專利名稱：：研磨用組合物的制作方法
技術(shù)領域：
：本發(fā)明涉及研磨用組合物。更詳細地，本發(fā)明涉及在例如用于形成半導體裝置的布線的研磨過程中所使用的研磨用組合物。
背景技術(shù)：
：近年來，伴隨著在計算機中使用的ULSI等的高集成化和高速化，半導體裝置的設計規(guī)則逐漸在微細化。為了應付由這種半導體裝置的布線結(jié)構(gòu)的微細化所導致的布線電阻的增大，研究了使用含有銅的金屬材料來作為布線材料。當使用含有銅的金屬材料作為布線材料時，由于金屬材料的性質(zhì)，難以利用各向異性蝕刻進行布線結(jié)構(gòu)的形成。因此，布線結(jié)構(gòu)一般通過使用了化學機械研磨法(ChemicalMechanicalPolishing、以下稱作為CMP法)的方法等來形成。具體來說可以使用以下的方法。首先，將由鉭或氮化鉭等含鉭的化合物、或者鈦化合物或釕化合物形成的屏蔽(六卩7)膜成膜在絕緣膜上，所述絕緣膜在表面上凹設了布線溝。接著，將由含有銅的金屬材料形成的導體膜在屏蔽膜上成膜，以使至少布線溝內(nèi)完全埋沒。接著，在第1研磨工序中將導體膜的一部分進行研磨。在第2研磨工序中，研磨導體膜直至布線溝以外的地方的屏蔽膜露出。接著，在第3研磨工序中，研磨屏蔽膜直至布線溝以外的地方的絕緣膜露出，由此在布線溝內(nèi)形成布線部分。目前，對于研磨用組合物，研究了含有二氧化硅等研磨材料或各種添加劑的組合物。但是，對于現(xiàn)有的研磨用組合物，在上述的研磨方法中，由于相對于含有銅的金屬材料的研磨速度高，因此有過度研磨導體膜的情況。此時，有在研磨后的被研磨面上發(fā)生下述那樣的問題的情況，所述問題是與布線溝對應處的導體膜表面與屏蔽膜表面相比，產(chǎn)生向內(nèi)部方向后退的現(xiàn)象，即發(fā)生了表面縮穴。還研究了用于抑制這種表面縮穴的研磨用組合物。例如在專利文獻1中，公開了一種含有溶劑、研磨粒子、至少1種的第1表面活性劑和至少1種的第2表面活性劑的CMP用漿液。在該漿液中，第l表3面活性劑用于提高上述研磨粒子的分散性和研磨時在作為被研磨膜的金屬膜的表面形成的表面保護膜的致密性，第2表面活性劑用于提高上迷研磨粒子的分散性、上迷表面保護膜的致密性和親水性，且提高在研磨時使用的研磨墊表面的親水性。但是，就本發(fā)明人們所知，當過于提高表面保護膜的致密性時，能夠抑制表面縮穴，但有不能獲得研磨速度的情況，從而有改良的空間。另外，可知在該技術(shù)中，表面活性劑的結(jié)構(gòu)自身是非常重要的因素，僅僅添加2種表面活性劑不能得到良好的性能。例如當使用分子量大的非離子表面活性劑時，有分散穩(wěn)定性變差的現(xiàn)象，另外對于HLB高的表面活性劑，有表面縮穴變大的現(xiàn)象。另外，在專利文獻2中，公開了使含有包含銅的金屬層的基材與CMP組合物接觸而進行研磨的方法，所述CMP組合物含有(a)研磨劑粒子、(b)具有大于6的HLB值的親兩性非離子性表面活性劑、(c)用于氧化金屬層的手段、(d)有機酸、(e)腐蝕抑制劑、和(f)液體栽體(祍^，7*—)。但是，就本發(fā)明人們所知，即使對于該方法，僅以單體使用非離子表面活性劑，難以在維持研磨速度的狀態(tài)下減小表面縮穴。另外，對于HLB大于12的非離子表面活性劑，難以減小表面縮穴。專利文獻1特開2002-155268號公報專利文獻2特開2006-502579號公報
