專利名稱：：鈦酸鍶鋇/聚酰亞胺介電可調(diào)復(fù)合材料厚膜的制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明屬于復(fù)合材料制造技術(shù)范圍，特別涉及一種鈦酸鍶鋇/聚酰亞胺介電可調(diào)復(fù)合材料厚膜的制備方法。
背景技術(shù)：
：隨著相控陣?yán)走_(dá)廣泛的應(yīng)用于各種類型的探測(cè)和跟蹤系統(tǒng)，作為相控陣?yán)走_(dá)的關(guān)鍵部件-移相器成為研究的重點(diǎn)。相對(duì)于目前廣泛使用的鐵氧體和PIN二極管，以鈦酸鍶鋇(Ba1-xSrxTiO3，簡(jiǎn)稱BST)為代表的鐵電材料移相器以其低廉的造價(jià)、優(yōu)異的性能和簡(jiǎn)單的工藝日益受到關(guān)注，成為移相器材料研究的熱點(diǎn)。在眾多的鐵電移相器候選材料中，鈦酸鍶鋇以其較高的介電常數(shù)(εr＞2000，1MHz)和較大的介電可調(diào)率(＞40％，1KHz，5V/um)等特性受到廣泛的關(guān)注。對(duì)于移相器而言，要求移相材料要具有適中的相對(duì)介電常數(shù)，以利于電路匹配；低介質(zhì)損耗，以利于提高品質(zhì)因子；高介電調(diào)諧性，以降低工作電壓；小的溫度系數(shù)，以防止頻率漂移等特性。對(duì)于純鈦酸鍶鋇材料，其較高的制備溫度(＞1400℃)、較高的介電損耗(＞1％，1MHz)和過高的介電常數(shù)，限制了其在鐵電移相器上的應(yīng)用。為了改善鈦酸鍶鋇的性能，人們進(jìn)行了廣泛的研究。為了降低鈦酸鍶鋇的介電常數(shù)和改善介電損耗，有研究者將氧化鎂作為第二相，摻雜進(jìn)鈦酸鍶鋇的基體，制備出氧化鎂/鈦酸鍶鋇復(fù)相陶瓷，但仍存在制備溫度高(＞1200℃)和介電常數(shù)變化不大的缺點(diǎn)。為了降低燒接溫度，有研究者摻入了燒接助劑，如氧化釩、氧化硼或鉛硼玻璃等燒接助劑，但是降溫效果不明顯，仍不得不采用貴重的鉑金電極，使得制備成本提高。為了降低移相器的工作電壓，有研究者將鈦酸鍶鋇制備成薄膜形式，但是工藝復(fù)雜，難以工業(yè)化大規(guī)模生產(chǎn)且不能經(jīng)受較大的功率，使其應(yīng)用受到限制。無機(jī)/有機(jī)復(fù)合材料，由于其保留了無機(jī)材料功能相的特性，還能擁有聚合物所特有的工藝特性，如較低的工藝溫度、優(yōu)異的加工特性等性能，實(shí)現(xiàn)1+1＞2的功能飛躍，而日益成為研究的熱點(diǎn)。在眾多的聚合物中，聚酰亞胺是綜合性能最佳的有機(jī)高分子材料之一。聚酰亞胺(polyimide，縮寫PI)是一種主鏈含重復(fù)的酰亞胺基團(tuán)的聚合物。聚酰亞胺的綜合性能優(yōu)異，耐高溫達(dá)400℃以上，長(zhǎng)期使用溫度范圍-200～300℃，1kHz下介電常數(shù)4.0，介電損耗僅0.002～0.005，屬F至H級(jí)絕緣材料，耐高輻射，耐腐蝕，耐火焰，不吸水，高機(jī)械強(qiáng)度，還有較強(qiáng)的粘合能力，在航空、航海、空間、原子能、電子工業(yè)中廣泛應(yīng)用。市售的聚酰亞胺前驅(qū)體種類眾多如常規(guī)的聚酰亞胺涂層膠、用于制圖的標(biāo)準(zhǔn)型聚酰亞胺涂層膠、光敏性聚酰亞胺涂層膠、低溫固化型聚酰亞胺涂層膠和以強(qiáng)極性有機(jī)溶液為溶劑的聚酰亞胺有機(jī)溶液等，可以根據(jù)不同的要求進(jìn)行選用。聚酰亞胺所擁有的優(yōu)異性能，使得其作為介電可調(diào)復(fù)合材料的基體材料成為可能。如何結(jié)合聚酰亞胺所擁有的優(yōu)異性能和鈦酸鍶鋇所擁有的較高介電可調(diào)性，制備出一種具有較低合成溫度、較低的介電常數(shù)和介電損耗，一定的介電可調(diào)性、工藝簡(jiǎn)單的復(fù)合材料厚膜，是一項(xiàng)很有意義的研究工作。經(jīng)文獻(xiàn)檢索，尚未發(fā)現(xiàn)有和本發(fā)明雷同的文獻(xiàn)和專利，檢索到的一些與本發(fā)明相關(guān)的文獻(xiàn)，主要是以在鈦酸鍶鋇材料中添加氧化鎂等低損耗材料來提高鈦酸鍶鋇材料的綜合介電性能以提高其在器件應(yīng)用中的適應(yīng)性，沒有發(fā)現(xiàn)聚合物基鈦酸鍶鋇復(fù)合材料介電可調(diào)性的任何報(bào)道。以下是申請(qǐng)人檢索到的與本發(fā)明相關(guān)的參考文獻(xiàn)1.A.K.Tagantsev，V.O.Sherman，K.F.Astafiev，J.Venkatesh，N.Setter，F(xiàn)erroelectricmaterialsformicrowavetunableapplication，JournalofElectroceramics，11，5-6(2003)。2.S.G.Lu，Z.K.Xu，HaydnChen，Tunabilityandrelaxorpropertiesofferroelectricbariumstannatetitanteceramics.Appliedphysicsletters，85，5319-5321(2004)。3.AntonioFeteira，DerekC.Sinclair，IanM.Reaney，YoshitakaSomiya，MichaelT，Lanagan，BaTiO3-basedceramicsfortunablemicrowaveapplications，JournaloftheAmericaceramicssociety，87(6)，1082-1087(2004)。