專利名稱：：激光加工用粘合片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及激光加工用粘合片，更詳細(xì)地說(shuō)，涉及用激光切割半導(dǎo)體晶片等被加工物時(shí)使用的激光加工用粘合片。
背景技術(shù)：
：近來(lái)，隨著電氣、電子設(shè)備的小型化，零部件也向著小型化、高精細(xì)化發(fā)展。因此，對(duì)于各種材料的切割加工也被要求高精細(xì)化、高精密化。特別是在對(duì)小型化、高密度化有著很高要求的半導(dǎo)體領(lǐng)域，近年來(lái)使用熱損傷少且可以進(jìn)行高精細(xì)加工的激光切割半導(dǎo)體晶片的方法受到關(guān)注。該技術(shù)是這樣一種方法，例如，把在基板上形成有各種各樣的電路以及進(jìn)行了表面處理的被加工物固定在切割片上，用激光切割被加工物，使其成為小的芯片(例如專利文獻(xiàn)l)。另外，還提出了一種切割片材，其由包含基材膜的基材和形成在該基材表面的粘合劑層構(gòu)成，雖然粘合劑層被激光切斷，但基材膜并沒(méi)有被切斷(如專利文獻(xiàn)2)。[專利文獻(xiàn)l]特開(kāi)2004-79746號(hào)7>才艮[專利文獻(xiàn)2]特開(kāi)2002-343747號(hào)7>才艮
發(fā)明內(nèi)容發(fā)明要解決的課題但是，在被加工物的切割中使用激光時(shí)，只切斷粘合劑層而不切斷基材膜是非常難控制的。即使可以只切斷粘合劑層，在激光照射的部位，基材膜的背面有時(shí)也局部強(qiáng)力附著在切割裝置上的用于加工的夾具臺(tái)上。并由此引發(fā)對(duì)后續(xù)工序，即對(duì)將基材膜拉伸從而將被加工物剝離，并將它們各自回收的工序等帶來(lái)障礙的問(wèn)題。本發(fā)明就是鑒于這樣的情況而作成的，目的在于提供一種激光加工用粘合片，該粘合片在用激光切斷半導(dǎo)體晶片等被加工物時(shí)，可以把基材膜本身的切斷限制在最小限度，防止基材膜向加工用臺(tái)面局部附著，從而可以容易且高效地進(jìn)行之后的工序。解決課題的方法本發(fā)明人等對(duì)于在采用激光加工裝置切割時(shí)的激光照射的部位，基材膜和加工用臺(tái)面局部強(qiáng)力附著的現(xiàn)象進(jìn)行了反復(fù)深入研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)，激光的能量到達(dá)基材膜的背面，由于局部集中而發(fā)熱，從而引起基材膜材料的熔融等，設(shè)想干預(yù)激光的能量集中及發(fā)熱，發(fā)現(xiàn)了能夠把這些作用限制在最小值的特定的必要條件或是它們的組合，從而完成了本發(fā)明。也就是說(shuō)，本發(fā)明的激光加工用粘合片是在基材膜的表面疊層粘合劑層而形成的激光加工用粘合片，上述基材膜在里面?zhèn)仍O(shè)有帶凹凸的接觸減少層。這樣的激光加工用粘合片優(yōu)選接觸減少層將算術(shù)平均粗糙度Ra在l.Opm以上的凹凸分布在基材膜里面的外表面上。接觸減少層優(yōu)選通過(guò)噴砂、壓花處理或者表面涂布法形成。還有，基材膜優(yōu)選具有50%以上的透光率，或者含有至少l層聚烯烴類樹(shù)脂，或者含有熔點(diǎn)在80。C以上的層。作為聚烯烴類樹(shù)脂，優(yōu)選選自聚乙烯、聚丙烯、乙烯共聚物、丙烯共聚物、乙烯-丙烯共聚物中的一種以上。另外，基材膜優(yōu)選進(jìn)一步含有至少斷裂拉伸度不同的2層以上的層，且與接觸減少層相鄰配置斷裂伸長(zhǎng)率大的層，斷裂伸長(zhǎng)率大的層的斷裂伸長(zhǎng)率優(yōu)選為100%以上。發(fā)明效果按照本發(fā)明的激光加工用粘合片，通過(guò)減少基材膜的背面與加工用臺(tái)面的接觸面積，可以有效地防止基材膜的背面局部附著在切割裝置的加工用臺(tái)面上的現(xiàn)象，該現(xiàn)象起因于激光的能量在激光照射的部位局部集中而產(chǎn)生的基材膜的熔融。