專利名稱：芯片切割·粘接薄膜的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種芯片切割·粘接薄膜，具體說是涉及，以在切割之前附設于工件(半導體晶圓等)上的狀態(tài)，將用于固著晶片狀工件(半導體芯片等)和電極部件的粘接劑提供于工件的切割的芯片切割·粘接薄膜。另外，本發(fā)明還涉及使用該芯片切割·粘接薄膜的晶片狀工件的固定方法。進而涉及使用該固定方法粘接固定晶片狀工件的半導體裝置。
背景技術：
對于已形成有電路圖的半導體晶圓，必要時可通過背面研磨調(diào)整厚度之后，切割成芯片(切割工序)。該工序中，為了除去切割層一般利用適當液壓(通常2kg/cm2左右)清洗半導體晶圓。之后，利用粘接劑將上述晶片狀工件固著在引線框等被粘附體上(裝配工序)，然后進行芯片的粘接工序。在上述裝配工序中，將粘接劑涂覆在引線框和晶片狀工件上。但是，在該方法中粘接劑層的均勻化較為困難，而且粘接劑的涂布中必須利用特殊裝置并花費較長時間。因此，提出了附加一種切割薄膜的方法，該切割薄膜在切割過程中粘接并保持半導體晶圓，同時在裝配過程中賦予必要的芯片固著用的粘接劑層(例如，參照特開昭60-57642號公報)。
上述特開昭60-57642號公報中，切割薄膜是在支撐基材上設置可剝離的導電性粘接劑層而成的。即，在利用粘接劑層保持的條件下切割半導體晶圓之后，拉伸支撐基材而將晶片狀工件與粘接劑層一起剝離，將其分別回收之后通過介入粘接劑層固著在引線框等被粘附體上而得到。
在這種芯片切割·粘接薄膜中，粘接劑層只粘接在半導體晶圓上，其他部分貼合在切割框架上。但是，存在粘貼在半導體晶圓上的部分與粘貼在切割框架上的部分不易剝離的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種芯片切割·粘接薄膜，在粘貼半導體晶圓與芯片切割·粘接薄膜時，用該粘接膜可識別芯片切割·粘接薄膜中芯片粘接用粘接劑層的位置。另外，本發(fā)明還提供切割工件時的保持力和一起剝離通過切割得到的晶片狀工件與該芯片粘接用粘接劑層時的剝離性之間具有良好的平衡特性的芯片切割·粘接薄膜。
又，本發(fā)明目的在于提供使用該芯片切割·粘接薄膜的晶片狀工件的固定方法。進而提供利用該固定方法粘接固定晶片狀工件的半導體裝置。
本發(fā)明人等發(fā)現(xiàn)如果預先在芯片切割·粘接薄膜上作標記，在與半導體晶圓粘貼時不會產(chǎn)生位置偏移，并經(jīng)過進而的詳細研究完成了本發(fā)明。
即，為了解決上述課題，本發(fā)明的芯片切割·粘接薄膜是包含支撐基材1和設置在支撐基材1上的芯片粘接用粘接劑層3的芯片切割·粘接薄膜，其特征在于，在其規(guī)定位置上設有可識別上述芯片粘接用粘接劑層3位置的標記。
在上述支撐基材1和芯片粘接用粘接劑層3之間，優(yōu)選設有粘合劑層2。
另外，上述標記優(yōu)選設在沒有形成上述芯片粘接用粘接劑層3的上述支撐基材1或者粘合劑層2上。這里，“設置在上述支撐基材1上”是指在沒有形成芯片粘接用粘接劑層3的背面一側(cè)設置位置識別用標記的情形，以及在支撐基材1的兩面上設置位置識別用標記的情形。
進而，上述標記優(yōu)選設置在不會粘貼于工件和裝配框架的位置上。
又，上述標記優(yōu)選設在制作完裝配框架后還會殘留的位置上。
進而，上述標記優(yōu)選在直線上的規(guī)定位置設置多個。因為如果在直線上的規(guī)定位置設定多個標記，則可以通過固定設置的傳感器提高標記的識別精度。
另外，上述粘合劑層2與芯片粘接用粘接劑層3之間的界面剝離性，在對應于芯片粘接用粘接劑層3上的工件粘貼部分3a的界面(A)上的剝離性與對應于其余部分的一部分或者全部的界面(B)互不相同，優(yōu)選上述界面(A)的剝離性比上述界面(B)的剝離性大。
進而，上述粘合劑層2相對于芯片粘接用粘接劑層3的粘合力，在對應芯片粘接用粘接劑層3上的工件粘貼部分3a的部分2a和對應其余部分3b局部或者全部2b上互不相同，優(yōu)選滿足粘合劑層2a的粘合力＜粘合劑層2b的粘合力。
另外，在上述芯片粘接用粘接劑層3的工件粘貼部分3a中，對于工件的粘合力和對于粘合劑層2a的粘合力優(yōu)選滿足對于工件的粘合力＞對于粘合劑層2a的粘合力。
進而，上述工件粘貼部分3a以外的部分3b的一部分，優(yōu)選為裝配框架粘貼部分3b’。
又，上述芯片粘接用粘接劑層3的裝配框架粘貼部分3b’中，對于裝配框架的粘合力和對于粘接劑層2b’的粘合力優(yōu)選滿足對于裝配框架的粘合力＜對于粘接劑層2b’的粘合力。
上述芯片粘接用粘接劑層3在粘合劑層2的一部分上被設為工件粘貼部分3a，在粘合劑層2中對應于工件粘貼部分3a的部分2a和其他部分2b上的粘合力互不相同，優(yōu)選滿足粘合劑層2a的粘合力＜粘合劑層2b的粘合力。
上述工件粘貼部分3a對于工件的粘合力和對于粘合劑層2a的粘合力，優(yōu)選滿足對于工件的粘合力＞對于粘合劑層2a的粘合力。
上述粘合劑層2由放射線固化型粘合劑形成，優(yōu)選是利用放射線照射對應于工件粘貼部分3a的粘合劑層2a。
另外，本發(fā)明的晶片狀工件的固定方法的特征在于包含如下工序利用具有支撐基材1和設置在上述支撐基材1上的芯片粘接用粘接劑層3且在規(guī)定位置上設有用于識別上述芯片粘接用粘接劑層3位置的標記的芯片切割·粘接薄膜，在上述芯片切割·粘接薄膜的芯片粘接用粘接劑層3上壓接工件的工序，其中在識別上述標記而檢測出上述芯片粘接用粘接劑層3的位置信息后，根據(jù)該位置信息確認出芯片粘接用粘接劑層3與工件之間存在位置偏移時，對位置偏移進行補正，之后壓接上述芯片粘接用粘接劑層3與工件；將上述工件切割成晶片狀的切割工序；將晶片狀工件與芯片粘接用粘接劑層3一起從粘合劑層2上剝離的工序；和通過介入上述芯片粘接用粘接劑層3將晶片狀工件粘接固定在半導體元件上的工序。
