專利名稱：：粘合膜組合物、粘合膜、切割芯片粘接膜、封裝體及方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及半導(dǎo)體組裝用粘合膜組合物、粘合膜、切割芯片粘接膜、器件封裝體和相關(guān)方法。
背景技術(shù)：
：銅、合金42及印刷電路板(PCBs)都已用于支撐半導(dǎo)體器件，并且已使用銀(Ag)漿來粘接半導(dǎo)體器件和支撐元件。伴隨半導(dǎo)體器件小型化和容量增大的趨勢，要求用于半導(dǎo)體器件的支撐元件的尺寸更小且具有更細(xì)腳距的特征。對于粘接，逐漸趨向于使用粘合膜來代替銀漿。半導(dǎo)體組裝中使用的粘合膜可與切割膜結(jié)合使用，該切割膜在切割過程中用于固定半導(dǎo)體晶圓。切割是半導(dǎo)體晶圓被切成單個芯片的工藝，該工藝隨后有擴(kuò)展、芯片粘貼、連線壓焊(wirebonding)和固化。芯片粘貼是芯片被粘貼到例如PCB、引線架等下層襯底(next-levelsubstrate)的工藝。連線壓焊是金屬絲通過例如金線或鋁線與芯片和連線端子連接的工藝。固化是部分粘合元件例如在烤爐中被固化以將芯片固定到下層襯底的工藝。在由諸如銅或合金42等金屬制得的引線架用于電子器件工程聯(lián)合委員會(JEDEC)所定義的吸濕工藝中時，濕氣可經(jīng)過粘合膜和引線架之間的界面滲入粘合膜。該濕氣滲透在回流工藝(reflowprocess)中可導(dǎo)致粘合膜的粘合強(qiáng)度降低。此外，該粘合膜降低后的粘合強(qiáng)度可成為在諸如加壓蒸煮測試(pressurecookertest,PCT)和溫度循環(huán)(TC)測試的可靠性測試中可靠性差的主要起因。
發(fā)明內(nèi)容包括該組合物的粘合膜、包括該組合物的切割芯片粘接膜(dicingdiebondingfilm)、包括該組合物的器件封裝體(devicepackage)及相關(guān)方法，它們主要克服源于現(xiàn)有技術(shù)的局限和缺陷的一個或多個問題。由此，實施方式的特征是提供包括倍半硅氧烷低聚物的粘合膜組合物，通過提供半導(dǎo)體組裝用粘合膜，可實現(xiàn)上述及其它特征和優(yōu)點中的至少一種，所述粘合膜組合物包括彈性體樹脂、環(huán)氧樹脂、酚醛固化樹脂和倍半硅氧烷低聚物?；谒鼋M合物的總固體含量，所述倍半硅氧烷低聚物的含量為0.01~3wt%。所述倍半硅氧烷低聚物可由通式1或通式2表示RRR'00、00^SiSiR0R0、fz0Si、(，SizSi'/■R0Si0R(1)/R\\co/I/\〇〇〇c—sRCl-io/〇2在通式1和2中，各R可獨立地為氬原子、烷基、烯基、芳基或亞芳所述彈性體樹脂可包含羥基、羧基或環(huán)氧基。所述環(huán)氧樹脂可包括雙酚型環(huán)氧樹脂、鄰曱酚酚醛清漆型環(huán)氧樹脂(ortho-cresolnovolactypeepoxy)、多官能環(huán)氧樹脂、胺型環(huán)氧樹脂、雜環(huán)環(huán)氧樹脂、取代的環(huán)氧樹脂或萘酚型環(huán)氧樹脂中的一種或多種。所述酚醛固化樹脂可由通式3表示<formula>formulaseeoriginaldocumentpage9</formula>在通式3中，R!和R2可各自獨立地為C廣C4烷基或氫原子，a和b可各自獨立地為0~4的整數(shù)，且n可以是07的整數(shù)。所述環(huán)氧樹脂和所述酚醛固化樹脂可以以環(huán)氧樹脂的環(huán)氧當(dāng)量:酚醛固化樹脂的羥基當(dāng)量為0.6:1-1.6:1的比例存在。所述粘合膜組合物可進(jìn)一步包括硅烷偶聯(lián)劑、固化促進(jìn)劑和填料。'所述固化促進(jìn)劑可包括如通式4所示的化合物R7(4)。在通式4中，R!Rs可各自獨立地為氫原子、鹵素原子或烷基。所述填料可以是球形或無定形形狀且尺寸為5nm10nm的無機(jī)填料<所述粘合膜組合物可包括5~75wt。/。的彈性體樹脂、3~40wt。/。的環(huán)氧樹月旨、3~25wt。/o的酚醛固化樹脂、0.01~10wtQ/o的硅烷偶聯(lián)劑、0.01~10wt%的固化促進(jìn)劑和3~60wt。/。的填料。該粘合膜組合物可包括5~75wt。/。的彈性體樹脂、3~40wt。/。的環(huán)氧樹脂和3~25wt。/o的酚醛固化樹脂。通過提供半導(dǎo)體組裝用粘合膜，還可實現(xiàn)上述及其它特征和優(yōu)點的至少一種，所述粘合膜包括彈性體樹脂、環(huán)氧樹脂、酚醛固化樹脂和倍半硅氧烷低聚物?；谒鼋M合物的總固體含量，所述倍半硅氧烷低聚物的含量為0.01~3wt%。通過提供切割芯片粘接膜，也可實現(xiàn)上述和其它特征和優(yōu)點的至少一種，所述切割芯片粘接膜包括基膜、在基膜上的壓敏粘合層和在壓敏粘合層上的粘合膜，以使壓敏粘合層在粘合膜和基膜之間。所述粘合膜可包括彈性體樹脂、環(huán)氧樹脂、酚醛固化樹脂和倍半硅氧烷低聚物，基于所述組合物的總固體含量，所述倍半硅氧烷低聚物的含量為0.01~3wt%。所述壓敏粘合層可包括丙烯酸類壓敏粘結(jié)劑和熱固化劑，所述粘結(jié)劑可具有15~30的羥值和1或更低的酸值，所述粘結(jié)劑可包含25mol。/。的環(huán)氧環(huán)和1520mol。/o的引入乙烯基的單體，且熱固化劑的鞋值:粘結(jié)劑的羥值的當(dāng)量比可為0.5:1~1:1。通過提供封裝器件的方法，也可實現(xiàn)上述及其它特征和優(yōu)點的至少一種，所述方法包括提供芯片和下層襯底，且利用粘合膜粘接芯片和下層襯底，以使所述粘合膜布置在芯片和下層襯底之間。