因此，其以后的工序，即，將基材膜拉伸而將被加工物同粘合劑層一起剝離，并將其各自回收的工序可以容易且高效地進(jìn)行。特別是，接觸減少層使算術(shù)平均粗糙度Ra在l.Ofmi以上的凹凸分布在基材膜里面的外表面的情況下，能夠有效地減少基材膜與加工用臺(tái)面的接觸面積。另外，在基材膜具有50%以上的透光率的情況下，可以防止基材膜本身由于激光而引起的劣化。另外，在基材膜含有至少l層聚烯烴類樹(shù)脂的情況下，可以將對(duì)于所使用的激光的透光率和/或吸光系數(shù)設(shè)定得比較高，從而可以降低基材膜本身的加工性，即變得難以切斷。特別是在聚烯烴類樹(shù)脂為選自聚乙烯、聚丙烯、乙烯共聚物、丙烯共聚物、乙烯-丙烯共聚物中的1種以上的情況下，能夠更加顯著地發(fā)揮上述效果。此外，基材膜含有熔點(diǎn)在80。C以上的層的情況下，在基材膜的里面，能夠更有效地防止基材膜的熔融，從而可以抑制局部附著在加工用臺(tái)面上的現(xiàn)象。另外，基材膜進(jìn)一步含有至少斷裂伸長(zhǎng)率不同的2層以上的層，且斷裂伸長(zhǎng)率大的層配置在與接觸減少層相鄰的情況下，斷裂伸長(zhǎng)率大的層的斷裂伸長(zhǎng)率為100%以上時(shí)，可以將對(duì)于所使用的激光的透光率和/或吸光系數(shù)設(shè)定得更高，因此可以防止基材膜自身的切斷。另外，接觸減少層通過(guò)噴砂、壓花處理或者表面涂布法形成時(shí)，可以容易且筒便地形成接觸減少層。圖1為本發(fā)明的激光加工用粘合片的概略剖面圖。圖2為本發(fā)明的激光加工用粘合片的概略平面圖。圖3為試驗(yàn)本發(fā)明的激光加工用粘合片時(shí)用于說(shuō)明試樣的制作方法的片的概略圖和放大圖。具體實(shí)施例方式本發(fā)明的激光加工用粘合片主要由一面設(shè)有帶凹凸的接觸減少層的基材膜和在此基材膜的另一面上形成的粘合劑層構(gòu)成。形成在基材膜的里面的帶凹凸的接觸減少層，主要是用于減少基材膜的里面與加工用臺(tái)面的接觸面積的層，使得即使由于激光的照射而使基材膜熔融等，基材膜本身也不會(huì)粘接或牢固地附著在加工用臺(tái)面上。接觸減少層將例如算術(shù)平均粗糙度Ra在1.0|im以上的凹凸分布在基材膜里面的外表面上。特別是Ra更優(yōu)選為1.2pm以上、1.3fmi以上、甚至1.5|im以上。由于這樣的凹凸，能夠使基材膜本身與加工用臺(tái)面的接觸面積減少，同時(shí)在基材膜和加工用臺(tái)面之間賦予適度的空隙，從而可以使來(lái)自基材膜表面一側(cè)的激光的能量有效地從激光加工用粘合片中釋放出來(lái)。例如，接觸減少層可以通過(guò)噴砂、壓花處理或者表面涂布等在該領(lǐng)域公知的方法，在基材膜的里面一側(cè)，即和形成粘合劑層相反的一側(cè)形成，并且其自身成為基材膜的一部分?；蛘撸部梢粤硗馔ㄟ^(guò)噴砂、壓花處理或表面涂布等形成一面帶有凹凸的膜，然后貼在基材膜的里面使之成為一體。這時(shí)凹凸的凹陷部分可以通過(guò)細(xì)微的貫通孔形成。即，可以通過(guò)在基材膜自身上形成貫通孔來(lái)形成接觸減少層，也可以通過(guò)和基材膜不同的其他途徑，形成帶有貫通孔的膜，再將其貼在基材膜的里面使之成為一體。此外，接觸減少層還可以使用例如無(wú)機(jī)化合物、金屬或有機(jī)化合物等的任意一個(gè)或者將它們組合的材料而成的粒子，形成在基材膜的內(nèi)側(cè)。這些粒子具體地說(shuō)，作為無(wú)機(jī)化合物可以使用二氧化硅(氣相法二氧化硅、二氧化硅、沉淀法二氧化硅、熔融二氧化硅、結(jié)晶二氧化硅、超微粉無(wú)定形二氧化硅等)、氧化鋁、氧化鈦、氧化錫、氧化鋅、氧化錫、氧化鈣、氧化鎂等金屬氧化物；氮化硅、氮化鋁等金屬氮化物；SiC等金屬碳化物；碳酸鉀、碳酸鈉、碳酸釣、碳酸鎂等金屬碳酸鹽；氫氧化鋁、氫氧化鎂等金屬氫氧化物；鈦酸鋇、磷酸鈣、硅酸鈣、石膏、沸石、滑石、粘土、硫酸鋇、云母、硅藻土等的粒子；作為金屬可以使用金、銀、釔、柏、鎳、鋁、銅、鈦、鴒、鉭等高熔點(diǎn)金屬等的粒子；作為有機(jī)化合物可以使用后述的形成基材膜的樹(shù)脂粒子，尤其是聚乙烯、聚丙烯等聚烯烴；PET等聚酯；尼龍等熱塑性樹(shù)脂；熱塑性聚酰亞胺；PTFE、ETFE等含氟聚乙烯；聚碳酸酯；聚酯等熔點(diǎn)較高的樹(shù)脂粒子等?？