專利名稱：研磨用組合物及使用了該組合物的存儲硬盤的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及在制造存儲硬盤，即用于計算機等記憶裝置磁盤的基盤時，適用于研磨其表面的研磨用組合物。更具體涉及用于以Ni-P盤、Ni-Fe盤、碳化硼盤及碳盤等為代表的存儲硬盤的制造的研磨用組合物。特別涉及適用于可獲得良好的精加工表面制造技術(shù)的研磨用組合物。此外，本發(fā)明還涉及通過使用前述研磨組合物而獲得適用于具有高記錄密度的高容量磁盤裝置的存儲硬盤的制造方法。
背景技術(shù)：
近年，隨著計算機的小型化及高性能化，也要求作為記憶裝置的磁盤裝置及用于該裝置的存儲硬盤實現(xiàn)小型化及高容量化，存儲硬盤的面記錄密度每年都正以數(shù)十％的比例提高。
由于規(guī)定量記錄信息占存儲硬盤上的空間越來越小，記錄所必須的磁力變得越來越弱。因此，最新的磁盤裝置必須縮小對信息進行讀寫的磁頭和存儲硬盤間的距離，目前磁頭和硬盤間的距離已達到1.0微英寸(約0.025μm)以下。
如果轉(zhuǎn)速非?？斓拇鎯τ脖P表面存在超過一定尺寸的突起和溝槽，則會出現(xiàn)磁頭破損的現(xiàn)象，由于導(dǎo)致存儲硬盤表面的磁性介質(zhì)和磁頭受損，所以必須防止存儲硬盤表面存在超過一定尺寸的突起和溝槽。
目前被最廣泛使用的存儲硬盤用基盤(以下稱為“基片”)是在板材上形成了非電解Ni-P鍍膜的基片。上述板材為了達到平整的要求，必須通過金剛石砂輪加工或采用由SiC研磨材料制得的PVA磨石進行研磨加工或其他方法，對由鋁及其他材料形成的基片進行整形處理。
一般，為了防止因為磁頭與存儲硬盤吸附或因研磨使基片表面出現(xiàn)與存儲硬盤的旋轉(zhuǎn)方向不同的一定方向的紋理而導(dǎo)致存儲硬盤上的磁場不均一，往往進行所謂的組織(結(jié)構(gòu))加工使研磨后的基片上形成同心圓狀紋理。近年，為進一步縮小磁頭與硬盤的距離，打薄基片上的紋理進行輕度組織加工，或者也可使用不進行組織加工表面沒有紋理的非組織加工基片。
存儲硬盤表面如果存在超過一定深度和長度的被稱為刮痕和小坑的凹陷，則這部分就完全無法記錄信息，引起被稱為“點落”的信息遺漏和信息記錄不良，繼而導(dǎo)致磁盤裝置差錯。在使用前述非組織加工的基片制造存儲硬盤的情況下，上述刮痕和小坑等表面缺陷即使非常淺也會出現(xiàn)問題。即使使用經(jīng)過組織加工或輕度組織加工的基片的情況下，如果不能夠通過上述加工手段將刮痕和小坑除凈，則往往也會出現(xiàn)上述情況。
因此，在研磨步驟，即形成磁性介質(zhì)前的步驟中，將基片表面的粗度控制在最小，實現(xiàn)較高的平整性和平滑性，防止刮痕、小坑、微小突起及其他表面缺陷的出現(xiàn)是極為重要的。
以往，一般使用包含氧化鋁或其他各種研磨材料、水及各種研磨促進劑的研磨用組合物(以下，根據(jù)其性狀稱為“漿料”)對基片進行1次研磨加工。但是，1次研磨過程中，很難除去基片表面較大的突起及小坑等表面缺陷和溝槽，且不能夠在一定時間內(nèi)使表面粗度達到最小。因此，人們在探討進行2次以上的研磨工藝。