發(fā)明內(nèi)容如上所述，現(xiàn)有的研磨用組合物不能充分兼顧研磨速度的提高和表面縮穴量的降低，人們期望有一種能夠解決這種困境的研磨用組合物。本發(fā)明的研磨用組合物的特征在于，含有(a)磨料、(b)加工促進劑、(c)用R-POE(I)表示且HLB為7~12的至少1種的非離子表面活性劑，(式中、R表示具有支鏈結(jié)構(gòu)的碳原子數(shù)為10~16的烷基，POE表示聚氧乙烯鏈)、(d)至少l種的陰離子表面活性劑、(e)與上述非離子表面活性劑和上述陰離子表面活性劑不同的保護4膜形成劑、(f)氧化劑，和(g)水而成。根據(jù)本發(fā)明，在制備布線結(jié)構(gòu)體的研磨工序中，可以在抑制表面階梯度產(chǎn)生的同時得到良好的研磨速度。具體實施方式研磨用組合物(a)磨料在本發(fā)明的研磨用組合物中使用的磨料可以選自目前已知的任意的磨料，具體來說，優(yōu)選選自二氧化硅、氧化鋁、氧化鈰、氧化鋯和氡化鈦的至少1種。二氧化硅存在膠態(tài)二氧化硅、火成二氧化硅、和其他的制備方法或性狀不同的二氧化硅等多種形式。另外，氧化鋁有a-氧化鋁、5-氧化鋁、e-氧化鋁、K-氧化鋁和其它形式不同的氧化鋁。另外還有根椐其制備方法而稱作為火成氧化鋁的氧化鋁。對于氧化鈰，從氧化數(shù)的角度考慮有3價和4價的氧化鈰，另外從結(jié)晶系的角度考慮，有六方晶系、等軸晶系和面心立方晶系的氧化鈰。氣化鋯從結(jié)晶系的角度考慮有單斜晶系、正方晶系和非晶質(zhì)的氧化鋯。另外，還有根據(jù)其制備方法而稱作為火成氧化鋯的氧化鋯。氣化鈦從結(jié)晶系的角度考慮有一氧化鈦、三氧化二鈦、二氧化鈦和其他的氣化鈦。另外，還有根據(jù)其制備方法而稱作為火成氧化鈦的氧化鈦。在本發(fā)明的組合物中，可以任意地、根據(jù)需要組合來使用這些化合物。在組合時，其組合方法或使用的比例沒有特別地限定。但是，從本發(fā)明的效果、且經(jīng)濟性或易于獲得的角度考慮，優(yōu)選二氧化硅，特別優(yōu)選膠態(tài)二氣化硅。本發(fā)明的研磨用組合物也可以含有2種以上的上述磨料。另外，也可以將2種以上的同種類且平均一次粒徑不同的磨料進行混合來使用。這里，平均一次粒子徑利用由BET法(氮吸附法)得到的比表面積計算求得。另外在將具有不同一次粒徑的磨料進行混合時，作為磨料整體的一次粒徑可以如下述那樣來計算，即，對于各磨料計算(該磨料相對于磨料的總重量的重量比x該磨料的比表面積)，由其總和求得磨料整體的比表面積，利用該磨料整體的比表面積算出磨料整體的平均一次粒徑。本發(fā)明的研磨用組合物中使用的磨料的平均一次粒徑一般為5~40nm，優(yōu)選520nm，進而優(yōu)選715nm。從能夠以充分的速度研磨金屬層、特別是銅層的角度考慮，該平均一次粒徑優(yōu)選為5nm以上，另一方面，從可良好地維持階梯度形狀的角度考慮，優(yōu)選為40nm以下。另夕卜，以研磨用組合物的總重量為基準時，磨料的含量一般為O.l~10重量％,優(yōu)選0.5~3重量％,進而優(yōu)選0.8~2重量％。從能夠以充分的速度研磨金屬層、特別是銅層的角度考慮，該含量優(yōu)選為0.1重量%以上，另一方面，從抑制制造成本，和可良好地維持階梯度形狀的角度考慮，優(yōu)選為10重量％以下。(b)力口工促進劑本發(fā)明的研磨用組合物進而含有至少一種加工促進劑而成。該加工促進劑能夠促進金屬層、特別是銅層的研磨速度。其作用是通過捕獲由研磨產(chǎn)生的金屬離子而促進金屬層的研磨。從具有優(yōu)異的金屬捕獲作用和易于獲得的角度考慮，加工促進劑優(yōu)選的具體例子可以列舉羧酸和氨基酸。能夠作為加工促進劑使用的氨基酸可以列舉例如甘氨酸、丙氨酸、纈氨酸、亮氨酸、異亮氨酸、別異亮氨酸、絲氨酸、蘇氨酸、別蘇氨酸、半胱氨酸、甲硫氨酸、苯丙氨酸、色氨酸、酪氨酸、脯氨酸和胱氨酸等的中性氨基酸，精氨酸、組氨酸等的堿性氨基酸，谷氨酸、天冬氨酸等的酸性氨基酸；羧酸可以列舉草酸、檸檬酸、琥珀酸、馬來酸、酒石酸、2-喹啉羧酸(喹哪啶酸)、2-吡咬羧酸、2，6-吡啶羧酸、醌等其中最優(yōu)選甘氨酸。