另外，本發(fā)明的半導體裝置是，利用如下的晶片狀工件的固定方法，通過介入芯片粘接用粘接劑層3將晶片狀工件粘接固定在半導體元件上而成的。上述晶片狀工件的固定方法包含如下工序利用具有支撐基材1和設置在上述支撐基材1上的芯片粘接用粘接劑層3且在規(guī)定位置上設有用于識別上述芯片粘接用粘接劑層3位置的標記的芯片切割·粘接薄膜，在上述芯片切割·粘接薄膜的芯片粘接用粘接劑層3上壓接工件的工序，其中在識別上述標記而檢測出上述芯片粘接用粘接劑層3的位置信息后，根據(jù)該位置信息確認出芯片粘接用粘接劑層3與工件之間存在位置偏移時，對位置偏移進行補正，之后壓接上述芯片粘接用粘接劑層3與工件；將上述工件切割成晶片狀的切割工序；將晶片狀工件與芯片粘接用粘接劑層3一起從粘合劑層2上剝離的工序；和通過介入上述芯片粘接用粘接劑層3將晶片狀工件粘接固定在半導體元件上的工序。
采用本發(fā)明的構(gòu)成，由于在芯片切割·粘接薄膜上設有用于識別芯片粘接用粘接劑層位置的標記，因此即使支撐基材或者粘接用粘接劑層為透明部件，也可較容易識別芯片粘接用粘接劑層的位置。由此，在工件上粘貼芯片粘接用粘接劑層時，可以防止位置偏移，從而可提高產(chǎn)品的合格率。
進而本發(fā)明的芯片切割·粘接薄膜具有如下構(gòu)成，在支撐基材1上具有粘合劑層2，在該粘合劑層2上設有可剝離的芯片粘接用粘接劑層3。
這里，可以設計成如下，即粘合劑層2的對應于芯片粘接用粘接劑層3上的工件粘貼部分3a和其他部分3b的部分2a、2b，相對于芯片粘接用粘接劑層3的粘合力為，粘合劑層2a的粘合力＜粘合劑層2b的粘合力。即粘合劑層2b在切割時或者展開時(expand)與粘接劑層3適度粘接，從而保證粘合劑層2與粘接劑層3之間不剝離。另一方面，粘合劑層2a可以輕微剝離。因此，對于超過10mm×10mm的大型芯片，不會引起切割不良。另外在切割后可以得到可容易地剝離、拾取(pick up)晶片狀工件的芯片切割·粘接薄膜。因此本發(fā)明的芯片切割·粘接薄膜1，可以使切割等時的保持力與拾取時的剝離性之間達到良好的平衡。
進而，在芯片粘接用粘接劑層3的工件粘貼部分3a中，通過使對工件的粘合力和對粘合劑層2a的粘合力滿足對工件的粘合力＞對粘合劑層2a的粘合力的關系，在切割工件之后，在晶片狀工件上附設了芯片粘接用粘接劑層3的狀態(tài)下，可以較為容易地從粘合劑層2a上剝離。
進而，芯片切割·粘接薄膜中，工件粘貼部分3a以外的部分3b的一部分可以設為裝配框架部分3b’。這里，通過使芯片粘接用粘接劑層3的裝配框架粘貼部分3b’對裝配框架的粘合力和對粘接劑層2b’的粘合力，滿足對裝配框架粘合力＜對粘接劑層2’粘合力的關系，可以更好地平衡切割等時的保持力與拾取時的剝離性。
另外，本發(fā)明的芯片切割·粘接薄膜，可設成在支撐基材1上具有粘合劑層2且粘合劑層2一部分上作為工件粘貼部分3a設置可剝離的芯片粘接用粘接劑層3的結(jié)構(gòu)。這里，粘合劑層2相對于工件粘貼部分3a的部分2a和其他部分2b的粘合力，可設置成滿足粘合劑層2a的粘合力＜粘合劑層2b的粘合力。即粘合劑層2a可輕微剝離。另一方面，粘合劑層2b可粘接晶圓環(huán)，以在切割或者展開時將這些固定而避免剝離。因此對于超過10mm×10mm的大型芯片，也不會引起切割不良，切割后可得到所得晶片狀工件容易剝離、拾取的芯片切割·粘接薄膜。如上所述，本發(fā)明的芯片切割·粘接薄膜2可以很好地平衡切割等時的保持力與粘附時的剝離性。
此外，通過使工件粘貼部分3a對工件的粘合力和對粘合劑層2a的粘合力滿足對工件的粘合力＞對粘合劑層2a的粘合力，切割工件之后，在晶片狀工件上附設有芯片粘接用粘接劑層3a的狀態(tài)下，可以較容易地從粘合劑層2a上剝離。
本發(fā)明的其他目的、特征和優(yōu)異的性能，可通過如下記載清楚地了解。另外本發(fā)明的優(yōu)點，可以參照附圖和下述說明清楚了解。


圖1為表示本發(fā)明實施形態(tài)1的芯片切割·粘接薄膜的大致構(gòu)成的圖，圖1(a)為上述芯片切割·粘接薄膜的俯視圖，圖1(b)為從A-A線方向觀察時的截面圖。
圖2為表示本發(fā)明實施形態(tài)1的其他芯片切割·粘接薄膜的大致構(gòu)成的截面圖的一例。
圖3為表示本發(fā)明實施形態(tài)1的其他芯片切割·粘接薄膜的大致構(gòu)成的截面圖的一例。
圖4為表示本發(fā)明實施形態(tài)1的其他芯片切割·粘接薄膜的大致構(gòu)成截面圖的一例。
圖5為表示本發(fā)明實施形態(tài)2的芯片切割·粘接薄膜的大致構(gòu)成的截面圖。
圖6為表示本發(fā)明實施形態(tài)3的芯片切割·粘接薄膜的大致構(gòu)成的俯視圖。
圖7為表示本發(fā)明實施形態(tài)4的芯片切割·粘接薄膜的大致構(gòu)成的圖，圖7(a)為上述芯片切割·粘接薄膜的俯視圖，圖7(b)為從B-B線方向觀察時的截面圖。
圖8為表示本發(fā)明實施形態(tài)5的芯片切割·粘接薄膜的大致構(gòu)成的俯視圖。
具體實施例方式
關于本發(fā)明的實施形態(tài)1，參照圖1說明如下。但省去說明中不必要的部分，另外為了容易說明放大或者縮小了圖示部分。以上同樣適用于下面的附圖。圖1(a)為表示本實施形態(tài)的芯片切割·粘接薄膜10的大致構(gòu)成的俯視圖，圖1(b)為從A-A線方向觀察時的截面圖。
本實施形態(tài)的芯片切割·粘接薄膜10具有支撐基材1、設置在上述支撐基材1上的粘合劑層2、設置在上述粘合劑層2上的芯片粘接用粘接劑層3、用于將上述芯片粘接用粘接劑層3粘貼到半導體晶圓(工件)4上的位置識別用標記5。
上述支撐基材1，是形成芯片切割·粘接用膜10的強度基體的材料。作為支撐基材1的材料，例如可以使用低密度聚乙烯、直鏈聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、無規(guī)共聚聚丙烯、接枝共聚聚丙烯、均聚丙烯、聚丁烯、聚甲基戊烯等聚烯烴，乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、離子鍵聚合物樹脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯(無規(guī)、交替)共聚物、乙烯-丁烯共聚物、乙烯-己烯共聚物、聚氨酯、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等聚酯，聚碳酸酯、聚酰亞胺、聚醚醚酮、聚醚酰亞胺、聚酰胺、全芳香族聚酰胺、聚苯硫醚、芳族聚酰胺(紙)、玻璃、玻璃纖維布、含氟樹脂、聚氯乙稀、聚偏氯乙烯、纖維素類樹脂、硅酮樹脂、金屬(箔)、紙等。另外還可以舉出上述樹脂的交聯(lián)體等聚合物。
