本發(fā)明涉及光電領(lǐng)域，特別是涉及由具有電場調(diào)控透光率特性的共軛類芳香C、H、N化合物的合成制備及其在銦錫氧化合物基體上的生長。

背景技術(shù)：

電場調(diào)控透光率是指在外加電壓的感應(yīng)下，物質(zhì)的光吸收或光散射特性發(fā)生變化的現(xiàn)象。電場調(diào)控透光率材料具有根據(jù)電壓的變化智能調(diào)節(jié)自身對光的透過率的特性，在建筑玻璃、汽車工業(yè)等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。本發(fā)明涉及類芳香共軛結(jié)構(gòu)高分子聚吡咯電場調(diào)控透光率材料。聚吡咯作為一種C、H、N化合物，加工工藝相對簡單，成本較低廉，對電壓響應(yīng)迅速，施加電壓前后顏色變化明顯，穩(wěn)定性高。

導(dǎo)電聚合物類電場調(diào)控透光率材料由于其重量輕、易于加工等優(yōu)點，目前已成為相關(guān)領(lǐng)域的研究熱點。聚吡咯(PPy)本身具有共軛體系，形成離域波函數(shù)，為電子沿分子鏈放向的傳遞提供了通道，是一種典型的導(dǎo)電聚合物。此外，聚吡咯的類芳香環(huán)結(jié)構(gòu)決定了其內(nèi)部結(jié)構(gòu)是缺電子體系，易得電子被還原。在負(fù)電壓作用下，聚吡咯得電子被還原，發(fā)生著色；相反，在正電壓下，聚吡咯失電子被氧化，發(fā)生褪色。

張全生等人在不銹鋼表面通過電沉積獲得了聚吡咯薄膜(中國專利CN105297098A)，但未能實現(xiàn)電場調(diào)控透光率智能窗所需要的在導(dǎo)電玻璃上鍍聚吡咯薄膜；胡明等人通過浸涂生長法在絕緣玻璃表面直接生長了聚吡咯薄膜(中國專利CN1727380A)，未預(yù)先將玻璃加工成為導(dǎo)電玻璃，故所得復(fù)合材料不能應(yīng)用于電場調(diào)控透光率智能窗的組裝。

聚吡咯薄片通常在水溶液或有機溶劑中用電化學(xué)氧化聚合法獲得，影響因素較多，重復(fù)性不理想。另外，在智能窗的組成當(dāng)中，電場調(diào)控透光率薄膜需生長在導(dǎo)電玻璃基體上。聚吡咯自身成膜性不佳，作為有機高分子在潔凈的導(dǎo)電玻璃基體上生長成膜性也較低。因此，將聚吡咯制成均勻且厚度適當(dāng)?shù)谋∧?，且將薄膜與導(dǎo)電玻璃基體緊密結(jié)合是聚吡咯電場調(diào)控透光率薄膜研究中需要克服的難點。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

為了克服并解決現(xiàn)有技術(shù)所存在的上述缺點與不足，本發(fā)明提供在銦錫氧化合物上生長電場調(diào)控透光率共軛環(huán)薄片方法。

本發(fā)明包括以下步驟：

1)將類芳香化合物單體、過硫酸系氧化劑、鈉鹽類表面活性劑、吸電子型摻雜劑混合，將反應(yīng)物溶于水中，攪拌后得混合溶液；

2)將銦錫氧化合物基體底片清洗后，再將銦錫氧化合物基體底片導(dǎo)電面朝上浸泡在步驟1)所得混合溶液中，取出后再清洗，令共軛活性鏈段在改性過后的銦錫氧化合物基體表面均勻生長，隨后進行熱處理，即完成在銦錫氧化合物上生長電場調(diào)控透光率共軛環(huán)薄片，得表面多孔類芳香性高分子微米級薄片。

在步驟1)中，所述類芳香化合物單體、過硫酸系氧化劑、鈉鹽類表面活性劑、吸電子型摻雜劑的摩爾比可為(3.5～4.0)︰(1.0～3.0)︰(0.1～0.2)︰(0.1～0.5)；所述類芳香化合物單體與水的配比可為1︰(50～500)，其中，類芳香化合物單體以質(zhì)量計算，水以體積計算；所述攪拌的條件可在5℃下攪拌30min～4h。

在步驟2)中，所述將銦錫氧化合物基體底片清洗可將銦錫氧化合物基體采用質(zhì)量百分濃度為1％的氨水、蒸餾水、無水乙醇依次超聲清洗各5min；所述取出后再清洗的條件可為每隔10min取出并用蒸餾水清洗，取出后再清洗可重復(fù)1～3次；所述熱處理的條件可在50～60℃恒溫烘箱內(nèi)進行熱處理3～5h。

本發(fā)明著眼于在銦錫氧化合物基體上均勻生長一層具有共軛結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電C、H、N化合物微米級薄片，并在銦錫氧化合物與導(dǎo)電C、H、N化合物兩相之間實現(xiàn)化學(xué)鍵偶聯(lián)結(jié)合生長。本發(fā)明利用KH560之類偶聯(lián)劑對銦錫氧化合物基體進行改性以便于高分子C、H、N缺電子化合物微米級薄片在其表面的生長，使用弱極性有機酸作催化劑使得KH560發(fā)生醇解從而與銦錫氧化合物基體脫水成鍵偶聯(lián)。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點和顯著效果：

(1)在成膜階段，本發(fā)明采用偶聯(lián)覆蓋法生長成膜，比起電化學(xué)氧化鍍膜，在節(jié)約能源的同時增強了微米級薄片制備的可重復(fù)性。

(2)成膜機理為生長成膜，由此避免了原子對光的散射，有效地降低了微米級薄片的霧度。

(3)在C、H、N缺電子化合物和銦錫氧化合物基體相的結(jié)合過程中使用KH560，起偶聯(lián)作用，實現(xiàn)了C、H、N缺電子化合物與銦錫氧化合物基體的化學(xué)鍵結(jié)合，顯著增強了兩相的結(jié)合強度，延長了復(fù)合材料的使用壽命。

(4)本發(fā)明借助硅烷偶聯(lián)劑將C、H、N缺電子化合物與銦錫氧化合物基體通過偶聯(lián)覆蓋生長的方式結(jié)合，再經(jīng)50℃左右熱處理獲得表面密布孔洞結(jié)構(gòu)；所得微米級薄片經(jīng)過500次電化學(xué)伏安循環(huán)后循環(huán)特性不衰減，著色-褪色轉(zhuǎn)變只需5s左右，在褪色態(tài)下透光率接近90％(霧度小于1％)，而著色態(tài)下透光率不足60％。

附圖說明

圖1為本發(fā)明實施例1中熱處理后獲得的與銦錫氧化合物基體偶聯(lián)生長的多孔含C、H、N具有共軛結(jié)構(gòu)的微米級薄片的ATR譜。

圖2為本發(fā)明實施例1中處理后獲得的與銦錫氧化合物基體偶聯(lián)生長的多孔含C、H、N具有共軛結(jié)構(gòu)的微米級薄片在油性鋰離子溶劑中的第1圈、第500圈伏安循環(huán)曲線。

圖3為本發(fā)明實施例1中清洗過后的銦錫氧化合物基體與生長缺電子類芳香結(jié)構(gòu)高分子微米級薄片后所得復(fù)合片狀材料對可見光的透射光譜對比。

圖4為本發(fā)明實施例1中生長缺電子類芳香結(jié)構(gòu)高分子微米級薄片后所得復(fù)合片狀材料在一次伏安循環(huán)中透光率及霧度的變化曲線。

圖5為本發(fā)明實施例1中生長缺電子類芳香結(jié)構(gòu)高分子微米級薄片后所得復(fù)合片狀材料在原始態(tài)、著色態(tài)、褪色態(tài)下對可見光的透射光譜。

