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有機(jī)電致發(fā)光化合物和包含所述化合物的有機(jī)電致發(fā)光裝置的制作方法

文檔序號:40403886發(fā)布日期:2024-12-20 12:27閱讀:6來源:國知局
有機(jī)電致發(fā)光化合物和包含所述化合物的有機(jī)電致發(fā)光裝置的制作方法

本公開涉及有機(jī)電致發(fā)光化合物和包含所述化合物的有機(jī)電致發(fā)光裝置。


背景技術(shù):

1、電致發(fā)光(el)裝置是一種自發(fā)光裝置,其具有的優(yōu)勢在于提供了更寬的視角、更高的對比率以及更快的響應(yīng)時間。有機(jī)el裝置最初由eastman?kodak通過使用芳族二胺小分子和鋁絡(luò)合物作為用以形成發(fā)光層的材料而研發(fā)[appl.phys.lett.51,913,1987]。

2、當(dāng)將電能施加到有機(jī)發(fā)光材料時,有機(jī)el裝置(oled)將電能轉(zhuǎn)化成光。一般來說,有機(jī)el裝置具有包含陽極、陰極以及安置于陽極與陰極之間的有機(jī)層的結(jié)構(gòu)。有機(jī)el裝置的有機(jī)層包括空穴注入層、空穴傳輸層、電子阻擋層、發(fā)光層(包含主體材料和摻雜材料)、電子緩沖層、空穴阻擋層、電子傳輸層、電子注入層等。取決于其功能,用于形成有機(jī)層的材料可以分類為空穴注入材料、空穴傳輸材料、電子阻擋材料、發(fā)光材料、電子緩沖材料、空穴阻擋材料、電子傳輸材料、電子注入材料等。當(dāng)對有機(jī)el裝置施加電壓時,空穴和電子分別從陽極和陰極注入到發(fā)光層。通過空穴與電子之間的重新結(jié)合形成具有高能量的激子,所述能量使有機(jī)發(fā)光化合物處于激發(fā)態(tài),并且激發(fā)態(tài)的衰減導(dǎo)致能級弛豫到基態(tài)并伴隨發(fā)光。

3、決定有機(jī)el裝置中發(fā)光效率的最重要因素是發(fā)光材料。發(fā)光材料需要具有高量子效率、高電子遷移率和高空穴遷移率。此外,由發(fā)光材料形成的發(fā)光層需要是均勻并且穩(wěn)定的。取決于從光發(fā)射中可見到的顏色,發(fā)光材料可以分類為藍(lán)色、綠色或紅色光發(fā)射材料,并且可另外包括黃色或橙色光發(fā)射材料。此外,發(fā)光材料可根據(jù)其功能分類為主體材料和摻雜材料。近來,迫切需要開發(fā)提供高效率和長使用期限的oled。具體地說,考慮到el需要中等或大型尺寸的oled面板,必須迫切開發(fā)與常規(guī)材料相比顯示更好性能的材料。為了實(shí)現(xiàn)開發(fā),起固態(tài)溶劑作用并且可轉(zhuǎn)移能量的主體材料應(yīng)具有高純度和適當(dāng)分子量以便在真空中沉積。另外,主體材料應(yīng)具有高的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度和高的熱分解溫度以確保熱穩(wěn)定性;高的電化學(xué)穩(wěn)定性以確保長使用期限;易于制備非晶型薄膜;和對鄰近層材料的良好粘著性。此外,主體材料不應(yīng)移動到鄰近層。

4、日本專利申請公開第2014-160813號公開了由縮合吡咯環(huán)、芳環(huán)和7元環(huán)形成的含氮雜環(huán)化合物,和包含其的有機(jī)電致發(fā)光元件。然而,該專利申請公開未公開本發(fā)明的化合物,而是公開其中芳基稠合到主鏈或稠合位置不同于本發(fā)明化合物的化合物。

5、基于一項(xiàng)旨在找到相比常規(guī)有機(jī)發(fā)光化合物可提供具有優(yōu)良性能的有機(jī)電致發(fā)光裝置的新穎化合物的研究,本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)本發(fā)明化合物可提供良好裝置性能,包括高的發(fā)光效率和功率效率。


技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、技術(shù)問題

2、本發(fā)明的目標(biāo)為提供一種有機(jī)電致發(fā)光化合物,其可有效用于制備具有低驅(qū)動電壓、良好發(fā)光和功率效率以及顯著提高的使用期限的有機(jī)電致發(fā)光裝置。

3、問題解決方案

4、基于為解決上述問題而進(jìn)行的認(rèn)真研究,本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)以上目標(biāo)可通過由下式1表示的有機(jī)電致發(fā)光化合物實(shí)現(xiàn)并且終于完成本發(fā)明。