另外作為支撐基材1，也可以使用未拉伸的基材。進而，根據(jù)需要也可以適當?shù)厥褂檬┮詥蜗蚧蛘唠p向拉伸處理的基材。如果是由利用拉伸處理等賦予其熱收縮性的樹脂片制成的支撐基材1，則在切割后通過支撐基材1的熱收縮可以降低粘合劑層2與芯片粘接用粘合劑層3之間的粘接面積，使芯片的回收變得容易。
為了提高支撐基材1的表面與鄰接層之間的密合性、保持性，也可對其進行常用的表面處理。作為這些方法，例如有鉻酸處理、臭氧暴露、火焰暴露、高壓電震暴露、離子化放射線處理等化學或者物理處理，利用底涂劑(例如后述的粘附物質(zhì))進行的涂覆處理等。
作為上述支撐基材1，可適當選擇使用相同或者不同的基材。另外根據(jù)需要也可使用多種混合的基材。進而，為了賦予支撐基材1抗靜電性能，也可以在上述基材1上設置由金屬、合金或者它們的氧化物制得的厚在30～500左右的導電性物質(zhì)的蒸鍍層。另外支撐基材1可以是單層，也可以是將2層以上上述樹脂膜等多層化而成的層疊膜。另外粘合劑層2為放射線固化型時可使用能透過X射線、紫外線、電子射線等放射線中的至少一部分的材料。
支撐基材1的厚度，例如可在5～200μm左右，只要具有可耐于由上述熱收縮產(chǎn)生的芯片粘接用粘接劑層3的張力的厚度就可使用，并沒有特別限定。
上述粘合劑層2，設置在上述支撐基材1上。對上述粘合劑層2的形成過程中使用的粘接劑也沒有特別限定。例如可采用橡膠類，丙烯酸類，硅酮類，聚乙烯醚類等各種普通壓敏性粘合劑或者放射線固化型粘合劑等。
作為上述壓敏性粘合劑，從利用超純水或者酒精等有機溶劑對半導體晶圓或者玻璃等怕污染的電子部件進行清潔時的清洗性等方面考慮，優(yōu)選使用以丙烯酸類聚合物作為基體聚合物的丙烯酸類粘合劑。
作為上述丙烯酸類聚合物，例如可舉出以(甲基)丙烯酸烷基酯(例如甲酯、乙酯、丙酯、異丙酯、丁酯、異丁酯、s-丁酯、t-丁酯、戊酯、異戊酯、己酯、庚酯、辛酯、2-乙基己酯、異辛酯、壬酯、癸酯、異癸酯、十一烷基酯、十二烷基酯、十三烷基酯、十四烷基酯、十六烷基酯、十八烷基酯、二十烷基酯等烷基碳原子數(shù)為1～30、特別是碳原子數(shù)4～18的直鏈或者支鏈狀烷基酯等)及(甲基)丙烯酸環(huán)烷基酯(例如環(huán)戊基酯、環(huán)己基酯等)中的1種或者2種以上作為單體成分使用的丙烯酸類聚合物等。另外，(甲基)丙烯酸酯是指丙烯酸酯和/或甲基丙烯酸酯，本發(fā)明中“(甲基)”均表示相同含義。
上述丙烯酸類聚合物中，為了改善凝聚力、耐熱性等，根據(jù)需要也可以含對應于可與上述(甲基)丙烯酸烷基酯或者環(huán)烷基酯共聚的其他單體組分的單元。作為這些單體，例如可舉出丙烯酸、甲基丙烯酸、羧乙基(甲基)丙烯酸酯、羧戊基(甲基)丙烯酸酯、衣康酸、馬來酸、富馬酸、巴豆酸等含羧基單體；馬來酸酐、衣康酸酐等酸酐單體；(甲基)丙烯酸2-羥乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥丁酯、(甲基)丙烯酸6-羥己酯、(甲基)丙烯酸8-羥辛酯、(甲基)丙烯酸10-羥癸酯、(甲基)丙烯酸12-羥十二烷基酯、(4-羥甲基環(huán)己基)甲基(甲基)丙烯酸酯等含羥基單體；苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯酰胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯酰胺丙磺酸、磺化丙基(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯?；踺粱撬岬群撬峄鶈误w；2-羥乙基丙烯?；姿狨サ群姿峄鶈误w；丙烯酰胺、丙烯腈等。這些可共聚的單體組分，可使用1種或者2種以上。這些可共聚的單體的使用量，優(yōu)選占全部單體組分的40重量％以下。
進而，上述丙烯酸類聚合物中，為了使之交聯(lián)，根據(jù)需要也可以加入多官能團單體作為共聚用單體組分。作為多官能團單體，例如有己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、環(huán)氧基(甲基)丙烯酸酯、聚酯(甲基)丙烯酸酯、氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯等。這些多官能團單體可以使用1種或者2種以上。多官能團單體的使用量，從粘合特性等方面來說，優(yōu)選占全部單體組分的30重量％以下。
上述丙烯酸類聚合物，可以由單一單體或者兩種以上單體混合物進行聚合而得到。聚合可以通過溶液聚合、乳液聚合、本體聚合、懸浮聚合等任何一種方式進行。從防止?jié)崈舻恼掣襟w被污染等方面來說，低分子量物質(zhì)的含量優(yōu)選較少。從這些方面來看，丙烯酸類聚合物的數(shù)均分子量，優(yōu)選在30萬以上，進一步優(yōu)選為40萬～300萬左右。
另外，為了提高作為基體聚合物的丙烯酸類聚合物等的數(shù)均分子量，在上述粘合劑中也可適當采用外部交聯(lián)劑。作為外部交聯(lián)方法的具體手段，可列舉添加聚異氰酸酯化合物、環(huán)氧化合物、氮丙啶化合物、蜜胺類交聯(lián)劑等交聯(lián)劑進行反應的方法。使用外部交聯(lián)劑時，其用量可以根據(jù)與需要交聯(lián)的基體聚合物之間的平衡以及作為粘合劑的使用用途適當確定。一般來說，相對于100重量份的上述基體聚合物，用量在5重量份左右以下，進一步優(yōu)選為0.1～5重量份。還有，在粘合劑中除了上述組分之外，根據(jù)需要也可以使用以往公知的各種增粘劑、抗老化劑等添加劑。
作為上述放射線固化型粘合劑，只要是具有碳-碳雙鍵等放射線固化性官能團而且顯示粘合性的粘合劑均可使用，并沒有特別限定。具體的有例如在上述丙烯酸類粘合劑、橡膠類粘合劑等一般的壓敏性粘合劑中配合了放射線固化性單體組分或者低聚物組分得到的添加型放射線固化性粘合劑等。