該粘合膜可包括彈性體樹脂、環(huán)氧樹脂、酚醛固化樹脂和倍半硅氧烷低聚物，基于所述組合物的總固體含量，所述倍半硅氧烷低聚物的含量為0.01~3wt%。通過提供器件封裝體，也可實現(xiàn)上述及其它特征和優(yōu)點的至少一種，所述器件封裝體包括芯片、粘合膜和下層襯底。芯片可通過粘合膜與下層襯底粘接，且該粘合膜包括彈性體樹脂、環(huán)氧樹脂、酚醛固化樹脂和倍半硅氧烷低聚物，基于所述組合物的總固體含量，所述倍半硅氧烷低聚物的含量為0.01~3wt%。所述下層襯底可以是金屬引線架，且該金屬引線架可主要是銅或主要是合金42。通過參照附圖詳細(xì)描述示例性實施方式，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來說，上述及其它特征和優(yōu)點將變得更顯而易見，其中圖1A和1B表示通式1~4;和圖2表示包括利用根據(jù)實施方式的粘合膜粘貼到下層襯底的芯片的器件封裝體。具體實施例方式于2007年12月20日向韓國知識產(chǎn)權(quán)局提出了名稱為"半導(dǎo)體組裝用粘合月莫纟且合物及其粘合月莫(AdhesiveFilmCompositionforSemiconductorAssemblyandAdhesiveFilmTherefrom)，，的韓國專利申請10-2007-0134390,其全部內(nèi)容通過引用合并于此。以下將參考附圖更完整地描述示例性實施方式；但它們可以以不同形式實施且不應(yīng)理解為僅限于在此陳述的實施方式。更確切地說，這些實施方式的提供使本公開更為徹底和完全，并將本發(fā)明的范圍充分地呈現(xiàn)給本領(lǐng)域技術(shù)人員。在附圖中，為了圖示清楚，層和區(qū)域的尺寸可能被放大。還應(yīng)理解的是，當(dāng)層或元件被說成是另一層或襯底"之上"時，它可以是直接位于另一層或襯底上，或者也可存在插入層。另外，應(yīng)理解的是，當(dāng)層被說成是另一層"之下，，時，它可以是直接在下面，也可存在一層或多層插入層。此外，還應(yīng)理解的是，當(dāng)層被說成是兩層"之間"時，它可以是這兩層之間的唯一的層，或者也可存在一層或多層插入層。全文中相同的附圖標(biāo)記表示相同的元件。在此所用的表述"至少一個"、"一個或多個"和"和/或，，是開》文式的表述，既有組合使用又有單獨使用的含義。例如，每一種表'述"A、B和C中的至ii少一個"、"a、b或C中的至少一個"、"A、b和C中的一個或多個"、"A、B或C中的一個或多個，，以及"A、B和/或C，，都包括如下含義只有A;只有B;只有C;既有A又有B;既有A又有C;既有B又有C;以及A、B和C三個全部。并且，這些表述是開放式的，除非有相反意義的表達(dá)，即將這些表述與術(shù)語"由......組成"聯(lián)合使用。例如，"A、B和C中的至少一個"的表述也可以包括第n個成員，其中n大于3，而"選自由A、B和C所組成的組中的至少一個"的表述則不包括。此處使用的表述"或(or)"不是"排他的或"，除非與詞語"任一(either)"連用。例如，表述"A、B或C"包括如下含義只有A;只有B;只有C;既有A又有B;既有A又有C;既有B又有C;以及A、B和C三個全部。而表述"要么A、要么B、要么C(eitherA，B,orC)"則指的是只有A、只有B、或只有C中的一種，而不表示既有A又有B、既有A又有C、既有B又有C、以及A、B和C三個全部中的任一種含義。此處使用的表述"不定冠詞(a，an)，，為開放式的表述，可以與單一成分連接使用也可以與多種成分連接使用。例如，表述"珪烷偶耳關(guān)劑(asilanecouplingagent)，，可表示一種化合物，如3-縮水甘油氧基三曱氧基硅烷，或者表示多種化合物的組合，如3-縮水甘油氧基三曱氧基硅烷和3-縮水甘油氧基三乙氧基硅烷的混合物。除非另外說明，此處所用的聚合材料的分子量是重均分子量。此處所用的術(shù)語"重量百分比"和"wt。/。"是可互換的，都是指重量百分比。除非另外說明，諸如"基于所述組合物的總固體含量，wto/o或重量百分比"的表述是指除溶劑以外測定的重量。也就是說，此處所用的參照點"所述粘合膜組合物的總量"不包括溶劑。例如，在組合物是由A和B兩種成分組成時，且基于所述粘合膜組合物的總固體含量，A的含量是35wt。/。及B的含量是65wt%,向組合物加入溶劑將使該組合物中的A和B基于所述粘合膜組合物的總固體含量，仍具有35wt。/。的A及65wt。/。的B。根據(jù)實施方式的粘合膜組合物可用于半導(dǎo)體組裝。該組合物可包括彈性體樹脂、環(huán)氧樹脂、酚醛固化樹脂和倍半硅氧烷低聚物。該倍半硅氧烷低聚物可對由例如銅或合金42制得的下層襯底提供高水平的粘合力。因此，該組合物即使在吸濕后也可提供高粘合強(qiáng)度，且可確保耐回流性(reflowresistance)以提供非?？煽康倪m于半導(dǎo)體組裝的粘合膜。在實施方式中，基于組合物的總固體含量，所述組合物中的倍半硅氧烷低聚物量可為0.013wt。/。。該倍半硅氧烷低聚物可具有RSi03/2的化學(xué)通式，其中R可獨立地為氳原子、烷基、烯基、芳基或亞芳基。該倍半硅氧烷低聚物可具有梯狀結(jié)構(gòu)或無規(guī)結(jié)構(gòu)。該倍半硅氧烷低聚物的重均分子量可為5000及更低，優(yōu)選2000及更寸氐。所述倍半硅氧烷低聚物可由通式1或通式2表示<formula>formulaseeoriginaldocumentpage13</formula>(2)。