圖6為本發(fā)明實施例7、8、9中所得含C、H、N具有共軛結(jié)構(gòu)的微米級薄片的ATR譜對比。

圖7為本發(fā)明實施例10與實施例11中所得含C、H、N具有共軛結(jié)構(gòu)的微米級薄片的ATR譜對比。

圖8為本發(fā)明實施例13、14、15中所得含C、H、N具有共軛結(jié)構(gòu)的微米級薄片的ATR譜對比。

具體實施方式

下面結(jié)合實施例，對本發(fā)明做進一步地詳細(xì)說明，但本發(fā)明的實施方式不限于此。

實施例1：

本實施例在銦錫氧化合物基體上生長C、H、N化合物微米級薄片化合物，具體施方式為，先依次采用1wt％氨水、蒸餾水、無水乙醇對銦錫氧化合物基體進行5min的超聲清洗，接著將其清洗過后的銦錫氧化合物基體導(dǎo)電面向上浸入KH560中浸泡10min，隨后將其取出依舊導(dǎo)電面向上浸入3wt％弱極性有機酸的乙醇之類溶劑的溶液中浸泡60min進行表面的醇解改性，在改性進行的同時把類芳香化合物單體、過硫酸系氧化劑、鈉鹽類表面活性劑、吸電子型摻雜劑按照摩爾比3.75︰1.25︰0.15︰0.3的比例混合，按照類芳香化合物單體(g)︰水(mL)＝1︰500的比例溶于蒸餾水中，在5℃下攪拌20min聚合獲得含C、H、N的溶膠；獲得含C、H、N的溶膠后將改性后的銦錫氧化合物基底仍然導(dǎo)電面向上浸入含C、H、N的溶膠中，室溫放置，每隔10min取出一次并用蒸餾水清洗，“取出-清洗”過程重復(fù)3次，隨后將表面生長有C、H、N化合物微米級薄片化合物的銦錫氧化物至于50℃左右的恒溫烘箱中熱處理3h。偶聯(lián)生長所得多孔類芳香共軛高分子微米級薄片的ATR譜圖見圖1說明銦錫氧化合物基體上確實有生長上含C、H、N的共軛高分子微米級薄片，第1圈及第500圈伏安循環(huán)曲線見圖2表明在銦錫氧化合物基體上生長的類芳香共軛高分子微米級薄片循環(huán)使用性能較好，所得類芳香共軛高分子微米級薄片生長前后玻璃對可見光的透過率見圖3說明生長類芳香共軛結(jié)構(gòu)高分子改變了原玻璃對可見光的透過情況，在銦錫氧化合物基體上生長缺電子類芳香結(jié)構(gòu)高分子微米級薄片后所得復(fù)合片狀材料在一次伏安循環(huán)中透光率及霧度的變化見圖4說明所得微米級薄片對電壓變化較為敏感、電場調(diào)控透光率僅需5s左右、著色態(tài)下透光率約為50％而褪色態(tài)下透光率接近90％、褪色態(tài)下霧度幾乎為零而著色態(tài)下霧度不足5％，在銦錫氧化合物基體上生長缺電子類芳香結(jié)構(gòu)高分子微米級薄片后所得復(fù)合片狀材料在不同狀態(tài)下對可見光的透射光譜見圖5說明不同狀態(tài)下的該材料對可見光具有不同的選擇透過性。

實施例2：

本實施例改變銦錫氧化合物于3wt％弱極性有機酸的乙醇溶液中的醇解改性時間在其表面生長C、H、N化合物微米級薄片化合物，具體施方式為，先依次采用1wt％氨水、蒸餾水、無水乙醇對銦錫氧化合物基體進行5min的超聲清洗，接著將其清洗過后的銦錫氧化合物基體導(dǎo)電面向上浸入KH560中浸泡10min，隨后將其取出依舊導(dǎo)電面向上浸入3wt％弱極性有機酸的乙醇之類溶劑的溶液中浸泡10min進行表面的醇解改性，在改性進行的同時把類芳香化合物單體、過硫酸系氧化劑、鈉鹽類表面活性劑、吸電子型摻雜劑按照摩爾比3.75︰1.25︰0.15︰0.3的比例混合，按照類芳香化合物單體(g)︰水(mL)＝1︰500的比例溶于蒸餾水中，在5℃下攪拌20min聚合獲得含C、H、N的溶膠；獲得含C、H、N的溶膠后將改性后的銦錫氧化合物基底仍然導(dǎo)電面向上浸入含C、H、N的溶膠中，室溫放置，每隔10min取出一次并用蒸餾水清洗，“取出-清洗”過程重復(fù)3次，隨后將表面生長有C、H、N化合物微米級薄片化合物的銦錫氧化物至于50℃左右的恒溫烘箱中熱處理3h。偶聯(lián)生長所得多孔類芳香共軛高分子微米級薄片與實施例1中所得薄膜在原始狀態(tài)下的透光率并無太大差別，數(shù)值分別為84.77％和84.58％，兩者的霧度均為0.00％。

實施例3：

本實施例改變銦錫氧化合物于3wt％弱極性有機酸的乙醇溶液中的醇解改性時間在其表面生長C、H、N化合物微米級薄片化合物，具體施方式為，先依次采用1wt％氨水、蒸餾水、無水乙醇對銦錫氧化合物基體進行5min的超聲清洗，接著將其清洗過后的銦錫氧化合物基體導(dǎo)電面向上浸入KH560中浸泡10min，隨后將其取出依舊導(dǎo)電面向上浸入3wt％弱極性有機酸的乙醇之類溶劑的溶液中浸泡30min進行表面的醇解改性，在改性進行的同時把類芳香化合物單體、過硫酸系氧化劑、鈉鹽類表面活性劑、吸電子型摻雜劑按照摩爾比3.75︰1.25︰0.15︰0.3的比例混合，按照類芳香化合物單體(g)︰水(mL)＝1︰500的比例溶于蒸餾水中，在5℃下攪拌20min聚合獲得含C、H、N的溶膠；獲得含C、H、N的溶膠后將改性后的銦錫氧化合物基底仍然導(dǎo)電面向上浸入含C、H、N的溶膠中，室溫放置，每隔10min取出一次并用蒸餾水清洗，“取出-清洗”過程重復(fù)3次，隨后將表面生長有C、H、N化合物微米級薄片化合物的銦錫氧化物至于50℃左右的恒溫烘箱中熱處理3h。偶聯(lián)生長所得多孔類芳香共軛高分子微米級薄片與實施例1中所得薄膜在原始狀態(tài)下的透光率并無太大差別，數(shù)值分別為85.36％和84.58％，兩者的霧度均為0.00％。

實施例4：

本實施例改變含N缺電子化合物單體與水的比例在銦錫氧化合物基體上生長C、H、N化合物微米級薄片化合物，具體施方式為，先依次采用1wt％氨水、蒸餾水、無水乙醇對銦錫氧化合物基體進行5min的超聲清洗，接著將其清洗過后的銦錫氧化合物基體導(dǎo)電面向上浸入KH560中浸泡10min，隨后將其取出依舊導(dǎo)電面向上浸入3wt％弱極性有機酸的乙醇之類溶劑的溶液中浸泡60min進行表面的醇解改性，在改性進行的同時把類芳香化合物單體、過硫酸系氧化劑、鈉鹽類表面活性劑、吸電子型摻雜劑按照摩爾比3.75︰1.25︰0.15︰0.3的比例混合，按照類芳香化合物單體(g)︰水(mL)＝1︰50的比例溶于蒸餾水中，在5℃下攪拌20min聚合獲得含C、H、N的溶膠；獲得含C、H、N的溶膠后將改性后的銦錫氧化合物基底仍然導(dǎo)電面向上浸入含C、H、N的溶膠中，室溫放置，每隔10min取出一次并用蒸餾水清洗，“取出-清洗”過程重復(fù)3次，隨后將表面生長有C、H、N化合物微米級薄片化合物的銦錫氧化物至于50℃左右的恒溫烘箱中熱處理3h。所得薄膜霧度為5.01％，該霧度數(shù)值偏高，會造成視覺上的不適。