作為所配合的放射線固化性單體組分，例如有氨基甲酸酯低聚物、氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四羥甲基甲烷四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1，4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯等。另外作為放射線固化性低聚物組分有氨基甲酸酯類、聚醚類、聚酯類、聚碳酸酯類、聚丁二烯類等各種低聚物，其分子量在100～30000左右的范圍內(nèi)為宜。放射線固化性單體組分或者低聚物組分的配合量，可根據(jù)上述粘合劑層的種類，適當確定降低粘接劑層粘合力所需的量。一般來說相對于100重量份構(gòu)成粘合劑的丙烯酸類聚合物等基體聚合物，為5～500重量份，優(yōu)選40～150重量份。
另外，作為放射線固化型粘合劑，除了上述的添加型放射線固化性粘合劑之外，作為基體聚合物，可以使用在聚合物側(cè)鏈或主鏈中或者在主鏈末端具有碳-碳雙鍵的內(nèi)在型放射線固化性粘合劑。內(nèi)在型放射線固化性粘合劑，由于無須含作為低分子成分的低聚物組分等，或者不必多含，因此經(jīng)過一定時間后低聚物組分等也不會在粘合劑內(nèi)部移動，從而可以形成具有穩(wěn)定層結(jié)構(gòu)的粘合劑層。
就上述具有碳-碳雙鍵的基體聚合物而言，只要具有碳-碳雙鍵而且具有粘合性就可以使用，并沒有特別限定。作為這些基體聚合物，優(yōu)選的是以丙烯酸類聚合物作為基本骨架的物質(zhì)。作為丙烯酸類聚合物的基本骨架，可使用上述例示的丙烯酸類聚合物。
對于在上述丙烯酸類聚合物中導入碳-碳雙鍵的方法沒有特別限定，可以采用各種方法。從分子設置上考慮，將碳-碳雙鍵導入到聚合物側(cè)鏈上的方法較容易實現(xiàn)。例如預先在丙烯酸類聚合物上共聚具有官能團的單體，然后在維持碳-碳雙鍵的放射線固化性的狀態(tài)下，縮聚或者加成具有可與該官能團反應的官能團和碳-碳雙鍵的化合物。
作為這些官能團的組合，例如有羧酸基與環(huán)氧基、羧酸基與氮丙啶基、羥基與異氰酸酯基等。這些官能團的組合中，從反應追蹤方面考慮，較為合適的是羥基與異氰酸酯基的組合。另外在采用這些官能團的組合時，只要是可以生成上述具有碳-碳雙鍵的丙烯酸類聚合物的組合，官能團可位于丙烯酸類聚合物和上述化合物中的任何一方，但是上述優(yōu)選組合中，較適合的是丙烯酸類聚合物上具有羥基、上述化合物上具有異氰酸酯的情形。此時作為具有碳-碳雙鍵的異氰酸酯類化合物，例如有甲基丙烯酰異氰酸酯、2-甲基丙烯酰氧化乙基異氰酸酯、m-異丙烯基-α，α-二甲基芐基異氰酸酯等。另外作為丙烯酸類聚合物，可以使用上述例示的含羥基單體或者2-羥乙基乙烯醚、4-羥丁基乙烯醚、二甘醇單乙烯醚等醚類化合物等進行共聚所得到的聚合物。
在上述內(nèi)在型放射線固化性粘合劑中，可以單獨使用上述具有碳-碳雙鍵的基體聚合物(特別是丙烯酸類聚合物)，在不會使性能惡化的范圍內(nèi)也可以配合使用上述放射線固化性單體組分或者低聚物組分。放射線固化性低聚物組分等，通常相對于100重量份基體聚合物在30重量份范圍內(nèi)，優(yōu)選在0～10重量份范圍內(nèi)。
上述放射線固化型粘合劑中，在利用紫外線等進行固化時，需要加入光聚合引發(fā)劑。作為光聚合物引發(fā)劑，例如有4-(2-羥基乙氧基)苯基(2-羥基-2-丙基)酮、α-羥基-α，α-二甲基苯乙酮、2-甲基-2-羥基苯丙酮、1-羥基環(huán)己基苯基酮等α-酮醇類化合物；甲氧基苯乙酮、2，2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2，2-二乙氧基苯乙酮、2-甲基-1-[4-(甲硫基)-苯基]-2-嗎啉代丙烷-1等苯乙酮類化合物；苯偶姻乙醚、苯偶姻異丙醚、茴香偶姻甲醚等苯偶姻醚類化合物；芐基二甲基縮酮等縮酮類化合物；2-萘磺酰氯等芳香族磺酰氯類化合物；1-苯基酮-1，1-丙二醇-2-(o-乙氧基羰基)肟等光活性肟類化合物；二苯甲酮、苯甲酰安息香酸、3，3’-二甲基-4-甲氧基二苯甲酮等二苯甲酮類化合物；硫雜蒽酮、2-氯硫雜蒽酮、2-甲基硫雜蒽酮、2，4-二甲基硫雜蒽酮、異丙基硫雜蒽酮、2，4-二氯硫雜蒽酮、2，4-二乙基硫雜蒽酮、2，4-二異丙基硫雜蒽酮等硫雜蒽酮類化合物；樟腦醌；鹵化酮；?；⒀趸?；酰基膦酸酯等。光聚合引發(fā)劑的配合量，相對于100重量份的構(gòu)成粘合劑的丙烯酸類聚合物等基體聚合物，例如在0.05～20重量份左右。
另外作為放射線固化型粘合劑，例如特開昭60-196956號公報所公開，可列舉含有具有兩個以上不飽和鍵的加成聚合性化合物、含環(huán)氧基的烷氧基硅烷等光聚合性化合物，和羰基化合物、有機硫化合物、過氧化合物、胺、鎓鹽化合物等光聚合引發(fā)劑的橡膠類粘合劑或者丙烯酸類粘合劑等。
對粘合劑層2的厚度沒有特別限定，但是從同時具備防止芯片切斷面上出現(xiàn)缺陷的特點和粘接層的固定保持性能等方面來看，優(yōu)選1～50μm左右。優(yōu)選2～30μm，進一步優(yōu)選5～25μm。
上述芯片粘接用粘接劑層3設置在粘合劑層2上的貼合圓形半導體晶圓4的區(qū)域內(nèi)。該芯片粘接用粘接劑層3是在將半導體晶圓切割成晶片狀時為了防止芯片(切斷片)飛散而用來粘貼固定半導體晶圓4的層。芯片粘接用粘接劑層3具有在將壓接于其上的半導體晶圓4切割成晶片狀時使芯片(切片)密合在粘接用粘接劑層3上從而防止其飛散的作用。另外，在裝配芯片時，可發(fā)揮將芯片固定在半導體元件上(基板、芯片等)的粘接劑層的功能。作為芯片粘接用粘接劑層3，特別重要的是具有在切割工件時不使切片飛散的粘接性。在芯片切割·粘接薄膜10中，芯片粘接用粘接劑層3被設置成預先形成的半導體晶圓4的粘貼部分。
芯片粘接用粘接劑層3，通常可利用芯片粘接劑形成。作為芯片粘接劑，優(yōu)選可形成為片狀的粘接劑。作為具體的芯片粘接劑，例如可優(yōu)選使用由熱塑性樹脂、熱固性樹脂制成的芯片粘接劑。芯片粘接劑可以單獨或者組合兩種以上使用。另外芯片粘接用粘接劑層3優(yōu)選為在70℃以下可粘接在半導體芯片4上的物質(zhì)，更優(yōu)選可在常溫下粘接的粘接劑。