在通式1和2中，各R可獨立地為氫原子、烷基、烯基、芳基或亞芳基。在實施中，各R可以是相同的，例如都是曱基，都是氫等。具有倍半硅氧烷低聚物的粘合膜組合物即使在吸濕后也可提供高粘附強(qiáng)度，且可確保耐回流性以提供非?？煽康倪m于半導(dǎo)體組裝的粘合膜。通常，芯片可粘貼到印刷電路板或濕敏金屬引線架上。當(dāng)根據(jù)實施方式的粘合膜用于金屬引線架時，即使在吸濕過程中，通過通式l和2的烷基和金屬引線架之間的氫鍵也賦予其高粘合強(qiáng)度，以提供耐回流性以及在PCT測試和其它測試中的高可靠性?；谒稣澈夏そM合物的總固體含量，上述倍半硅氧烷低聚物的優(yōu)選用量為0.013wt0/0，更優(yōu)選為0.05~3wt%,和最優(yōu)選為0.05~1.0wt%。倍半硅氧烷低聚物的用量為3wt。/。或更低，可避免對硅芯片粘合力的降低以及粘合膜涂層強(qiáng)度的降低，從而可避免降低粘合膜的粘合強(qiáng)度。所述粘合膜組合物中包含的彈性體樹脂是對粘合膜賦予強(qiáng)度的橡膠成分，以使該膜易于處理并供形成具有適宜粘合強(qiáng)度的粘合膜使用。該彈性體樹脂優(yōu)選含有羥基、羧基或環(huán)氧基。彈性體樹脂的重均分子量優(yōu)選為50,000-5,000,000,更優(yōu)選為100,000-800,000。適用于示例性實施方式的彈性體樹脂實例包括丙烯腈類彈性體、丁二烯類彈性體、苯乙烯類彈性體、丙烯酸酯類彈性體、異戊二烯類彈性體、乙烯類彈性體、丙烯類彈性體、聚氨酯類彈性體和硅樹脂類彈性體?；谡澈夏そM合物的總固體含量，所述粘合膜組合物內(nèi)的彈性體樹脂量可為5~75wt%，優(yōu)選為20~70wt%,更優(yōu)選為40~60wt%,和最優(yōu)選為50~60wt%。所述粘合膜組合物內(nèi)包含的環(huán)氧樹脂可用作可固化粘合劑。環(huán)氧樹脂可以是提供可固化性和粘合性的固態(tài)或液態(tài)。優(yōu)選地，環(huán)氧樹脂具有至少一個官能團(tuán)。環(huán)氧樹脂優(yōu)選具有100~1,500g/當(dāng)量的環(huán)氧當(dāng)量，更優(yōu)選為150~800g/當(dāng)量，和最優(yōu)選為150-400g/當(dāng)量。具有100g/當(dāng)量或更高的環(huán)氧當(dāng)量的環(huán)14氧樹脂的固化產(chǎn)品可提供有利的粘合力水平。具有1,500g/當(dāng)量或更低的環(huán)氧當(dāng)量的環(huán)氧樹脂因高玻璃化轉(zhuǎn)變溫度和良好的耐熱性而有利。所述環(huán)氧樹脂可包括，例如雙酚型環(huán)氧樹脂、鄰曱酚酚醛清漆型環(huán)氧樹脂、多官能環(huán)氧樹脂、胺型環(huán)氧樹脂、雜環(huán)環(huán)氧樹脂、取代的環(huán)氧樹脂或萘酚型環(huán)氧樹脂。.市場上可買到的雙酚型環(huán)氧樹脂的實例包括Epiclon830-S、EpiclonEXA畫830CRP、EpiclonEXA850-S、EpiclonEXA-850CRP和EpiclonEXA-835LV(大日本油墨化學(xué)工業(yè)抹式會社，日本)；Epicoat807、Epicoat815、Epicoat825、Epicoat827、Epicoat828、Epicoat834、Epicoat1001、Epicoat1004、Epicoat1007和Epicoat1009(Yuka-ShellEpoxyCo.，Ltd.(曰本))；DER-330、DER-301和DER-361(陶氏化學(xué));及Yd-128和YDF-170(國都化學(xué)有限公司(韓國))。市場上可買到的鄰甲酚酚醛清漆型環(huán)氧樹脂的實例包括YDCN-500-1P、YDCN-500-4P、YDCN-500-5P、YDCN-500-7P、YDCN-500-80P和YDCN-500-90P(國都化學(xué)有限公司(韓國))；及EOCN畫102S、EOCN-103S,EOCN畫104S、EOCN-1012、EOCN-1025和EOCN-1027(日本化藥4朱式會社(日本))。市場上可買到的多官能環(huán)氧樹脂實例包括Epon1031S(Yuka-ShellEpoxyCo"Ltd.(日本));Araldite0163(汽巴精化有限公司);及DenacolEX-611、DenacolEX-614、DenacolEX陽614B、DenacolEX-622、DenacolEX-512、DenacolEX-521、DenacolEX-421、DenacolEX-411和DenacolEX-321(長瀨產(chǎn)業(yè)林式會社，日本)。市場上可買到的胺型環(huán)氧樹脂實例包括Epicoat604(Yuka-ShellEpoxyCo.，Ltd.(日本))；YH-434(TohtoKaseiCo"Ltd.(日本))；TETRAD-X和TETRAD-C(三菱瓦斯化學(xué)株式會社，日本)；及ELM-120(住友化學(xué)抹式會社(日本))。市場上可買到的雜環(huán)環(huán)氧樹脂是汽巴精化有限公司的商標(biāo)PT-810的產(chǎn)\3口口o市場上可買到的取代的環(huán)氧樹脂實例包括ERL-4234、ERL-4299、ERL-4221和ERL-4206(聯(lián)合碳化物公司)。市場上可買到的萘酚型環(huán)氧樹脂實例包括EpiclonHP-4032、EpiclonHP-4032D、EpiclonHP-4700和Epiclon4701(大日本油墨化學(xué)工業(yè)林式會社)。