本發(fā)明屬于納米材料制備技術(shù)領域,尤其涉及一種草酸鈷納米線的制備方法。
背景技術(shù):
一維納米材料如納米棒、納米線、納米管等由于具有獨特的光學、電學、磁學和機械性質(zhì),在催化、發(fā)光材料、磁性材料、半導體材料和納米器件等領域得到了廣泛的應用,引起了人們廣泛的研究興趣。由于納米材料的性質(zhì)取決于納米粒子的結(jié)構(gòu)、形貌和尺寸,所以如何調(diào)控它們的結(jié)構(gòu)、形貌和尺寸成為科學工作者面臨的重要難題。
納米草酸鈷是合成納米鈷、納米氧化鈷粉末的重要原料,是當前應用較為廣泛的一種草酸鹽。草酸鈷納米線是制備納米鈷粉、納米氧化鈷粉末的重要原料,在光電材料、傳感器和納米器件等領域具有廣闊的應用前景。目前,草酸鈷一維納米材料的制備方法很多,如化學沉淀法、微波輻射法、溶膠-凝膠法、微乳液法、水熱合成法、噴霧熱解法和超聲合成法等。但是這些方法往往各有局限性,其大多需要多個反應步驟、條件苛刻、操作復雜,成本相對較高,產(chǎn)物尺寸、形貌難以控制規(guī)整,分布均勻性差、產(chǎn)率和產(chǎn)物純度低。如草酸鈷納米線制備過程中,若反應條件控制不好,容易導致所制備的納米線體系容易混雜棒狀、納米顆粒狀草酸鈷,進而導致產(chǎn)物純度不高、產(chǎn)率不高,也容易出現(xiàn)粒子團聚現(xiàn)象,進而導致分散性差的問題。因此,如何制備高產(chǎn)率、高分散、粒徑可控、形貌規(guī)整的草酸鈷一維納米材料仍然是一個關(guān)鍵的問題,成為研究的熱點。
技術(shù)實現(xiàn)要素:
本發(fā)明的目的在于提供一種草酸鈷納米線的制備方法,該制備方法操作簡單,產(chǎn)率高,可制備高純度、形貌規(guī)整、分布均勻性好的草酸鈷納米線產(chǎn)物。
本發(fā)明的目的具體是通過以下技術(shù)方案來實現(xiàn)的:
一種草酸鈷納米線的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
1)將六水合硝酸鈷、表面活性劑,溶于溶劑中配成溶液a;將草酸溶于溶劑中配成溶液b;
2)將溶液a和b混合進行水浴反應,即制得超長草酸鈷納米線。
作為進一步明確,上述表面活性劑為span-40。加入一定量的表面活性劑span-40,實現(xiàn)了控制產(chǎn)物的形貌,同時還起到了防止發(fā)生粒子團聚的作用。
作為進一步明確,上述溶劑為由乙二醇和去離子水按照體積比為1:1的比例組成的混合液。加入一定量的乙二醇,實現(xiàn)了增加反應溶液的粘度,控制了反應速率。
作為進一步明確,上述水浴反應的反應溫度為20~25℃,反應時間為0.5~24小時。
作為進一步優(yōu)化,上述草酸鈷納米線的制備方法,還包括以下步驟:
3)水浴反應后將反應液進行離心分離,然后洗滌沉淀物;
4)將沉淀物于40~60℃下干燥4~6小時,最終得到粉紅色草酸鈷粉末。
作為進一步明確,上述步驟3)中的洗滌操作是用去離子水和無水乙醇分別進行洗滌。
作為進一步優(yōu)化,上述溶液a中,六水合硝酸鈷的摩爾濃度為0.01~0.05mol/l,表面活性劑的含量為0.1~0.5g/100ml;上述溶液b中,草酸的摩爾濃度為0.01~1mol/l。
作為進一步優(yōu)化,上述水浴反應中,六水合硝酸鈷與草酸的摩爾比為1:1~1:30。
本發(fā)明的有益效果在于:
本發(fā)明提供了一種草酸鈷納米線的制備方法,它以六水合硝酸鈷和草酸為反應原料,在表面活性劑的輔助下進行水浴反應,即制得了草酸鈷納米線,該制備方法具有原料易得、設備簡易、高效快捷、成本低廉,反應條件操作步驟簡單,產(chǎn)率高、產(chǎn)物純度高等特點。且通過控制反應條件,實現(xiàn)了將草酸鈷納米線的直徑控制在50~100nm之間,長度控制在30~40μm之間,其分散性好,具有高長徑比,具有較高的應用價值,且其粒徑可控、形貌規(guī)整、穩(wěn)定性好,適合大規(guī)模工業(yè)生產(chǎn)。