實施例5：

本實施例改變含N缺電子化合物單體與水的比例在銦錫氧化合物基體上生長C、H、N化合物微米級薄片化合物，具體施方式為，先依次采用1wt％氨水、蒸餾水、無水乙醇對銦錫氧化合物基體進行5min的超聲清洗，接著將其清洗過后的銦錫氧化合物基體導(dǎo)電面向上浸入KH560中浸泡10min，隨后將其取出依舊導(dǎo)電面向上浸入3wt％弱極性有機酸的乙醇之類溶劑的溶液中浸泡60min進行表面的醇解改性，在改性進行的同時把類芳香化合物單體、過硫酸系氧化劑、鈉鹽類表面活性劑、吸電子型摻雜劑按照摩爾比3.75︰1.25︰0.15︰0.3的比例混合，按照類芳香化合物單體(g)︰水(mL)＝1︰100的比例溶于蒸餾水中，在5℃下攪拌20min聚合獲得含C、H、N的溶膠；獲得含C、H、N的溶膠后將改性后的銦錫氧化合物基底仍然導(dǎo)電面向上浸入含C、H、N的溶膠中，室溫放置，每隔10min取出一次并用蒸餾水清洗，“取出-清洗”過程重復(fù)3次，隨后將表面生長有C、H、N化合物微米級薄片化合物的銦錫氧化物至于50℃左右的恒溫烘箱中熱處理3h。所得薄膜透光率數(shù)值為60.38％，相比起實施例1中所得薄膜大于80％的透光率，該薄膜的透光性能明顯降低。

實施例6：

本實施例改變含N缺電子化合物單體與水的比例在銦錫氧化合物基體上生長C、H、N化合物微米級薄片化合物，具體施方式為，先依次采用1wt％氨水、蒸餾水、無水乙醇對銦錫氧化合物基體進行5min的超聲清洗，接著將其清洗過后的銦錫氧化合物基體導(dǎo)電面向上浸入KH560中浸泡10min，隨后將其取出依舊導(dǎo)電面向上浸入3wt％弱極性有機酸的乙醇之類溶劑的溶液中浸泡60min進行表面的醇解改性，在改性進行的同時把類芳香化合物單體、過硫酸系氧化劑、鈉鹽類表面活性劑、吸電子型摻雜劑按照摩爾比3.75︰1.25︰0.15︰0.3的比例混合，按照類芳香化合物單體(g)︰水(mL)＝1︰250的比例溶于蒸餾水中，在5℃下攪拌20min聚合獲得含C、H、N的溶膠；獲得含C、H、N的溶膠后將改性后的銦錫氧化合物基底仍然導(dǎo)電面向上浸入含C、H、N的溶膠中，室溫放置，每隔10min取出一次并用蒸餾水清洗，“取出-清洗”過程重復(fù)3次，隨后將表面生長有C、H、N化合物微米級薄片化合物的銦錫氧化物至于50℃左右的恒溫烘箱中熱處理3h。所得薄膜透光率數(shù)值為70.10％，相比起實施例1中所得薄膜大于80％的透光率，該薄膜的透光性能明顯降低。

實施例7：

本實施例改變氧化聚合體系在5℃下攪拌聚合的時間在銦錫氧化合物基體上生長C、H、N化合物微米級薄片化合物，具體施方式為，先依次采用1wt％氨水、蒸餾水、無水乙醇對銦錫氧化合物基體進行5min的超聲清洗，接著將其清洗過后的銦錫氧化合物基體導(dǎo)電面向上浸入KH560中浸泡10min，隨后將其取出依舊導(dǎo)電面向上浸入3wt％弱極性有機酸的乙醇之類溶劑的溶液中浸泡60min進行表面的醇解改性，在改性進行的同時把類芳香化合物單體、過硫酸系氧化劑、鈉鹽類表面活性劑、吸電子型摻雜劑按照摩爾比3.75︰1.25︰0.15︰0.3的比例混合，按照類芳香化合物單體(g)︰水(mL)＝1︰500的比例溶于蒸餾水中，在5℃下攪拌10min聚合獲得含C、H、N的溶膠；獲得含C、H、N的溶膠后將改性后的銦錫氧化合物基底仍然導(dǎo)電面向上浸入含C、H、N的溶膠中，室溫放置，每隔10min取出一次并用蒸餾水清洗，“取出-清洗”過程重復(fù)3次，隨后將表面生長有C、H、N化合物微米級薄片化合物的銦錫氧化物至于50℃左右的恒溫烘箱中熱處理3h。最終獲得的多孔薄膜的ATR譜見圖6曲線a，與實施例1中所得薄膜的ATR譜對比，前者薄膜生長情況不及后者。

實施例8：

本實施例改變氧化聚合體系在5℃下攪拌聚合的時間在銦錫氧化合物基體上生長C、H、N化合物微米級薄片化合物，具體施方式為，先依次采用1wt％氨水、蒸餾水、無水乙醇對銦錫氧化合物基體進行5min的超聲清洗，接著將其清洗過后的銦錫氧化合物基體導(dǎo)電面向上浸入KH560中浸泡10min，隨后將其取出依舊導(dǎo)電面向上浸入3wt％弱極性有機酸的乙醇之類溶劑的溶液中浸泡60min進行表面的醇解改性，在改性進行的同時把類芳香化合物單體、過硫酸系氧化劑、鈉鹽類表面活性劑、吸電子型摻雜劑按照摩爾比3.75︰1.25︰0.15︰0.3的比例混合，按照類芳香化合物單體(g)︰水(mL)＝1︰500的比例溶于蒸餾水中，在5℃下攪拌40min聚合獲得含C、H、N的溶膠；獲得含C、H、N的溶膠后將改性后的銦錫氧化合物基底仍然導(dǎo)電面向上浸入含C、H、N的溶膠中，室溫放置，每隔10min取出一次并用蒸餾水清洗，“取出-清洗”過程重復(fù)3次，隨后將表面生長有C、H、N化合物微米級薄片化合物的銦錫氧化物至于50℃左右的恒溫烘箱中熱處理3h。最終獲得的多孔薄膜的ATR譜見圖6中的曲線b，與實施例1中所得薄膜的ATR譜對比，前者薄膜生長情況不及后者。

實施例9：

本實施例改變氧化聚合體系在5℃下攪拌聚合的時間在銦錫氧化合物基體上生長C、H、N化合物微米級薄片化合物，具體施方式為，先依次采用1wt％氨水、蒸餾水、無水乙醇對銦錫氧化合物基體進行5min的超聲清洗，接著將其清洗過后的銦錫氧化合物基體導(dǎo)電面向上浸入KH560中浸泡10min，隨后將其取出依舊導(dǎo)電面向上浸入3wt％弱極性有機酸的乙醇之類溶劑的溶液中浸泡60min進行表面的醇解改性，在改性進行的同時把類芳香化合物單體、過硫酸系氧化劑、鈉鹽類表面活性劑、吸電子型摻雜劑按照摩爾比3.75︰1.25︰0.15︰0.3的比例混合，按照類芳香化合物單體(g)︰水(mL)＝1︰500的比例溶于蒸餾水中，在5℃下攪拌60min聚合獲得含C、H、N的溶膠；獲得含C、H、N的溶膠后將改性后的銦錫氧化合物基底仍然導(dǎo)電面向上浸入含C、H、N的溶膠中，室溫放置，每隔10min取出一次并用蒸餾水清洗，“取出-清洗”過程重復(fù)3次，隨后將表面生長有C、H、N化合物微米級薄片化合物的銦錫氧化物至于50℃左右的恒溫烘箱中熱處理3h。最終獲得的多孔薄膜的ATR譜見圖6中的曲線c，與實施例1中所得薄膜的ATR譜對比，前者薄膜生長情況不及后者。