4.V.O.Sherman，A.K.Tagantsev，N.Setter，D.Iddles，T.Price，F(xiàn)erroelectric-dielectrictunablecomposites，Journalofappliedphysics，99，074104(2006)。5.YH.Zhang，ZM.Dang，JohnH.Xin，WalidA.Daoud，JH.Ji，YY.Liu，etc，Dielectricpropertiesofpolyimide-micahybridfilms，MacromolecularRapidCommunications，26，1473-1477(2005)。6.SH.Xie，BK.Zhu，XZ.Wei，ZK.Xu，YY.Xu，Polyimide/BaTiO3compositeswithcontrollabledielectricproperties，36，1152-1157(2005)。7.S.S.Gevorgian，E.L.Kollberg，Dowereallyneedferroelectricsinparaelectricphaseonlyinelectricallycontrolledmicrowavedevices？，IEEETransactionsonmicrowavetheorytechniques，49，2117-2124(2001)。8.B.Su，T.W.Button，Interactionsbetweenbariumstrontiumtitannte(BST)thickfilmsandaluminasubstrates，JournaloftheEuropeanCeramicSociety，21，2777-2781(2001)。9.C.M.Ditum，T.W.Button，Screenprintedbariumstrontiumtitanntefilmsformicrowaveapplications，JournaloftheEuropeanCeramicSociety，23，2693-2697(2003)。10.S.Y.Lee，T.Y.Tseng，ElectricalanddielectricbehaviorofMgOdopedBa0.7Sr0.3TiO3thinfilmsonAl2O3substrate.Appliedphysicsletters，11，1797-1799(2001)。11.SH.Xiang，MS.Guo，XH.Sun，T.Liu，MY.Li，XZ.Zhao，Tunable，lowlossBi1.5Zn1.0Nb1.5O7/Ba0.6Sr0.4TiO3/Bi1.5Zn1.0Nb1.5O7sandwichfilms.Appliedphysicsletters89，212907(2006)。12.Y.Zheng，C.H.Woo，B.Wang，Z.Y.Zhu，F(xiàn)erroelectricrodswithadjustabledielectrictenability，Appliedphysicsletters，90，092905(2007)。
發(fā)明內(nèi)容針對(duì)上述
背景技術(shù)：
中鈦酸鍶鋇材料存在的缺陷或不足，本發(fā)明的目的在于，提供一種鈦酸鍶鋇/聚酰亞胺介電可調(diào)復(fù)合材料厚膜的制備方法，該方法以具有優(yōu)異性能的聚酰亞胺有機(jī)介質(zhì)作為介電相，選用具有較高介電可調(diào)率的鈦酸鍶鋇基陶瓷作為介電可調(diào)相，設(shè)計(jì)和制備了不同復(fù)合結(jié)構(gòu)和復(fù)合工藝的可低溫?zé)崽幚淼慕殡娍烧{(diào)厚膜。該方法通過將聚酰亞胺前驅(qū)體與經(jīng)過表面處理的鈦酸鍶鋇介電可調(diào)介質(zhì)陶瓷粉末按比例混合后，通過共混設(shè)備混合均勻，再采用適當(dāng)?shù)墓に囃扛苍诨撞牧仙希捎眠m當(dāng)?shù)臒崽幚頊囟?，得到鈦酸鍶鋇粉末均勻或有規(guī)律分散在聚酰亞胺有機(jī)介質(zhì)中的介電可調(diào)復(fù)合材料厚膜。本發(fā)明的鈦酸鍶鋇/聚酰亞胺介電可調(diào)無機(jī)/有機(jī)復(fù)合材料厚膜，不但擁有聚酰亞胺較低的熱處理溫度、很高的抗電強(qiáng)度、優(yōu)異的化學(xué)穩(wěn)定性和良好的粘合能力等特點(diǎn)，而且保持了鈦酸鍶鋇陶瓷介電可調(diào)率較高的特點(diǎn)，同時(shí)極大的降低了復(fù)合材料的介電常數(shù)、介電損耗和熱處理溫度，改善了鈦酸鍶鋇基介電可調(diào)介質(zhì)陶瓷的電學(xué)品質(zhì)因子，且能在不同的基板上形成結(jié)合緊密的介電可調(diào)復(fù)合材料厚膜。本發(fā)明的鈦酸鍶鋇/聚酰亞胺介電可調(diào)復(fù)合材料及其厚膜，具有以下特點(diǎn)加工溫度低(≤350℃)，最低固化溫度小于160℃，可在不同類型的基板上得到致密、無缺陷和粘附力強(qiáng)的厚膜；根據(jù)不同的材料設(shè)計(jì)，相對(duì)介電常數(shù)具有較寬的調(diào)節(jié)范圍(εr＝3.5～200)，其在1MHz的測(cè)試頻率下，介質(zhì)損耗小(tanδ≤2×10-2)；絕緣電阻大(ρv≥1012Ω·cm)，最高能經(jīng)受500KV/cm的電場(chǎng)；根據(jù)復(fù)合結(jié)構(gòu)的不同，介電可調(diào)率可以人工裁剪，在350KV/cm的電場(chǎng)下，復(fù)合材料厚膜的介電可調(diào)率最高可達(dá)20％。這種可低溫?zé)崽幚淼慕殡娍烧{(diào)復(fù)合材料厚膜具有工藝簡(jiǎn)單、實(shí)用面廣、電學(xué)性能優(yōu)異等特點(diǎn)，是一種擁有廣闊應(yīng)用前景的新型介電可調(diào)復(fù)合材料。