以研磨用組合物的總重量為基準時，本發(fā)明的研磨用組合物中的加工促進劑的含量一般為0.1~30重量％，優(yōu)選0.5~2重量％，進而優(yōu)選0.5~1.5重量％。從能夠以充分的速度研磨金屬層、特別是銅層的角度考慮，優(yōu)選為0.1重量％以上，另一方面，從可良好地維持階梯度形狀的角度考慮，優(yōu)選為3重量％以下。(c)非離子表面活性劑本發(fā)明的研磨用組合物含有至少一種非離子表面活性劑而成。該非離子表面活性劑作為研磨速度調(diào)節(jié)劑和表面縮穴抑制劑發(fā)揮功能。本發(fā)明使用的非離子表面活性劑利用下式(I)表示，<formula>formulaseeoriginaldocumentpage7</formula>(I)(式中、R表示具有支鏈結(jié)構(gòu)的碳原子數(shù)為10~16的烷基，POE表示聚氧乙烯鏈)。這種非離子表面活性劑根據(jù)R或POE的種類的不同而存在各種形式，但需要它們中的HLB值(親水親油平衡值，Hydrophile-LipophileBalance)為7~12。為了提高金屬層的研磨速度，優(yōu)選高的HLB值，為了良好地保持階梯度形狀，優(yōu)選低的HLB值。從這個角度考慮，優(yōu)選HLB為710。這里，HLB使用格里菲(夕？7O)的式子HLB-(親水部的式量的總和)/分子量)x20來算出。另外，用式(I)表示的非離子表面活性劑的R基團需要具有支鏈結(jié)構(gòu)，另外需要碳原子數(shù)為10~16。它們有助于形成上述的HLB值，僅以碳原子數(shù)來看，為了提高金屬層的研磨速度，優(yōu)選高的碳原子數(shù)，為了良好地保持階梯度形狀，優(yōu)選低的碳原子數(shù)。從這個角度考慮，R基團的碳原子數(shù)優(yōu)選為11~15，更優(yōu)選12~14。對于本發(fā)明中使用的非離子表面活性劑，通過使烷基的碳原子數(shù)為10~16，且使HLB為712，非離子表面活性劑分子變小，因此有抑制磨料的凝聚的作用。另外，對于非離子表面活性劑，一般當聚氧乙烯鏈短時，有疏水性增高、在被研磨物表面形成強的保護膜的傾向，但在本發(fā)明的研磨用組合物中，疏水性的烷基具有支鏈結(jié)構(gòu)，由此研磨對象物上的保護膜不會過度地致密，從而可以得到適當?shù)难心ニ俣?。另外，以研磨用組合物的總重量為基準時，研磨用組合物中的非離子表面活性劑的含量一般為0.0005~0.5重量％，優(yōu)選0.01~0.2重量％,進而優(yōu)選0.02~0.1重量％。從能夠以充分的速度研磨金屬層、特別是銅層的角度考慮，優(yōu)選為0.0005重量％以上，另一方面，從可良好地維持階梯度形狀的角度考慮，優(yōu)選為0.5重量％以下。(d)陰離子表面活性劑本發(fā)明的研磨用組合物進而含有至少一種陰離子表面活性劑而成。該陰離子表面活性劑通過與上述非離子表面活性劑組合，可以進而強化表面縮穴抑制的效果。陰離子表面活性劑可以選自現(xiàn)有已知的任意的。其中，作為通過與非離子表面活性劑合用，而可以發(fā)揮更強表面縮穴抑制功能的陰離子表面活性劑，可以列舉用下式(IIa)或者(lib)表示的陰離子表面活性劑。R，-A則R，-POA-A(lib)(式中、R'表示選自烷基、烷基苯基、和烯基的基團，POA表示選自聚氧乙烯鏈、聚氧丙彿鏈和聚(氣化乙彿氧化丙烯)鏈的聚氧化烯鏈，A表示陰離子性官能團)。這里，更優(yōu)選含有聚氧化烯鏈的(IIb)的陰離子表面活性劑。以研磨用組合物的總重量為基準時，本發(fā)明的研磨用組合物中的陰離子表面活性劑的含量一般為0.0005~0.1重量％，優(yōu)選0.001~0.05重量％，進而優(yōu)選0.005~0.02重量％。