以上環(huán)氧樹脂可單獨使用，或以它們的兩種或更多種的混合物使用?；谡澈夏そM合物的總固體含量，所述粘合膜組合物中的環(huán)氧樹脂量可為3~40wt%,優(yōu)選為5~30wt%,更優(yōu)選為7~21wt%,和摹優(yōu)選為10~16wt%。所述粘合膜組合物內(nèi)包含的酚醛固化樹脂優(yōu)選為在一個分子中具有兩個或多個酚輕基的化合物。優(yōu)選的酚醛固化樹脂包括諸如雙酚A樹脂、雙酚F樹脂和雙酚S樹脂等雙酚固化樹脂，以及諸如苯酚酚醛清漆樹脂、雙酚A酚醛清漆樹脂、曱酚酚醛清漆樹脂、聚酚醚(xylok)樹脂和聯(lián)苯樹脂等苯酚樹脂，在暴露于濕氣中時，它們都呈現(xiàn)優(yōu)異的耐電解腐蝕性。市場上可買到的酚醛固化樹脂實例包括筒單酚醛固化樹脂，諸如H-l、H-4、HF-1M、HF-3M、HF-4M和HF-45(MeiwaPlasticIndustries,Ltd.，日本)；對二曱苯型固化樹脂，諸如MEH-78004S、MEH-7800SS、MEH-7800S、MEH-7800M、MEH-7800H、MEH-7800HH和MEH畫78003H(MeiwaPlasticIndustries,Ltd.,日本)；KPH-F3065(KolonChemicalCo.,Ltd.(韓國));聯(lián)苯型固化樹脂，諸如MEH-7851SS、MEH-7851S、MEH7851M、MEH-7851H、MEH-78513H和MEH-78514H(MeiwaPlasticIndustries,Ltd.,日本)和KPH-F4500(KolonChemicalCo.,Ltd.(韓國));和三苯甲基型固化樹脂，諸如MEH-7500、MEH-75003S、MEH-7500SS、MEH-7500S和MEH-7500H(MeiwaPlasticIndustries,Ltd.,日本)。以上酚醛固化劑可單獨使用，或以它們的兩種或更多種的混合物使用。所述酚醛固化劑優(yōu)選如通式3所示16(3)。在通式3中，R,和R2可各自獨立地為C廣C4烷基或氫原子，a和b可各自獨立地為0~4的整數(shù)，及n可以是07的整數(shù)。通式3的酚醛固化樹脂在其分子結(jié)構(gòu)中含有兩個或多個羥基，在暴露于濕氣中時呈現(xiàn)優(yōu)異的耐電解腐蝕性，且因其低吸濕性而呈現(xiàn)良好的耐熱性和出眾的耐回流性。通式3的酚醛固化樹脂優(yōu)選具有100-600g/當(dāng)量的鞋基當(dāng)量，更優(yōu)選為170300g/當(dāng)量。如果酚醛固化樹脂的羥基當(dāng)量是100g/當(dāng)量或更高時，則吸濕性會降低而耐回流性會增強(qiáng)。如果酚醛固化樹脂的羥基當(dāng)量是600g/當(dāng)量或更低時，則玻璃轉(zhuǎn)化溫度會增高且耐熱性會增強(qiáng)。優(yōu)選環(huán)氧樹脂的環(huán)氧當(dāng)量與酚醛固化樹脂的羥基當(dāng)量的比為0.6:1~1.6:1(環(huán)氧樹脂的環(huán)氧當(dāng)量:酚醛固化樹脂的羥基當(dāng)量)，更優(yōu)選為0.8:1~1.2:1。保持0.6:1~1.6:1的混合比可有助于確保粘合膜的良好的粘合性和可固化性。所述粘合膜組合物可進(jìn)一步包括硅烷偶聯(lián)劑、固化促進(jìn)劑和填料的一種或多種。所述粘合膜組合物內(nèi)包含的硅烷偶聯(lián)劑可充當(dāng)粘合增強(qiáng)劑以增強(qiáng)組合物中樹脂對無機(jī)材料表面(例如二氧化硅填料)的粘合。因而，硅烷偶聯(lián)劑的使用會有助于進(jìn)一步增強(qiáng)粘合膜組合物的粘合強(qiáng)度。所述硅烷偶聯(lián)劑可包括，例如含環(huán)氧硅烷、含胺硅烷或含巰基硅烷。示例性硅烷化合物包括含環(huán)氧硅烷，諸如2-(3,4-環(huán)氧環(huán)己基)-乙基三曱氧基硅烷、3-縮水甘油氧基三曱氧基硅烷、和3-縮水甘油氧基丙基三乙氧基硅烷；含胺硅烷，諸如N-2-(氨基乙基)-3-氨基丙基曱基二曱氧基硅烷、N-2-(氨基乙基)-3-氨基丙基三曱氧基硅烷、N-2-(氨基乙基)-3-氨基丙基三乙氧基硅烷、3-氨基丙基三曱氧基硅烷、3-氨基丙基三乙氧基硅烷、3-三乙氧基硅烷基-N-(1，3-二曱基亞丁基)丙胺和N-苯基-3-氨基丙基三曱氧基硅烷；和含巰基硅烷，諸如3-巰丙基曱基二曱氧基硅烷和3-巰丙基三乙氧基硅烷；以及含異氰酸酯硅烷，諸如3-異氰酸丙基三乙氧基硅烷。以上硅烷化合物可單獨使用，或兩種或更多種組合使用?；谡澈夏そM合物的總固體含量，所述粘合膜組合物中的硅烷偶聯(lián)劑量優(yōu)選為0.01~10wt%，更優(yōu)選為0.3~5wt%,和最優(yōu)選為0.5~3wt%。所述粘合膜組合物中包括的固化促進(jìn)劑可充當(dāng)縮短固化時間的催化劑，以使環(huán)氧樹脂在半導(dǎo)體組裝過程中完全固化。固化促進(jìn)劑實例包括膦型固化促進(jìn)劑、硼型固化促進(jìn)劑和咪唑型固化促進(jìn)劑。