實施例10：

本實施例改變“取出-清洗”操作的重復(fù)次數(shù)在銦錫氧化合物基體上生長C、H、N化合物微米級薄片化合物，具體施方式為，先依次采用1wt％氨水、蒸餾水、無水乙醇對銦錫氧化合物基體進行5min的超聲清洗，接著將其清洗過后的銦錫氧化合物基體導(dǎo)電面向上浸入KH560中浸泡10min，隨后將其取出依舊導(dǎo)電面向上浸入3wt％弱極性有機酸的乙醇之類溶劑的溶液中浸泡60min進行表面的醇解改性，在改性進行的同時把類芳香化合物單體、過硫酸系氧化劑、鈉鹽類表面活性劑、吸電子型摻雜劑按照摩爾比3.75︰1.25︰0.15︰0.3的比例混合，按照類芳香化合物單體(g)︰水(mL)＝1︰500的比例溶于蒸餾水中，在5℃下攪拌20min聚合獲得含C、H、N的溶膠；獲得含C、H、N的溶膠后將改性后的銦錫氧化合物基底仍然導(dǎo)電面向上浸入含C、H、N的溶膠中，室溫放置，每隔10min取出一次并用蒸餾水清洗，“取出-清洗”過程重復(fù)1次，隨后將表面生長有C、H、N化合物微米級薄片化合物的銦錫氧化物至于50℃左右的恒溫烘箱中熱處理3h。最終獲得的多孔薄膜的ATR譜見圖7中的曲線a，與實施例1中所得薄膜的ATR譜對比，前者薄膜生長情況不及后者。

實施例11：

本實施例改變“取出-清洗”操作的重復(fù)次數(shù)在銦錫氧化合物基體上生長C、H、N化合物微米級薄片化合物，具體施方式為，先依次采用1wt％氨水、蒸餾水、無水乙醇對銦錫氧化合物基體進行5min的超聲清洗，接著將其清洗過后的銦錫氧化合物基體導(dǎo)電面向上浸入KH560中浸泡10min，隨后將其取出依舊導(dǎo)電面向上浸入3wt％弱極性有機酸的乙醇之類溶劑的溶液中浸泡60min進行表面的醇解改性，在改性進行的同時把類芳香化合物單體、過硫酸系氧化劑、鈉鹽類表面活性劑、吸電子型摻雜劑按照摩爾比3.75︰1.25︰0.15︰0.3的比例混合，按照類芳香化合物單體(g)︰水(mL)＝1︰500的比例溶于蒸餾水中，在5℃下攪拌20min聚合獲得含C、H、N的溶膠；獲得含C、H、N的溶膠后將改性后的銦錫氧化合物基底仍然導(dǎo)電面向上浸入含C、H、N的溶膠中，室溫放置，每隔10min取出一次并用蒸餾水清洗，“取出-清洗”過程重復(fù)2次，隨后將表面生長有C、H、N化合物微米級薄片化合物的銦錫氧化物至于50℃左右的恒溫烘箱中熱處理3h。最終獲得的多孔薄膜的ATR譜見圖7中的曲線b，與實施例1中所得薄膜的ATR譜對比，前者薄膜生長情況不及后者。

實施例12：

本實施例改變“取出-清洗”操作的重復(fù)次數(shù)在銦錫氧化合物基體上生長C、H、N化合物微米級薄片化合物，具體施方式為，先依次采用1wt％氨水、蒸餾水、無水乙醇對銦錫氧化合物基體進行5min的超聲清洗，接著將其清洗過后的銦錫氧化合物基體導(dǎo)電面向上浸入KH560中浸泡10min，隨后將其取出依舊導(dǎo)電面向上浸入3wt％弱極性有機酸的乙醇之類溶劑的溶液中浸泡60min進行表面的醇解改性，在改性進行的同時把類芳香化合物單體、過硫酸系氧化劑、鈉鹽類表面活性劑、吸電子型摻雜劑按照摩爾比3.75︰1.25︰0.15︰0.3的比例混合，按照類芳香化合物單體(g)︰水(mL)＝1︰500的比例溶于蒸餾水中，在5℃下攪拌20min聚合獲得含C、H、N的溶膠；獲得含C、H、N的溶膠后將改性后的銦錫氧化合物基底仍然導(dǎo)電面向上浸入含C、H、N的溶膠中，室溫放置，每隔10min取出一次并用蒸餾水清洗，“取出-清洗”過程重復(fù)4次，隨后將表面生長有C、H、N化合物微米級薄片化合物的銦錫氧化物至于50℃左右的恒溫烘箱中熱處理3h。最終獲得的多孔薄膜原始狀態(tài)下的透光率為78.98％，與實施例1中所得薄膜超過80％的透光率相比，可以看出前者透光性能不及后者。

實施例13：

本實施例改變50℃在銦錫氧化合物基體上生長C、H、N化合物微米級薄片化合物，具體施方式為，先依次采用1wt％氨水、蒸餾水、無水乙醇對銦錫氧化合物基體進行5min的超聲清洗，接著將其清洗過后的銦錫氧化合物基體導(dǎo)電面向上浸入KH560中浸泡10min，隨后將其取出依舊導(dǎo)電面向上浸入3wt％弱極性有機酸的乙醇之類溶劑的溶液中浸泡60min進行表面的醇解改性，在改性進行的同時把類芳香化合物單體、過硫酸系氧化劑、鈉鹽類表面活性劑、吸電子型摻雜劑按照摩爾比3.75︰1.25︰0.15︰0.3的比例混合，按照類芳香化合物單體(g)︰水(mL)＝1︰500的比例溶于蒸餾水中，在5℃下攪拌20min聚合獲得含C、H、N的溶膠；獲得含C、H、N的溶膠后將改性后的銦錫氧化合物基底仍然導(dǎo)電面向上浸入含C、H、N的溶膠中，室溫放置，每隔10min取出一次并用蒸餾水清洗，“取出-清洗”過程重復(fù)3次，隨后將表面生長有C、H、N化合物微米級薄片化合物的銦錫氧化物至于50℃左右的恒溫烘箱中熱處理1h。所得薄膜ATR譜見圖8曲線a，與實施例1中所得薄膜的ATR譜對比，前者薄膜生長情況不及后者。

實施例14：

本實施例改變50℃在銦錫氧化合物基體上生長C、H、N化合物微米級薄片化合物，具體施方式為，先依次采用1wt％氨水、蒸餾水、無水乙醇對銦錫氧化合物基體進行5min的超聲清洗，接著將其清洗過后的銦錫氧化合物基體導(dǎo)電面向上浸入KH560中浸泡10min，隨后將其取出依舊導(dǎo)電面向上浸入3wt％弱極性有機酸的乙醇之類溶劑的溶液中浸泡60min進行表面的醇解改性，在改性進行的同時把類芳香化合物單體、過硫酸系氧化劑、鈉鹽類表面活性劑、吸電子型摻雜劑按照摩爾比3.75︰1.25︰0.15︰0.3的比例混合，按照類芳香化合物單體(g)︰水(mL)＝1︰500的比例溶于蒸餾水中，在5℃下攪拌20min聚合獲得含C、H、N的溶膠；獲得含C、H、N的溶膠后將改性后的銦錫氧化合物基底仍然導(dǎo)電面向上浸入含C、H、N的溶膠中，室溫放置，每隔10min取出一次并用蒸餾水清洗，“取出-清洗”過程重復(fù)3次，隨后將表面生長有C、H、N化合物微米級薄片化合物的銦錫氧化物至于50℃左右的恒溫烘箱中熱處理2h。所得薄膜ATR譜見圖8中的曲線b，與實施例1中所得薄膜的ATR譜對比，前者薄膜生長情況不及后者。

