本發(fā)明涉及電子器件制造領(lǐng)域,具體涉及一種改性碳化硅復(fù)合有機(jī)硅封裝材料的制備方法。
背景技術(shù):
由于電子封裝材料對電子器件的可靠性和使用壽命有重要的影響,近年來電子封裝材料的研究受到了越來越多的關(guān)注。電子封裝材料是用于承載電子元器件及其相互聯(lián)線,起機(jī)械支撐、密封環(huán)境保護(hù)、信號專遞等作用的基體材料。因此,電子封裝材料必須具備高透過率、高耐熱性、低黃變率和優(yōu)良的機(jī)械性能。
當(dāng)封裝材料與電子產(chǎn)品組成的封裝體系在溫度驟變時,封裝材料與電子產(chǎn)品的元件間會產(chǎn)生熱應(yīng)力,封裝體系產(chǎn)生裂紋而開裂,導(dǎo)致嵌入元件的損壞。雖然添加填料可以在一定程度上減少封裝材料的固化收縮、防止開裂、減小固化時的放熱,但是填料在脂肪族環(huán)氧樹脂中的分散性較差,會使封裝材料的起始粘度增大,降低工藝性,而且防止開裂的效果不好,制得的封裝材料還是容易開裂。
氟硅化合物的介電常數(shù)和極化因子很小,且分子空間結(jié)構(gòu)穩(wěn)定,對碳碳鍵具有很好的紫外屏蔽作用。此前國內(nèi)外主要報道了含氟材料應(yīng)用于織物的封裝,但有關(guān)在電子器件封裝上的應(yīng)用并不多見。
傳統(tǒng)的電子封裝材料已很難滿足現(xiàn)代電子封裝的要求。以碳化硅顆粒增強(qiáng)鋁基復(fù)合材料和硅顆粒增強(qiáng)鋁基復(fù)合材料為代表的鋁基復(fù)合材料具有高導(dǎo)熱、低膨脹等優(yōu)點(diǎn),是目前應(yīng)用較為廣泛的一類電子封裝材料,但因鋁基體熔點(diǎn)較低,其耐溫性能較差而不能很好地滿足第 三代半導(dǎo)體器件的封裝。純銅具有比純鋁更高的熱導(dǎo)率,理論上碳化硅顆粒增強(qiáng) 銅基復(fù)合材料具有更高的熱導(dǎo)率、更低的熱膨脹系數(shù)、更好的耐溫性能和更優(yōu)異的焊接性能等優(yōu)點(diǎn),在電子封裝領(lǐng)域具有很大的應(yīng)用潛力。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:
本發(fā)明提供一種改性碳化硅復(fù)合有機(jī)硅封裝材料的制備方法,本發(fā)明在封裝材料中添加的改性碳化硅復(fù)雜形狀,且具有熱導(dǎo)率高、膨脹系數(shù)低、比剛度大、密度小等特點(diǎn),使得封裝材料在固化后的內(nèi)應(yīng)力變化值范圍較小,機(jī)械性能和耐沖擊性能優(yōu)良所述制備方法通過在制備過程中引入改性乙烯基聚硅氧烷,使得封裝材料具有較好的耐紫外輻射性能和熱性能。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明提供了一種改性碳化硅復(fù)合有機(jī)硅封裝材料的制備方法,該方法包括如下步驟:
(1)制備改性碳化硅
稱取200-300重量份花生殼,用去離子水洗滌3-5次,置于115-120℃干燥箱中干燥至恒重后,加入500-530℃真空管式爐中,在氮?dú)夥諊绿蓟?-3h,冷卻至室溫,取出,將其與3-5重量份鈦酸酯類偶聯(lián)劑,1-2重量份氟化鉀混合均勻,置入真空管式爐中,爐內(nèi)抽至真空度為5-10Pa后,以150-200mL/min通入氬氣,并以15℃/min升溫至1150-1300℃,再以5℃/min升溫至1500-1550℃,保持溫度反應(yīng)4-6h后,自然冷卻至室溫,通入空氣,在750-800℃下灼燒3-5h,冷卻至室溫,得碳化硅晶須;
稱取60-80重量份上述碳化硅晶須,加入150-200重量份丙酮中,并用300W超聲波超聲除油20-30min,過濾,將濾渣浸泡在質(zhì)量分?jǐn)?shù)為25%氫氟酸溶液中8-10h,過濾,用去離子水洗滌濾渣至洗滌液pH呈中性,轉(zhuǎn)入115-120℃真空干燥箱中干燥至恒重,得到改性碳化硅;
(2)制備改性乙烯基聚硅氧烷
將45-50份的乙烯基聚硅氧烷和偶聯(lián)劑加入到密閉的四口燒瓶中,常溫下均勻攪拌1-2h后升溫至55-65℃,邊攪拌邊滴加溶有3-3.2份含氟甲基丙烯酸庚酯單體和3-3.5份催化劑的乙二醇混合液,反應(yīng)3-4h后繼續(xù)攪拌直至溶液透明無分層現(xiàn)象存在;降溫至28-30℃,減壓蒸餾除去甲苯溶劑并保溫1.5-2h,然后冷卻至室溫,得到改性乙烯基聚硅氧烷,真空脫泡后密封保存;
(3)按照如下重量份配料:
上述改性碳化硅 10-15份
上述改性乙烯基聚硅氧烷 3-5份
氟硅酸鈉 3-6份