從良好地維持階梯度形狀的角度考慮，優(yōu)選為0.0005重量％以上。另外，從能夠以充分的速度研磨金屬層、特別是銅層的角度考慮，優(yōu)選為0.1重量％以下。(e)保護膜形成劑本發(fā)明的研磨用組合物進而含有保護膜形成劑而成。該保護膜形成刑除了作為金屬層的腐蝕抑制刑，例如具有抑制由下迷氧化劑導致的金屬層表面的腐蝕的功能以外，還可以作為表面縮穴抑制劑發(fā)揮功能。作為這種保護膜形成劑，可以列舉苯并三唑及其衍生物、三唑及其衍生物、四唑及其衍生物、巧i咪及其衍生物，以及咪唑及其衍生物。其中，特別優(yōu)選笨并三唑及其衍生物?？梢栽诒景l(fā)明中使用的苯并三唑及其衍生物有各種化合物，優(yōu)選用下迷通式(m)表示的化合物化學式i式中、R'選自氫、烷基、用羧基取代的烷基、用羥基和叔氨基取代的烷基、以及用羥基取代的烷基，R2~R5分別獨立地表示選自氬和碳原子數(shù)為1~3的烷基的基團。具體來說，可以列舉苯并三唑、4-甲基-lH-苯并三唑、5-甲基-111-苯并三唑、l-(2，,3，-二羥基丙基)苯并三唑、l-(2，,3，-二羥基丙基)-4-甲基苯并三唑、1-(2，,3，-二羥基丙基)-5-甲基苯并三唑、l-[N,N-二(羥基乙基)氨基曱基]笨并三唑、l-[N,N-二(羥基乙基)氨基曱基]-4-甲基苯并三唑、l-[N，N-二(羥基乙基)氨基甲基]-5-甲基苯并三唑、l-羥甲基-lH-苯并三唑、l-羥甲基-4-甲基-lH-苯并三唑、l-羥甲基-5-甲基-lH-苯并三唑、3-(4-甲基-lH-苯并三唑-l-基)丁酸、3-(5-甲基-lH-苯并三唑-l-基)丁酸、a-甲基-lH-苯并三唑-l-甲醇、a-乙基-lH-笨并三唑-l-甲醇、a-異丙基-lH-苯并三唑-l-甲醇、lH-苯并三唑-l-乙酸、l-(2-羥基乙基)-lH-苯并三唑、l-[[二(2-羥基丙基)氨基]甲基]-lH-苯并三唑、4，5-二甲基-lH-苯并三唑等。其中，本發(fā)明優(yōu)選的苯并三唑是l-[二(2-羥基乙基)氨基甲基]-4-甲基苯并三唑、l-[二(2-羥基乙基)氨基甲基]-5-甲基苯并三唑、或者它們的混合物。以研磨用組合物的總重量為基準時，本發(fā)明的研磨用組合物中的保護膜形成劑的含量一般為0.001~0.3重量％,優(yōu)選0.01~0.1重量％,進而優(yōu)選0.02~0.05重量％。從適當抑制研磨速度、充分降低表面縮穴，并良好地保持階梯度形狀的角度考慮，優(yōu)選該含量為0.001重量％以上。另一方面，為了不產(chǎn)生由于過度抑制金屬層的研磨速度而使研磨速度不適當?shù)亟档偷那闆r，優(yōu)選為0.3重量％以下。(f)氧化劑本發(fā)明的研磨用組合物含有氧化劑而成。該氧化劑具有促進金屬層的研磨的作用。氧化劑可以列舉過氧化氫、過疏酸、高碘酸、高氯酸、過乙酸、過甲酸和硝酸，以及它們的鹽中的至少1種，從價格便宜且容易獲得金屬雜質(zhì)少的產(chǎn)品的角度考慮，優(yōu)選過氧化氫。從得到金屬層的充分的研磨速度的角度、特別是即使對于在表面形成氧化膜等改質(zhì)層的被研磨物或帶有圖案的晶片也能實現(xiàn)高的研磨速度的角度考慮，以研磨用組合物的總重量為基準時，本發(fā)明研磨用組合物中氧化劑的含量優(yōu)選為0.3重量％以上，更優(yōu)選0.5重量％以上，特別優(yōu)選0.75g重量。/。以上。另一方面，從可良好地維持階梯度形狀的角度考慮，氧化劑的含量優(yōu)選為5重量％以下，更優(yōu)選3重量％以下，9特別優(yōu)選1.5重量％以下。(g)水本發(fā)明的研磨用組合物含有水來作為用于分散或者溶解各成分的溶劑。