作為可用作芯片粘接劑的熱塑性樹脂(熱塑性芯片粘接劑)，例如可使用飽和聚酯樹脂、熱塑性聚氨酯樹脂、酰胺類樹脂(尼龍類樹脂)、酰亞胺類樹脂等。另外作為熱固性樹脂(熱固性芯片粘接劑)，例如可使用環(huán)氧樹脂、不飽和聚酯樹脂、熱固性丙烯酸樹脂、酚醛樹脂等。作為熱固性樹脂，較適合的是經(jīng)脫溶劑化后進行片狀化、B級化(stage)之后(臨時固化)的熱固化樹脂。另外這些熱固性樹脂與熱塑性樹脂的混合物也可以在B級化的狀態(tài)下使用。此外，在本發(fā)明中作為芯片粘接劑也可以使用玻璃化轉(zhuǎn)變溫度高的硅酮類、橡膠類、氨基甲酸酯類、酰亞胺類、丙烯酸類等樹脂。
芯片粘接用粘接劑層3，也可以適當組合玻璃化轉(zhuǎn)變溫度不同的熱塑性樹脂、熱固化溫度不同的熱固性樹脂而形成兩層以上的多層結(jié)構(gòu)。另外半導體晶圓4的切割工序中由于使用切削水，會使芯片粘接用粘接劑層3吸濕，達到常態(tài)以上的含水率。如果在如此高的含水率狀態(tài)下直接與基板等粘接，則在后固化階段中在粘接界面上會餾出水蒸氣，發(fā)生拱起。因此，通過將芯片粘接用粘接劑層3形成為用芯片粘接劑層夾持高透濕性膜的結(jié)構(gòu)，在后固化階段水蒸氣可以通過膜擴散，從而可以回避上述的問題。因此，芯片粘接用粘接劑層3優(yōu)選形成為依次層疊粘接劑層、膜、粘接劑層的多層結(jié)構(gòu)。
對芯片粘接用粘接劑層3的厚度并沒有特別限定，例如優(yōu)選在5～100μm左右，進一步優(yōu)選10～50μm左右。
另外，芯片粘接用粘接劑層3，也可以利用隔片保護起來(圖中未示)。即，可以任意設置隔片。隔片具有在具體實用之前保護芯片粘接用粘接劑層3的保護材料的功能。另外，在將芯片粘接用粘接劑層3轉(zhuǎn)印到粘合劑層2上時隔片可以作為支撐基材使用。在芯片粘接用粘接劑層3上粘貼工件時要剝離隔片。作為該隔片，可使用利用聚乙烯、聚丙烯、氟類剝離劑、長鏈烷基丙烯酸酯類剝離劑等剝離劑涂布表面的塑料膜或者紙等。
上述標記5，為在芯片切割·粘接薄膜上粘貼半導體晶圓4時，用于確定其粘貼位置的位置識別用標記。本實施形態(tài)中，標記5由著色層制成。標記5的形成位置，位于除粘合劑層2和芯片粘接用粘接劑層3以外的支撐基材1上。由此，在切割·芯片焊劑膜10上粘貼半導體晶圓4時，可以防止其位置發(fā)生偏移，可提高合格率。本實施形態(tài)中，標記5由標記5a(例如5mm×10mm)和標記5b(例如5mm×20mm)組成。標記5a設置在通過平面形狀為圓形的芯片粘接用粘接劑層3(直徑210mm)圓心的A-A線上。標記5b設置在同圖(a)中芯片粘接用粘接劑層3的下方。標記5a或者標記5b和芯片粘接用粘接劑層3之間的最短間距分別為35mm與10mm。這里標記5優(yōu)選設置在芯片切割·粘接摸10不會粘貼于裝配框架(圖中未示)的位置上。這是因為裝配框架一般不透明，因此如果在該裝配框架的粘貼位置上設置標記5，則其位置的檢測較為困難。另外優(yōu)選設置在制作裝配工序中使用的裝配框架后還殘留有芯片切割·粘接薄膜10的位置上。另外對標記5的平面形狀沒有特別限定，在不脫離技術方案內(nèi)容的范圍內(nèi)也可以適當變更其設置。
作為標記5的著色層由含色素的油墨、涂料等組成。著色顏色的種類，優(yōu)選在可利用辨色型位置識別用傳感器辨別的波長區(qū)域內(nèi)。具體為，例如從辯色容易性的觀點來說，優(yōu)選為赤、紅、朱、橙黃色、橙色等紅色類的顏色。但是，除此之外也可以采用黃色或者紫色。作為上述色素，例如有偶氮顏料、朱紅、氧化鐵紅、茜素、梅紅、胭脂紅、喹吖(二)酮類顏料等。另外上述著色層的厚度雖沒有特別限定，但優(yōu)選在0.5μm～10μm的范圍內(nèi)。
標記5的位置識別，可以利用已知的方法檢測標記5而進行。具體為，可以利用透過型、反射型、辨色型或者厚度檢測型等各種傳感器，辨認·檢測該標記5，或者利用CCD照相機等圖像識別機構(gòu)。利用這些方法識別標記5的位置后，將其位置信息與預先確定的標準坐標相比較，在檢測到位置偏移時，為了對該位置偏移進行補正，進行芯片切割·粘接摸10的位置控制。進行位置控制，通過可自由進行芯片切割·粘接薄膜10的輸送與卷回的適當機構(gòu)進行微調(diào)。
另外輸送裝配框架，例如可以由金屬制或者塑料制的成形體構(gòu)成。上述裝配框架的開口部分，比所切割的半導體晶圓4大，對其形狀沒有特別限定。
下面，對本實施形態(tài)的芯片切割·粘接薄膜的制造方法進行說明。
首先，調(diào)制芯片粘接用粘接劑的組合物，之后制得混合溶液。將該混合溶液涂布在例如聚酯膜等隔片上。接著，在一定溫度下干燥涂布有上述混合溶液的隔片，在上述隔片上形成芯片粘接用粘接劑層3。
另一方面，在支撐基材1上直接涂布粘合劑溶液之后，經(jīng)干燥形成粘合劑層2。接著將芯片粘接用粘接劑層3轉(zhuǎn)印到粘合劑層2上，并只在粘貼半導體晶圓4的區(qū)域上形成芯片粘接用粘接劑層3。
作為上述著色層的標記5的形成方法并沒有特別限定，例如可以采用在支撐基材1上印刷的方法等已知的方法。通過以上操作，可制造本實施形態(tài)的芯片切割·粘接薄膜10。另外在粘合劑層2上沒有形成標記5。但是，可以設置在與設有芯片粘接用粘接劑層3的一面相反側(cè)的面上。
下面，對使用了本實施形態(tài)的芯片切割·粘接薄膜10的晶片狀工件的固定方法進行說明。
使用本發(fā)明的芯片切割·粘接薄膜10時，適當剝離任意設置在芯片粘接用粘接劑層3上的隔片之后，如下所述地使用。即，在芯片切割·粘接薄膜10的芯片粘接用粘接劑層3上，壓接作為工件的半導體晶圓4，并在芯片粘接用粘接劑層3上粘接保持半導體晶圓4使之固定。壓接可以利用常規(guī)方法進行。接著，將半導體晶圓4切割成晶片狀。切割時可以通過采用旋轉(zhuǎn)圓刀等的適當方法進行，將含芯片粘接用粘接劑層3在內(nèi)的半導體晶圓4作成半導體芯片(晶片狀工件)。
接著，將半導體芯片與芯片粘接用粘接劑層3一起從粘合劑層2上剝離。所拾取的半導體芯片通過介入芯片粘接用粘接劑層3粘接固定在作為被粘附體的半導體元件上。作為半導體元件，可舉出引線框、TAB膜、基板或者另外制作的晶片狀工件等。被粘附體例如可以是容易變形的變形型被粘附體，也可以是不易變形的非變形型被粘附體(半導體晶圓等)。較為合適的被粘附體是半導體晶圓。當芯片粘接用粘接劑層3為熱固化型時，可通過加熱固化將工件粘接固定在被粘附體上，提高耐熱強度。另外，通過介入芯片粘接用粘接劑層3將晶片狀工件粘接固定在基板等上面而成的構(gòu)成，可以提供于軟溶工序中。