進行2個步驟的研磨加工時，第1次研磨的主要目的是除去基片表面存在的較大突起及小坑等表面缺陷和溝槽，即提高平整性。與其減小表面粗度水如不產(chǎn)生第2次精研磨所無法除去的較深刮痕，因此要求研磨用組合物對前述表面缺陷及溝槽具有較好的加工修正能力。
第2次研磨即精研磨的目的是使基片的表面粗度達到最小。因此，該研磨用組合物與其滿足第1次研磨所要求的對較大的表面缺陷及溝槽具有較好的加工修正能力，不如能減小表面粗度提高平滑性，能夠防止微細刮痕和小坑、微小突起或其他表面缺陷的產(chǎn)生。此外，從生產(chǎn)性考慮，加快研磨速度也是至關(guān)重要的。表面粗度根據(jù)基片的制造步驟、存儲硬盤的最終記錄容量及其他條件所決定。因此，根據(jù)所要求的表面粗度大小也可進行2次以上的研磨加工。
近年，為了減少加工成本，對利用PVA磨石對板材進行加工的方法進行了各種改進。通過這些改進，減小了板材的表面粗度，使研磨前的鍍膜基板的表面粗度和溝槽等品質(zhì)達到了以往第1次研磨后的水平。通過這種加工方法就不需要進行以往的第1次加工，只要僅進行所謂的精研磨加工即可。
為了達到上述目的，特別是在精研磨過程中，可以將氧化鋁或其他研磨材料徹底粉碎，然后將粒子粒徑調(diào)整到適當(dāng)程度，在其中加入水，再加入硝酸鋁、各種有機酸及其他研磨促進劑，調(diào)制得研磨用組合物，或采用含有膠體二氧化碳及水的研磨用組合物對基片進行研磨。
但是，使用前一種研磨用組合物的情況下，對存在微小突起及微細凹痕方面有改進的余地。而使用后一種研磨用組合物的情況下，則在研磨速度、作為基片表面坑的指標(biāo)的滾動和平整情況以及研磨后的洗滌等方面有改進的余地。
為了解決前述問題，日本專利公開公報平1-246068號揭示了以利用有機酸將pH值調(diào)整到8以下的膠體二氧化碳溶液作為研磨劑，同時對鋁合金基板的單面或雙面進行研磨為特征的鋁合金基板的鏡面加工方法。此外，日本專利公開公報平2-185365號揭示了用通過有機酸將pH值調(diào)整到8以下的膠體二氧化碳溶液對包含Mg、Mn、Al及不可避免的雜質(zhì)構(gòu)成的鋁合金圓板進行研磨的研磨方法。
日本專利公開公報平10-204416號揭示了含有研磨材料和水的用于研磨存儲硬盤的組合物，其特征是含鐵化合物溶存于該組合物中。使用該研磨用組合物研磨速度快，能獲得表面粗度較小的基片。
日本專利公開公報平11-167711號揭示了磁盤基板的制造方法，該方法的特征是采用含有0.01mol/l以上三價鐵離子的鹽、且含有粒徑在0.5μm以下的二氧化硅粒子的膠態(tài)研磨劑進行研磨。
日本專利公開公報2000-42904公報揭示了表面研磨用漿料，該漿料的特征是，包含液層、研磨劑及該表面所含元素的配位體，該配位體與各種元素的離子或原子結(jié)合，該結(jié)合能夠有效除去吸附在表面的各種元素的離子或原子。
但是，根據(jù)本發(fā)明者研究的結(jié)果，很難同時全部滿足研磨速度理想、控制刮痕的產(chǎn)生、防止研磨機的腐蝕與損傷、且研磨面品質(zhì)良好的要求。
發(fā)明的揭示本發(fā)明解決了上述問題，即提供了可實現(xiàn)以往對研磨用組合物要求那樣的研磨速度快、能防止刮痕產(chǎn)生、表面粗度小的研磨用組合物。