梢允惯@些粒子分散/懸浮在適當(dāng)?shù)娜軇┲?，在基材膜的里面涂?干燥，形成帶有凹凸的接觸減少層；或者也可以將這些粒子與由上述樹(shù)脂等制成的粘合劑混合，形成表面具有凹凸的膜，再將其貼在基材膜上而成為一體，從而形成接觸減少層；還可以將粒子混合到形成基材膜時(shí)的原料中，形成基材膜，再在其里面?zhèn)刃纬蓭в邪纪沟慕佑|減少層。為了有效地發(fā)揮作為接觸減少層的作用，這樣的粒子優(yōu)選的是例如，球狀、針狀、片狀等各種形狀，并且大小從lpm左右到幾百pm左右的粒子。使用粒子時(shí)的粒子的量，必須考慮所使用粒子的種類及大小等，適當(dāng)調(diào)整可以實(shí)現(xiàn)上述凹凸的量?；哪た梢詮淖灾С中砸阎哪ぶ羞x擇。基材膜優(yōu)選具有均勻厚度的片狀，但也可以是網(wǎng)狀等形態(tài)。而且，基材膜既可以是單一層，也可以是2層以上的多層結(jié)構(gòu)。作為基材膜的材料，例如可列舉如下材料由丙烯酸類樹(shù)脂、聚氨酯類樹(shù)脂、聚降冰片烯類樹(shù)脂、聚亞烷基二醇類樹(shù)脂、聚烯烴類樹(shù)脂(聚苯乙烯類樹(shù)脂、聚乙烯類樹(shù)脂等)、聚酰亞胺類樹(shù)脂、聚酯類樹(shù)脂、環(huán)氧類樹(shù)脂、聚酰胺類樹(shù)脂、聚碳酸酯類樹(shù)脂、硅樹(shù)脂、氟樹(shù)脂等制成的高分子膜；銅、鋁、不銹鋼等的金屬片；由PP、PVC、PE、PU、PS、PO或PET等聚合物纖維、人造絲或醋酸纖維素等合成纖維、棉、絹或羊毛等天然纖維以及玻璃纖維或碳纖維等無(wú)機(jī)纖維制成的非織造布；通過(guò)拉伸加工、浸漬加工等對(duì)這些材料賦予了物理或光學(xué)性能的片；含有二烯烴類(苯乙烯-丁二烯共聚物、丁二烯等)、非二烯類(異丁烯-異戊二烯、氯化聚乙烯、聚氨酯類等)、熱塑性類(熱塑性彈性體等)等橡膠成分的片；或者組合了l種以上這些材料而成的材料等。其中，優(yōu)選聚烯烴類樹(shù)脂。特別是，這些基材膜材料如以下所說(shuō)明，要考慮透光率、熔點(diǎn)、斷裂伸長(zhǎng)率、甚至吸光系數(shù)、厚度、疊層狀態(tài)、斷裂強(qiáng)度、比熱、蝕刻率、Tg、熱變形溫度以及比重等至少l種特性，優(yōu)選考慮2種以上特征，更優(yōu)選考慮所有特性，選擇出不易被切斷被加工物的激光切斷的材料，或者不易因激光而附著于加工用臺(tái)面上的材料。基材膜沒(méi)有限定其厚度，優(yōu)選例如具有50^im以上厚度的基材膜，更優(yōu)選具有100jim以上、150lam以上、50~1000|im左右厚度的基材膜。由此，可以確保對(duì)半導(dǎo)體晶片的貼合、半導(dǎo)體晶片的切斷以及從半導(dǎo)體芯片上剝離等各工序的操作性和作業(yè)性。膜厚在如上所述的適用范圍內(nèi)的基材膜，相對(duì)于激光的透過(guò)率、特別是相對(duì)于波長(zhǎng)乂人350nm附近到600nm附近的激光的透光率為50%以上，優(yōu)選為55%以上、60%以上、65%以上、甚至67%以上、70%以上。透光率可以用例如紫外可見(jiàn)分光光度計(jì)測(cè)定。此時(shí)的透光率以未形成接觸減少層的基材膜的狀態(tài)的透光率表示。另外，基材膜優(yōu)選含有熔點(diǎn)在80。C以上的層。由此，可以有效地防止由于激光的照射引起的基材膜的熔融。更優(yōu)選熔點(diǎn)在85。C以上、90。C以上、95。C以上、IO(TC以上、ll(TC以上?；哪閱螌咏Y(jié)構(gòu)時(shí)，構(gòu)成該基材膜的層本身的熔點(diǎn)必須在80。