另外，本實施形態(tài)中作為上述粘合劑層2中分別設有部分2a、2b(參照圖2)，使其與芯片粘接用粘接劑層3的剝離性，在對應于工件粘貼部分3a的界面(A)和對應于其他部分3b的界面(B)上，滿足界面(A)的剝離力＞界面(B)的剝離力的關系。粘合劑層2a對應于芯片粘接用粘接劑層3上的工件粘貼部分3a，粘合劑層2b對應于除此以外的部分3b。
另外，也可以構(gòu)成為如下裝配框架粘貼部分3b’和與之對應形成的粘合劑層2b’的界面(B’)的剝離力，優(yōu)選滿足界面(A)的剝離力＞界面(B’)的剝離力的關系(參照圖3)。在圖2中所示的粘合劑層2中，粘合劑層2a以外的部分全部形成為粘合劑層2b，在圖3所示情形中，也可以將粘合劑層2a以外的一部分形成為粘合劑層2b。
還有，上述粘合劑層2中也可以形成為部分2a、2b(參照圖4)，使對應于工件粘貼部分3a的部分2a與其他部分2b上的粘合力，滿足粘合劑層2a的粘合力＜粘合劑層2b粘合力的關系。
對上述圖2～圖4所示粘合劑層2的形成中所使用的粘合劑并沒有特別限定，較為合適的是容易設置粘合劑層2a、2b上的粘合力之差的放射線固化型粘合劑。就放射線固化型粘合劑而言，通過利用紫外線等放射線照射而增大其交聯(lián)度，可以容易地降低其粘合力。因此，通過配合工件粘貼部分3a固化放射線固化型粘合劑層，可容易形成粘合力顯著下降的粘合劑層2a。由于經(jīng)固化而粘合力下降的粘合劑層2a上粘貼有粘接劑層3或者3a，因此在粘合劑層2a與粘接劑層3a之間的界面，具有在拾取(pick up)時容易剝離的性質(zhì)。另一方面，在放射線沒有照射到的部分具有很好的粘合力，形成粘合劑層2b。
圖2和圖3所示的芯片切割·粘接薄膜6·7中，由未固化的放射線固化型粘合劑形成的粘合劑層2b與粘接劑層3粘接，在切割時可以確保其保持力。這種放射線固化型粘合劑，可以以粘接·剝離之間具有良好平衡的狀態(tài)支撐用于將晶片狀工件(半導體芯片等)固定在基板或者晶片狀工件等被粘附體(稱為半導體元件)上的芯片粘接用粘接劑層3。圖4所示的芯片切割·粘接薄膜8中，粘合劑層2b可以固定晶圓環(huán)等。
粘合劑層2被設置成粘合劑層2a的粘合力＜粘合劑層2b的粘合力。圖2和圖3所示的芯片切割·粘接薄膜6·7中，對于芯片粘接用粘接劑層3的粘合力滿足界面(A)的剝離性大于上述界面(B)的剝離性。圖4所示的芯片切割·粘接薄膜8中，例如對于作為被粘附體的SUS304板(#2000研磨)的關系，要滿足粘合劑層2a的粘合力＜粘合劑層2b的粘合力。
在利用放射線固化型粘合劑形成粘合劑層2時，可舉出以下方法，如在支撐基材1上形成放射線固化型粘合劑層2之后，在對應于工件粘貼部分3a的部分上，部分照射放射線使之固化，并由此形成粘合劑層2a。部分照射放射線時，可以通過形成有對應于工件粘貼部分3a之外的部分3b等的圖案的光掩膜來進行。另外，可以采用以點狀照射紫外線并使之固化的方法。放射線型粘合劑層2的形成，可以通過將設置在隔片上的結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)印到支撐基材1上的方法進行。部分的放射線固化也可以對設置在隔片上的放射線固化型粘合劑層2進行。
另外，在利用放射線固化型粘合劑形成粘合劑層2時，可以使用支撐基材1的至少一面的、對應于工件粘貼部分3a的部分以外的部分的全部或者局部被遮光的材料，在其上面形成放射線固化型的粘合劑層2之后照射放射線，使對應于工件粘貼部分3a的部分固化，形成降低了粘合力的粘合劑層2a。作為遮光材料，可以通過在支撐膜上印刷或蒸鍍可作成光掩膜的材料而成。利用上述的制造方法，能以高效率制得本發(fā)明的芯片切割·粘接薄膜。
另外，在照射放射線時，由于氧氣而引起固化障礙的情況下，優(yōu)選在放射線固化型粘合劑層2的表面利用任何方法遮斷氧氣(空氣)。例如，可舉出用隔片包覆上述粘合劑層2的表面的方法，或者在氮氣環(huán)境氣體中進行紫外線等放射線的照射的方法等。
圖2和圖3所示的切割·芯片焊劑膜6·7中，粘合劑層2對芯片粘接用粘接劑層3的粘合力，被設置成粘合劑層2a的粘合力＜粘合劑層2b的粘合力。以常溫下(23℃)的粘合力(90度剝離值，剝離速度300mm/分)為基準，粘合劑層2a的粘合力，從晶圓固定保持力和形成的芯片回收性等方面來看，優(yōu)選在0.5N/20mm以下，進一步優(yōu)選在0.01～0.42N/20mm，特別優(yōu)選0.01～0.35N/20mm左右。另一方面，粘合劑層2b的粘合力優(yōu)選在0.5～20N/20mm左右。即使粘合劑層2a的剝離粘合力低，由于粘合劑層2b的粘合力可以抑制芯片飛散等的發(fā)生，從而可以在晶圓加工中發(fā)揮很好的保持力。
圖4所示的切割·芯片焊劑膜8中，粘合劑層2中的、對應于工件粘貼部分3a的部分2a和其他部分2b，被設置成粘合劑層2a的粘合力＜粘附劑層2b的粘合力。對于工件粘貼部分3a的粘合劑層2a的粘合力(上述同條件)，如上所述，優(yōu)選在0.5N/20mm以下，進一步優(yōu)選0.01～0.42N/20mm，特別優(yōu)選為0.01～0.35N/20mm。
另外，在圖2～圖4所示的芯片切割·粘接薄膜6～8中，工件粘貼部分3a的、對工件的粘合力和對粘合劑層2a的粘合力，優(yōu)選滿足對工件的粘合力＞對粘合劑層2a的粘合力。對工件的粘合力可以根據(jù)工件的種類進行適當調(diào)整。
工件粘貼部分3a對粘合劑層2a的粘合力(條件同上述)，如上所述，優(yōu)選在0.5N/20mm以下，進一步優(yōu)選為0.01～0.42N/20mm，特別優(yōu)選0.01～0.35N/20mm。另一方面，工件粘貼部分3a對工件的粘合力(條件同上述)，從切割時、拾取時、芯片粘接時的可靠性、拾取性方面來說優(yōu)選為10～50N/20mm，進一步優(yōu)選10～30N/20mm。
