1.在銦錫氧化合物上生長(zhǎng)電場(chǎng)調(diào)控透光率共軛環(huán)薄片方法，其特征在于包括以下步驟：
1)將類芳香化合物單體、過硫酸系氧化劑、鈉鹽類表面活性劑、吸電子型摻雜劑混合，將反應(yīng)物溶于水中，攪拌后得混合溶液；
2)將銦錫氧化合物基體底片清洗后，再將銦錫氧化合物基體底片導(dǎo)電面朝上浸泡在步驟1)所得混合溶液中，取出后再清洗，令共軛活性鏈段在改性過后的銦錫氧化合物基體表面均勻生長(zhǎng)，隨后進(jìn)行熱處理，即完成在銦錫氧化合物上生長(zhǎng)電場(chǎng)調(diào)控透光率共軛環(huán)薄片，得表面多孔類芳香性高分子微米級(jí)薄片。
2.如權(quán)利要求1所述在銦錫氧化合物上生長(zhǎng)電場(chǎng)調(diào)控透光率共軛環(huán)薄片方法，其特征在于在步驟1)中，所述類芳香化合物單體、過硫酸系氧化劑、鈉鹽類表面活性劑、吸電子型摻雜劑的摩爾比為(3.5～4.0)︰(1.0～3.0)︰(0.1～0.2)︰(0.1～0.5)。
3.如權(quán)利要求1所述在銦錫氧化合物上生長(zhǎng)電場(chǎng)調(diào)控透光率共軛環(huán)薄片方法，其特征在于在步驟1)中，所述類芳香化合物單體與水的配比為1︰(50～500)，其中，類芳香化合物單體以質(zhì)量計(jì)算，水以體積計(jì)算。
4.如權(quán)利要求1所述在銦錫氧化合物上生長(zhǎng)電場(chǎng)調(diào)控透光率共軛環(huán)薄片方法，其特征在于在步驟1)中，所述攪拌的條件是在5℃下攪拌30min～4h。
5.如權(quán)利要求1所述在銦錫氧化合物上生長(zhǎng)電場(chǎng)調(diào)控透光率共軛環(huán)薄片方法，其特征在于在步驟2)中，所述將銦錫氧化合物基體底片清洗是將銦錫氧化合物基體采用質(zhì)量百分濃度為1％的氨水、蒸餾水、無水乙醇依次超聲清洗各5min。
6.如權(quán)利要求1所述在銦錫氧化合物上生長(zhǎng)電場(chǎng)調(diào)控透光率共軛環(huán)薄片方法，其特征在于在步驟2)中，所述取出后再清洗的條件是每隔10min取出并用蒸餾水清洗。
7.如權(quán)利要求1所述在銦錫氧化合物上生長(zhǎng)電場(chǎng)調(diào)控透光率共軛環(huán)薄片方法，其特征在于在步驟2)中，所述取出后再清洗重復(fù)1～3次。
8.如權(quán)利要求1所述在銦錫氧化合物上生長(zhǎng)電場(chǎng)調(diào)控透光率共軛環(huán)薄片方法，其特征在于在步驟2)中，所述熱處理的條件是在50～60℃恒溫烘箱內(nèi)進(jìn)行熱處理3～5h。