C以上，但是基材膜為疊層結(jié)構(gòu)時(shí)，也可以不必所有層的熔點(diǎn)都在80。C以上，但優(yōu)選至少1層是80。C以上熔點(diǎn)的層。此時(shí)，那l層優(yōu)選作為與接觸減少層相鄰的層設(shè)置，且更優(yōu)選在激光加工時(shí)為背面的一側(cè)(例如，和夾具臺(tái)面相接觸的一側(cè))，即，設(shè)置為接觸減少層?；哪?yōu)選具有2層以上的不同材料的疊層結(jié)構(gòu)。這里所說(shuō)的材料不同，不僅包含組成不同的材料，也包含組成相同但由于分子結(jié)構(gòu)、分子量等不同而使特性不同的材料。例如，可以是由上述吸光系數(shù)、熔點(diǎn)、斷裂強(qiáng)度、斷裂伸長(zhǎng)率、透光率、比熱、蝕刻率、熱傳導(dǎo)率、Tg、熱變形溫度、熱分解溫度、線性膨脹系數(shù)及比重等至少1個(gè)特性不同的材料疊層而成的基材膜。其中，在2層以上的疊層結(jié)構(gòu)中，優(yōu)選至少l層是不含苯環(huán)的樹(shù)脂、鏈狀的飽和烴類樹(shù)脂、例如聚烯烴類樹(shù)脂的結(jié)構(gòu)。作為聚烯烴類樹(shù)脂，如上所述，可以使用聚乙烯(例如低密度聚乙烯、直鏈低密度聚乙烯、高密度聚乙烯等)、聚丙烯(例如拉伸聚丙烯、非拉伸聚丙烯等)、乙烯共聚物、丙烯共聚物、乙烯-丙烯共聚物、聚丁二烯、聚乙烯醇、聚曱基戊烯、乙烯-醋酸乙烯共聚物、聚醋酸乙烯等的l種以上，特別優(yōu)選乙烯類(共)聚合物及丙烯類(共)聚合物，尤其是聚乙烯、聚丙烯、乙烯共聚物、乙烯-丙烯共聚物中的至少1種。通過(guò)選擇這些材料，可以謀求適當(dāng)?shù)纳煺剐院蛯?duì)于激光加工的適當(dāng)?shù)膹?qiáng)度的平衡。另外，構(gòu)成接觸減少層本身的材料也優(yōu)選由這些樹(shù)脂制成、或者含有這些材料而構(gòu)成?；哪榀B層結(jié)構(gòu)時(shí)，優(yōu)選同時(shí)含有聚乙烯樹(shù)脂層和聚丙烯樹(shù)脂層兩者。特別優(yōu)選含有這些層的2層或3層的構(gòu)造。這時(shí)，更優(yōu)選聚丙烯樹(shù)脂層設(shè)置在遠(yuǎn)離粘合劑層的位置。例如，在2層結(jié)構(gòu)的情況下，優(yōu)選在基材膜的背面?zhèn)仍O(shè)置聚丙烯樹(shù)脂層，在粘合劑層一側(cè)設(shè)置聚乙烯樹(shù)脂層，在3層結(jié)構(gòu)的情況下，優(yōu)選在基材膜的背面?zhèn)然蛘咴诨哪ど细拷澈蟿┑囊粋?cè)上設(shè)置聚丙烯樹(shù)脂層，在粘合劑層側(cè)設(shè)置聚乙烯樹(shù)脂層。通過(guò)這樣的設(shè)置，即使激光加工時(shí)部分基材膜損傷，由于在背面?zhèn)却嬖谧鳛楸容^軟的樹(shù)脂的聚丙烯樹(shù)脂層，可以確保基材膜的適當(dāng)?shù)纳煺剐?。另外，基材膜?yōu)選具有100%以上的斷裂伸長(zhǎng)率。斷裂伸長(zhǎng)率例如可通過(guò)萬(wàn)能拉伸試驗(yàn)機(jī)在拉伸速度200mm/分下基于JISK-7127標(biāo)準(zhǔn)測(cè)定?；哪榀B層結(jié)構(gòu)時(shí)，可以不必所有層都具有100%以上的斷裂伸長(zhǎng)率，但優(yōu)選至少是具有100%以上斷裂伸長(zhǎng)率的層與接觸減少層相鄰設(shè)置。另外，具有100%以上斷裂伸長(zhǎng)率的層本身也可以是構(gòu)成減少接觸層的層。由此，在進(jìn)行激光加工后，拉伸切割片容易將切斷被加工物而形成的芯片剝離，是優(yōu)選的。另外，基材膜優(yōu)選吸光系數(shù)為65以下。更優(yōu)選在60以下、55以下、50以下、45以下、40以下。這里，吸光系數(shù)可如下測(cè)定例如，由使用島津制作所制造的分光光度計(jì)MPS-2000測(cè)定的波長(zhǎng)355nm的透光率作為1/10、試樣厚度d根據(jù)蘭伯特-比爾定律(LambertBeer'slaw)(I/IQ=exp—^)求出吸光系數(shù)a。