甲基納迪克酸酐 1-1.5份
脂肪族環(huán)氧樹脂 18-20份
鈦酸酯類偶聯(lián)劑 0.5-1份
含氫硅油交聯(lián)劑 1-3份;
(4)按上述組分按比例混合均勻,加熱攪拌至混合均勻,將混合物在真空脫泡機(jī)中進(jìn)行脫泡,脫泡時間為5-7h;
將所述脫泡后的混合物加入到雙螺桿擠出機(jī)的料斗中,螺桿轉(zhuǎn)速設(shè)定為600-800r/min,經(jīng)過熔融擠出,水冷切粒得到粒料;接著,進(jìn)行低溫加壓干燥,用注塑機(jī)注塑成型,制備得到改性碳化硅復(fù)合有機(jī)硅封裝材料。
具體實(shí)施方式
實(shí)施例一
稱取200重量份花生殼,用去離子水洗滌3次,置于115℃干燥箱中干燥至恒重后,加入500℃真空管式爐中,在氮?dú)夥諊绿蓟?h,冷卻至室溫,取出,將其與3重量份鈦酸酯類偶聯(lián)劑,1重量份氟化鉀混合均勻,置入真空管式爐中,爐內(nèi)抽至真空度為5Pa后,以150mL/min通入氬氣,并以15℃/min升溫至1150℃,再以5℃/min升溫至1500℃,保持溫度反應(yīng)4h后,自然冷卻至室溫,通入空氣,在750℃下灼燒3h,冷卻至室溫,得碳化硅晶須。
稱取60重量份上述碳化硅晶須,加入150重量份丙酮中,并用300W超聲波超聲除油20min,過濾,將濾渣浸泡在質(zhì)量分?jǐn)?shù)為25%氫氟酸溶液中8h,過濾,用去離子水洗滌濾渣至洗滌液pH呈中性,轉(zhuǎn)入115℃真空干燥箱中干燥至恒重,得到改性碳化硅。
將45份的乙烯基聚硅氧烷和偶聯(lián)劑加入到密閉的四口燒瓶中,常溫下均勻攪拌1h后升溫至55℃,邊攪拌邊滴加溶有3份含氟甲基丙烯酸庚酯單體和3份催化劑的乙二醇混合液,反應(yīng)3h后繼續(xù)攪拌直至溶液透明無分層現(xiàn)象存在;降溫至28℃,減壓蒸餾除去甲苯溶劑并保溫1.5h,然后冷卻至室溫,得到改性乙烯基聚硅氧烷,真空脫泡后密封保存。
按如下重量份配料:
上述改性碳化硅 10份
上述改性乙烯基聚硅氧烷 3份
氟硅酸鈉 3份
甲基納迪克酸酐 1份
脂肪族環(huán)氧樹脂 18份
鈦酸酯類偶聯(lián)劑 0.5份
含氫硅油交聯(lián)劑 1份;
按上述組分按比例混合均勻,加熱攪拌至混合均勻,將混合物在真空脫泡機(jī)中進(jìn)行脫泡,脫泡時間為5h。
將所述脫泡后的混合物加入到雙螺桿擠出機(jī)的料斗中,螺桿轉(zhuǎn)速設(shè)定為600r/min,經(jīng)過熔融擠出,水冷切粒得到粒料;接著,進(jìn)行低溫加壓干燥,用注塑機(jī)注塑成型,制備得到改性碳化硅復(fù)合有機(jī)硅封裝材料。
實(shí)施例二
稱取300重量份花生殼,用去離子水洗滌5次,置于120℃干燥箱中干燥至恒重后,加入530℃真空管式爐中,在氮?dú)夥諊绿蓟?h,冷卻至室溫,取出,將其與5重量份鈦酸酯類偶聯(lián)劑,2重量份氟化鉀混合均勻,置入真空管式爐中,爐內(nèi)抽至真空度為10Pa后,以200mL/min通入氬氣,并以15℃/min升溫至1300℃,再以5℃/min升溫至1550℃,保持溫度反應(yīng)6h后,自然冷卻至室溫,通入空氣,在800℃下灼燒5h,冷卻至室溫,得碳化硅晶須。
稱取80重量份上述碳化硅晶須,加入200重量份丙酮中,并用300W超聲波超聲除油30min,過濾,將濾渣浸泡在質(zhì)量分?jǐn)?shù)為25%氫氟酸溶液中10h,過濾,用去離子水洗滌濾渣至洗滌液pH呈中性,轉(zhuǎn)入120℃真空干燥箱中干燥至恒重,得到改性碳化硅。
將50份的乙烯基聚硅氧烷和偶聯(lián)劑加入到密閉的四口燒瓶中,常溫下均勻攪拌2h后升溫至65℃,邊攪拌邊滴加溶有3.2份含氟甲基丙烯酸庚酯單體和3.5份催化劑的乙二醇混合液,反應(yīng)4h后繼續(xù)攪拌直至溶液透明無分層現(xiàn)象存在;降溫至30℃,減壓蒸餾除去甲苯溶劑并保溫2h,然后冷卻至室溫,得到改性乙烯基聚硅氧烷,真空脫泡后密封保存。
按如下重量份配料:
上述改性碳化硅 15份
上述改性乙烯基聚硅氧烷 5份
氟硅酸鈉 6份
甲基納迪克酸酐 1.5份
脂肪族環(huán)氧樹脂 20份
鈦酸酯類偶聯(lián)劑 1份
含氫硅油交聯(lián)劑 3份;
按上述組分按比例混合均勻,加熱攪拌至混合均勻,將混合物在真空脫泡機(jī)中進(jìn)行脫泡,脫泡時間為7h。
將所述脫泡后的混合物加入到雙螺桿擠出機(jī)的料斗中,螺桿轉(zhuǎn)速設(shè)定為800r/min,經(jīng)過熔融擠出,水冷切粒得到粒料;接著,進(jìn)行低溫加壓干燥,用注塑機(jī)注塑成型,制備得到改性碳化硅復(fù)合有機(jī)硅封裝材料。