實(shí)現(xiàn)上述任務(wù)的技術(shù)解決方案是一種鈦酸鍶鋇/聚酰亞胺介電可調(diào)復(fù)合材料厚膜的制備方法，其特征在于，包括下列步驟選用聚酰亞胺作為前驅(qū)體；選用鈦酸鍶鋇介質(zhì)陶瓷粉末(Ba1-xSrx)TiO3作為介電可調(diào)相，其中，x＝0.2～0.7，鈦酸鍶鋇的固含量為5wt％～90wt％；取破碎后的鈦酸鍶鋇粉末100份，于110℃下干燥24小時(shí)，然后將干燥后的陶瓷粉末加入2～5份的丙烯酸溶液，在50～100份的無水乙醇中超聲處理1小時(shí)，使鈦酸鍶鋇陶瓷粉末表面被丙烯酸處理；將聚酰亞胺前驅(qū)體與經(jīng)過表面處理的鈦酸鍶鋇介質(zhì)陶瓷粉末按比例混合，采用普通球磨或高能球磨的方式使之充分分散，得到混合厚膜漿料；采用常規(guī)的旋涂工藝、浸漬-提拉工藝或流延工藝將混合厚膜漿料涂覆在預(yù)先處理的基底材料上，然后對(duì)涂覆后的基底材料進(jìn)行熱處理工藝和后續(xù)處理工藝，即可得到鈦酸鍶鋇/聚酰亞胺介電可調(diào)復(fù)合材料厚膜。采用本發(fā)明制得的微波介電可調(diào)、超低溫?zé)崽幚怼⒌徒殡姵?shù)和低介電損耗的新型無機(jī)/有機(jī)微波介電可調(diào)復(fù)合材料及其厚膜，經(jīng)X射線衍射(XRD)、粒度分析儀、掃描電子顯微鏡(SEM)、阻抗分析儀等測(cè)試設(shè)備的分析與測(cè)試，確定具有以下特點(diǎn)1、厚膜的熱處理溫度最高不超過360℃，最低可達(dá)160℃。相結(jié)構(gòu)為呈現(xiàn)立方鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的鈦酸鍶鋇相和聚酰亞胺相的復(fù)合結(jié)構(gòu)。2、復(fù)合材料厚膜的厚度為4um～100um，表面平整光滑無裂紋，能與不同性質(zhì)的基板緊密結(jié)合。3、復(fù)合材料厚膜相對(duì)介電常數(shù)調(diào)節(jié)范圍寬(εr＝3.5～200，1MHz)，介電損耗小(tanδ＜2×10-2，1MHz)，絕緣電阻大(ρv≥1012Ω·cm)，抗電強(qiáng)度高(＞400KV/cm)，相對(duì)介電可調(diào)率最高可達(dá)20％，(350KV/cm)。4、工藝簡(jiǎn)單，可應(yīng)用到不同性質(zhì)的基板上，且能通過光刻腐蝕的方式實(shí)現(xiàn)圖形化，進(jìn)而制備介電可調(diào)元器件。本發(fā)明的制備工藝簡(jiǎn)單，方便，工藝參數(shù)便于控制，容易實(shí)現(xiàn)由實(shí)驗(yàn)室小規(guī)模生產(chǎn)向大工業(yè)生產(chǎn)的過渡。圖1是實(shí)施例3中采用普通型聚酰亞胺涂層膠作為聚酰亞胺前驅(qū)體和高能球磨Ba0.6Sr0.4TiO3粉末作為介電可調(diào)相，使用高能球磨混合制備而成的復(fù)合材料厚膜的微觀組織照片，其中(a)表面形貌，(b)斷面形貌。圖2是實(shí)施例3中采用普通型聚酰亞胺涂層膠作為聚酰亞胺前驅(qū)體和高能球磨Ba0.6Sr0.4TiO3粉末作為介電可調(diào)相，使用高能球磨混合制備而成的復(fù)合材料厚膜的介電性能與頻率的關(guān)系。圖3是實(shí)施例3中采用普通型聚酰亞胺涂層膠作為聚酰亞胺前驅(qū)體和高能球磨Ba0.6Sr0.4TiO3粉末作為介電可調(diào)相，使用高能球磨混合制備而成的復(fù)合材料厚膜的介電性能和偏壓的關(guān)系，其中(a)為HP4294阻抗分析儀測(cè)試的在1MHz下的介電性能和偏壓的關(guān)系，(b)為HP4284LCR測(cè)試的在10kHz下的介電性能和偏壓的關(guān)系。圖4是實(shí)施例3中采用普通型聚酰亞胺涂層膠作為聚酰亞胺前驅(qū)體和高能球磨Ba0.6Sr0.4TiO3粉末作為介電可調(diào)相，使用高能球磨混合制備而成的復(fù)合材料厚膜的介電性能和溫度的關(guān)系。以下結(jié)合發(fā)明人給出的具體實(shí)施例子對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的說明。具體實(shí)施例方式本發(fā)明的鈦酸鍶鋇/聚酰亞胺介電可調(diào)復(fù)合材料厚膜的制備方法，從復(fù)合材料的設(shè)計(jì)思想出發(fā)，以具有優(yōu)異介電性能和較低熱處理溫度的聚酰亞胺有機(jī)介質(zhì)作為介電相，以具有較高介電可調(diào)率的鈦酸鍶鋇基陶瓷作為介電可調(diào)相，設(shè)計(jì)和制備了不同復(fù)合結(jié)構(gòu)和復(fù)合工藝的可低溫?zé)崽幚淼慕殡娍烧{(diào)厚膜并進(jìn)行了深入的研究，通過將聚酰亞胺前驅(qū)體與經(jīng)過表面處理的鈦酸鍶鋇介電可調(diào)介質(zhì)陶瓷粉末按比例混合后，通過共混設(shè)備混合均勻，再采用適當(dāng)?shù)墓に嚦练e在基底材料上，采用適當(dāng)?shù)臒崽幚砉に嚕玫解佀徭J鋇粉末均勻或有規(guī)律分散在聚酰亞胺有機(jī)介質(zhì)中的介電可調(diào)復(fù)合材料厚膜。本發(fā)明的低溫合成微波介電可調(diào)鈦酸鍶鋇/聚酰亞胺復(fù)合材料厚膜制備方法，其原料的配方組成(按重量比計(jì))為鈦酸鍶鋇粉體鈦酸鍶鋇固含量為5％～90％聚酰亞胺前驅(qū)體鈦酸鍶鋇粉體質(zhì)量的100％丙烯酸溶液鈦酸鍶鋇粉體質(zhì)量的2％～5％無水乙醇丙烯酸溶液質(zhì)量的50倍左右。