但是，測(cè)定波長(zhǎng)可以不必是355nm，也可以是248~1100醒的范圍，優(yōu)選在248~800nm、248600nm的范圍?；哪な钳B層結(jié)構(gòu)時(shí)，可以不必每層的吸光系數(shù)都在65以下，只要疊層狀態(tài)的基材膜具有65以下的吸光系數(shù)即可。由于吸光系數(shù)在65以下，所以可以將基材膜對(duì)激光的吸收限制在最小限度，從而可以防止基材膜本身被激光加工。另夕卜，基材膜優(yōu)選比熱大的物質(zhì)。例如，比熱優(yōu)選為0.5以上、0.7以上、0.8以上、1.0以上、1.1以上、1.2以上。由于比熱比專支大，基材月莫本身難以被激光產(chǎn)生的熱量加熱，其熱量的一部分容易逃向基材膜外部。其結(jié)果，基材膜變得難以加工、可以將基材膜的切斷限制在最小限度，并且可以防止局部附著在背面加工用臺(tái)面上。比熱可以通過(guò)JISK7123標(biāo)準(zhǔn)測(cè)定。具體地說(shuō)，將試料片以1(TC/min的速度升溫，用差示掃描量熱計(jì)(DSC)測(cè)出所需的熱量而求得。另外，基材膜優(yōu)選含有至少斷裂強(qiáng)度不同的2層以上的層。這里，斷裂強(qiáng)度可以根據(jù)JISK-7127標(biāo)準(zhǔn)采用萬(wàn)能拉伸試驗(yàn)機(jī)以拉伸速度200mm/分測(cè)定。斷裂強(qiáng)度的差異沒(méi)有特殊限定，例如，優(yōu)選為20MPa以上、50MPa以上。此時(shí)，更優(yōu)選斷裂強(qiáng)度大的層設(shè)置在遠(yuǎn)離粘合劑層的位置。即，優(yōu)選在基材膜的背面設(shè)置伸展性良好的層，該伸展性良好的層設(shè)置有難以被激光切斷的強(qiáng)度的層。但是，如果楊氏模量(初期彈性模量)過(guò)大，則延展性出現(xiàn)不合適，因此優(yōu)選為例如150MPa以下、120MPa以下、lOOMPa以下。此外，基材膜優(yōu)選蝕刻率低的膜。例如，蝕刻率優(yōu)選在15J/cn^的激光強(qiáng)度下為0.3~1.5(im/脈沖，更優(yōu)選為0.3~1.2pm/脈沖、0.3~1.1pm/脈沖。特別優(yōu)選在1~2J/cm2的激光強(qiáng)度下為0.9lam/脈沖以下、0.8nm/脈沖以下、0.7lim/脈沖以下。由于蝕刻率低，可以防止基材膜本身的切斷?；哪さ牟ＡЩD(zhuǎn)變溫度(Tg)優(yōu)選為50。C以下、30°C、20。C或0。C以下，熱變形溫度優(yōu)選為200。C以下、190°C、180°C、17(TC以下，密度優(yōu)選為1.4g/cm3以下、1.3g/cm3以下、1.2g/cm3以下、1.0g/cm3以下。由于具有這些特性，將基材膜的切斷限制在最小限度，并防止背面局部附著在加工用臺(tái)面上，因此是有利的。Tg和熱變形溫度可以利用例如JISK7121標(biāo)準(zhǔn)中的通常的塑料的轉(zhuǎn)變溫度的測(cè)定方法(具體地，如差示熱分析(DTA)、差示掃描熱量分析(DSC)等)測(cè)定。特別是，熱變形溫度也可以通過(guò)例如基于JISK7244-1標(biāo)準(zhǔn)的方法，以軟化開(kāi)始溫度作為熱變形溫度。此外，比重可以用例如JISK7112標(biāo)準(zhǔn)中的通常已知的塑料的密度(比重)測(cè)定方法(具體地，有水中置換法、比重計(jì)法、浮力法、密度梯度法等)測(cè)定。另外，為了提高基材膜的表面和加工裝置的臺(tái)面等相鄰材料的緊密性、保持性等，可以實(shí)施公知的表面處理，例如，鉻酸處理、臭氧曝露、火焰曝露、高壓電擊曝露以及離子化放射線處理等化學(xué)或物理處理，或者用底涂劑(例如后述的粘接物質(zhì))進(jìn)行涂覆處理等。形成在本發(fā)明的激光加工用粘合片上的粘合劑層沒(méi)有特別限定，例如，可以使用含有由紫外線、電子線等》文射線固化的能量線固化性樹(shù)脂、熱固性樹(shù)脂及熱塑性樹(shù)脂等的該領(lǐng)域公知的粘合劑組成物而形成。