實施例15：

本實施例改變50℃在銦錫氧化合物基體上生長C、H、N化合物微米級薄片化合物，具體施方式為，先依次采用1wt％氨水、蒸餾水、無水乙醇對銦錫氧化合物基體進行5min的超聲清洗，接著將其清洗過后的銦錫氧化合物基體導(dǎo)電面向上浸入KH560中浸泡10min，隨后將其取出依舊導(dǎo)電面向上浸入3wt％弱極性有機酸的乙醇之類溶劑的溶液中浸泡60min進行表面的醇解改性，在改性進行的同時把類芳香化合物單體、過硫酸系氧化劑、鈉鹽類表面活性劑、吸電子型摻雜劑按照摩爾比3.75︰1.25︰0.15︰0.3的比例混合，按照類芳香化合物單體(g)︰水(mL)＝1︰500的比例溶于蒸餾水中，在5℃下攪拌20min聚合獲得含C、H、N的溶膠；獲得含C、H、N的溶膠后將改性后的銦錫氧化合物基底仍然導(dǎo)電面向上浸入含C、H、N的溶膠中，室溫放置，每隔10min取出一次并用蒸餾水清洗，“取出-清洗”過程重復(fù)3次，隨后將表面生長有C、H、N化合物微米級薄片化合物的銦錫氧化物至于50℃左右的恒溫烘箱中熱處理5h。所得薄膜ATR譜見圖8中的曲線c，與實施例1中所得薄膜的ATR譜對比，前者薄膜生長情況不及后者。

實施例16：

本實施例改變類芳香化合物單體、過硫酸系氧化劑、鈉鹽類表面活性劑、吸電子型摻雜劑的配比在銦錫氧化合物基體上生長C、H、N化合物微米級薄片化合物，具體施方式為，先依次采用1wt％氨水、蒸餾水、無水乙醇對銦錫氧化合物基體進行5min的超聲清洗，接著將其清洗過后的銦錫氧化合物基體導(dǎo)電面向上浸入KH560中浸泡10min，隨后將其取出依舊導(dǎo)電面向上浸入3wt％弱極性有機酸的乙醇之類溶劑的溶液中浸泡60min進行表面的醇解改性，在改性進行的同時把類芳香化合物單體、過硫酸系氧化劑、鈉鹽類表面活性劑、吸電子型摻雜劑按照摩爾比3.5︰1.0︰0.1︰0.1的比例混合，按照類芳香化合物單體(g)︰水(mL)＝1︰500的比例溶于蒸餾水中，在5℃下攪拌20min聚合獲得含C、H、N的溶膠；獲得含C、H、N的溶膠后將改性后的銦錫氧化合物基底仍然導(dǎo)電面向上浸入含C、H、N的溶膠中，室溫放置，每隔10min取出一次并用蒸餾水清洗，“取出-清洗”過程重復(fù)3次，隨后將表面生長有C、H、N化合物微米級薄片化合物的銦錫氧化物至于50℃左右的恒溫烘箱中熱處理3h。所得薄膜原始狀態(tài)下透光率為78.76％，較之實施例1中所得薄膜80％以上的透光率，其透光性能較差。

實施例17：

本實施例改變類芳香化合物單體、過硫酸系氧化劑、鈉鹽類表面活性劑、吸電子型摻雜劑的配比在銦錫氧化合物基體上生長C、H、N化合物微米級薄片化合物，具體施方式為，先依次采用1wt％氨水、蒸餾水、無水乙醇對銦錫氧化合物基體進行5min的超聲清洗，接著將其清洗過后的銦錫氧化合物基體導(dǎo)電面向上浸入KH560中浸泡10min，隨后將其取出依舊導(dǎo)電面向上浸入3wt％弱極性有機酸的乙醇之類溶劑的溶液中浸泡60min進行表面的醇解改性，在改性進行的同時把類芳香化合物單體、過硫酸系氧化劑、鈉鹽類表面活性劑、吸電子型摻雜劑按照摩爾比3.5︰1.0︰0.1︰0.5的比例混合，按照類芳香化合物單體(g)︰水(mL)＝1︰500的比例溶于蒸餾水中，在5℃下攪拌20min聚合獲得含C、H、N的溶膠；獲得含C、H、N的溶膠后將改性后的銦錫氧化合物基底仍然導(dǎo)電面向上浸入含C、H、N的溶膠中，室溫放置，每隔10min取出一次并用蒸餾水清洗，“取出-清洗”過程重復(fù)3次，隨后將表面生長有C、H、N化合物微米級薄片化合物的銦錫氧化物至于50℃左右的恒溫烘箱中熱處理3h。所得薄膜原始狀態(tài)下透光率為75.35％，較之實施例1中所得薄膜80％以上的透光率，其透光性能較差。

實施例18：

本實施例改變類芳香化合物單體、過硫酸系氧化劑、鈉鹽類表面活性劑、吸電子型摻雜劑的配比在銦錫氧化合物基體上生長C、H、N化合物微米級薄片化合物，具體施方式為，先依次采用1wt％氨水、蒸餾水、無水乙醇對銦錫氧化合物基體進行5min的超聲清洗，接著將其清洗過后的銦錫氧化合物基體導(dǎo)電面向上浸入KH560中浸泡10min，隨后將其取出依舊導(dǎo)電面向上浸入3wt％弱極性有機酸的乙醇之類溶劑的溶液中浸泡60min進行表面的醇解改性，在改性進行的同時把類芳香化合物單體、過硫酸系氧化劑、鈉鹽類表面活性劑、吸電子型摻雜劑按照摩爾比3.5︰1.0︰0.2︰0.1的比例混合，按照類芳香化合物單體(g)︰水(mL)＝1︰500的比例溶于蒸餾水中，在5℃下攪拌20min聚合獲得含C、H、N的溶膠；獲得含C、H、N的溶膠后將改性后的銦錫氧化合物基底仍然導(dǎo)電面向上浸入含C、H、N的溶膠中，室溫放置，每隔10min取出一次并用蒸餾水清洗，“取出-清洗”過程重復(fù)3次，隨后將表面生長有C、H、N化合物微米級薄片化合物的銦錫氧化物至于50℃左右的恒溫烘箱中熱處理3h。所得薄膜原始狀態(tài)下透光率為77.33％，較之實施例1中所得薄膜80％以上的透光率，其透光性能較差。

實施例19：

本實施例改變類芳香化合物單體、過硫酸系氧化劑、鈉鹽類表面活性劑、吸電子型摻雜劑的配比在銦錫氧化合物基體上生長C、H、N化合物微米級薄片化合物，具體施方式為，先依次采用1wt％氨水、蒸餾水、無水乙醇對銦錫氧化合物基體進行5min的超聲清洗，接著將其清洗過后的銦錫氧化合物基體導(dǎo)電面向上浸入KH560中浸泡10min，隨后將其取出依舊導(dǎo)電面向上浸入3wt％弱極性有機酸的乙醇之類溶劑的溶液中浸泡60min進行表面的醇解改性，在改性進行的同時把類芳香化合物單體、過硫酸系氧化劑、鈉鹽類表面活性劑、吸電子型摻雜劑按照摩爾比3.5︰1.0︰0.1︰0.1的比例混合，按照類芳香化合物單體(g)︰水(mL)＝1︰500的比例溶于蒸餾水中，在5℃下攪拌20min聚合獲得含C、H、N的溶膠；獲得含C、H、N的溶膠后將改性后的銦錫氧化合物基底仍然導(dǎo)電面向上浸入含C、H、N的溶膠中，室溫放置，每隔10min取出一次并用蒸餾水清洗，“取出-清洗”過程重復(fù)3次，隨后將表面生長有C、H、N化合物微米級薄片化合物的銦錫氧化物至于50℃左右的恒溫烘箱中熱處理3h。所得薄膜原始狀態(tài)下透光率為77.52％，較之實施例1中所得薄膜80％以上的透光率，其透光性能較差。