本發(fā)明的可解決以往存在的問題的用于研磨存儲硬盤的組合物的特征是，包含水，二氧化硅，氧化劑及至少1種選自蘋果酸、馬來酸、乳酸、乙酸、檸檬酸、琥珀酸、富馬酸、乙醇酸、己二酸、抗壞血酸、衣康酸、亞氨基二乙酸、乙醛酸、甲酸、丙烯酸、巴豆酸、煙酸、檸康酸及酒石酸的有機酸，組合物的pH值在1以上但不到7，且組合物中實質(zhì)上不含有金屬離子。
本發(fā)明的存儲硬盤的制造方法的特征是，用前述研磨用組合物對表面粗度Ra在30埃以下的Ni-P盤進行研磨。
本發(fā)明的存儲硬盤的制造方法具備以下特征，即用前述研磨用組合物對預(yù)先已至少進行1次預(yù)備研磨表面粗度Ra在15埃以下的存儲硬盤用基片進行精研磨。
本發(fā)明的用于研磨存儲硬盤的組合物的研磨速度較快，能夠抑制刮痕產(chǎn)生，并能夠減小表面粗度。
利用本發(fā)明的存儲硬盤的制造方法，能夠以較快的研磨速度制得可抑制刮痕產(chǎn)生、表面粗度較小的存儲硬盤。
水本發(fā)明的研磨用組合物中如果實質(zhì)上不含有金屬離子，則也可使用工業(yè)用水、民用水、離子交換水及蒸餾水中的任一種，但最好將實質(zhì)上不含金屬離子的離子交換水過濾后除去雜質(zhì)再使用。本發(fā)明的研磨用組合物雖然也可使用含有金屬離子的水，但這種情況下必需采用適當(dāng)?shù)氖侄?，例如由離子交換法從最終的研磨用組合物中除去金屬離子。
本發(fā)明中的金屬是指IA族、IIA族、IB～VIIB族及VIII族的元素。
研磨材料本發(fā)明的研磨用組合物的特征是含有二氧化硅作為研磨材料。二氧化硅雖然包括膠體二氧化碳、氣態(tài)二氧化硅及其他制造方法和性狀都不同的多種二氧化硅，但最好的是膠體二氧化碳。
制造膠體二氧化碳的方法包括使硅酸鈉或硅酸鉀經(jīng)離子交換而得的超微粒子膠體二氧化硅粒子成長的方法；用酸或堿對烷氧基硅烷進行水解的方法；或?qū)τ袡C硅化合物進行濕式加熱分解的方法。
通過添加酸及/或堿或者通過離子交換對市售膠體二氧化硅的pH值進行調(diào)整能使膠體二氧化硅在濃度提高的情況下也可維持其膠體狀態(tài)。市售的膠體二氧化硅有單粒分散的、有一定比例多個粒子結(jié)合的、或使金屬雜質(zhì)等的含量下降的高純度產(chǎn)品，本發(fā)明的研磨用組合物可使用上述任何一種膠體二氧化碳。
二氧化硅的粒徑對研磨速度及研磨面的品質(zhì)有影響。從維持足夠的研磨速度、充分減小研磨面的表面粗度、將刮痕的產(chǎn)生控制在最小限度考慮，由用BET法測得的比表面積求出的二氧化硅平均粒徑一般為0.005～0.2μm，更好為0.01～0.1μm。
二氧化硅含量因所用二氧化硅種類的不同而有所不同。但是，從維持足夠的研磨速度、組合物的均一分散性和保持適當(dāng)?shù)恼扯瓤紤]，二氧化硅的含量一般為整個研磨用組合物重量的1～40％，更好為1～20％。
研磨促進劑本發(fā)明的研磨用組合物以含有氧化劑為特征。該氧化劑通過與后述有機酸組合使用起到研磨促進劑的作用。本發(fā)明的氧化劑中最好不含金屬離子。這種氧化劑較好為選自氯酸、高氯酸、硫酸、過硫酸、硝酸、過硝酸、過氧化氫、碘酸及高碘酸中的至少1種，特別好的是過氧化氫。氧化劑雖然含有金屬離子也可以，但這種情況下，必須采取適當(dāng)?shù)姆椒?，例如通過離子交換法等從最終的研磨用組合物中除去金屬離子。