其中聚酰亞胺可為市售的常規(guī)的聚酰亞胺涂層膠、用于制圖的標(biāo)準(zhǔn)型聚酰亞胺涂層膠、光敏性聚酰亞胺涂層膠、低溫固化型聚酰亞胺涂層膠和以強(qiáng)極性有機(jī)溶液為溶劑的聚酰亞胺有機(jī)溶液等具有一定粘度的可流動(dòng)性液體。鈦酸鍶鋇介電可調(diào)介質(zhì)陶瓷為(Ba1-xSrx)TiO3(BST)，其中x＝0.2～0.7，通過傳統(tǒng)的固相反應(yīng)法制備而成；破碎后的鈦酸鍶鋇粉末平均粒徑為100nm～1um。低溫合成微波介電可調(diào)鈦酸鍶鋇/聚酰亞胺復(fù)合材料厚膜制備方法如下步驟一聚酰亞胺前驅(qū)體采用市售的聚酰亞胺前驅(qū)體溶液或者含聚酰亞胺的有機(jī)溶劑。步驟二以碳酸鋇、碳酸鍶和二氧化鈦為原料，按照傳統(tǒng)的固相反應(yīng)法制備鈦酸鍶鋇陶瓷，再經(jīng)過破碎獲得粒徑小于1微米的鈦酸鍶鋇陶瓷粉末。步驟三取破碎后的鈦酸鍶鋇粉末100份，于110℃下干燥24小時(shí)，然后將干燥后的陶瓷粉末加入2～5份的丙烯酸溶液，在50～100份的無水乙醇中超聲處理1小時(shí)，使陶瓷粉末表面被丙烯酸處理。步驟四將表面處理后的鈦酸鍶鋇粉末加入到聚酰亞胺前驅(qū)體中，采用普通球磨或高能球磨的方式使之充分分散，得到穩(wěn)定的混合厚膜漿料。步驟五采用旋涂工藝、浸漬-提拉工藝或流延工藝涂覆在預(yù)先處理的基板上，采用一定的復(fù)合結(jié)構(gòu)，通過合適的熱處理工藝和后續(xù)工藝，得到具有介電可調(diào)性的復(fù)合材料厚膜。上述鈦酸鍶鋇/聚酰亞胺介電可調(diào)復(fù)合材料厚膜的復(fù)合結(jié)構(gòu)有以下三種類型0-3結(jié)構(gòu)鈦酸鍶鋇粉末以零維點(diǎn)狀結(jié)構(gòu)隨機(jī)分散在聚酰亞胺的三維有機(jī)基體之內(nèi)，經(jīng)熱處理后，得到鈦酸鍶鋇粉末均勻分布在聚酰亞胺基體中的復(fù)合材料厚膜；2-2結(jié)構(gòu)不同鈦酸鍶鋇含量的厚膜漿料按規(guī)則進(jìn)行疊層周期的排布，形成一種平面疊層結(jié)構(gòu)，經(jīng)熱處理后，得到一種層狀周期結(jié)構(gòu)的厚膜；1-3結(jié)構(gòu)一種鈦酸鍶鋇含量的厚膜漿料，在平行于電場(chǎng)方向，以一維線型的方式分布在另一種鈦酸鍶鋇含量不同的厚膜漿料三維基體中，經(jīng)過熱處理后，得到1-3結(jié)構(gòu)的復(fù)合材料厚膜。根據(jù)所選擇的聚酰亞胺前驅(qū)體的種類，通過光刻腐蝕的方式實(shí)現(xiàn)圖形化，以利用鈦酸鍶鋇/聚酰亞胺介電可調(diào)復(fù)合材料厚膜制備介電可調(diào)元器件。以下是發(fā)明人給出的實(shí)施例，需要指出的是，按照本發(fā)明的技術(shù)方案，以下實(shí)施例子還可以舉出許多，本發(fā)明并不限于這些實(shí)施例，根據(jù)申請(qǐng)人大量的實(shí)驗(yàn)結(jié)果證明，在本發(fā)明提出的配方范圍，均可以達(dá)到本發(fā)明的目的，本領(lǐng)域的熟練人員根據(jù)以上內(nèi)容對(duì)本發(fā)明做出一些非本質(zhì)的改進(jìn)和調(diào)整，均屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。實(shí)施例11、選用北京波米科技公司生產(chǎn)的代號(hào)為ZKPI-305IID型普通聚酰亞胺涂層膠作為聚酰亞胺前驅(qū)體。2、采用常規(guī)的固相反應(yīng)法制備化學(xué)組成為Ba0.6Sr0.4TiO3的鈦酸鍶鋇介電可調(diào)陶瓷。經(jīng)XRD檢測(cè)，鈦酸鍶鋇為純立方鈣鈦礦結(jié)構(gòu)，無第二相產(chǎn)生。3、使用普通球磨的方式破碎，球磨速度為150轉(zhuǎn)/分鐘，持續(xù)球磨4小時(shí)，制備出的鈦酸鍶鋇粉體的中心粒徑為0.6um。4、取破碎后的鈦酸鍶鋇粉末100g，于110℃下干燥24小時(shí)，之后加入2～5g的丙烯酸溶液，在100ml的無水乙醇中超聲處理1小時(shí)，使陶瓷粉末表面被丙烯酸處理。5、將聚酰亞胺前驅(qū)體20g和表面預(yù)處理的鈦酸鍶鋇粉體20g，使用普通球磨的方式進(jìn)行混合，混合速度為150轉(zhuǎn)/分鐘，持續(xù)球磨4小時(shí)，得到混合均勻的復(fù)合材料厚膜漿料。6、采用旋涂工藝將厚膜漿料均勻的涂覆到表面焙銀的氧化鋁基板上。旋涂工藝為3000轉(zhuǎn)/分鐘下進(jìn)行30秒，在室溫下靜置40分鐘到1小時(shí)進(jìn)行預(yù)固化后，繼續(xù)涂覆下一層，重復(fù)三次達(dá)到所需的厚度，最終采用階梯升溫法使聚酰亞胺前驅(qū)體固化。所得厚膜的厚度為20um，表面平整無裂紋，與基板結(jié)合緊密。厚膜的介電常數(shù)在120～140之間，介電損耗小于2％。在12KV/cm的偏置電場(chǎng)下，復(fù)合材料厚膜的介電可調(diào)性為2.8％。最高可經(jīng)受400KV/cm的偏置電場(chǎng)。厚膜的介電溫度特性與鈦酸鍶鋇體材料的介電溫度特性類似?？梢宰C明，利用鈦酸鍶鋇/聚酰亞胺介電可調(diào)復(fù)合材料厚膜制備介電可調(diào)元器件。實(shí)施例21、選用北京波米科技公司生產(chǎn)的代號(hào)為ZKPI-305IID型普通聚酰亞胺涂層膠作為聚酰亞胺前驅(qū)體。2、采用常規(guī)的固相反應(yīng)法制備化學(xué)組成為Ba0.6Sr0.4TiO3的鈦酸鍶鋇介電可調(diào)陶瓷。