特別是，為了提高被加工物的剝離性，優(yōu)選使用能量線固化性樹(shù)脂。這是因?yàn)?，通過(guò)照射能量線，在粘合劑內(nèi)形成三維網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，因此可以使粘接強(qiáng)度降低，在使用后可以容易剝離。這些粘合劑沒(méi)有限定，例如，可以使用特開(kāi)2002-203816號(hào)、特開(kāi)2003-142433號(hào)、特開(kāi)2005—19607號(hào)、特開(kāi)2005-279698號(hào)、特開(kāi)2006-35277號(hào)、特開(kāi)2006-111659號(hào)等中記載的粘合劑。具體地，可列舉配合了天然橡膠和各種合成橡膠等橡膠、或者丙烯腈以及由具有碳原子數(shù)1~20左右的直鏈或支鏈烷基的丙烯酸烷基酯或曱基丙烯酸烷基酯制造的聚(曱基)丙烯酸烷基酯等丙烯酸類聚合物的粘合劑?？梢园讯喙倌苄詥误w作為交聯(lián)劑添加到粘合劑中。作為交聯(lián)劑，可列舉己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯以及聚氨酯丙烯酸酯等。這些物質(zhì)可以單獨(dú)使用，也可以組合2種以上使用。為了制成能量線固化型粘合劑，優(yōu)選將可以通過(guò)光照射而容易發(fā)生反應(yīng)的單體或低聚物，即所謂的光聚合性化合物組合。作為它們的例子，可列舉氨基曱酸酯、曱基丙烯酸酯、三甲基丙烷三甲基丙烯酸、四羥曱基曱烷四甲基丙烯酸酯以及二甲基丙烯酸1，4-丁二醇酯等。此時(shí)，還可以含有光聚合引發(fā)劑。作為引發(fā)劑，可列舉4-(4-羥基乙氧基)苯基(2-羥基-2-丙基)酮等苯乙酮化合物、苯偶姻乙醚等的苯偶姻醚化合物、縮酮化合物、芳香族磺酰氯化合物、光活性厲化合物和二苯甲酮化合物。這些物質(zhì)可以單獨(dú)使用也可以組合2種以上使用。為了制成熱敏性粘合劑，可以使用所謂的熱發(fā)泡成分(分解型或微膠囊型)。例如，參照歐洲專利第0523505號(hào)。如果必要，可以向粘接劑中混合增粘劑、填充劑、顏料、防老劑或穩(wěn)定劑、軟化劑等任意的添加劑。粘合劑層的厚度沒(méi)有特別限定，但是在獲得充分的粘接強(qiáng)度的同時(shí)，考慮到將粘合片從半導(dǎo)體晶片等上取下來(lái)后，不希望在其位置上殘留粘合劑殘?jiān)鼤r(shí)，例如可舉出300,以下、3~200拜。本發(fā)明的激光加工用片，可以通過(guò)該領(lǐng)域中公知的方法形成。例如，如上所述，制備粘合劑成分，再將其在基材膜上涂布/干燥而形成。作為粘合劑成分的涂布方法，可以采用棒涂法、氣刀涂布、凹版涂布、凹版逆輥涂布(夕、'，匕、、7IJ^—7塗工)、逆輥涂布、唇式涂布(U、;/:7。塗工)、模頭涂布、浸漬涂布、膠版印刷、苯胺印刷、絲網(wǎng)印刷等各種方法。也以采用另外在剝離襯上形成粘合劑層后，再將其貼合在基材膜上的方法等。本發(fā)明的激光加工用粘合片可以適用于使用激光的加工。例如，具有400nm以下的激發(fā)波長(zhǎng)的激光，具體地，可舉出激發(fā)波長(zhǎng)248nm的KrF準(zhǔn)分子激光(excimerlaser)、308nm的XeCl準(zhǔn)分子激光、YAG激光的三次諧波(355nm)、四次諧波(266nm)。另外，也可以4吏用具有400nm以上的激發(fā)波長(zhǎng)的激光(例如波長(zhǎng)在750~800nm附近的鈦-藍(lán)寶石激光等、脈沖寬1e-9秒(0.000000001秒)以下)。本發(fā)明的激光加工用粘合片，通?？梢杂糜诎雽?dǎo)體晶片、例如硅晶片、鍺晶片、鎵/砷晶片、電路基板、陶瓷基板、金屬基板、半導(dǎo)體激光等的發(fā)光或受光元件基板、MEMS(MicroElectroMechanicalSystem)基板及半導(dǎo)體組件(package)等。