膦型固化促進(jìn)劑的實例包括三苯基膦、三-鄰-曱苯基膦、三-間-曱苯基膦、三-對-曱苯基膦、三-2,4-二曱苯基膦、三-2,5-二曱苯基膦、三-3,5-二曱笨基膦、三千基膦、三(對-曱氧基苯基)膦、三(對-叔丁氧基苯基)膦、二苯基環(huán)己基膦、三環(huán)己基膦、三丁基膦、三-叔丁基膦、三-正辛基膦、二苯基對苯乙烯基膦(diphenylphosphinostyrene)、二苯基氯化膦、三-正辛基氧化膦、二苯基氫醌氧化膦(diphenylphosphinylhydroquinone)、四丁基氫氧化膦、四丁基膦醋酸鹽、芐基三苯基膦六氟銻酸鹽、四苯基膦四苯基硼酸鹽、四苯基膦四對甲苯基硼酸鹽、千基三苯基膦四苯基硼酸鹽、四苯基膦四氟硼酸鹽、對曱苯基三苯基膦四對曱苯基硼酸鹽、三苯基膦三苯基硼烷、1,2-雙(二革基膦基)乙烷、1,3-雙(二苯基膦基)丙烷、1,4-雙(二苯基膦基)丁烷和1,5-雙(二苯基膦基)戊烷。硼型固化促進(jìn)劑的實例包括苯硼酸、4-曱基苯硼酸、4-曱氧基苯硼酸、4-三氟代曱氧基苯硼酸、4-叔丁氧基苯硼酸、3-氟-4-甲氧基苯硼酸、吡啶-三苯基硼烷、2-乙基-4-曱基咪唑四苯基硼酸鹽(2-ethyl-4-methylimidazoliumtetraphenylborate)、1,8-二氮雜二環(huán)[5.4.0]十一碳烯-7-四苯基硼酸鹽、1,5-二氮雜二環(huán)[4.3.0]壬烯-5-四苯基硼酸鹽和三苯基正丁基硼酸鋰。咪唑型固化促進(jìn)劑的實例包括2-曱基咪唑、2-十一烷基咪唑、2-十七烷基咪唑、2-乙基-4-曱基咪唑、2-苯基咪唑、2-苯基-4-曱基咪唑、1-千基-2-苯基咪唑、1，2-二甲基咪唑、l-氰乙基-2-曱基咪唑、l-氰乙基-2-乙基-4-甲基咪唑、l-氰乙基-2-十一烷基咪唑、l-氰乙基-2-苯基咪唑、l-氰乙基-2-十一烷基咪唑偏苯三酸酯、l-氰乙基-2-苯基咪唑偏苯三酸酯、2,4-二氨基-6-[2，-曱基咪唑基-(l，)]-乙基-s-三嗪、2，4-二氨基-6-[2，-十一烷基咪唑基-(r)]-乙基-s-三嗪、2,4-二氨基-6-[2，-乙基-4，-曱基咪唑基-(l，)]-乙基-s-三嗪、2,4-二氨基-6-[2，-甲基咪唑基-(l，)]-乙基-s-三。秦異氰尿酸加合物二水合物、2-苯基咪唑異氰尿酸加合物、2-曱基咪唑異氰尿酸加合物二水合物、2-苯基-4，5-二羥甲基咪唑、2-苯基-4-曱基-5-羥曱基咪唑、2,3-二氫-lH-吡咯并[l，2-a]苯并咪唑、4,4，-亞曱基-雙(2-乙基-5-甲基咪唑)、2-曱基咪唑啉、2-苯基咪唑啉、2，4-二氨基-6-乙烯基-l,3,5-三溱、2,4-二氨基-6-乙烯基-1，3,5-三。秦三異氰尿酸加合物、2，4-二氨基-6-曱基丙烯酰氧乙基-1，3,5-三嗪三異氰尿酸加合物、1-(2-氰乙基)-2-乙基-4-曱基咪唑、l-氰乙基-2-曱基咪唑、1-(2-氰乙基)-2-苯基-4,5-二-(氰基乙氧基曱基)咪唑、l-乙酰-2-苯肼、2-乙基-4-曱基咪唑啉、2-芐基-4-曱基二咪唑啉、2-乙基味唑啉、2-苯基-4,5-二羥曱基咪唑、三聚氰胺和雙氰胺。以上固化促進(jìn)劑可單獨使用，或兩種或更多種組合使用。在一個實施方式中，所述固化促進(jìn)劑可以是通式4所示的化合物R，R在通式4中，RiR8可各自獨立地為氳原子、囟素原子或烷基。與胺固化劑或咪唑固化催化劑相比，如通式4所示的固化促進(jìn)劑可具有更高的固化反應(yīng)引發(fā)溫度，可有利于獲得均勻的固化速度，且在室溫下可呈現(xiàn)相對較低的反應(yīng)性，從而提供優(yōu)異的儲存穩(wěn)定性。因而在優(yōu)選實施方式中，由通式4所示的固化促進(jìn)劑可在室溫下用于阻止固化反應(yīng)進(jìn)行，以便可以減少在半導(dǎo)體組裝過程中因不規(guī)則的固化性能而引起的缺陷。此外，與包含胺固化催化劑或咪唑固化催化劑的粘合膜組合物相比，包括由通式4所示的固化促進(jìn)劑的粘合膜組合物會呈現(xiàn)相對較低的電導(dǎo)率，從而在"加壓蒸煮測試"過程中產(chǎn)生優(yōu)異的可靠性?；谡澈夏そM合物的總固體含量，所述粘合膜組合物中的固化促進(jìn)劑量優(yōu)選為0.01~10wt%，更優(yōu)選為0.03~5wt%。固化促進(jìn)劑的含量為0.01wt%或更高可有助于確保環(huán)氧樹脂的充分交聯(lián)并可增強(qiáng)耐熱性。保持固化催化劑含量為10wtQ/。或更低可有助于確保所述組合物的儲存穩(wěn)定性不會變差。所述粘合膜組合物中包括的填料可有助于賦予組合物觸變性以控制組合物的熔融粘度?？墒褂脽o機(jī)或有機(jī)填料。作為無機(jī)填料，可使用金屬成分，例如金粉、銅粉或鎳粉；或非金屬成分，例如氧化鋁、氫氧化鋁、氫氧化鎂、碳酸釣、碳酸鎂、硅酸鉤、硅酸鎂、氧化鈣、氧化鎂、氮化鋁、二氧化硅、氮化硼、二氧化鈦、玻璃、氧化鐵、陶乾等。有機(jī)填料可以是碳類填料、橡膠類填料、聚合物類填料等。球形二氧化硅或無定形二氧化硅可用作無機(jī)填料。填料的平均粒徑優(yōu)選為5nm~10,,更優(yōu)選為10nm3)im?；谒稣澈夏そM合物的總固體含量，上述填料的用量優(yōu)選為3~60wt%,更優(yōu)選為530wt。/。。如果填料用量為3wt。/?；蚋撸瑒t填料可提供良好的增強(qiáng)效果。如果填料用量為60wt。/?；蚋?，則可減少對被粘物的粘合力下降。所述粘合膜組合物可進(jìn)一步包括有機(jī)溶劑以提供低粘度，從而有利于成膜。考慮成膜過程中有機(jī)溶劑的揮發(fā)性，有機(jī)溶劑可以是，例如曱苯、二曱苯、丙二醇單曱醚醋酸酯、苯、丙酮、丁酮、四氫呋喃(THF)、二曱基曱酰胺(DMF)、環(huán)己酮或它們的混合物。基于所述粘合膜組合物的總重量，有機(jī)溶劑含量可為5~85wt%。在實施中，成膜后殘留的有機(jī)溶劑殘留量可為lwt。/?；蚋?。過量殘留的揮發(fā)性有機(jī)溶劑會導(dǎo)致在半導(dǎo)體組裝工藝中芯片粘貼到例如印刷電路板(PCB)的下層襯底時形成空隙。