實施例20：

本實施例改變類芳香化合物單體、過硫酸系氧化劑、鈉鹽類表面活性劑、吸電子型摻雜劑的配比在銦錫氧化合物基體上生長C、H、N化合物微米級薄片化合物，具體施方式為，先依次采用1wt％氨水、蒸餾水、無水乙醇對銦錫氧化合物基體進行5min的超聲清洗，接著將其清洗過后的銦錫氧化合物基體導(dǎo)電面向上浸入KH560中浸泡10min，隨后將其取出依舊導(dǎo)電面向上浸入3wt％弱極性有機酸的乙醇之類溶劑的溶液中浸泡60min進行表面的醇解改性，在改性進行的同時把類芳香化合物單體、過硫酸系氧化劑、鈉鹽類表面活性劑、吸電子型摻雜劑按照摩爾比3.5︰3.0︰0.1︰0.1的比例混合，按照類芳香化合物單體(g)︰水(mL)＝1︰500的比例溶于蒸餾水中，在5℃下攪拌20min聚合獲得含C、H、N的溶膠；獲得含C、H、N的溶膠后將改性后的銦錫氧化合物基底仍然導(dǎo)電面向上浸入含C、H、N的溶膠中，室溫放置，每隔10min取出一次并用蒸餾水清洗，“取出-清洗”過程重復(fù)3次，隨后將表面生長有C、H、N化合物微米級薄片化合物的銦錫氧化物至于50℃左右的恒溫烘箱中熱處理3h。所得薄膜原始狀態(tài)下透光率為79.43％，較之實施例1中所得薄膜80％以上的透光率，其透光性能較差。

實施例21：

本實施例改變類芳香化合物單體、過硫酸系氧化劑、鈉鹽類表面活性劑、吸電子型摻雜劑的配比在銦錫氧化合物基體上生長C、H、N化合物微米級薄片化合物，具體施方式為，先依次采用1wt％氨水、蒸餾水、無水乙醇對銦錫氧化合物基體進行5min的超聲清洗，接著將其清洗過后的銦錫氧化合物基體導(dǎo)電面向上浸入KH560中浸泡10min，隨后將其取出依舊導(dǎo)電面向上浸入3wt％弱極性有機酸的乙醇之類溶劑的溶液中浸泡60min進行表面的醇解改性，在改性進行的同時把類芳香化合物單體、過硫酸系氧化劑、鈉鹽類表面活性劑、吸電子型摻雜劑按照摩爾比3.5︰3.0︰0.1︰0.5的比例混合，按照類芳香化合物單體(g)︰水(mL)＝1︰500的比例溶于蒸餾水中，在5℃下攪拌20min聚合獲得含C、H、N的溶膠；獲得含C、H、N的溶膠后將改性后的銦錫氧化合物基底仍然導(dǎo)電面向上浸入含C、H、N的溶膠中，室溫放置，每隔10min取出一次并用蒸餾水清洗，“取出-清洗”過程重復(fù)3次，隨后將表面生長有C、H、N化合物微米級薄片化合物的銦錫氧化物至于50℃左右的恒溫烘箱中熱處理3h。所得薄膜原始狀態(tài)下透光率為79.46％，較之實施例1中所得薄膜80％以上的透光率，其透光性能較差。

實施例22：

本實施例改變類芳香化合物單體、過硫酸系氧化劑、鈉鹽類表面活性劑、吸電子型摻雜劑的配比在銦錫氧化合物基體上生長C、H、N化合物微米級薄片化合物，具體施方式為，先依次采用1wt％氨水、蒸餾水、無水乙醇對銦錫氧化合物基體進行5min的超聲清洗，接著將其清洗過后的銦錫氧化合物基體導(dǎo)電面向上浸入KH560中浸泡10min，隨后將其取出依舊導(dǎo)電面向上浸入3wt％弱極性有機酸的乙醇之類溶劑的溶液中浸泡60min進行表面的醇解改性，在改性進行的同時把類芳香化合物單體、過硫酸系氧化劑、鈉鹽類表面活性劑、吸電子型摻雜劑按照摩爾比3.5︰3.0︰0.2︰0.1的比例混合，按照類芳香化合物單體(g)︰水(mL)＝1︰500的比例溶于蒸餾水中，在5℃下攪拌20min聚合獲得含C、H、N的溶膠；獲得含C、H、N的溶膠后將改性后的銦錫氧化合物基底仍然導(dǎo)電面向上浸入含C、H、N的溶膠中，室溫放置，每隔10min取出一次并用蒸餾水清洗，“取出-清洗”過程重復(fù)3次，隨后將表面生長有C、H、N化合物微米級薄片化合物的銦錫氧化物至于50℃左右的恒溫烘箱中熱處理3h。所得薄膜原始狀態(tài)下透光率為78.99％，較之實施例1中所得薄膜80％以上的透光率，其透光性能較差。

實施例23：

本實施例改變類芳香化合物單體、過硫酸系氧化劑、鈉鹽類表面活性劑、吸電子型摻雜劑的配比在銦錫氧化合物基體上生長C、H、N化合物微米級薄片化合物，具體施方式為，先依次采用1wt％氨水、蒸餾水、無水乙醇對銦錫氧化合物基體進行5min的超聲清洗，接著將其清洗過后的銦錫氧化合物基體導(dǎo)電面向上浸入KH560中浸泡10min，隨后將其取出依舊導(dǎo)電面向上浸入3wt％弱極性有機酸的乙醇之類溶劑的溶液中浸泡60min進行表面的醇解改性，在改性進行的同時把類芳香化合物單體、過硫酸系氧化劑、鈉鹽類表面活性劑、吸電子型摻雜劑按照摩爾比3.5︰3.0︰0.2︰0.5的比例混合，按照類芳香化合物單體(g)︰水(mL)＝1︰500的比例溶于蒸餾水中，在5℃下攪拌20min聚合獲得含C、H、N的溶膠；獲得含C、H、N的溶膠后將改性后的銦錫氧化合物基底仍然導(dǎo)電面向上浸入含C、H、N的溶膠中，室溫放置，每隔10min取出一次并用蒸餾水清洗，“取出-清洗”過程重復(fù)3次，隨后將表面生長有C、H、N化合物微米級薄片化合物的銦錫氧化物至于50℃左右的恒溫烘箱中熱處理3h。所得薄膜原始狀態(tài)下透光率為77.93％，較之實施例1中所得薄膜80％以上的透光率，其透光性能較差。