即，在使用激光進(jìn)行切割加工前，例如貼合在切割裝置的半導(dǎo)體晶片等的加工用臺(tái)面一側(cè)，在這些半導(dǎo)體晶片切斷時(shí)以及在其后續(xù)工序中，可以用于支持固定被單片化的芯片。在這樣的使用中，本發(fā)明的激光加工用粘合片，在激光的照射部分即使基材膜的一部分被熔融，由于基材膜和加工用臺(tái)面的接觸面積小，因而可以將基材膜的背面局部附著在切割裝置的加工用臺(tái)面上的現(xiàn)象限制在最小限度，同時(shí)由于可以在接觸減少層和加工用臺(tái)面之間有效地導(dǎo)入空隙，因而激光產(chǎn)生的能量的一部分通過(guò)這個(gè)空隙，可以有效地從基材膜中逃脫，從而可以降低基材膜本身的熔融。而且,雖然粘合劑層或者粘合劑層和部分基材膜與半導(dǎo)體晶片一起被切斷，但加工用臺(tái)面一側(cè)的基材膜不易被切斷，可以防止單片化的芯片等分散或落下。實(shí)施例下面，具體地說(shuō)明本發(fā)明的激光加工用粘合片，但本發(fā)明并不限定于這些實(shí)施例。實(shí)施例1(粘合劑溶液的制備)將100重量份丙烯酸丁酉旨/丙烯酸乙酉旨/丙烯酸2-羥乙酉旨/丙烯酸以60/40/4/1的重量比共聚而成的數(shù)均分子量約50萬(wàn)的丙烯酸類聚合物、3重量份異氰酸酯類交聯(lián)劑(日本聚氨酯公司制造，3口卑一卜HL)及2重量份的環(huán)氧類交聯(lián)劑(日本三菱瓦斯化學(xué)公司制造，TetradC)加入到500重量份的曱苯中，均勻溶解、混合，制備丙烯酸類粘合劑溶液(l)。(帶有減少接觸層的激光加工用粘合片的形成)使用具有1.0(im、3.0jim、5.0(am、10jim加工深度的熱加工用輥(YURIROLLCO.,LTD制造)及鏡面輥，在厚度150pm、對(duì)355nm的光具有約66%的透光率的聚乙烯膜(熔點(diǎn)115。C)的單面形成接觸減少層(以下記為"壓花處理")。測(cè)定得到的聚乙烯膜的算術(shù)平均粗糙度Ra,其結(jié)果如表l所示，分別得到具有1.2)im、2.9pm、5.0(im、10.3jim的接觸減少層的聚乙烯膜。為了使包含接觸減少層的聚乙烯膜的未形成接觸減少層的一側(cè)的表面與粘合劑的粘合性提高，實(shí)施了電暈放電處理。然后，涂布丙烯酸類粘合劑使厚度為20pm,如圖1所示，分別制作在基材膜1的表面形成粘合劑層2、在里面形成接觸減少層3的激光加工用粘合片10。(表面粗糙度的測(cè)定)使用Tencor公司制造的表面高低差異(段差)/表面粗糙度微形狀測(cè)定裝置P-15，如圖2所示，對(duì)得到的激光加工用粘合片的接觸減少層在激光加工用粘合片10的寬度方向(例如寬度E^M00mm)上取3處(X,Y,Z)、在長(zhǎng)方向間隔D(例如10m)取10處，測(cè)定總共30處的粗糙度，將其平均粗糙度作為算術(shù)平均粗糙度Ra。各處的測(cè)定距離是對(duì)減少接觸層的側(cè)表面的長(zhǎng)度50mm進(jìn)行測(cè)定。(與夾具臺(tái)面的粘合力的測(cè)定)如圖1所示，作為激光切割裝置的夾具臺(tái)面，是使用片固定環(huán)ll以與接觸減少層表面?zhèn)认嘟佑|的方式分別將激光加工用粘合片10配置在石英玻璃制的臺(tái)面上。作為加工用激光，4吏用波長(zhǎng)355nm、平均輸出功率5W、重復(fù)頻率30kHz的YAG激光的三次諧波(355nm)。通過(guò)fB透鏡將激光聚光，用電子掃描儀以20mm/秒的速度掃描激光加工用粘合片，進(jìn)行切斷加工。對(duì)于各激光加工用粘合片，為了更明確地確認(rèn)與夾具臺(tái)面的粘合性傾向，改變掃描次數(shù)為l-8次，分別測(cè)定粘合性。激光加工用粘合片和夾具臺(tái)面的粘合力的測(cè)定是基于JISZ0237標(biāo)準(zhǔn)的粘合力測(cè)定方法測(cè)定的。