另一實施方式提供了利用根據(jù)實施方式的粘合膜形成的切割芯片粘接膜。該切割芯片粘接膜可通過在諸如氯乙烯或聚烯烴膜等基膜上涂布UV可固化粘合層或普通的可固化壓敏粘結(jié)劑來制成。根據(jù)一個實施方式的粘合膜可提供在該UV可固化粘合層或壓敏粘結(jié)劑上。因而,.該切割芯片粘接膜可以是根據(jù)實施方式的粘合膜和切割膜的層壓片，即切割芯片粘接膜可通過在基膜上依次層壓壓敏粘合層和根據(jù)實施方式的粘合膜來制得。半導(dǎo)體晶圓可粘貼到切割芯片粘接膜上，隨后將該晶圓切割成片。芯片粘合膜、即根據(jù)實施方式的粘合膜，在取放工藝中應(yīng)與芯片同時剝離。此外，諸如氣泡等空隙在粘合膜粘合到半導(dǎo)體晶圓的背面的過程中將被最小化。實施回流以在襯底上固定半導(dǎo)體封裝體。因而，所述粘合膜層應(yīng)具有良好的耐回流性和耐溫度循環(huán)性，以使粘貼到半導(dǎo)體封裝體內(nèi)芯片的粘合膜不會脫落或使芯片破裂。可使用常規(guī)的儀器或設(shè)備由根據(jù)實施方式的粘合膜組合物形成用于半導(dǎo)體組裝的粘合膜。該膜也可通過通常已知方法形成。例如，可將酚醛固化樹脂、倍半硅氧烷低聚物、硅烷偶聯(lián)劑、固化促進(jìn)劑、填料等溶于有機(jī)溶劑。然后，可利用球磨機(jī)將得到的溶液捏合，涂布到經(jīng)剝離處理(release-treated)的聚對苯二曱酸乙二醇酯(PET)膜，并加熱干燥形成具有適當(dāng)涂層厚度的粘合膜。該粘合膜的厚度優(yōu)選調(diào)整為5~200pm,更優(yōu)選為10~100^im。5jim或更大的厚度可有助于確保充分的粘合強(qiáng)度。200(im或更地的厚度可避免浪費。優(yōu)選基膜是透輻射材料。當(dāng)對UV照射起反應(yīng)的輻射可固化壓敏粘結(jié)劑應(yīng)用于基膜時，該基膜可由高透光材料形成。用于所述基膜的聚合物材料的實例包括聚烯烴均聚物和共聚物，諸如聚乙烯、聚丙烯、丙烯-乙烯共聚物、乙烯-丙烯酸乙酯共聚物、乙烯-丙烯酸曱酯共聚物和乙烯-醋酸乙烯酯共聚物，以及聚碳酸酯、聚曱基丙烯酸曱酯、聚氯乙烯和聚氨酯共聚物?；さ?厚度可考慮諸如抗張強(qiáng)度、拉伸率和輻射透射率等因素來決定，優(yōu)選為50~200,。所述壓敏粘合層可由魯通壓敏粘合組合物形成。例如，該壓敏粘合層可包括具有乙烯基的丙烯酸類壓敏粘結(jié)劑和熱固化劑。該粘結(jié)劑可具有15~30的羥值和1或更低的酸值。該粘結(jié)劑可包含25moP/。的環(huán)氧環(huán)和15~20mol。/。的引入乙烯基的單體，且熱固化劑的雍值與粘結(jié)劑的羥值的當(dāng)量比可為0.5:1~1:1。80%或更多的壓敏粘合組合物可在100-450mJ/cm2UV照射劑量下固化。此外，該壓敏粘合組合物可具有0.05N/25mm或更高的剝離強(qiáng)度，通過光固化后在6、50、300和1,000mm/分鐘的不同速率下測得。圖2表示根據(jù)實施方式的器件封裝體，包括芯片、粘合膜層和下層襯底。參照圖2，根據(jù)實施方式的粘合膜層105a可布置在芯片100a和下層襯底130之間。所述芯片可以是，例如半導(dǎo)體芯片、光學(xué)或光電芯片、微型機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)芯片等。所述下層襯底可以是，例如另一片芯片、印刷電路板、引線架、插入層等。該下層襯底可包含金屬。在實施中，該下層襯底可以是由銅、合金42(公稱成分為58%Fe(鐵)和42%Ni(鎳))等形成的引線架。該引線架可以主要是銅，即50wt。/?；蚋嗟你~，主要是合金42等。用例如環(huán)氧模塑料等可將芯片100a和粘合膜層105a封裝在下層襯底130上。提供下列實施例和對比例來說明一個或多個實施方式的具體細(xì)節(jié)。但應(yīng)理解該實施方式不限于所描述的具體細(xì)節(jié)。實施例22將實施例1~4的表1中所示的成分和對比例13的表2中所示的成分放入到1L的安裝有高速攪拌器的圓筒形燒瓶中，并以4,000rpm分散20分鐘以制備各自的粘合膜組合物。用球磨機(jī)對每種粘合膜組合物精細(xì)研磨30分鐘。該研磨重復(fù)總次數(shù)為2次以上。通過50pm的嚢式過濾器過濾得到的粉末，利用涂抹器在經(jīng)剝離處理的聚對苯二曱酸乙二醇酯(PET)膜上涂布為20pm的厚度，并在90~120。C干燥20分鐘以得到粘合膜。將彈性體樹脂溶于曱苯直至固體含量達(dá)到20重量份，將環(huán)氧樹脂和酚醛固化樹脂中的每一種溶于丁酮(MEK)以制備具有50重量份固體含量的溶液，并將倍半硅氧烷低聚物溶于環(huán)己酮以制備具有10重量份固體含量的溶液。表1固含量(％)實施例1實施例2實施例3實施例4彈性體樹脂(竭20325g350g100g腦g環(huán)氧樹脂響5029g23g50g50g酚醛固化樹脂(切5014gU.8g24g24.8g倍半硅氧烷低聚物(的1010glg10glg硅烷偶聯(lián)劑(。5)1001.0glglglg固化促進(jìn)劑(—1001.5g1.5glglg填料(117)10010g10g40g40g總計-390.5g398.3g226g217.8g注:nl.彈性體樹脂KLS-1045，藤倉化成林式會社(日本)，鞋值=13mgKOH/g,酸值=63mgKOH/g，Tg=38°C，平均分子量=690,000。n2.