本發(fā)明的研磨用組合物中的氧化劑含量根據(jù)種類的不同而有所不同。但是，從充分顯現(xiàn)氧化劑的化學(xué)效果、維持足夠的研磨速度、且防止刮傷的角度考慮，氧化劑含量對應(yīng)于研磨用組合物的總重量一般在0.1％以上。如果超過一定含量，則從隨著氧化劑增加研磨速度無法改善的觀點以及從防止因過剩的氧化劑分解產(chǎn)生氧而使存儲容器變形或破裂的觀點考慮，氧化劑的含量對應(yīng)于研磨用組合物的總重量一般在5％以下，最好在3％以下。
本發(fā)明的研磨用組合物的特征是包含至少1種選自蘋果酸、馬來酸、乳酸、乙酸、檸檬酸、琥珀酸、富馬酸、乙醇酸、己二酸、抗壞血酸、衣康酸、亞氨基二乙酸、乙醛酸、甲酸、丙烯酸、巴豆酸、煙酸、檸檬庚酸及酒石酸的有機酸。這些有機酸與前述氧化劑組合使用可起到研磨促進劑的作用。特別好的是選自蘋果酸、馬來酸、乳酸、衣康酸及乙酸中的至少一種。此外，含有金屬離子的有機酸鹽會使作為研磨材料的二氧化硅凝聚，這些凝集粒子往往成為產(chǎn)生刮痕的原因。
本發(fā)明的研磨用組合物中的有機酸含量根據(jù)種類不同而不同。但是，從充分顯現(xiàn)有機酸的化學(xué)效果、維持足夠的研磨速度、防止刮痕的產(chǎn)生和經(jīng)濟性方面考慮，有機酸含量對應(yīng)于研磨用組合物的總重量一般為0.01～10％，更好為0.1～5％。
調(diào)制上述研磨用組合物時，為了達到保證產(chǎn)品品質(zhì)和穩(wěn)定化的目的，還可根據(jù)被加工物的種類、加工條件及其他研磨加工上的要求，添加各種公知的添加劑。
研磨用組合物一般，在水中混入二氧化硅、氧化劑及有機酸使它們分散，再根據(jù)需要溶解其他添加劑就可調(diào)制出本發(fā)明的研磨用組合物。這些成分在水中分散或溶解的方法是任意的。例如，可采用葉輪式攪拌機進行攪拌或通過超聲波分散法進行分散。此外，這些成分的添加順序是任意的，可以先分散溶解任何一種，也可同時進行。
本發(fā)明的研磨用組合物可根據(jù)各種輔助添加劑的添加對其pH值進行調(diào)整，但為了顯現(xiàn)本發(fā)明的效果，必須使pH值達到1以上但不到7。最好使pH值達到2以上但不到4。如果組合物的pH值在該范圍內(nèi)，則可得到足夠的研磨速度和防止研磨機等腐蝕的效果。因此，在研磨用組合物的pH值低于1或高于7的情況下，必須用堿或酸對pH值進行調(diào)整。此時最好使用不含金屬離子的堿或酸，這樣最終的研磨用組合物就不會含有金屬離子。如果原料中含有金屬離子，則必須采用適當(dāng)?shù)氖侄螐难心ビ媒M合物中除去這些金屬離子。
本發(fā)明的研磨用組合物中實質(zhì)上不含金屬離子。實質(zhì)上不含有金屬離子的意思是允許有不會影響到本發(fā)明效果的金屬離子存在。具體來講，本發(fā)明的研磨用組合物中的金屬離子含量一般在500ppm以下，更好在50ppm以下。
在存儲本發(fā)明的研磨用組合物時，為了防止氧化劑分解，可將研磨用組合物分成2部分或更多部分的組合物狀態(tài)進行保管。例如，可考慮將含有研磨材料、有機酸及水的漿料調(diào)制成高濃度的原液進行保管，在即將研磨前或稀釋該原液時再使氧化劑溶于其中，獲得規(guī)定組成的研磨用組合物，如果采用這種方法，則能夠以較高濃度長時間地保存。