經(jīng)XRD檢測(cè)，鈦酸鍶鋇為純立方鈣鈦礦結(jié)構(gòu)，無第二相產(chǎn)生。3、使用普通球磨的方式破碎，球磨速度為150轉(zhuǎn)/分鐘，持續(xù)球磨4小時(shí)，制備出的鈦酸鍶鋇粉體的中心粒徑為0.6um。4、取破碎后的鈦酸鍶鋇粉末100g，于110℃下干燥24小時(shí)，之后加入2～5g的丙烯酸溶液，在100ml的無水乙醇中超聲處理1小時(shí)，使陶瓷粉末表面被丙烯酸處理。5、將聚酰亞胺前驅(qū)體20g和表面預(yù)處理的鈦酸鍶鋇粉體20g，使用普通球磨的方式進(jìn)行混合，混合速度為150轉(zhuǎn)/分鐘，持續(xù)球磨4小時(shí)，得到混合均勻的復(fù)合材料厚膜漿料。6、采用旋涂工藝將厚膜漿料均勻的涂覆到表面焙銀的氧化鋁基板上。旋涂工藝為3000轉(zhuǎn)/分鐘下進(jìn)行30秒，在室溫下靜置40分鐘到1小時(shí)進(jìn)行預(yù)固化后，繼續(xù)涂覆下一層，重復(fù)三次達(dá)到所需的厚度，最終采用階梯升溫法使聚酰亞胺前驅(qū)體固化。所得厚膜的厚度為40um，表面平整無裂紋，與基板結(jié)合緊密。厚膜的介電常數(shù)在160～180之間，介電損耗小于4％。在10KV/cm的偏置電場(chǎng)下，復(fù)合材料厚膜的介電可調(diào)性為5％。最高可經(jīng)受400KV/cm的偏置電場(chǎng)。厚膜的介電溫度特性與鈦酸鍶鋇體材料的介電溫度特性類似?？梢宰C明，利用鈦酸鍶鋇/聚酰亞胺介電可調(diào)復(fù)合材料厚膜制備介電可調(diào)元器件。實(shí)施例31、選用北京波米科技公司生產(chǎn)的代號(hào)為ZKPI-305IID型普通聚酰亞胺涂層膠作為聚酰亞胺前驅(qū)體。2、采用常規(guī)的固相反應(yīng)法制備化學(xué)組成為Ba0.6Sr0.4TiO3的鈦酸鍶鋇介電可調(diào)陶瓷。經(jīng)XRD檢測(cè)，鈦酸鍶鋇為純立方鈣鈦礦結(jié)構(gòu)，無第二相產(chǎn)生。3、使用高能球磨的方式破碎，球磨4小時(shí)，制備出的鈦酸鍶鋇粉體的中心粒徑為0.1um。4、取破碎后的鈦酸鍶鋇粉末100g，于110℃下干燥24小時(shí)，之后加入2～5g的丙烯酸溶液，在100ml的無水乙醇中超聲處理1小時(shí)，使陶瓷粉末表面被丙烯酸處理。5、將聚酰亞胺前驅(qū)體20g和表面預(yù)處理的鈦酸鍶鋇粉體20g，使用高能球磨的方式進(jìn)行混合，球磨4小時(shí)，得到混合均勻的復(fù)合材料厚膜漿料。6、采用旋涂工藝將厚膜漿料均勻的涂覆到表面焙銀的氧化鋁基板上。旋涂工藝為3000轉(zhuǎn)/分鐘下進(jìn)行30秒，在室溫下靜置40分鐘到一個(gè)小時(shí)進(jìn)行預(yù)固化后，繼續(xù)涂覆下一層，重復(fù)兩次達(dá)到所需的厚度，最終采用階梯升溫法使聚酰亞胺前驅(qū)體固化。所得厚膜的厚度為15um，表面平整無裂紋，與基板結(jié)合緊密，如圖1所示。厚膜的介電常數(shù)在120～140之間，介電損耗小于2％，如圖2所示。在15KV/cm的偏置電場(chǎng)下，復(fù)合材料厚膜的介電可調(diào)性為3％，如圖3所示。最高可經(jīng)受400KV/cm的偏置電場(chǎng)，復(fù)合材料厚膜的介電可調(diào)率可達(dá)20％。厚膜的介電溫度特性與鈦酸鍶鋇體材料的介電溫度特性類似，如圖4所示?？梢宰C明，利用鈦酸鍶鋇/聚酰亞胺介電可調(diào)復(fù)合材料厚膜制備介電可調(diào)元器件。實(shí)施例41、選用北京波米科技公司生產(chǎn)的代號(hào)為ZKPI-305IID型普通聚酰亞胺涂層膠作為聚酰亞胺前驅(qū)體。2、采用常規(guī)的固相反應(yīng)法制備化學(xué)組成為Ba0.7Sr0.3TiO3的鈦酸鍶鋇介電可調(diào)陶瓷。經(jīng)XRD檢測(cè)，鈦酸鍶鋇為純立方鈣鈦礦結(jié)構(gòu)，無第二相產(chǎn)生。3、使用高能球磨的方式破碎，制備出的鈦酸鍶鋇粉體的中心粒徑為0.1um。4、取破碎后的鈦酸鍶鋇粉末100g，于110℃下干燥24小時(shí)，之后加入2～5g的丙烯酸溶液，在100ml的無水乙醇中超聲處理1小時(shí)，使陶瓷粉末表面被丙烯酸處理。5、將聚酰亞胺前驅(qū)體20g和表面預(yù)處理的鈦酸鍶鋇粉體20g，使用高能球磨的方式進(jìn)行混合，球磨4小時(shí)，得到混合均勻的復(fù)合材料厚膜漿料。6、采用旋涂工藝將厚膜漿料均勻的涂覆到表面焙銀的氧化鋁基板上。旋涂工藝為3000轉(zhuǎn)/分鐘下進(jìn)行30秒，在室溫下靜置40分鐘至1小時(shí)進(jìn)行預(yù)固化后，繼續(xù)涂覆下一層，重復(fù)三次達(dá)到所需的厚度，最終采用階梯升溫法使聚酰亞胺前驅(qū)體固化。所得厚膜的厚度為30um，表面平整無裂紋，與基板結(jié)合緊密。厚膜的介電常數(shù)在140～160之間，介電損耗小于5％。在12KV/cm的偏置電場(chǎng)下，復(fù)合材料厚膜的介電可調(diào)性為3％。最高可經(jīng)受400KV/cm的偏置電場(chǎng)。厚膜的介電溫度特性與鈦酸鍶鋇體材料的介電溫度特性類似?？梢宰C明，利用鈦酸鍶鋇/聚酰亞胺介電可調(diào)復(fù)合材料厚膜制備介電可調(diào)元器件。實(shí)施例51、選用北京波米科技公司生產(chǎn)的代號(hào)為ZKPI-305IID型普通聚酰亞胺涂層膠作為聚酰亞胺前驅(qū)體。2、采用常規(guī)的固相反應(yīng)法制備化學(xué)組成為Ba0.6Sr0.4TiO3的鈦酸鍶鋇介電可調(diào)陶瓷。