附圖說明
圖1為采用本發(fā)明實施例1中所述制備方法所制得的草酸鈷納米線的掃描電鏡圖。
圖2為本發(fā)明實施例1中所述制備的草酸鈷納米線的xrd圖。
圖3為采用本發(fā)明實施例2中所述制備方法所制得的草酸鈷納米線的掃描電鏡圖。
圖4為采用本發(fā)明實施例3中所述制備方法所制得的草酸鈷納米線的掃描電鏡圖。
圖5為采用本發(fā)明實施例4中所述制備方法所制得的草酸鈷納米線的掃描電鏡圖。
具體實施方式
下面通過具體實施例對本發(fā)明進行具體描述,在此指出以下實施例只用于對本發(fā)明進行進一步說明,不能理解為對本發(fā)明保護范圍的限制,本領域的技術(shù)熟練人員可以根據(jù)上述發(fā)明內(nèi)容對本發(fā)明作出一些非本質(zhì)的改進和調(diào)整。
實施例1
一種草酸鈷納米線的制備方法,包括以下步驟:
1)稱取0.291g六水合硝酸鈷和0.05gspan-40,溶于由25ml乙二醇和25ml去離子水組成的混合液中配成溶液a;稱取0.5g草酸溶于由25ml乙二醇和25ml去離子水組成的混合液中配成溶液b;
2)將溶液a和b混合進行水浴反應,于室溫下反應20小時,即制得含草酸鈷納米線的懸濁液;
3)水浴反應后將懸濁液進行離心分離,然后用去離子水和無水乙醇洗滌沉淀物;
4)將沉淀物放在真空干燥箱內(nèi)50℃下干燥5小時,最終得到0.145g粉紅色草酸鈷粉末,產(chǎn)率為98.6%。
本實施例中所制備的草酸鈷納米線的掃描電鏡圖和xrd圖分別如圖1和2所示,其直徑為80~100nm,長度為35~40μm,且可知該產(chǎn)物純度高,沒有雜質(zhì)峰。
實施例2
一種草酸鈷納米線的制備方法,包括以下步驟:
1)稱取0.291g六水合硝酸鈷和0.05gspan-40,溶于由25ml乙二醇和25ml去離子水組成的混合液中配成溶液a;稱取0.25g草酸溶于由25ml乙二醇和25ml去離子水組成的混合液中配成溶液b;
2)將溶液a和b混合進行水浴反應,于20℃下反應21小時,即制得含草酸鈷納米線的懸濁液;
3)水浴反應后將懸濁液進行離心分離,然后用去離子水和無水乙醇洗滌沉淀物;
4)將沉淀物放在真空干燥箱內(nèi)45℃下干燥5.5小時,最終得到0.143g粉紅色草酸鈷粉末,產(chǎn)率為97.3%。
本實施例中所制備的草酸鈷納米線的掃描電鏡圖如圖3所示,直徑約為50~80nm,長度約為35~40μm。
實施例3
一種草酸鈷納米線的制備方法,包括以下步驟:
1)稱取0.291g六水合硝酸鈷和0.05gspan-40,溶于由25ml乙二醇和25ml去離子水組成的混合液中配成溶液a;稱取1g草酸溶于由25ml乙二醇和25ml去離子水組成的混合液中配成溶液b;
2)將溶液a和b混合進行水浴反應,于24℃下反應20小時,即制得含草酸鈷納米線的懸濁液;
3)水浴反應后將懸濁液進行離心分離,然后用去離子水和無水乙醇洗滌沉淀物;
4)將沉淀物放在真空干燥箱內(nèi)40℃下干燥6小時,最終得到0.144g粉紅色草酸鈷粉末,產(chǎn)率為97.9%。
本實施例中所制備的草酸鈷納米線的掃描電鏡圖如圖4所示,直徑約為85~100nm,長度約為30~40μm。
實施例4
一種草酸鈷納米線的制備方法,包括以下步驟:
1)稱取0.291g六水合硝酸鈷和0.2gspan-40,溶于由25ml乙二醇和25ml去離子水組成的混合液中配成溶液a;稱取0.05g草酸溶于由25ml乙二醇和25ml去離子水組成的混合液中配成溶液b;
2)將溶液a和b混合進行水浴反應,于26℃下反應10小時,即制得含草酸鈷納米線的懸濁液;
3)水浴反應后將懸濁液進行離心分離,然后用去離子水和無水乙醇洗滌沉淀物;
4)將沉淀物放在真空干燥箱內(nèi)40℃下干燥6小時,最終得到0.143g粉紅色草酸鈷粉末,產(chǎn)率為97.3%。
本實施例中所制備的草酸鈷納米線的掃描電鏡圖如圖5所示,直徑約為70~100nm,長度約為30~35μm。