本發(fā)明的研磨用組合物可先調(diào)制成濃度較高的原液，然后存儲或運輸，在真正進行研磨加工時再稀釋使用。前述各種成分的理想濃度范圍就是實際進行研磨加工時的濃度范圍。采取上述方法時，在存儲或運輸狀態(tài)下的溶液具有較高濃度。從使用方便角度考慮，研磨用組合物以其濃縮狀態(tài)制備為佳。
本發(fā)明的研磨用組合物在基片研磨時，對于可使表面粗度減小、研磨速度加快同時防止刮痕產(chǎn)生的原因的詳細機理還不十分清楚，以下以具有Ni-P鍍膜的基片為例進行探討。
首先，關(guān)于使表面粗度減小、研磨速度加快的理由，可以認為是因為Ni-P鍍膜表面由有機酸的化學(xué)作用而被腐蝕的同時因氧化劑的化學(xué)作用而氧化變脆后，通過微細二氧化硅粒子的機械作用，以較小的單位很容易地從Ni-P表面除去。
關(guān)于能夠防止刮痕產(chǎn)生的理由可以認為是本發(fā)明的研磨用組合物中不含金屬離子，不會促進作為研磨材料的二氧化硅的凝聚的緣故。
存儲硬盤的制造方法本發(fā)明的存儲硬盤的制造方法是采用前述研磨用組合物對存儲硬盤進行研磨。
作為研磨對象的存儲硬盤的基片包括Ni-P盤、Ni-Fe盤、碳化硼盤、碳盤等。其中特別合適的是Ni-P盤。
本發(fā)明的存儲硬盤的制造方法不僅限于使用前述研磨用組合物，仍可組合使用以往任何存儲硬盤的研磨方法及研磨條件。
例如，可使用單面研磨機、兩面研磨機及其他研磨機。另外，研磨襯墊則可采用仿麂皮型、非織造布型、植絨布型和起絨布型等。
本發(fā)明的研磨用組合物由于可使表面粗度變小、研磨速度加快、同時還可防止刮痕的產(chǎn)生，所以對表面粗度Ra已被調(diào)整到30埃以下的基片可進行1次研磨，也可進行研磨條件不同的2次研磨。進行2次研磨時，使用了前述研磨用組合物的研磨步驟作為最終的研磨步驟，即最好用本發(fā)明的研磨用組合物對已預(yù)研磨過的基片進行研磨。此外，為了能夠更有效地利用本發(fā)明的研磨用組合物進行研磨，經(jīng)過預(yù)研磨的基片的表面粗度最好在用光學(xué)表面粗度計的測定方法中將Ra調(diào)整到15埃以下。
以下，對本發(fā)明的研磨用組合物及存儲硬盤的制造方法以實例進行具體說明。本發(fā)明在不超過其要點的范圍內(nèi)，并不僅限于以下所述諸例的內(nèi)容。
研磨用組合物的調(diào)制首先，分別按照表1所示量在離子交換水中添加混合膠體二氧化硅(一次粒徑為0.035μm)、氧化劑及有機酸，調(diào)制出實施例1～32及比較例1～13的試樣。使用濃度為31％的過氧化氫水，但表1所示含量是過氧化氫值。各試樣的pH值如表1所示。
研磨試驗用基片的制作為了進行2次研磨評估，使用前述試樣制作基片。研磨條件如下所述。
研磨條件(第1次)研磨機雙面研磨機被加工物 3.5”非電解Ni-P基片研磨數(shù)量(2片/載體)×5載體×2批＝20片研磨用組合物 DISKLITE-A3510(FUJIMI株式會社制)研磨用組合物的稀釋率 1∶2離子交換水研磨用組合物的供給量 100cc/分鐘研磨襯墊 Surfin 018-3(FUJIMI株式會社制)加工壓力 80g/cm2底盤轉(zhuǎn)速 60rpm研磨時間 5分鐘研磨試驗然后，使用上述實施例1～32及比較例1～13的試樣和第1次研磨完的基片進行研磨試驗。研磨條件如下所述。基片的表面粗度(Ra)記錄為用光學(xué)表面粗度計MicroXam[X50](美國Phase Shift公司制)所測得的值。
