專利名稱：一種旋轉(zhuǎn)式噴頭流量調(diào)整裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明為一種旋轉(zhuǎn)式噴頭流量調(diào)整裝置，尤指適用于調(diào)整噴頭流量的噴頭流量調(diào)整裝置。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體工業(yè)中，晶圓的加工均勻性是非常重要的，且為了達(dá)到最好的晶圓加工均勻性所以通常借著改變?cè)S多的制程參數(shù)，尤其當(dāng)晶圓(Wafer)進(jìn)行化學(xué)氣相沉積(CVD)，電漿輔助化學(xué)氣相沉積(PECVD)，蝕刻(etch)等制程時(shí)，通常藉由噴頭噴出氣體并使氣體與晶圓表面產(chǎn)生反應(yīng)，且借著改變噴頭的氣體流率、壓力、溫度等以達(dá)到晶圓的加工均勻性，并于加工制程時(shí)，常為了達(dá)到晶圓均勻性的要求而需改變多種加工參數(shù)，因此需花費(fèi)許多時(shí)間及人力，但利用此改變多種加工參數(shù)方式仍在晶圓上常產(chǎn)生加工邊際效應(yīng)，因此非為最佳的制程方式。
緣是，發(fā)明人乃根據(jù)此缺點(diǎn)及依據(jù)多年來從事制造產(chǎn)品的相關(guān)經(jīng)驗(yàn)，悉心觀察且研究，乃潛心研究并配合學(xué)理的運(yùn)用，而提出一種設(shè)計(jì)合理且有效改善該缺點(diǎn)的本發(fā)明。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種旋轉(zhuǎn)式噴頭流量調(diào)整裝置，藉以增加此獨(dú)立調(diào)整的加工參數(shù)，且即可因此減少晶圓其它加工參數(shù)調(diào)整，俾可達(dá)到晶圓均勻性的要求。
依據(jù)前述發(fā)明目的，本發(fā)明為一種旋轉(zhuǎn)式噴頭流量調(diào)整裝置，其包括至少二圓盤體及數(shù)個(gè)相對(duì)的穿槽組；其中，所述的二圓盤體同軸迭設(shè)一起；所述的相對(duì)的穿槽組分別形成于所述的圓盤體上，且該圓盤體組裝于一噴頭上，且所述的穿槽組連通于該噴頭的出口，且該圓盤體相對(duì)旋轉(zhuǎn)地控制相對(duì)穿槽組連通面積大小，俾以控制一流體通過連通穿槽而流出噴頭的流量大小。
為了使貴審查員能進(jìn)一步了解本發(fā)明的特征及技術(shù)內(nèi)容，請(qǐng)參閱以下有關(guān)本發(fā)明的詳細(xì)說明及附圖，然而所附圖示僅提供參考與說明用，并非用來對(duì)本發(fā)明加以限制者。


圖1為本發(fā)明的旋轉(zhuǎn)式噴頭流量調(diào)整裝置的上圓盤體俯視圖。
圖2為系本發(fā)明的旋轉(zhuǎn)式噴頭流量調(diào)整裝置的下圓盤體俯視圖。
圖3為本發(fā)明的旋轉(zhuǎn)式噴頭流量調(diào)整裝置的中心部的穿槽連通面積較大而周緣面積較小示意圖。
圖4為本發(fā)明的旋轉(zhuǎn)式噴頭流量調(diào)整裝置的中心部的穿槽連通面積較小而周緣面積較大示意圖。
圖中標(biāo)號(hào)說明圓盤體10上圓盤體10′下盤體10”穿槽組20穿槽21中心位置22連通面積2具體實(shí)施方式
請(qǐng)參閱圖1至圖4所示，本發(fā)明為一種旋轉(zhuǎn)式噴頭流量調(diào)整裝置，其包括二圓盤體10及其上的數(shù)個(gè)穿槽組20，且二圓盤體10迭設(shè)一起，并所述的穿槽組20分別相對(duì)地設(shè)置于所述的圓盤體10上，且圓盤體10組裝于一噴頭上，并使所述的穿槽組20連通該噴頭的出口，并藉由所述的圓盤體10相對(duì)旋轉(zhuǎn)，以控制相對(duì)的穿槽組20連通面積大小，俾以控制流體通過連通穿槽組20而流出噴頭的流量大小。
請(qǐng)參閱圖1及圖2所示，其中有四穿槽組20分別具有四個(gè)呈同心圓弧狀穿槽21，且以不同半徑的方式設(shè)置于所述的圓盤體10上，請(qǐng)參閱圖1所示，其為上圓盤體10′，該上盤體10′的穿槽組20上的弧狀穿槽21具有相同的弧角；請(qǐng)參閱圖2所示，系為下圓盤體10”，其上的穿槽組20具有下圓盤體10”上不同半徑的數(shù)個(gè)穿槽21，且該穿槽21長度的中心位置22相互錯(cuò)開，且該中心位置22呈順時(shí)針方向錯(cuò)開地排列于所述的下圓盤體10”上，并且所述的下盤體10”的穿槽組20的弧狀穿槽21的弧角相同，但所述的下圓盤體10”的穿槽組20的弧狀穿槽21的弧角大于上圓盤體10′(圖1所示)的穿槽組20的弧狀穿槽21的弧角，且上盤體10′上的弧狀穿槽21長于相對(duì)的下圓盤體10”的弧狀穿槽21。