圖2所示的芯片切割·粘接薄膜6中，將工件粘貼部分3a以外的部分3b作為裝配框架粘貼部分3b’時，芯片粘接用粘接劑層3的裝配框架粘貼部分3b’的、對工件的粘合力和對粘合劑層2b’的粘合力，優(yōu)選設置成對裝配框架的粘合力＜對粘合劑層2b’的粘合力。對裝配框架的粘合力可根據(jù)裝配框架的種類適當調(diào)整。
芯片粘接用粘接劑層3對粘合劑層2b’的粘合力(條件同上述)，如上述所述，優(yōu)選0.5～20N/20mm。另一方面，芯片粘接用粘接劑層3對裝配框架的粘合力(條件同上述)，從切割和芯片粘接時的操作性方面來說，優(yōu)選在0.3～50N/20mm以下，進一步優(yōu)選0.5～5N/20mm。
另外，為了防止在其粘接時或剝離時等產(chǎn)生的靜電或者由此引起的工件(半導體晶圓等)帶電而使電路破壞等，可賦予芯片切割·粘接薄膜抗靜電性能?？轨o電性能的賦予可以通過在支撐基材1、粘合劑層2以及粘接劑層3中添加抗靜電劑或者導電性物質(zhì)的方法，在支撐基材1上附設由電荷移動絡合物或者金屬膜等制成的導電層等適當?shù)姆椒ㄟM行。作為這些方式優(yōu)選不易產(chǎn)生會使半導體晶圓變質(zhì)的雜質(zhì)離子的方式。作為以導電性的賦予、熱傳導性的提高等為目的所配合的導電性物質(zhì)(導電填料)，可舉出銀、鋁、金、銅、鎳、導電性合金等球形、針形、薄片狀的金屬粉末、氧化鋁等金屬氧化物、非晶態(tài)碳黑、石墨等。
(實施形態(tài)2)在上述實施形態(tài)1中，敘述了作為標記使用的是由油墨等形成的著色層的情形。但是，本發(fā)明并不僅限于此。例如，代替使用著色層的形態(tài)，也可以采用只對粘合劑層的規(guī)定區(qū)域進行著色并把該區(qū)域作為標記的形態(tài)。圖5是表示本實施形態(tài)的芯片切割·粘接薄膜11的大致構(gòu)成的截面圖。
本實施形態(tài)的粘合劑層12中，含有經(jīng)放射線照射而著色的化合物。通過經(jīng)具有一定圖案形狀的光掩膜13對粘合劑層12照射放射線，可以只對粘合劑層12的規(guī)定區(qū)域進行照射。這樣可以只使照射的區(qū)域著色，從而可以自我整合地形成對應于光掩膜13的圖案形狀的標記12a。芯片粘接劑層3位置的識別，可以利用光傳感器等識別·檢測上述標記12a進行。
利用放射線照射而著色的化合物，是在照射放射線前為無色或者淡色而經(jīng)放射線照射后變?yōu)橛猩幕衔?。作為所述化合物的?yōu)選具體例，可舉出無色染料。作為無色染料，優(yōu)選使用常用的三苯基甲烷類、熒烴類、吩噻嗪類、金胺類、螺環(huán)吡喃類。具體有3-[N-(p-甲苯氨基)]-7-苯胺基熒烴、3-[N-(p-甲苯基)-N-甲氨基]-7-苯胺基熒烴、3-[N-(p-甲苯基)-N-乙氨基]-7-苯胺基熒烴、3-二乙胺基-6-甲基-7-苯胺基熒烴、龍膽紫內(nèi)酯、4，4’，4”-三二甲基氨基三苯基甲醇、4，4’，4”-三二甲基氨基三苯基甲烷等。
作為適于與這些無色染料一起使用的顯色劑，可以使用一直以來使用的酚醛樹脂的初聚物、芳香族羧酸衍生物、活性白土等電子受體。進而，在調(diào)節(jié)色調(diào)時，也可以組合使用各種已知的發(fā)色劑。
這種通過放射線照射而著色的化合物，可以先溶解在有機溶劑等中之后加入到粘接劑中，或者也可以制成細粉末狀加入到該粘接劑中。該化合物的使用比例，在粘合劑層12中為10重量％以下，優(yōu)選為0.01～10重量％，進一步優(yōu)選為0.5～5重量％。如果該化合物的比例超過10重量％，照射到粘合劑層12的放射線會被該化合物過度吸收，從而會使粘合劑層12的固化不充分，有時不能充分地降低粘合力。另一方面，若要充分著色，該化合物的比例優(yōu)選在0.01重量％以上。
(實施形態(tài)3)本實施形態(tài)中，代替作為標記使用著色層的形態(tài)，使用了標記用粘合薄膜，這一點不同于上述實施形態(tài)1。下面，對本實施形態(tài)的內(nèi)容進行詳述。圖6是表示使用標記用粘合薄膜21時的切割·芯片焊劑膜20的大致構(gòu)成的俯視圖。
本實施形態(tài)3的標記用粘合薄膜21由粘合薄膜制成。作為該粘合薄膜的材料，例如可舉出著色聚烯烴類粘合帶等。另外，對上述標記用粘合薄膜21的厚度并沒有特別限定，例如優(yōu)選在5μm～200μm的范圍內(nèi)。
上述標記用粘合薄膜21的形成位置，位于除去芯片粘接用粘接劑層3的粘合劑層2上、支撐基材1的背面、或者支撐基材1與粘合劑層2之間。其平面形狀為5mm×10mm的矩形。但是，對標記用粘合薄膜21的平面形狀沒有特別限定。另外就其大小而言，只要屬于能進行位置識別的范圍內(nèi)就沒有特別限定。
標記用粘合薄膜21的位置識別，與上述實施形態(tài)1中所述相同，可以利用以往公知的方法進行。
(實施形態(tài)4)在本實施形態(tài)中，代替作為標記使用著色層的形態(tài)，使用了開口部，這一點不同于實施形態(tài)1。下面，對本實施形態(tài)的內(nèi)容進行詳述。圖7是表示使用由沖孔構(gòu)成的開口部31時的芯片切割·粘接薄膜30的大致構(gòu)成的俯視圖，圖7(a)中表示本實施形態(tài)的芯片切割·粘接薄膜30的大致構(gòu)成，圖7(b)中表示從B-B線方向觀察時的截面圖。
本實施形態(tài)4的芯片切割·粘接薄膜30中，在一定位置上具有多個開口部31。開口部31是利用沖頭等形成的，圖7(b)所示，不僅涉及到粘合劑層32，還達到了支撐基材1。開口部31的平面形狀例如為直徑5mm的圓形。但是，對開口部31的平面形狀并沒有特別限定。另外就其大小而言，只要屬于能進行位置識別的范圍內(nèi)就沒有特別限定。又，作為開口部31的形成方法，例如可以采用利用沖頭等的方法。
標記用粘合薄膜21的位置識別，與上述實施形態(tài)1中相同，可以利用以往公知的方法進行。
(實施形態(tài)5)在本實施形態(tài)中，代替作為標記使用著色層的形態(tài)，使用了切口，這一點不同于上述實施形態(tài)1。下面，對本實施形態(tài)的內(nèi)容進行詳述。圖8是表示使用由沖孔構(gòu)成的切口41時的芯片切割·粘接薄膜40的大致構(gòu)成的俯視圖。
