具有對酸不穩(wěn)定的基團(tuán)的共聚物,光刻膠組合物、涂覆的基材以及形成電子器件的方法
【專利說明】具有對酸不穩(wěn)定的基團(tuán)的共聚物，光刻膠組合物、涂覆的基 材從及形成電子器件的方法
[0001] 領(lǐng)域
[0002] 本發(fā)明設(shè)及具有對酸不穩(wěn)定的基團(tuán)的共聚物，W及該共聚物在光刻膠組合物中的 應(yīng)用。
[000引介紹
[0004] 遠(yuǎn)紫外巧UV)福射是被空氣強(qiáng)吸收的，因此EUV工具在高真空下操作，W具有最大 的源強(qiáng)度。高真空提高了低分子量光刻膠組分的脫氣，它們可W沉積在光學(xué)元件上。所得 的沉積物降低了掩模和成像鏡的反射率，導(dǎo)致到達(dá)晶片表面的EUV能下降，導(dǎo)致較低的生 產(chǎn)量和降低的生產(chǎn)率。污染物也可能影響反射光的偏振，而該對于EUV曝光工具的成圖案 能力非常重要。因此，需要具有降低的脫氣效應(yīng)的光刻膠聚合物。
[0005] 概述
[0006] 一個(gè)實(shí)施方式是包含來自W下單體的重復(fù)單元的共聚物：對酸不穩(wěn)定的通式（I) 的單體
[0007]
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種共聚物，其包含源自以下單體的重復(fù)單元： 通式（I)的對酸不穩(wěn)定的單體： 其中
R1是未取代或取代的C i_18烷基； R2是未取代或取代的C i_18烷基，未取代或取代的C 7_18芳基 烷基，或未取代或取代的C6_18芳基； R3是-H,-F,-CH 3，或-CF3;和 Ar是未取代或取代的C6_18芳基； 前提是R2和Ar共包括至少9個(gè)碳原子； 內(nèi)酯取代的單體； PKa小于或等于12的堿溶性單體；和 光致生酸單體。
2. 如權(quán)利要求1所述的共聚物，其特征在于，R 1是C μ烷基。
3. 如權(quán)利要求1或2所述的共聚物，其特征在于，R2是C μ烷基，苯基，或C η烷基取代 的苯基。
4. 如權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)所述的共聚物，其特征在于，Ar是苯基，C η烷基取代的苯 基，聯(lián)苯基或萘基。
5. 如權(quán)利要求1-4中的任一項(xiàng)所述的共聚物， 其特征在于，所述內(nèi)酯取代的單體包括：
其中，所述堿溶性單體包括：
其中，所述光致生酸單體包括：
6. 如權(quán)利要求1所述的共聚物，其特征在于，所述對酸不穩(wěn)定的單體包括：
或其組合。
7. 如權(quán)利要求1所述的共聚物， 其特征在于，所述對酸不穩(wěn)定的單體包括：
或其組合； 其中，所述內(nèi)酯取代的單體包括：
其中，所述堿溶性單體包括：
其中，所述光致生酸單體包括：
8. -種包含如權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的共聚物的光刻膠組合物。
9. 一種涂覆的基材，其包括： (a) 基材，在該基材的表面上具有待圖案化的一個(gè)層或多個(gè)層；以及 (b) 如權(quán)利要求8所述的光刻膠組合物的層，其位于所述待圖案化的一個(gè)層或多個(gè)層 之上。
10. -種形成電子器件的方法，其包括： (a) 在基材上施加如權(quán)利要求8所述的光刻膠組合物的層； (b) 以圖案化方式將所述光刻膠組合物層對活化輻射曝光；以及 (c) 對經(jīng)曝光的光刻膠組合物層進(jìn)行顯影，以提供光刻膠浮雕圖像。
【專利摘要】一種共聚物，其包括源自內(nèi)酯取代的單體、pKa小于或等于12的堿溶性單體、光致生酸單體和對酸不穩(wěn)定的單體的重復(fù)單元，所述對酸不穩(wěn)定的單體具有通式其中，R1、R2、R3和Ar如本文所定義。該共聚物可用作光刻膠組合物的組分，所述光刻膠組合物可涂覆在具有一個(gè)或多個(gè)待圖案化的層的基材上，或者用于形成電子器件的方法中。
【IPC分類】G03F7-039, G03F7-004, G03F7-16, C08F220-18, C08F220-38, C08F220-28, G03F7-00
【公開號】CN104725555
【申請?zhí)枴緾N201410818081
【發(fā)明人】O·昂格伊, V·簡恩, J·F·卡梅隆, J·W·撒克里, S·M·高利
【申請人】羅門哈斯電子材料有限公司
【公開日】2015年6月24日
【申請日】2014年12月19日
【公告號】US20150177614