實施例24：

本實施例改變類芳香化合物單體、過硫酸系氧化劑、鈉鹽類表面活性劑、吸電子型摻雜劑的配比在銦錫氧化合物基體上生長C、H、N化合物微米級薄片化合物，具體施方式為，先依次采用1wt％氨水、蒸餾水、無水乙醇對銦錫氧化合物基體進行5min的超聲清洗，接著將其清洗過后的銦錫氧化合物基體導(dǎo)電面向上浸入KH560中浸泡10min，隨后將其取出依舊導(dǎo)電面向上浸入3wt％弱極性有機酸的乙醇之類溶劑的溶液中浸泡60min進行表面的醇解改性，在改性進行的同時把類芳香化合物單體、過硫酸系氧化劑、鈉鹽類表面活性劑、吸電子型摻雜劑按照摩爾比4.0︰1.0︰0.1︰0.1的比例混合，按照類芳香化合物單體(g)︰水(mL)＝1︰500的比例溶于蒸餾水中，在5℃下攪拌20min聚合獲得含C、H、N的溶膠；獲得含C、H、N的溶膠后將改性后的銦錫氧化合物基底仍然導(dǎo)電面向上浸入含C、H、N的溶膠中，室溫放置，每隔10min取出一次并用蒸餾水清洗，“取出-清洗”過程重復(fù)3次，隨后將表面生長有C、H、N化合物微米級薄片化合物的銦錫氧化物至于50℃左右的恒溫烘箱中熱處理3h。所得薄膜原始狀態(tài)下透光率為78.85％，較之實施例1中所得薄膜80％以上的透光率，其透光性能較差。

實施例25：

本實施例改變類芳香化合物單體、過硫酸系氧化劑、鈉鹽類表面活性劑、吸電子型摻雜劑的配比在銦錫氧化合物基體上生長C、H、N化合物微米級薄片化合物，具體施方式為，先依次采用1wt％氨水、蒸餾水、無水乙醇對銦錫氧化合物基體進行5min的超聲清洗，接著將其清洗過后的銦錫氧化合物基體導(dǎo)電面向上浸入KH560中浸泡10min，隨后將其取出依舊導(dǎo)電面向上浸入3wt％弱極性有機酸的乙醇之類溶劑的溶液中浸泡60min進行表面的醇解改性，在改性進行的同時把類芳香化合物單體、過硫酸系氧化劑、鈉鹽類表面活性劑、吸電子型摻雜劑按照摩爾比4.0︰1.0︰0.1︰0.5的比例混合，按照類芳香化合物單體(g)︰水(mL)＝1︰500的比例溶于蒸餾水中，在5℃下攪拌20min聚合獲得含C、H、N的溶膠；獲得含C、H、N的溶膠后將改性后的銦錫氧化合物基底仍然導(dǎo)電面向上浸入含C、H、N的溶膠中，室溫放置，每隔10min取出一次并用蒸餾水清洗，“取出-清洗”過程重復(fù)3次，隨后將表面生長有C、H、N化合物微米級薄片化合物的銦錫氧化物至于50℃左右的恒溫烘箱中熱處理3h。所得薄膜原始狀態(tài)下透光率為77.93％，較之實施例1中所得薄膜80％以上的透光率，其透光性能較差。

實施例26：

本實施例改變類芳香化合物單體、過硫酸系氧化劑、鈉鹽類表面活性劑、吸電子型摻雜劑的配比在銦錫氧化合物基體上生長C、H、N化合物微米級薄片化合物，具體施方式為，先依次采用1wt％氨水、蒸餾水、無水乙醇對銦錫氧化合物基體進行5min的超聲清洗，接著將其清洗過后的銦錫氧化合物基體導(dǎo)電面向上浸入KH560中浸泡10min，隨后將其取出依舊導(dǎo)電面向上浸入3wt％弱極性有機酸的乙醇之類溶劑的溶液中浸泡60min進行表面的醇解改性，在改性進行的同時把類芳香化合物單體、過硫酸系氧化劑、鈉鹽類表面活性劑、吸電子型摻雜劑按照摩爾比4.0︰1.0︰0.2︰0.1的比例混合，按照類芳香化合物單體(g)︰水(mL)＝1︰500的比例溶于蒸餾水中，在5℃下攪拌20min聚合獲得含C、H、N的溶膠；獲得含C、H、N的溶膠后將改性后的銦錫氧化合物基底仍然導(dǎo)電面向上浸入含C、H、N的溶膠中，室溫放置，每隔10min取出一次并用蒸餾水清洗，“取出-清洗”過程重復(fù)3次，隨后將表面生長有C、H、N化合物微米級薄片化合物的銦錫氧化物至于50℃左右的恒溫烘箱中熱處理3h。所得薄膜原始狀態(tài)下透光率為78.59％，較之實施例1中所得薄膜80％以上的透光率，其透光性能較差。

實施例27：

本實施例改變類芳香化合物單體、過硫酸系氧化劑、鈉鹽類表面活性劑、吸電子型摻雜劑的配比在銦錫氧化合物基體上生長C、H、N化合物微米級薄片化合物，具體施方式為，先依次采用1wt％氨水、蒸餾水、無水乙醇對銦錫氧化合物基體進行5min的超聲清洗，接著將其清洗過后的銦錫氧化合物基體導(dǎo)電面向上浸入KH560中浸泡10min，隨后將其取出依舊導(dǎo)電面向上浸入3wt％弱極性有機酸的乙醇之類溶劑的溶液中浸泡60min進行表面的醇解改性，在改性進行的同時把類芳香化合物單體、過硫酸系氧化劑、鈉鹽類表面活性劑、吸電子型摻雜劑按照摩爾比4.0︰1.0︰0.2︰0.5的比例混合，按照類芳香化合物單體(g)︰水(mL)＝1︰500的比例溶于蒸餾水中，在5℃下攪拌20min聚合獲得含C、H、N的溶膠；獲得含C、H、N的溶膠后將改性后的銦錫氧化合物基底仍然導(dǎo)電面向上浸入含C、H、N的溶膠中，室溫放置，每隔10min取出一次并用蒸餾水清洗，“取出-清洗”過程重復(fù)3次，隨后將表面生長有C、H、N化合物微米級薄片化合物的銦錫氧化物至于50℃左右的恒溫烘箱中熱處理3h。所得薄膜原始狀態(tài)下透光率為77.97％，較之實施例1中所得薄膜80％以上的透光率，其透光性能較差。

實施例28：

本實施例改變類芳香化合物單體、過硫酸系氧化劑、鈉鹽類表面活性劑、吸電子型摻雜劑的配比在銦錫氧化合物基體上生長C、H、N化合物微米級薄片化合物，具體施方式為，先依次采用1wt％氨水、蒸餾水、無水乙醇對銦錫氧化合物基體進行5min的超聲清洗，接著將其清洗過后的銦錫氧化合物基體導(dǎo)電面向上浸入KH560中浸泡10min，隨后將其取出依舊導(dǎo)電面向上浸入3wt％弱極性有機酸的乙醇之類溶劑的溶液中浸泡60min進行表面的醇解改性，在改性進行的同時把類芳香化合物單體、過硫酸系氧化劑、鈉鹽類表面活性劑、吸電子型摻雜劑按照摩爾比4.0︰3.0︰0.1︰0.1的比例混合，按照類芳香化合物單體(g)︰水(mL)＝1︰500的比例溶于蒸餾水中，在5℃下攪拌20min聚合獲得含C、H、N的溶膠；獲得含C、H、N的溶膠后將改性后的銦錫氧化合物基底仍然導(dǎo)電面向上浸入含C、H、N的溶膠中，室溫放置，每隔10min取出一次并用蒸餾水清洗，“取出-清洗”過程重復(fù)3次，隨后將表面生長有C、H、N化合物微米級薄片化合物的銦錫氧化物至于50℃左右的恒溫烘箱中熱處理3h。所得薄膜原始狀態(tài)下透光率為79.85％，較之實施例1中所得薄膜80％以上的透光率，其透光性能較差。