本實施形態(tài)5的芯片切割·粘接薄膜40中，其一端的規(guī)定位置上設有多個切口41。上述切口41的平面形狀，例如可為一邊長為5mm的三角形狀。但是，對切口41的表面形狀并沒有特別限定。另外就其大小而言，只要屬于能進行位置識別的范圍內(nèi)就沒有特別限定。此外，切口41的形成方法，可以采用例如利用湯姆森刀打穿的方法等。
在發(fā)明的詳細說明中涉及的具體實施形態(tài)或者實施例，終究只是用于說明本發(fā)明的技術內(nèi)容，并不能狹義地解釋為這些具體實施例所限定的內(nèi)容，在本發(fā)明的意旨和技術方案的范圍內(nèi)也可以進行變更。
權利要求
1.一種芯片切割·粘接薄膜，具有支撐基材(1)、和設置在所述支撐基材(1)上的芯片粘接用粘接劑層(3)，其特征在于，在規(guī)定位置上設有用于識別所述芯片粘接用粘接劑層(3)的位置的標記。
2.如權利要求1所述的芯片切割·粘接薄膜，其特征在于，在所述支撐基材(1)和芯片粘接用粘接劑層(3)之間，設有粘合劑層(2)。
3.如權利要求1或者2所述的芯片切割·粘接薄膜，其特征在于，所述標記設置在沒有形成所述芯片粘接用粘接劑層(3)的所述支撐基材(1)或者粘合劑層(2)上。
4.如權利要求3所述的芯片切割·粘接薄膜，其特征在于，所述標記設置在沒有被工件和裝配框架粘貼的位置上。
5.如權利要求3所述的芯片切割·粘接薄膜，其特征在于，所述標記設置在制作裝配框架后還會殘留的位置上。
6.如權利要求1～5中任一項所述的芯片切割·粘接薄膜，其特征在于，在直線上的規(guī)定位置設置有多個所述標記。
7.如權利要求2所述的芯片切割·粘接薄膜，其特征在于，所述粘合劑層(2)與芯片粘接用粘接劑層(3)之間的界面剝離性，在對應于芯片粘接用粘接劑層(3)上的工件粘貼部分(3a)的界面(A)、和對應于其余部分的局部或者全部的界面(B)上不相同，且所述界面(A)的剝離性大于所述界面(B)的剝離性。
8.如權利要求7所述的芯片切割·粘接薄膜，其特征在于，所述粘合劑層(2)對于芯片粘接用粘接劑層(3)的粘合力，在對應于芯片粘接用粘接劑層(3)上的工件粘貼部分(3a)的部分(2a)、和對應于其余部分(3b)的局部或者全部的部分(2b)上不相同，且滿足粘合劑層(2a)的粘合力＜粘合劑層(2b)的粘合力。
9.如權利要求7或者8所述的芯片切割·粘接薄膜，其特征在于，所述芯片粘接用粘接劑層(3)的工件粘貼部分(3a)中的、對于工件的粘合力和對于粘合劑層(2a)的粘合力，滿足對于工件的粘合力＞對于粘合劑層(2a)的粘合力。
10.如權利要求7～9中任何一項所述的芯片切割·粘接薄膜，其特征在于，所述工件粘貼部分(3a)以外的部分(3b)的一部分，為裝配框架粘貼部分(3b’)。
11.如權利要求10所述的芯片切割·粘接薄膜，其特征在于，所述芯片粘接用粘接劑層(3)的裝配框架粘貼部分(3b’)中的、對于裝配框架的粘合力和對于粘合劑層(2b’)的粘合力，滿足對于裝配框架的粘合力＜對于粘合劑層(2b’)的粘合力。
12.如權利要求2所述的芯片切割·粘接薄膜，其特征在于，所述芯片粘接用粘接劑層(3)，在粘合劑層(2)的一部分被作為工件粘貼部分(3a)設置，且粘合劑層(2)中的、對應于工件粘貼部分(3a)的部分(2a)與其他部分(2b)的粘合力不相同，滿足粘合劑層(2a)的粘合力＜粘合劑層(2b)的粘合力。
13.如權利要求12所述的芯片切割·粘接薄膜，其特征在于，所述工件粘貼部分(3a)對于工件的粘合力和對于粘合劑層(2a)的粘合力，滿足對于工件的粘合力＞對于粘合劑層(2a)的粘合力。
14.如權利要求7～13中任何一項所述的芯片切割·粘接薄膜，其特征在于，所述粘合劑層(2)由放射線固化型粘合劑形成，且對應于工件粘貼部分(3a)的粘合劑層(2a)被照射放射線。
15.一種晶片狀工件的固定方法，其特征在于，包含如下工序利用具有支撐基材(1)和設置在所述支撐基材(1)上的芯片粘接用粘接劑層(3)且在規(guī)定位置上設有用于識別所述芯片粘接用粘接劑層(3)的位置的標記的芯片切割·粘接薄膜，在所述芯片切割·粘接薄膜的芯片粘接用粘接劑層(3)上壓接工件的工序，其中在識別所述標記而檢測出所述芯片粘接用粘接劑層(3)的位置信息后，當根據(jù)該位置信息確認出芯片粘接用粘接劑層(3)與工件之間存在位置偏移時，對位置偏移進行補正，之后壓接所述芯片粘接用粘接劑層(3)與工件；將所述工件切割成晶片狀的工序；將晶片狀工件與芯片粘接用粘接劑層(3)一起從粘合劑層(2)上剝離的工序；及通過介入所述芯片粘接用粘接劑層(3)將晶片狀工件粘接固定在半導體元件上的工序。
16.一種半導體裝置，其特征在于，是利用如下的晶片狀工件的固定方法，通過介入芯片粘接用粘接劑層(3)將晶片狀工件粘接固定在半導體元件上而成的，所述晶片狀工件的固定方法包含如下工序利用具有支撐基材(1)和設置在所述支撐基材(1)上的芯片粘接用粘接劑層(3)且在規(guī)定位置上設有用于識別所述芯片粘接用粘接劑層(3)位置的標記的芯片切割·粘接薄膜，在所述芯片切割·粘接薄膜的芯片粘接用粘接劑層(3)上壓接工件的工序，其中在識別所述標記而檢測出所述芯片粘接用粘接劑層(3)的位置信息后，當根據(jù)該位置信息確認出芯片粘接用粘接劑層(3)與工件之間存在位置偏移時，對位置偏移進行補正，之后壓接所述芯片粘接用粘接劑層(3)與工件；將所述工件切割成晶片狀的工序；將晶片狀工件與芯片粘接用粘接劑層(3)一起從粘合劑層(2)上剝離的工序；及通過介入所述芯片粘接用粘接劑層(3)將晶片狀工件粘接固定在半導體元件上的工序。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種芯片切割·粘接薄膜，其具有支撐基材、設置在所述支撐基材上的粘合劑層、和設置在所述粘合劑層上的芯片粘接用粘接劑層，還具有用于識別所述芯片粘接用粘接劑層位置的標記。本發(fā)明還提供在貼合半導體晶圓與芯片切割·粘接薄膜時，可以對芯片切割·粘接薄膜中的芯片粘接用粘接劑層的位置進行識別的芯片切割·粘接薄膜。
文檔編號C09J201/00GK1638092SQ20041009829
公開日2005年7月13日 申請日期2004年12月3日 優(yōu)先權日2003年12月26日
發(fā)明者松村健, 山本雅之 申請人:日東電工株式會社