經(jīng)XRD檢測(cè)，鈦酸鍶鋇為純立方鈣鈦礦結(jié)構(gòu)，無第二相產(chǎn)生。3、使用高能球磨的方式破碎，制備出的鈦酸鍶鋇粉體的中心粒徑為0.1um。4、取破碎后的鈦酸鍶鋇粉末100g，于110℃下干燥24小時(shí)，之后加入2～5g的丙烯酸溶液，在100ml的無水乙醇中超聲處理1小時(shí)，使陶瓷粉末表面被丙烯酸處理。5、將聚酰亞胺前驅(qū)體20g和表面預(yù)處理的鈦酸鍶鋇粉體20g，使用高能球磨的方式進(jìn)行混合，球磨4小時(shí)，得到混合均勻的復(fù)合材料厚膜漿料。6、采用旋涂工藝將厚膜漿料均勻的涂覆到表面焙銀的氧化鋁基板上。旋涂工藝為3000轉(zhuǎn)/分鐘下進(jìn)行30秒，在室溫下靜置40分鐘到1小時(shí)進(jìn)行預(yù)固化后，繼續(xù)涂覆下一層。第一、三和五層為純聚酰亞胺前驅(qū)體，第二層和四層為制備好的厚膜漿料，形成A-B-A-B-A的層狀2-2復(fù)合結(jié)構(gòu)，最終采用階梯升溫法使聚酰亞胺前驅(qū)體固化。所得厚膜的厚度為40um，表面平整無裂紋，與基板結(jié)合緊密。厚膜的介電常數(shù)在40～80之間，介電損耗小于1％。在100KV/cm的偏置電場(chǎng)下，復(fù)合材料厚膜的介電可調(diào)性約2％。最高可經(jīng)受400KV/cm的偏置電場(chǎng)。厚膜的介電溫度特性與鈦酸鍶鋇體材料的介電溫度特性類似。可以證明，利用鈦酸鍶鋇/聚酰亞胺介電可調(diào)復(fù)合材料厚膜制備介電可調(diào)元器件。實(shí)施例61、選用北京波米科技公司生產(chǎn)的代號(hào)為ZKPI-305IID型普通聚酰亞胺涂層膠作為聚酰亞胺前驅(qū)體。2、采用常規(guī)的固相反應(yīng)法制備化學(xué)組成為Ba0.6Sr0.4TiO3的鈦酸鍶鋇介電可調(diào)陶瓷。經(jīng)XRD檢測(cè)，鈦酸鍶鋇為純立方鈣鈦礦結(jié)構(gòu)，無第二相產(chǎn)生。3、使用高能球磨的方式破碎，球磨4小時(shí)，制備出的鈦酸鍶鋇粉體的中心粒徑為0.1um。4、取破碎后的鈦酸鍶鋇粉末100g，于110℃下干燥24小時(shí)，之后加入2～5g的丙烯酸溶液，在100ml的無水乙醇中超聲處理1小時(shí)，使陶瓷粉末表面被丙烯酸處理。5、將聚酰亞胺前驅(qū)體20g和表面預(yù)處理的鈦酸鍶鋇粉體20g，使用高能球磨的方式進(jìn)行混合，球磨4小時(shí)，得到混合均勻的復(fù)合材料厚膜漿料。6、采用浸漬-提拉工藝將厚膜漿料均勻的涂覆到表面焙銀的氧化鋁基板上。提拉速度為50cm/分鐘，在室溫下靜置40分鐘到1小時(shí)進(jìn)行預(yù)固化后，繼續(xù)涂覆下一層，重復(fù)三次達(dá)到所需的厚度，最終采用階梯升溫法使聚酰亞胺前驅(qū)體固化。所得厚膜的厚度為50um，表面平整無裂紋，與基板結(jié)合緊密。厚膜的介電常數(shù)在110～130之間，介電損耗小于3％。在8KV/cm的偏置電場(chǎng)下，復(fù)合材料厚膜的介電可調(diào)性為2％。最高可經(jīng)受400KV/cm的偏置電場(chǎng)。厚膜的介電溫度特性與鈦酸鍶鋇體材料的介電溫度特性類似?？梢宰C明，利用鈦酸鍶鋇/聚酰亞胺介電可調(diào)復(fù)合材料厚膜制備介電可調(diào)元器件。實(shí)施例71、選用北京波米科技公司生產(chǎn)的代號(hào)為ZKPI-310型低溫固化型聚酰亞胺涂層膠作為聚酰亞胺前驅(qū)體。2、采用常規(guī)的固相反應(yīng)法制備化學(xué)組成為Ba0.6Sr0.4TiO3的鈦酸鍶鋇介電可調(diào)陶瓷。經(jīng)XRD檢測(cè)，鈦酸鍶鋇為純立方鈣鈦礦結(jié)構(gòu)，無第二相產(chǎn)生。3、使用高能球磨的方式破碎，球磨4小時(shí)，制備出的鈦酸鍶鋇粉體的中心粒徑為0.1um。4、取破碎后的鈦酸鍶鋇粉末100g，于110℃下干燥24小時(shí)，之后加入2～5g的丙烯酸溶液，在100ml的無水乙醇中超聲處理1小時(shí)，使陶瓷粉末表面被丙烯酸處理。5、將聚酰亞胺前驅(qū)體20g和表面預(yù)處理的鈦酸鍶鋇粉體20g，使用高能球磨的方式進(jìn)行混合，球磨4小時(shí)，得到混合均勻的復(fù)合材料厚膜漿料。6、采用流延工藝將厚膜漿料均勻的涂覆到普通覆銅板上。流延速度為為50cm/分鐘，在室溫下靜置40分鐘到1小時(shí)進(jìn)行預(yù)固化后，采用低溫階梯升溫法，在180℃的固化溫度下，使聚酰亞胺前驅(qū)體固化。所得厚膜的厚度為50um，表面平整無裂紋，與基板結(jié)合緊密。厚膜的介電常數(shù)在110～130之間，介電損耗小于3％。在25KV/cm的偏置電場(chǎng)下，復(fù)合材料厚膜的介電可調(diào)性為5％。最高可經(jīng)受400KV/cm的偏置電場(chǎng)。厚膜的介電溫度特性與鈦酸鍶鋇體材料的介電溫度特性類似?？梢宰C明，利用鈦酸鍶鋇/聚酰亞胺介電可調(diào)復(fù)合材料厚膜制備介電可調(diào)元器件。實(shí)施例81、選用北京波米科技公司生產(chǎn)的代號(hào)為ZKPI-305IID-2型可用于制圖的標(biāo)準(zhǔn)型聚酰亞胺涂層膠作為聚酰亞胺前驅(qū)體。2、采用常規(guī)的固相反應(yīng)法制備化學(xué)組成為Ba0.6Sr0.4TiO3的鈦酸鍶鋇介電可調(diào)陶瓷。經(jīng)XRD檢測(cè)，鈦酸鍶鋇為純立方鈣鈦礦結(jié)構(gòu)，無第二相產(chǎn)生。3，使用高能球磨的方式破碎，球磨4小時(shí)，制備出的鈦酸鍶鋇粉體的中心粒徑為0.1um。