即，將激光加工后的激光加工用粘合片IO切成寬度A為20mm、長(zhǎng)度B為150mm作為試驗(yàn)片，使用JISB7721標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定的拉伸試驗(yàn)機(jī)作為測(cè)定裝置，在測(cè)定溫度23士3。C、剝離角度180。以及剝離速度300mm/秒的條件下測(cè)定剝離時(shí)的荷重(粘合力N/20mm)。其結(jié)果如表1所示。比專交例不使用具有加工深度的熱加工用輥，而是使用2根鏡面金屬棍，形成1501im厚的聚乙烯膜，從而形成不具有接觸減少層的聚乙烯膜。測(cè)定膜兩面的算術(shù)平均粗糙度Ra,結(jié)果如表l所示，各面均為0.4pm。<table>tableseeoriginaldocumentpage14</column></row><table>實(shí)施例2除了使用聚丙烯/聚乙烯/聚丙烯(膜厚30!im/90|im/30|im、熔點(diǎn)130。C、波長(zhǎng)355nm的透光率為70%)作為基材膜以外，與實(shí)施例l同樣地進(jìn)行壓花加工，形成接觸減少層，并與實(shí)施例1進(jìn)行同樣的評(píng)價(jià)。其結(jié)果，反復(fù)多次激光掃描時(shí)，在激光加工用粘合片切斷時(shí)產(chǎn)生若干小片，但在激光加工用粘合片和夾具臺(tái)面的附著方面，得到與上述幾乎相同的結(jié)果。這樣，由實(shí)施例和比較例可知，通過(guò)使用本發(fā)明的激光加工用粘合片，在激光加工時(shí)，可以減少對(duì)夾具臺(tái)面的附著，在激光加工后，可以容易地輸送到下面的工序(清洗處理或拾取處理)。工業(yè)實(shí)用性本發(fā)明可以用于半導(dǎo)體晶片，例如硅晶片、鍺晶片、鎵/砷晶片、電路基板、陶瓷基板、金屬基板、半導(dǎo)體激光等的發(fā)光或受光元件基板、MEMS(MicroElectroMechanicalSystem)基板及半導(dǎo)體組件等，對(duì)于所有使用激光的寬范圍的加工都可以利用。權(quán)利要求1.一種激光加工用粘合片，其是在基材膜的表面疊層粘合劑層而形成的，其中，上述基材膜在里面設(shè)有帶凹凸的接觸減少層。2.權(quán)利要求l所述的激光加工用粘合片，其中，接觸減少層將算術(shù)平均粗糙度Ra在1.0pm以上的凹凸分布在基材膜里面的外表面上。3.權(quán)利要求1所述的激光加工用粘合片，其中，基材膜具有50°/。以上的透光率。4.權(quán)利要求1所述的激光加工用粘合片，其中，基材膜含有至少1層聚烯烴類樹(shù)脂。5.權(quán)利要求4所述的激光加工用粘合片，其中，聚烯烴類樹(shù)脂選自聚乙烯、聚丙烯、乙烯共聚物、丙烯共聚物、乙烯-丙烯共聚物中的1種以上。6.權(quán)利要求l所述的激光加工用粘合片，其中，上述基材膜含有熔點(diǎn)在80。C以上的層。7.權(quán)利要求1所述的激光加工用粘合片，其中，上述基材膜還含有至少斷裂伸長(zhǎng)率不同的2層以上的層，且與接觸減少層相鄰地配置斷裂伸長(zhǎng)率大的層。8.權(quán)利要求7所述的激光加工用粘合片，其中，斷裂伸長(zhǎng)率大的層的斷裂伸長(zhǎng)率為100%以上。9.權(quán)利要求l所述的激光加工用粘合片，其中，接觸減少層通過(guò)噴砂、壓花處理或表面涂布法形成。全文摘要本發(fā)明的目的在于提供一種激光加工用粘合片，該粘合片在使用激光切斷半導(dǎo)體晶片等被加工物時(shí)，可以把基材膜本身的切斷限制在最小限度，防止基材膜向加工用的臺(tái)面局部附著，從而容易且高效地進(jìn)行之后的工序。本發(fā)明的激光加工用粘合片是在基材膜的表面疊層粘合劑層而形成的，其中，上述基材膜在里面含有接觸減少層而構(gòu)成。文檔編號(hào)C09J7/02GK101157830SQ20071015317公開(kāi)日2008年4月9日申請(qǐng)日期2007年9月28日優(yōu)先權(quán)日2006年10月4日發(fā)明者佐佐木貴俊,山本晃好,新谷壽朗,淺井文輝,高橋智一申請(qǐng)人:日東電工株式會(huì)社