研磨條件研磨機雙面研磨機被加工物 3.5”非電解Ni-P基片(第1次研磨完的表面粗度Ra為12埃)研磨數(shù)量 (2片/載體)×5載體×2批＝20片研磨用組合物 DISKLITE-A3510(FUJIMI株式會社制)研磨襯墊 BELLATRIX N0058(Kanebo株式會社制)加工壓力 100g/cm2底盤轉(zhuǎn)速 40rpm
研磨用組合物的稀釋率 原液研磨用組合物的供給量 50cc/分鐘研磨時間 10分鐘研磨后，依次對基片進行洗滌和干燥后，測定研磨后基片重量的減少量。對經(jīng)過研磨的20片基片全部進行測定，由其平均值求得研磨速度。評估標(biāo)準如下。
◎0.1μm/min以上○0.05μm/min以上0.01μm/min以下×0.05μm/min以下然后，在暗室內(nèi)用聚光燈(山田光學(xué)工業(yè)株式會社制，50萬勒克斯)肉眼觀察研磨后的所有基片的表面和內(nèi)面，計數(shù)刮痕數(shù)，由其平均值求得每一面的刮痕數(shù)。評估基準如下所述。
◎10處/面以下○10處/面以上20處/面以下×20處/面以上關(guān)于研磨速度及產(chǎn)生刮痕的情況的評估結(jié)果如表1所示。
表1

表2

從表1的實施例1～32的結(jié)果可看出，本發(fā)明的研磨用組合物能夠獲得較快的研磨速度。此外，從實施例1～32和比較例1～4的結(jié)果可看出，本發(fā)明的研磨用組合物能夠發(fā)揮出較高的研磨性能。
從實施例1～32和比較例5、12及13的結(jié)果可看出，包含至少1種選自蘋果酸、馬來酸、乳酸、乙酸、檸檬酸、琥珀酸、富馬酸、乙醇酸、己二酸、抗壞血酸、衣康酸、亞氨基二乙酸、乙醛酸、甲酸、丙烯酸、巴豆酸、煙酸的有機酸的研磨用組合物與包含其它有機酸如谷氨酸或作為有機酸鐵鹽的檸檬酸鐵銨的組合物相比，前者能夠防止刮痕的產(chǎn)生。
從實施例4及比較例6、7的結(jié)果可看出，本發(fā)明的研磨用組合物與包含含金屬離子氧化劑的氯酸鉀和過硫酸鉀的組合物相比，前者的研磨速度更快，且能夠防止刮痕的產(chǎn)生。
從實施例1～9及比較例8、9的結(jié)果可看出，含有有機酸的本發(fā)明的研磨用組合物與含有有機酸鹽的組合物相比，前者的研磨速度快，且能夠防止刮痕的產(chǎn)生。
從實施例1～26及比較例10～13的結(jié)果可看出，本發(fā)明的研磨用組合物與以往含有鐵化合物的組合物及還含有氧化劑的組合物相比，前者能夠防止刮痕的產(chǎn)生。
用實施例1～32及比較例1～13中的任何一種試樣研磨過的基片的表面粗度都有所減小，在這方面不存在問題。
如前述可見，本發(fā)明的研磨用組合物的研磨速度快，能夠抑制刮痕的產(chǎn)生，可使表面粗度減小。
如上所述，本發(fā)明的研磨用組合物的研磨速度快，能夠抑制刮痕的產(chǎn)生，可使表面粗度減小。