再請(qǐng)參閱圖1至圖3所示，所述的上圓盤體10′與下盤體10”系同軸地迭合一起，且該上圓盤體10′逆時(shí)針旋轉(zhuǎn)時(shí)，使上圓盤體10′與下盤體10”的中心部的相對(duì)穿槽21連通面積23漸加大，但上圓盤體10′與下盤體10”的周緣處的相對(duì)穿槽21連通面積漸減小，請(qǐng)參閱圖1、圖2及圖4所示，且當(dāng)上圓盤體10′順時(shí)針旋轉(zhuǎn)時(shí)則相反，如此該旋轉(zhuǎn)式噴頭流量調(diào)整裝置組裝于噴頭時(shí)，通過圓盤體10相對(duì)旋轉(zhuǎn)以控制噴頭中心部及周緣的相對(duì)流量，以致于利用于化學(xué)氣相沉積(CVD)，電漿輔助化學(xué)氣相沉積(PECVD)，蝕刻(etch)等制程時(shí)，即多增加一獨(dú)立的控制參數(shù)，且于控制晶圓的均勻分布時(shí)即可減少一些其它的控制參數(shù)的操作。因此當(dāng)為減少制程中晶圓的邊際效應(yīng)而達(dá)到增加晶圓邊緣的氣體流量且減少晶圓中心的氣體流量目的時(shí)，通過順時(shí)針旋轉(zhuǎn)上盤體10′以控制該噴頭中心部流量減少且周緣的流量增加，所以能有效控制制程中的氣體流量，且因此減少其它的參數(shù)調(diào)整，并更能使晶圓達(dá)到均勻分布的要求。
惟以上所述僅為本發(fā)明的較佳可行實(shí)施例，非因此拘限本發(fā)明的專利范圍，故舉凡運(yùn)用本發(fā)明的說明書及圖示內(nèi)容所為的等效結(jié)構(gòu)變化，均同理皆包含于本發(fā)明的范圍內(nèi)，給予陳明。
權(quán)利要求
1.一種旋轉(zhuǎn)式噴頭流量調(diào)整裝置，其包括至少二圓盤體，其同軸迭設(shè)一起；數(shù)個(gè)相對(duì)的穿槽組，其分別形成于所述的圓盤體上，且該圓盤體系組裝于一噴頭上，且該穿槽組連通于該噴頭的出口，且該圓盤體相對(duì)旋轉(zhuǎn)地控制相對(duì)穿槽組連通面積大小，以控制一流體通過連通該穿槽而流出該噴頭的流量大小。
2.如權(quán)利要求1所述的噴頭流量調(diào)整裝置，其特征是，所述的穿槽組分別包括有數(shù)個(gè)同心圓弧狀槽。
3.如權(quán)利要求1所述的噴頭流量調(diào)整裝置，其特征是，所述的穿槽組系分別為所述的圓盤體上不同半徑的弧狀穿槽。
4.如權(quán)利要求3所述的噴頭流量調(diào)整裝置，其特征是，所述的各圓盤體的穿槽組上的弧狀穿槽的弧角相同，且不同圓盤體的穿槽組上的弧狀穿槽的弧角不相同。
5.如權(quán)利要求1所述的噴頭流量調(diào)整裝置，其特征是，其中一穿槽組具有與所述的圓盤體上不同半徑的數(shù)個(gè)穿槽，且該穿槽的中心位置相互錯(cuò)開。
6.如權(quán)利要求5所述的噴頭流量調(diào)整裝置，其特征是，所述的穿槽的中心位置呈順時(shí)針方向錯(cuò)開排列。
7.如權(quán)利要求1所述的噴頭流量調(diào)整裝置，其特征是，所述的穿槽組分別包括有數(shù)個(gè)穿槽，且形成于所述的圓盤體上，且一該圓盤體的穿槽長度長于另一該圓盤體上的相對(duì)穿槽長度。
全文摘要
一種旋轉(zhuǎn)式噴頭流量調(diào)整裝置，包括至少二圓盤體及數(shù)個(gè)相對(duì)的穿槽組，其中，所述的二圓盤體同軸迭設(shè)一起；相對(duì)的穿槽組分別形成于所述的圓盤體上，且將圓盤體裝設(shè)于噴頭上，所述的穿槽組連通于該噴頭的出口，藉由旋轉(zhuǎn)圓盤體以控制兩圓盤體上的穿槽組連通面積大小，可控制流體經(jīng)穿槽組而流出噴頭的流量大小。
文檔編號(hào)B05B1/30GK1634666SQ20031012284
公開日2005年7月6日 申請(qǐng)日期2003年12月26日 優(yōu)先權(quán)日2003年12月26日
發(fā)明者吳漢明 申請(qǐng)人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司