4、取破碎后的鈦酸鍶鋇粉末100g，于110℃下干燥24小時(shí)，之后加入2～5g的丙烯酸溶液，在100ml的無水乙醇中超聲處理1小時(shí)，使陶瓷粉末表面被丙烯酸處理。5、將聚酰亞胺前驅(qū)體20g和表面預(yù)處理的鈦酸鍶鋇粉體20g，使用高能球磨的方式進(jìn)行混合，球磨4小時(shí)，得到混合均勻的復(fù)合材料厚膜漿料。6、采用旋涂工藝將厚膜漿料均勻的涂覆到表面焙銀的氧化鋁基板上。旋涂工藝為3000轉(zhuǎn)/分鐘下進(jìn)行30秒，在室溫下靜置40分鐘到1小時(shí)進(jìn)行預(yù)固化后，繼續(xù)涂覆下一層，重復(fù)三次達(dá)到所需的厚度。7、在110℃的溫度下烘40分鐘。在厚膜的表面涂覆光刻膠后，按照正常的光刻工藝進(jìn)行預(yù)烘、曝光、顯影和堅(jiān)膜。之后，使用1-2％的NaOH水溶液刻蝕30秒，刻蝕完畢后立即置于0.5-1％的醋酸溶液中10秒，然后用去離子水沖洗10分鐘，去除殘留的刻蝕劑和中和劑，隨后烘干。之后用商用的丙酮?jiǎng)冸x光刻膠層。最后采用階梯升溫法，使厚膜亞胺化完全。所得厚膜的厚度為25um，表面平整無裂紋，與基板結(jié)合緊密。厚膜的介電常數(shù)在110～130之間，介電損耗小于3％。在25KV/cm的偏置電場(chǎng)下，復(fù)合材料厚膜的介電可調(diào)性為3％。最高可經(jīng)受400KV/cm的偏置電場(chǎng)。厚膜的介電溫度特性與鈦酸鍶鋇體材料的介電溫度特性類似?？梢宰C明，利用鈦酸鍶鋇/聚酰亞胺介電可調(diào)復(fù)合材料厚膜制備介電可調(diào)元器件。實(shí)施例91、選用北京波米科技公司生產(chǎn)的代號(hào)為ZKPI-520型光敏性聚酰亞胺涂層膠作為聚酰亞胺前驅(qū)體。2、采用常規(guī)的固相反應(yīng)法制備化學(xué)組成為Ba0.6Sr0.4TiO3的鈦酸鍶鋇介電可調(diào)陶瓷。經(jīng)XRD檢測(cè)，鈦酸鍶鋇為純立方鈣鈦礦結(jié)構(gòu)，無第二相產(chǎn)生。3、使用高能球磨的方式破碎，球磨4小時(shí)，制備出的鈦酸鍶鋇粉體的中心粒徑為0.1um。4、取破碎后的鈦酸鍶鋇粉末100g，于110℃下干燥24小時(shí)，之后加入2～5g的丙烯酸溶液，在100ml的無水乙醇中超聲處理1小時(shí)，使陶瓷粉末表面被丙烯酸處理。5、將聚酰亞胺前驅(qū)體20g和表面預(yù)處理的鈦酸鍶鋇粉體20g，使用高能球磨的方式進(jìn)行混合，球磨4小時(shí)，得到混合均勻的復(fù)合材料厚膜漿料。6、采用旋涂工藝將厚膜漿料均勻的涂覆到表面焙銀的氧化鋁基板上。旋涂工藝為3000轉(zhuǎn)/分鐘下進(jìn)行30秒，在室溫下靜置40分鐘到一個(gè)小時(shí)進(jìn)行預(yù)固化后，繼續(xù)涂覆下一層，重復(fù)三次達(dá)到所需的厚度。7、這種聚酰亞胺前驅(qū)體不需要表面涂覆光刻膠即可光刻腐蝕，可按照正常的光刻工藝進(jìn)行預(yù)烘、曝光、顯影、堅(jiān)膜、漂洗和后烘。最后采用階梯升溫法，使厚膜亞胺化完全。所得厚膜的厚度為25um，表面平整無裂紋，與基板結(jié)合緊密。厚膜的介電常數(shù)在110～130之間，介電損耗小于3％。在25KV/cm的偏置電場(chǎng)下，復(fù)合材料厚膜的介電可調(diào)性為3％。最高可經(jīng)受400KV/cm的偏置電場(chǎng)。厚膜的介電溫度特性與鈦酸鍶鋇體材料的介電溫度特性類似。實(shí)施例101、選用市售的聚酰亞胺粉體為溶質(zhì)，選用強(qiáng)極性的有機(jī)溶劑二甲基甲酰胺為溶劑，在磁力攪拌的作用下，形成含聚酰亞胺的有機(jī)溶液作為聚酰亞胺前驅(qū)體。2、采用常規(guī)的固相反應(yīng)法制備化學(xué)組成為Ba0.6Sr0.4TiO3的鈦酸鍶鋇介電可調(diào)陶瓷。經(jīng)XRD檢測(cè)，鈦酸鍶鋇為純立方鈣鈦礦結(jié)構(gòu)，無第二相產(chǎn)生。3、使用普通球磨的方式破碎，球磨速度為150轉(zhuǎn)/分鐘，持續(xù)球磨4小時(shí)，制備出的鈦酸鍶鋇粉體的中心粒徑為0.6um。4、取破碎后的鈦酸鍶鋇粉末100g，于110℃下干燥24小時(shí)，之后加入2～5g的丙烯酸溶液，在100ml的無水乙醇中超聲處理1小時(shí)，使陶瓷粉末表面被丙烯酸處理。5、將聚酰亞胺前驅(qū)體20g和表面預(yù)處理的鈦酸鍶鋇粉體20g，使用普通球磨的方式進(jìn)行混合，混合速度為150轉(zhuǎn)/分鐘，持續(xù)球磨4小時(shí)，得到混合均勻的復(fù)合材料厚膜漿料。6、采用旋涂工藝將厚膜漿料均勻的涂覆到表面焙銀的氧化鋁基板上。旋涂工藝為3000轉(zhuǎn)/分鐘下進(jìn)行30秒，在室溫下靜置40分鐘到1小時(shí)進(jìn)行預(yù)固化后，繼續(xù)涂覆下一層，重復(fù)三次達(dá)到所需的厚度。在150℃的溫度下保溫4小時(shí)，蒸發(fā)掉有機(jī)溶劑，即可形成復(fù)合材料厚膜。所得厚膜的厚度為30um，.表面平整無裂紋，與基板結(jié)合緊密。厚膜的介電常數(shù)在120～140之間，介電損耗小于2％。在12KV/cm的偏置電場(chǎng)下，復(fù)合材料厚膜的介電可調(diào)性為2％。最高可經(jīng)受200KV/cm的偏置電場(chǎng)。厚膜的介電溫度特性與鈦酸鍶鋇體材料的介電溫度特性類似?？梢宰C明，利用鈦酸鍶鋇/聚酰亞胺介電可調(diào)復(fù)合材料厚膜制備介電可調(diào)元器件。權(quán)利要求1.