(4)送入到設(shè)置的恒溫?zé)崽幚硌b置(14)中進(jìn)行熱處理，其熱處理控制溫度為300-500℃、恒溫時間為10-60秒，熱處理后的該金屬條帶(4)面上顯示出清晰精美的文字圖象，可用作為流通商品的防偽標(biāo)識。
權(quán)利要求
1.一種納米防偽標(biāo)識的制作工藝，其特征在于包括有下列工序(1)清洗處理用于制作標(biāo)識的金屬條帶，而后裝入帶盒內(nèi)；(2)工作室抽真空；(3)接通寬束離子源裝置電源，通入氬氣，在高壓2kv電場和磁場的作用下，產(chǎn)生密度約2毫安/平方厘米的氬離子流；(4)氬離子流以30°方向轟擊設(shè)在真空工作室內(nèi)的金屬靶；(5)在氬離子流的轟擊下，金屬靶濺射出負(fù)離子和中性原子；(6)負(fù)離子和中性原子在電場的作用下?lián)袈涞綐?biāo)識模版與其上面的金屬條帶上，與金屬條帶上的原子結(jié)合形成為納米超微粒子；(7)將帶有納米超微粒子的金屬條帶放置在恒溫?zé)崽幚硌b置內(nèi)，進(jìn)行加熱恒溫處理；(8)經(jīng)恒溫?zé)崽幚砗蟮慕饘贄l帶面上顯示出清晰精美的文字圖象，成為具有防偽標(biāo)識的成品。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作工藝，其特征在于所述金屬條帶為寬80毫米、厚0.01-0.5毫米的鋁箔金屬片。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作工藝，其特征在于所述金屬靶為黃金、鈀、銀、鉑金或其二種或其三種的合金制成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作工藝，其特征在于所述標(biāo)識模版為厚0.03毫米刻蝕有商標(biāo)文字圖像的鉬箔片。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作工藝，其特征在于所述真空工作室的真空度至少為0.001帕斯卡。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作工藝，其特征在于所述氬氣的壓強(qiáng)為0.01帕斯卡。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作工藝，其特征在于所述恒溫?zé)崽幚淼募訜釡囟葹?00-500℃、恒溫時間為10-60秒。
8.一種納米防偽標(biāo)識的制作設(shè)備，由真空工作室、輸送裝置、寬束離子源裝置、自動控制裝置和恒溫?zé)崽幚硌b置所構(gòu)成，其特征在于所述真空工作室的下方設(shè)有高真空渦輪分子泵和低真空機(jī)械泵，在真空工作室底部與高真空渦輪分子泵之間設(shè)有相連通的閥門，在真空工作室內(nèi)底部設(shè)有金屬靶，真空工作室內(nèi)金屬靶的上方設(shè)置有標(biāo)識模版；所述寬束離子源裝置設(shè)在真空工作室的一側(cè)面上；所述輸送裝置設(shè)在真空工作室的兩側(cè)，與設(shè)置的金屬條帶盒和半成品盒相聯(lián)動；所述自動控制裝置對設(shè)在標(biāo)識模版上方的金屬條帶進(jìn)行步進(jìn)式輸送控制；所述恒溫?zé)崽幚硌b置設(shè)在真空工作室的近處。
全文摘要
本發(fā)明公開一種納米防偽標(biāo)識的制作工藝,其包括有下列工序:清洗處理用于制作標(biāo)識的金屬條帶;工作室抽真空;接通寬束離子源裝置電源,通入氬氣,在高壓2kv電場和磁場的作用下,產(chǎn)生密度約2毫安/平方厘米的氬離子流;氬離子流以30°方向轟擊設(shè)在真空工作室內(nèi)的金屬靶;在氬離子流的轟擊下,金屬靶濺射出負(fù)離子和中性原子,在電場的作用下?lián)袈涞綐?biāo)識模版與其上面的金屬條帶上,與金屬條帶上的原子結(jié)合形成為納米超微粒子,經(jīng)恒溫?zé)崽幚砗?金屬條帶面上顯示出清晰精美的文字圖象,具有防偽功能。本發(fā)明工藝簡單、操作方便、成本費(fèi)用較低,適合于中小型企業(yè)承接生產(chǎn),可大批量制作,適用于大量流通商品的防偽標(biāo)識。
文檔編號G09C5/00GK1312532SQ0110977
公開日2001年9月12日 申請日期2001年4月16日 優(yōu)先權(quán)日2001年4月16日
發(fā)明者黃慶文 申請人:黃慶文