環(huán)氧樹脂YDCN-500-4P,國都化學(xué)有限公司(韓國)，當(dāng)量=205。n3.酚醛固化樹脂HF-1M,MeiwaPlasticIndustries,Ltd.(日本),當(dāng)量=106。n4.倍半^圭氧烷^f氐聚物2-7466,道康寧。n5.硅烷偶聯(lián)劑3-縮水甘油氧基丙基曱氧基硅烷，信越化學(xué)工業(yè)林式會社.(日本)。23n6.固^M足進(jìn)劑四苯基膦四苯基硼酸鹽(MEH-7800C,MeiwaPlasticIndustries,Ltd.,日本)，聚酚醚型酚醛固化劑的衍生物。n7.填料Aerosil-200，德固賽。表2<table>tableseeoriginaldocumentpage24</column></row><table>注:nl.彈性體樹脂KLS-1045，藤倉化成林式會社(日本)，羥值=13mgKOH/g,酸值=63mgKOH/g,Tg=38。C,平均分子量=690,000。n2.環(huán)氧樹脂YDCN-500-4P，國都化學(xué)有限公司(韓國)，當(dāng)量=205。n3.酚醛固化樹脂HF-1M，MeiwaPlasticIndustries,Ltd.(日本),當(dāng)量=106。n4.倍半^圭氧烷低聚物2-7466，道康寧。n5.硅烷偶聯(lián)劑3-縮水甘油氧基丙基曱氧基硅烷，信越化學(xué)工業(yè)株式會社(日本)。n6.固化^f足進(jìn)劑四苯基膦四苯基硼酸鹽(MEH-7800C，MeiwaPlasticIndustries,Ltd.，日本)，聚酚醚型酚醛固化劑衍生物。n7.填料Aerosil-200,德固賽。粘合膜物理性能的評價對由實施例1~4和對比例1~3制得的粘合膜的物理性能評價如下，且其結(jié)果分別示于表3和表4。在對上述粘合膜進(jìn)行耐回流和耐溫度循環(huán)測試后，通過超聲波掃描顯微鏡(SAT)觀察粘合膜的脫落和裂紋。測定粘合膜的芯片剪切強(qiáng)度，且其結(jié)果示于表3和4。(1)芯片剪切強(qiáng)度將涂有氧化物膜的530nm厚的晶圓切成具有5mmx5mm大小的芯片。在6(TC下將這些芯片與各粘合膜層壓。將各層壓片切割成只留下被粘合部分。將芯片(5mmx5mm)放置在合金42引線架(10mmxl0mm)上，在120。C的熱板上以lkgf的負(fù)荷加壓l秒鐘將芯片粘貼到引線架，然后在175°C固化2小時。得到的測試片在85°C/85%RH中吸濕168小時，并且在最高26(TC下進(jìn)行3次回流。之后，測定測試片的芯片剪切強(qiáng)度。在加壓蒸煮測試(PCT)168小時后，再在250。C下測定芯片剪切強(qiáng)度。測試結(jié)果示于表3和4。表3<table>tableseeoriginaldocumentpage25</column></row><table>表4<table>tableseeoriginaldocumentpage26</column></row><table>(2)安裝空隙在60。C下將涂有氧化物膜的530nm厚的晶圓(直徑100mm)與各粘合膜層壓。觀察是否形成尺寸大于lmm的安裝空隙。在安裝空隙數(shù)目是O時，該層壓片判定為"好"；在安裝空隙數(shù)目為3或更少時為"一般"；在安裝空隙數(shù)目是4或更多時為"差"。(3)耐回流測試將各粘合膜組裝在涂有氧化物膜的lOOjim厚的晶圓上，并切割成具有8mmx8mm和10mmx10mm大小的芯片。將不同大小的芯片粘貼在QDP組件上形成雙層結(jié)構(gòu)。得到的結(jié)構(gòu)用環(huán)氧模塑料(EMC)(SG-8500BC，第一毛織抹式會社，韓國)在175。C下制模60秒，并在175°C下后固化2小時得到測試片。這些測試片于85°C/85%RH中吸濕168小時，并在最高260。C進(jìn)行三次回流。之后，通過超聲波掃描顯微鏡(SAT)觀察測試片的脫落和裂紋。其結(jié)果示于表3和4。在10%或更多的測試片脫落且觀察到有裂紋時，該測試片被判定為"差"。(4)180。剝離強(qiáng)度在室溫(25°C)下將各粘合膜與切割膜層壓，靜置一個小時，然后切成具有25mm(寬)x70mm(長)大小的矩形膜，該切割膜由壓敏粘合層和聚烯烴膜組成。利用萬能試驗機(jī)(Instron)測定矩形膜的180。剝離強(qiáng)度。在300mm/分鐘的脫落速度下測定180。剝離強(qiáng)度。該切割膜(第一毛織林式會社，韓國)通過在聚烯烴膜(100pm)上涂布UV可固化壓敏粘結(jié)劑(lOpm)來制備。其結(jié)果示于表3和4。表3和表4中所列的結(jié)果表明根據(jù)實施方式的粘合膜(包括倍半硅氧烷低聚物的實施例14)在回流后具有比對比例1的粘合膜以及對比例2和3的粘合膜更高的剪切強(qiáng)度，其中對比例1的粘合膜包括大量倍半硅氧烷低聚物，對比例2和3的粘合膜不含倍半硅氧烷低聚物。具體地，實施例1~4的粘合膜在PCT后的芯片剪切強(qiáng)度未呈現(xiàn)顯著降低。在包括大量倍半硅氧烷低聚物的粘合膜(對比例1)中，組裝過程中出現(xiàn)空隙，因而在回流測試中觀察到裂紋，表明未得到高可靠性。此外，不含倍半硅氧烷低聚物的對比例2和3的粘合膜在PCT后具有低的芯片剪切強(qiáng)度值，表明未得到PCT中的高可靠性。由前述內(nèi)容明顯可知，包括倍半硅氧烷的粘合膜組合物可對引線架提供高粘附強(qiáng)度。另外，根據(jù)實施方式的粘合膜組合物可提供在回流工藝、PCT和TC測試中呈現(xiàn)高可靠性的粘合膜。此處公開了示例性實施方式，盡管使用了特定術(shù)語，但它們僅用于并解釋為普通說明目的而并非用于限制目的。