5、

6、在式1中,

7、式1的一個苯環(huán)的兩個相鄰*中的每一個結(jié)合到式2的兩個*中的每一個,并且

8、在式1和式2中,

9、r1到r5各自獨(dú)立地表示氫、氘、鹵素、氰基、羧基、硝基、羥基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的(c1-c30)烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的(c3-c30)環(huán)烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的(c3-c30)環(huán)烯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的(3到7元)雜環(huán)烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的(c6-c30)芳基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的(3到30元)雜芳基、-nr6r7或-sir8r9r10,或可鍵連到相鄰取代基以形成經(jīng)取代或未經(jīng)取代的(c3-c30)單環(huán)或多環(huán)脂環(huán)族環(huán)或芳族環(huán),其碳原子可經(jīng)至少一個選自氮、氧和硫的雜原子置換;和

10、r6到r10各自獨(dú)立地表示氫、氘、鹵素、氰基、羧基、硝基、羥基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的(c1-c30)烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的(c3-c30)環(huán)烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的(c3-c30)環(huán)烯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的(3到7元)雜環(huán)烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的(c6-c30)芳基或經(jīng)取代或未經(jīng)取代(3到30元)雜芳基;

11、ar1表示經(jīng)取代或未經(jīng)取代的(c6-c30)芳基或經(jīng)取代或未經(jīng)取代的(3元到30元)雜芳基;

12、a、c、d和e各自獨(dú)立地表示1到4的整數(shù);b表示1到3的整數(shù);和

13、雜芳基含有至少一個選自b、n、o、s、si和p的雜原子。

14、本發(fā)明的有益效果

15、本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光化合物具有如下優(yōu)勢:當(dāng)用作發(fā)光層的主體時,相比于常規(guī)有機(jī)發(fā)光化合物,其可提供具有低驅(qū)動電壓以及顯著改善的發(fā)光效率和使用期限的有機(jī)電致發(fā)光裝置。具體地說,本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光化合物可提供具有低驅(qū)動電壓以及高的電流和功率效率的有機(jī)電致發(fā)光裝置。



技術(shù)特征:

1.一種有機(jī)電致發(fā)光化合物,由以下式4或5表示:

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光化合物,其中在r5中,經(jīng)取代的(c1-c30)烷基、經(jīng)取代的(c6-c30)芳基、經(jīng)取代的(3到30元)雜芳基和經(jīng)取代的(c3-c30)單環(huán)或多環(huán)脂環(huán)族環(huán)或芳族環(huán)的取代基各自獨(dú)立地選自由以下組成的組:氘、鹵素、氰基、羧基、硝基、羥基、(c1-c30)烷基、鹵基(c1-c30)烷基、(c2-c30)烯基、(c2-c30)炔基、(c1-c30)烷氧基、(c1-c30)烷硫基、(c3-c30)環(huán)烷基、(c3-c30)環(huán)烯基、(3到7元)雜環(huán)烷基、(c6-c30)芳氧基、(c6-c30)芳硫基、經(jīng)(c6-c30)芳基取代或未經(jīng)取代的(5到30元)雜芳基、經(jīng)(5到30元)雜芳基取代或未經(jīng)取代的(c6-c30)芳基、三(c1-c30)烷基甲硅烷基、三(c6-c30)芳基甲硅烷基、二(c1-c30)烷基(c6-c30)芳基甲硅烷基、(c1-c30)烷基二(c6-c30)芳基甲硅烷基、氨基、單或二-(c1-c30)烷基氨基、單或二-(c6-c30)芳基氨基、(c1-c30)烷基(c6-c30)芳基氨基、(c1-c30)烷基羰基、(c1-c30)烷氧基羰基、(c6-c30)芳基羰基、二(c6-c30)芳基硼羰基、二(c1-c30)烷基硼羰基、(c1-c30)烷基(c6-c30)芳基硼羰基、(c6-c30)芳基(c1-c30)烷基和(c1-c30)烷基(c6-c30)芳基。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光化合物,其中所述由式4或5表示的化合物選自以下組成的組:

4.一種有機(jī)電致發(fā)光裝置,其包含根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光化合物。


技術(shù)總結(jié)
有機(jī)電致發(fā)光化合物和包含所述化合物的有機(jī)電致發(fā)光裝置。提供了一種有機(jī)電致發(fā)光化合物,由以下式4或5表示:

技術(shù)研發(fā)人員:文斗鉉,沈載勛
受保護(hù)的技術(shù)使用者:杜邦特種材料韓國有限公司
技術(shù)研發(fā)日:
技術(shù)公布日:2024/12/19
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