從抑制對其他成分所起作用的阻礙的角度考慮，水優(yōu)選是盡量不含有雜質(zhì)的水，具體來說，優(yōu)選在利用離子交換樹脂將雜質(zhì)離子除去后，通過濾過器除去了雜質(zhì)的純水或超純水，或者蒸餾水。(h)其他的成分本發(fā)明的研磨用組合物根據(jù)需要，也可以按照信息含有鰲合劑、增粘劑、乳化劑、防銹劑、防腐劑、殺霉菌劑、消泡劑等作為其他的成分。中來調(diào)制。溶解或者分散的方法是任意的，另外各成分的混合順序或混合方法等也沒有特別地限定。本發(fā)明的研磨用組合物pH沒有特別地限定，通過添加公知的酸或者堿，可以進行調(diào)節(jié)。從維持研磨用組合物的良好的操作性的角度考慮，其pH優(yōu)選為810，更優(yōu)選9~10。本發(fā)明的研磨用組合物能夠以比較高濃度的現(xiàn)有狀態(tài)進行調(diào)制并儲藏或者運輸?shù)?，在實際研磨加工時進行稀釋來使用。上迷優(yōu)選的濃度范圍是作為在實際研磨加工時的濃度范圍來記述的，當采用這種使用方法時，在進行儲藏或者運輸?shù)鹊臓顟B(tài)下，當然要制成更高濃度的溶液。如下所迷，使用各例子來對本發(fā)明進行說明。研磨用組合物的調(diào)制作為研磨用組合物，可以如表1所示那樣配合作為磨料的膠態(tài)二氧化硅、作為加工促進劑的甘氨酸、作為氧化劑的過氧化氫、陰離子表面活性劑、非離子表面活性刑、和保護膜形成劑，來調(diào)制研磨用組合物。<table>tableseeoriginaldocumentpage11</column></row><table>Al:聚氣乙烯(2.5)月fe^鍵碟酸銨":月錄鍵碟酸銀A3:十二絲3p^酸銨El:1-〖二(2-羥基乙基)氨基甲基]-4(或者5)-甲基苯并三唑E2:1-W,N-二(鞋基乙基)氨基甲基笨并三唑E3:1-羥基曱;§_-1{1-笨并三唑研磨速度的評價使用得到的研磨用組合物，按照下述的研磨條件1來評價研磨速度。<研磨條件1>研磨機單面CMP用研磨機(ReflexionLK;7*:/，4卜'、t尹卩7*^乂社制)、被研磨物Cu無圖案晶片(文，》y7卜々工,、)(直徑300mm)研磨墊聚氨酯制的積層研磨墊(商品名IC-IOIO、口一厶.77卜,、.y、一久社制)、研磨壓力0.9psi(=約6.2kPa)、底板旋轉(zhuǎn)數(shù)100rpm、研磨用組合物的供給速度300ml/min、托架(*\!J7)旋轉(zhuǎn)數(shù)100rpm<研磨速度的計算式〉研磨速度[nm/min]=(研磨加工前的無圖案晶片的厚度[nm]-研磨加工后的無圖案晶片的厚度[nm])+研磨時間[min]研磨加工前后的Cu無圖案晶片的厚度使用薄片電阻測定器(VR-120SD/8(商品名)、林式會社日立國際電氣制)進行測定。所得結(jié)果示于表2。并且，認為一般只要研磨速度為300nm/min,在實用上就沒有問題。階梯度形狀的測定在Cu圖案晶片表面上使用各例子的研磨用組合物，利用下迷研磨條件2進行研磨，直至Cu殘留膜厚度為300nm。上述研磨后，在銅圖案晶片表面使用各例子的研磨用組合物，同時利用下述研磨條件3進行研磨，直至屏蔽膜露出。接著，在第2研磨后的銅圖案晶片表面的寬度為100nm的孤立布線部分，使用原子間力顯微鏡(商品名WA-1300、日立建機77*J》^'7夕株式會社制)測定表面縮穴量。表面縮穴量用()小于15nm、(o)15nm以上且小于30nm、(厶)30nm以上且小于50nm、(x)50nm以上這4個水平進行評價。所得結(jié)果示于表2。<研磨條件2>研磨機單面CMP用研磨機(ReflexionLK;7*7°，4K^^卩7*A夂社制)、被研磨物Cu帶有圖案的晶片(ATDF社制、754掩模圖案、成膜厚度10000A、初始凹溝5000A)、研磨墊聚氨酯制的積層研磨墊(商品名IC-IOIO、口一厶'7*7卜、、."