一種鈦酸鍶鋇/聚酰亞胺介電可調(diào)復(fù)合材料厚膜的制備方法，其特征在于，包括下列步驟選用聚酰亞胺作為前驅(qū)體；選用鈦酸鍶鋇介質(zhì)陶瓷粉末(Ba1-xSrx)TiO3作為介電可調(diào)相，其中，x＝0.2～0.7，鈦酸鍶鋇的固含量為5wt％～90wt％；取破碎后的鈦酸鍶鋇粉末100份，于110℃下干燥24小時(shí)，然后將干燥后的陶瓷粉末加入2～5份的丙烯酸溶液，在50～100份的無水乙醇中超聲處理1小時(shí)，使鈦酸鍶鋇陶瓷粉末表面被丙烯酸處理；將聚酰亞胺前驅(qū)體與經(jīng)過表面處理的鈦酸鍶鋇介質(zhì)陶瓷粉末按比例混合，采用普通球磨或高能球磨的方式使之充分分散，得到混合厚膜漿料；采用常規(guī)的旋涂工藝、浸漬-提拉工藝或流延工藝將混合厚膜漿料涂覆在預(yù)先處理的基底材料上，然后對(duì)涂覆后的基底材料進(jìn)行熱處理工藝和后續(xù)處理工藝，即可得到鈦酸鍶鋇/聚酰亞胺介電可調(diào)復(fù)合材料厚膜。2.如權(quán)利1所述的方法，其特征在于，所述的聚酰亞胺前驅(qū)體為市售的常規(guī)的聚酰亞胺涂層膠、用于制圖的標(biāo)準(zhǔn)型聚酰亞胺涂層膠、光敏性聚酰亞胺涂層膠、低溫固化型聚酰亞胺涂層膠或者是聚酰亞胺有機(jī)溶液。3.如權(quán)利要求1要求所述的方法，其特征在于，鈦酸鍶鋇介質(zhì)陶瓷粉末的制備是以碳酸鋇、碳酸鍶和二氧化鈦為原料，按(Ba1-xSrx)TiO3，x＝0.2～0.7配比；按照傳統(tǒng)的固相反應(yīng)法制備鈦酸鍶鋇陶瓷，再經(jīng)過破碎獲得粒徑小于1微米的鈦酸鍶鋇陶瓷粉末。4.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于鈦酸鍶鋇的破碎方式為普通球磨或高能球磨。5.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于所述的旋涂工藝是在每分鐘3000轉(zhuǎn)的狀態(tài)下進(jìn)行30秒，將厚膜漿料涂覆在預(yù)處理的基板上，在室溫下靜置40分鐘到1小時(shí)進(jìn)行預(yù)固化后，繼續(xù)涂覆下一層直至達(dá)到所需的厚度，最終采用階梯升溫法進(jìn)行熱處理，在最低140℃、最高不超過360℃的溫度下使聚酰亞胺前驅(qū)體固化，然后根據(jù)不同的聚酰亞胺前驅(qū)體和需要進(jìn)行后續(xù)的工藝。6.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述的浸漬-提拉工藝是將厚膜漿料涂覆在預(yù)處理的基板上，在室溫下靜置40分鐘到1小時(shí)，進(jìn)行預(yù)固化后，繼續(xù)涂覆下一層直至達(dá)到所需的厚度，最終采用階梯升溫法進(jìn)行熱處理，在最低140℃、最高不超過360℃的溫度下使聚酰亞胺前驅(qū)體固化，然后根據(jù)不同的聚酰亞胺前驅(qū)體和需要進(jìn)行后續(xù)的工藝。7.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述的流延工藝是將厚膜漿料涂覆在預(yù)處理的基板上，在室溫下靜置40分鐘到1小時(shí)進(jìn)行預(yù)固化后，繼續(xù)涂覆下一層直至達(dá)到所需的厚度，最終采用階梯升溫法進(jìn)行熱處理，在最低140℃、最高不超過360℃的溫度下使聚酰亞胺前驅(qū)體固化，然后根據(jù)不同的聚酰亞胺前驅(qū)體和需要進(jìn)行后續(xù)的工藝。8.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述的鈦酸鍶鋇/聚酰亞胺介電可調(diào)復(fù)合材料厚膜的復(fù)合結(jié)構(gòu)有以下三種類型0-3結(jié)構(gòu)鈦酸鍶鋇粉末以零維點(diǎn)狀結(jié)構(gòu)隨機(jī)分散在聚酰亞胺的三維有機(jī)基體之內(nèi)，經(jīng)熱處理后，得到鈦酸鍶鋇粉末均勻分布在聚酰亞胺基體中的復(fù)合材料厚膜；2-2結(jié)構(gòu)不同鈦酸鍶鋇含量的厚膜漿料按規(guī)則進(jìn)行疊層周期的排布，形成一種平面疊層結(jié)構(gòu)，經(jīng)熱處理后，得到一種層狀周期結(jié)構(gòu)的厚膜；1-3結(jié)構(gòu)一種鈦酸鍶鋇含量的厚膜漿料，在平行于電場(chǎng)方向，以一維線型的方式分布在另一種鈦酸鍶鋇含量不同的厚膜漿料三維基體中，經(jīng)過熱處理后，得到1-3結(jié)構(gòu)的復(fù)合材料厚膜。9.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述的基底材料為表面清潔的普通覆銅板、普通陶瓷基板、焙有電極的氧化鋁基板或硅片。10.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述的后續(xù)工藝根據(jù)所選擇的聚酰亞胺前驅(qū)體的種類，通過光刻腐蝕的方式實(shí)現(xiàn)圖形化，以利用鈦酸鍶鋇/聚酰亞胺介電可調(diào)復(fù)合材料厚膜制備介電可調(diào)元器件。全文摘要本發(fā)明公開了一種鈦酸鍶鋇/聚酰亞胺介電可調(diào)復(fù)合材料厚膜的制備方法，選用聚酰亞胺作為前驅(qū)體；選用鈦酸鍶鋇介質(zhì)陶瓷粉末(Ba文檔編號(hào)C09D179/08GK101070427SQ200710017889公開日2007年11月14日申請(qǐng)日期2007年5月18日優(yōu)先權(quán)日2007年5月18日發(fā)明者汪宏,向鋒,張明輝,楊海波,李可鋮,姚熹申請(qǐng)人:西安交通大學(xué)