實施例29：

本實施例改變類芳香化合物單體、過硫酸系氧化劑、鈉鹽類表面活性劑、吸電子型摻雜劑的配比在銦錫氧化合物基體上生長C、H、N化合物微米級薄片化合物，具體施方式為，先依次采用1wt％氨水、蒸餾水、無水乙醇對銦錫氧化合物基體進行5min的超聲清洗，接著將其清洗過后的銦錫氧化合物基體導(dǎo)電面向上浸入KH560中浸泡10min，隨后將其取出依舊導(dǎo)電面向上浸入3wt％弱極性有機酸的乙醇之類溶劑的溶液中浸泡60min進行表面的醇解改性，在改性進行的同時把類芳香化合物單體、過硫酸系氧化劑、鈉鹽類表面活性劑、吸電子型摻雜劑按照摩爾比4.0︰3.0︰0.1︰0.5的比例混合，按照類芳香化合物單體(g)︰水(mL)＝1︰500的比例溶于蒸餾水中，在5℃下攪拌20min聚合獲得含C、H、N的溶膠；獲得含C、H、N的溶膠后將改性后的銦錫氧化合物基底仍然導(dǎo)電面向上浸入含C、H、N的溶膠中，室溫放置，每隔10min取出一次并用蒸餾水清洗，“取出-清洗”過程重復(fù)3次，隨后將表面生長有C、H、N化合物微米級薄片化合物的銦錫氧化物至于50℃左右的恒溫烘箱中熱處理3h。所得薄膜原始狀態(tài)下透光率為78.97％，較之實施例1中所得薄膜80％以上的透光率，其透光性能較差。

實施例30：

本實施例改變類芳香化合物單體、過硫酸系氧化劑、鈉鹽類表面活性劑、吸電子型摻雜劑的配比在銦錫氧化合物基體上生長C、H、N化合物微米級薄片化合物，具體施方式為，先依次采用1wt％氨水、蒸餾水、無水乙醇對銦錫氧化合物基體進行5min的超聲清洗，接著將其清洗過后的銦錫氧化合物基體導(dǎo)電面向上浸入KH560中浸泡10min，隨后將其取出依舊導(dǎo)電面向上浸入3wt％弱極性有機酸的乙醇之類溶劑的溶液中浸泡60min進行表面的醇解改性，在改性進行的同時把類芳香化合物單體、過硫酸系氧化劑、鈉鹽類表面活性劑、吸電子型摻雜劑按照摩爾比4.0︰3.0︰0.2︰0.1的比例混合，按照類芳香化合物單體(g)︰水(mL)＝1︰500的比例溶于蒸餾水中，在5℃下攪拌20min聚合獲得含C、H、N的溶膠；獲得含C、H、N的溶膠后將改性后的銦錫氧化合物基底仍然導(dǎo)電面向上浸入含C、H、N的溶膠中，室溫放置，每隔10min取出一次并用蒸餾水清洗，“取出-清洗”過程重復(fù)3次，隨后將表面生長有C、H、N化合物微米級薄片化合物的銦錫氧化物至于50℃左右的恒溫烘箱中熱處理3h。所得薄膜原始狀態(tài)下透光率為79.66％，較之實施例1中所得薄膜80％以上的透光率，其透光性能較差。

實施例31：

本實施例改變類芳香化合物單體、過硫酸系氧化劑、鈉鹽類表面活性劑、吸電子型摻雜劑的配比在銦錫氧化合物基體上生長C、H、N化合物微米級薄片化合物，具體施方式為，先依次采用1wt％氨水、蒸餾水、無水乙醇對銦錫氧化合物基體進行5min的超聲清洗，接著將其清洗過后的銦錫氧化合物基體導(dǎo)電面向上浸入KH560中浸泡10min，隨后將其取出依舊導(dǎo)電面向上浸入3wt％弱極性有機酸的乙醇之類溶劑的溶液中浸泡60min進行表面的醇解改性，在改性進行的同時把類芳香化合物單體、過硫酸系氧化劑、鈉鹽類表面活性劑、吸電子型摻雜劑按照摩爾比4.0︰3.0︰0.2︰0.5的比例混合，按照類芳香化合物單體(g)︰水(mL)＝1︰500的比例溶于蒸餾水中，在5℃下攪拌20min聚合獲得含C、H、N的溶膠；獲得含C、H、N的溶膠后將改性后的銦錫氧化合物基底仍然導(dǎo)電面向上浸入含C、H、N的溶膠中，室溫放置，每隔10min取出一次并用蒸餾水清洗，“取出-清洗”過程重復(fù)3次，隨后將表面生長有C、H、N化合物微米級薄片化合物的銦錫氧化物至于50℃左右的恒溫烘箱中熱處理3h。所得薄膜原始狀態(tài)下透光率為78.99％，較之實施例1中所得薄膜80％以上的透光率，其透光性能較差。

實施例32：

本實施例改變偶聯(lián)劑種類在銦錫氧化合物基體上生長C、H、N化合物微米級薄片化合物，具體施方式為，先依次采用1wt％氨水、蒸餾水、無水乙醇對銦錫氧化合物基體進行5min的超聲清洗，接著將其清洗過后的銦錫氧化合物基體導(dǎo)電面向上浸入KH550中浸泡10min，隨后將其取出依舊導(dǎo)電面向上浸入3wt％弱極性有機酸的乙醇之類溶劑的溶液中浸泡60min進行表面的醇解改性，在改性進行的同時把類芳香化合物單體、過硫酸系氧化劑、鈉鹽類表面活性劑、吸電子型摻雜劑按照摩爾比3.75︰1.25︰0.15︰0.3的比例混合，按照類芳香化合物單體(g)︰水(mL)＝1︰500的比例溶于蒸餾水中，在5℃下攪拌20min聚合獲得含C、H、N的溶膠；獲得含C、H、N的溶膠后將改性后的銦錫氧化合物基底仍然導(dǎo)電面向上浸入含C、H、N的溶膠中，室溫放置，每隔10min取出一次并用蒸餾水清洗，“取出-清洗”過程重復(fù)3次，隨后將表面生長有C、H、N化合物微米級薄片化合物的銦錫氧化物至于50℃左右的恒溫烘箱中熱處理3h。所得缺電子共軛高分子薄膜原始狀態(tài)霧度為4.32％，與實施例1中低于3.00％的原始霧度值相比，其數(shù)值過高，易對人眼造成視覺不適。

實施例33：

本實施例改變偶聯(lián)劑種類在銦錫氧化合物基體上生長C、H、N化合物微米級薄片化合物，具體施方式為，先依次采用1wt％氨水、蒸餾水、無水乙醇對銦錫氧化合物基體進行5min的超聲清洗，接著將其清洗過后的銦錫氧化合物基體導(dǎo)電面向上浸入KH570中浸泡10min，隨后將其取出依舊導(dǎo)電面向上浸入3wt％弱極性有機酸的乙醇之類溶劑的溶液中浸泡60min進行表面的醇解改性，在改性進行的同時把類芳香化合物單體、過硫酸系氧化劑、鈉鹽類表面活性劑、吸電子型摻雜劑按照摩爾比3.75︰1.25︰0.15︰0.3的比例混合，按照類芳香化合物單體(g)︰水(mL)＝1︰500的比例溶于蒸餾水中，在5℃下攪拌20min聚合獲得含C、H、N的溶膠；獲得含C、H、N的溶膠后將改性后的銦錫氧化合物基底仍然導(dǎo)電面向上浸入含C、H、N的溶膠中，室溫放置，每隔10min取出一次并用蒸餾水清洗，“取出-清洗”過程重復(fù)3次，隨后將表面生長有C、H、N化合物微米級薄片化合物的銦錫氧化物至于50℃左右的恒溫烘箱中熱處理3h。所得缺電子共軛高分子薄膜原始狀態(tài)霧度為3.32％，與實施例1中低于3.00％的原始霧度值相比，其數(shù)值過高，易對人眼造成視覺不適。