通過使用本發(fā)明的研磨用組合物，能夠使研磨速度加快，防止刮痕的產(chǎn)生，并使表面粗度減小，可以有效地制得具有良好加工表面的存儲硬盤用基片。
此外，預(yù)先至少進行1次預(yù)研磨，然后對精研磨前表面粗度Ra在30埃以下的存儲硬盤用基片再用本發(fā)明的研磨用組合物進行精研磨，可以制得具有良好加工表面的存儲硬盤用基片。
權(quán)利要求
1.用于研磨存儲硬盤的組合物，其特征在于，包含水，二氧化硅，氧化劑及至少1種選自蘋果酸、馬來酸、乳酸、乙酸、檸檬酸、琥珀酸、富馬酸、乙醇酸、己二酸、抗壞血酸、衣康酸、亞氨基二乙酸、乙醛酸、甲酸、丙烯酸、巴豆酸、煙酸、檸康酸及酒石酸的有機酸，所述組合物的pH值在1以上但不到7，且組合物中實質(zhì)上不含有金屬離子。
2.如權(quán)利要求1所述的用于研磨存儲硬盤的組合物，其中，金屬離子的含量在500ppm以下。
3.如權(quán)利要求1或2所述的用于研磨存儲硬盤的組合物，其中，二氧化硅為膠體二氧化碳。
4.如權(quán)利要求1～3的任一項所述的用于研磨存儲硬盤的組合物，其中，氧化劑為選自氯酸、高氯酸、硫酸、過硫酸、硝酸、過硝酸、過氧化氫、碘酸及高碘酸中的至少1種。
5.如權(quán)利要求4所述的用于研磨存儲硬盤的組合物，其中，氧化劑為過氧化氫。
6.如權(quán)利要求1～5的任一項所述的用于研磨存儲硬盤的組合物，其中，有機酸為選自蘋果酸、馬來酸、乳酸、衣康酸及乙酸中的至少1種。
7.如權(quán)利要求1～6的任一項所述的用于研磨存儲硬盤的組合物，其中，二氧化硅含量對應(yīng)于研磨用組合物的重量為1～40％。
8.如權(quán)利要求1～7的任一項所述的用于研磨存儲硬盤的組合物，其中，氧化劑含量對應(yīng)于研磨用組合物的重量為0.1～5％。
9.如權(quán)利要求1～8的任一項所述的用于研磨存儲硬盤的組合物，其中，有機酸含量對應(yīng)于研磨用組合物的重量為0.01～10％。
10.如權(quán)利要求1～9的任一項所述的用于研磨存儲硬盤的組合物，所述組合物的pH值在2以上但不到4。
11.存儲硬盤的制造方法，其特征在于，用權(quán)利要求1～9的任一項所述的研磨用組合物對表面粗度Ra在30埃以下的Ni-P盤進行研磨。
12.存儲硬盤的制造方法，其特征在于，用權(quán)利要求1～9的任一項所述的研磨用組合物對預(yù)先已進行至少1次預(yù)研磨、表面粗度Ra在15埃以下的存儲硬盤用基片進行精研磨。
全文摘要
本發(fā)明提供了研磨速度較快、可防止刮痕的產(chǎn)生、并可減小表面粗度的用于研磨存儲硬盤的組合物及使用了該組合物的存儲硬盤的制造方法。該組合物包含水,二氧化硅,氧化劑及至少1種選自蘋果酸、馬來酸、乳酸、乙酸、檸檬酸、琥珀酸、富馬酸、乙醇酸、己二酸、抗壞血酸、衣康酸、亞氨基二乙酸、乙醛酸、甲酸、丙烯酸、巴豆酸、煙酸、檸康檬酸及酒石酸的有機酸,所述組合物的pH值在1以上但不到7,且組合物中實質(zhì)上不含有金屬離子。
文檔編號C09G1/02GK1379074SQ02107700
公開日2002年11月13日 申請日期2002年3月29日 優(yōu)先權(quán)日2001年3月29日
發(fā)明者安福昇, 大脇壽樹, 橫道典孝, 平野淳一 申請人:不二見株式會社