一只^L制)、研磨壓力2psi(-約14kPa)、底板旋轉(zhuǎn)數(shù)100rpm、研磨用組合物的供給速度200ml/min、托架旋轉(zhuǎn)數(shù)100rpm<研磨條件3>研磨機單面CMP用研磨機(ReflexionLK;7*7°，4卜*7f|j7*/k;C社制)、被研磨物Cu帶有圖案的晶片(ATDF社制、754掩模圖案、成膜厚度10000A、初始凹溝5000A)、研磨墊聚氨酯制的積層研磨墊(商品名IC-IOIO、口一厶.7*>卜'、/、一義社制)、研磨壓力0.7psi(-約4.8kPa)、底板旋轉(zhuǎn)數(shù)100rpm、研磨用組合物的供給速度300ml/min、托架旋轉(zhuǎn)數(shù)100rpm分散穩(wěn)定性的評價對于剛調(diào)制完的研磨用組合物，使用紫外可見光分光光度計(商品名UV-2450、林式會社島津制作所制)求得波長為250nm~900nm時的透射率。接著，將研磨用組合物在8(TC下、在密閉容器中保存4天，與上述同樣來求得透射率。接著，通過由下述計算式算出的透射率的下降率來評價分散穩(wěn)定性。對于分散穩(wěn)定性，基于透射率的下降率，以3級來評價，從良好依次記作(o)小于2%、(厶2%以上且小于5%、(><)5%以上。所得結(jié)果示于表2。透射率的下降率[%]:[(剛調(diào)制完后的波長為250~900nm時的透射率的積分值)-(80。C保管4天后的波長為250~900nm時的透射率的積分值)]/(剛調(diào)制完后的波長為250~900nm時的透射率的積分值)*1001表2<table>tableseeoriginaldocumentpage14</column></row><table>權(quán)利要求1.研磨用組合物，其特征在于，含有(a)磨料；(b)加工促進劑；(c)用R-POE(I)表示且HLB為7～12的至少1種的非離子表面活性劑，式中，R表示具有支鏈結(jié)構(gòu)的碳原子數(shù)為10～16的烷基，POE表示聚氧乙烯鏈；(d)至少1種的陰離子表面活性劑；(e)與上述非離子表面活性劑和上述陰離子表面活性劑不同的保護膜形成劑；(f)氧化劑；和(g)水而成。2.如權(quán)利要求1所述的研磨用組合物，其中，上述保護膜形成劑(e)選自苯并三唑和其衍生物。3.如權(quán)利要求2所述的研磨用組合物，其中，上述保護膜形成劑(e)是l-[二(2-羥基乙基)氨基甲基]-4-甲基苯并三唑、或者l-[二(2-羥基乙基)氨基甲基]-5-甲基苯并三唑。4.如權(quán)利要求1~3中任一項所迷的研磨用組合物，其中，上述磨料的平均1次粒徑為5~40nm。5.如權(quán)利要求1~4中任一項所述的研磨用組合物，其中，上述加工促進劑(b)選自羧酸和氨基酸的至少1種。全文摘要本發(fā)明涉及研磨用組合物。本發(fā)明提供研磨用組合物，其在制備布線結(jié)構(gòu)體的研磨工序中可以兼顧抑制表面階梯度的產(chǎn)生和實現(xiàn)高的研磨速度。研磨用組合物，其含有磨料、加工促進劑、用R-POE(式中、R表示具有支鏈結(jié)構(gòu)的碳原子數(shù)為10～16的烷基，POE表示聚氧乙烯鏈)表示且HLB為7～12的非離子表面活性劑、陰離子表面活性劑、保護膜形成劑、氧化劑和水。文檔編號B24B37/00GK101469253SQ200810189530公開日2009年7月1日申請日期2008年12月29日優(yōu)先權(quán)日2007年12月28日發(fā)明者大和泰之,安井晃仁,平野達彥,水野博史申請人:福吉米股份有限公司