因而，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)理解的是，可在形式和細(xì)節(jié)上進(jìn)行各種改變而不背離所附權(quán)利要求所述的本發(fā)明的精神和范圍。2權(quán)利要求1、一種半導(dǎo)體組裝用粘合膜組合物，該粘合膜組合物包括彈性體樹脂；環(huán)氧樹脂；酚醛固化樹脂；和倍半硅氧烷低聚物，其中基于所述組合物的總固體含量，所述倍半硅氧烷低聚物的含量為0.01～3wt％。2、如權(quán)利要求1所述的粘合膜組合物，其中所述倍半硅氧烷低聚物由通式1或通式2表示<formula>formulaseeoriginaldocumentpage2</formula>在通式1和2中，各R獨立地為氫原子、烷基、烯基、芳基或亞芳基。3、如權(quán)利要求1所述的粘合膜組合物，其中所述彈性體樹脂包含羥基、羧基或環(huán)氧基。4、如權(quán)利要求1所述的粘合膜組合物，其中所述環(huán)氧樹脂包括雙酚型環(huán)氧樹脂、鄰曱酚酚醛清漆型環(huán)氧樹脂、多官能環(huán)氧樹脂、胺型環(huán)氧樹脂、雜環(huán)環(huán)氧樹脂、取代的環(huán)氧樹脂或萘酚型環(huán)氧樹脂中的一種或多種。5、如權(quán)利要求1所述的粘合膜組合物，其中酚醛固化樹脂由通式3表示<formula>formulaseeoriginaldocumentpage3</formula>(3),且在通式3中，R4和R2各自獨立地為CrC4烷基或氫原子，a和b各自獨立》也為04的整凄史，且n是07的整凄史。6、如權(quán)利要求1所述的粘合膜組合物，其中所述環(huán)氧樹脂和所述酚醛固化樹脂以環(huán)氧樹脂的環(huán)氧當(dāng)量:酚醛固化樹脂的鞋基當(dāng)量為0.6:1-1.6:1的比例存在。7、如權(quán)利要求1所述的粘合膜組合物，進(jìn)一步包括硅烷偶聯(lián)劑、固化促進(jìn)劑和填料。8、如權(quán)利要求7所述的粘合膜組合物，其中所述固化促進(jìn)劑包括通式4所示的化合物<formula>formulaseeoriginaldocumentpage3</formula>在通式4中，R廣R8各自獨立地為氫原子、卣素原子或烷基。9、如權(quán)利要求7所述的粘合膜組合物，其中所述填料是球形或無定形形狀且尺寸為5nm~10pm的無機(jī)填料。10、如權(quán)利要求7所述的粘合膜組合物，其中所述粘合膜組合物包括575wtQ/。的彈性體樹脂，340wt。/。的環(huán)氧樹脂，3~25wt。/。的酚醛固化樹脂，0.01~10wt。/o的硅烷偶聯(lián)劑，0.01~10城％的固化4足進(jìn)劑，和360wt。/。的填料。11、如權(quán)利要求l所述的粘合膜組合物，其中所述粘合膜組合物包括5~75wt。/。的彈性體樹脂，340wt。/。的環(huán)氧樹脂，和3~25城％的酚醛固化樹脂。12、一種半導(dǎo)體組裝用粘合膜，所述粘合膜包括彈性體樹脂；環(huán)氧樹脂；酚酪固化樹脂；和倍半硅氧烷低聚物，其中基于組合物的總固體含量，所述倍半硅氧烷低聚物的含量為0.01~3wt%。13、一種切割芯片粘接膜，包括基膜；在所述基膜上的壓敏粘合層；和在所述壓敏粘合層上的粘合膜，以使所述壓敏粘合層在所述粘合膜和所述基膜之間，其中所述粘合膜包括彈性體樹脂；環(huán)氧樹脂；酚醛固化樹脂；及倍半硅氧烷低聚物，基于組合物的總固體含量，所述倍半硅氧烷低聚物的含量為0.01~3wt%。14、如權(quán)利要求13所述的切割芯片粘接膜，其中所述壓敏粘合層包括丙烯酸類壓敏粘結(jié)劑和熱固化劑，所述粘結(jié)劑具有15~30的羥值和1或更低的酸值，所述粘結(jié)劑包含2~5mol。/o的環(huán)氧環(huán)和15~20mol。/。的引入乙烯基的單體，且熱固化劑的羥值:粘結(jié)劑的羥值的當(dāng)量比為0.5:1~1:1。15、一種封裝器件的方法，所述方法包括提供芯片和下層襯底；和利用粘合膜粘接芯片和下層襯底，以使所述粘合膜布置在所述芯片和所述下層襯底之間，其中所述粘合膜包括彈性體樹脂；，環(huán)氧樹脂；酚醛固化樹脂；和倍半硅氧烷低聚物，基于組合物的總固體含量，所述倍半硅氧烷低聚物的含量為0.01~3wt%。16、一種器件封裝體，包括心/f5粘合膜；和下層襯底，其中所述芯片通過所述粘合膜與下層襯底粘接，且所述粘合膜包括彈性體樹脂；環(huán)氧樹脂；酚醛固化樹脂；和倍半硅氧烷低聚物，基于組合物的總固體含量，所述倍半硅氧烷低聚物的含量為0.01~3wt%。17、如權(quán)利要求16所述的器件封裝體，其中下層襯底是金屬引線架，且該金屬引線架主要是銅或主要是合金42。全文摘要本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體組裝用粘合膜組合物、粘合膜、切割芯片粘接膜、器件封裝體和相關(guān)方法。所述半導(dǎo)體組裝用粘合膜組合物包括彈性體樹脂、環(huán)氧樹脂、酚醛固化樹脂和倍半硅氧烷低聚物?；谒鼋M合物的總固體含量，該倍半硅氧烷低聚物的含量可為0.01～3wt％。文檔編號C09J201/00GK101463245SQ20081018650公開日2009年6月24日申請日期2008年12月18日優(yōu)先權(quán)日2007年12月20日發(fā)明者丁暢范,任首美,洪容宇,片雅濫,喆鄭,金完中,金相珍申請人:第一毛織株式會社