本申請(qǐng)要求2015年8月31日在韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的韓國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)No.10-2015-0122983的優(yōu)先權(quán)和權(quán)益，將其全部?jī)?nèi)容通過(guò)參考引入本文中。

技術(shù)領(lǐng)域

實(shí)例實(shí)施方式涉及組合物、以及包括所述組合物的固化材料的電子器件、薄膜晶體管和電容器。

背景技術(shù)：

平板顯示器(例如，液晶顯示器(LCD)、有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器、和/或電泳顯示器)包括產(chǎn)生電場(chǎng)的電極對(duì)和介于其間的電光學(xué)活性層。液晶顯示器(LCD)包括液晶層作為電光學(xué)活性層，且有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器包括有機(jī)發(fā)射層作為電光學(xué)活性層。

所述產(chǎn)生電場(chǎng)的電極對(duì)之一通常連接到切換器件并且接收電信號(hào)，并且電光學(xué)活性層將所述電信號(hào)轉(zhuǎn)變成光學(xué)信號(hào)且因此顯示圖像。

平板顯示器包括薄膜晶體管面板，其具有薄膜晶體管(TFT)(其是作為切換器件的三端子元件)、傳輸用于控制薄膜晶體管的掃描信號(hào)的柵極線(xiàn)、和傳輸施加至像素電極的信號(hào)的數(shù)據(jù)線(xiàn)。

薄膜晶體管可具有例如如下特性：遷移率、泄漏電流、和I_開(kāi)/I_關(guān)比、和/或柵絕緣體的性能，其由多種因素決定，在所述多種因素之中，接觸半導(dǎo)體的柵絕緣體的性能是重要的。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

實(shí)例實(shí)施方式提供組合物，其能夠作為具有高的透明性、高的耐熱性、和因此的高的可靠性的柵絕緣體應(yīng)用，以及能夠通過(guò)熱和光交聯(lián)而為可圖案化的。

實(shí)例實(shí)施方式提供包括所述組合物的固化材料的電子器件。

實(shí)例實(shí)施方式提供包括所述組合物的固化材料的薄膜晶體管。

根據(jù)一個(gè)實(shí)例實(shí)施方式，組合物可包括熱交聯(lián)劑與由化學(xué)式1表示的化合物的水解和縮聚產(chǎn)物之間的縮合反應(yīng)的產(chǎn)物：

化學(xué)式1

在化學(xué)式1中，

R¹、R²、和R³獨(dú)立地為氫、C1-C20烷氧基、羥基、鹵素、羧基、取代或未取代的C1-C20烷基、取代或未取代的C3-C20環(huán)烷基、取代或未取代的C6-C20芳基、取代或未取代的C7-C20芳烷基、取代或未取代的C1-C20雜烷基、取代或未取代的C2-C20雜環(huán)烷基、取代或未取代的C2-C20炔基、或其組合，條件是R¹、R²、和R³的至少一個(gè)為C1-C20烷氧基、羥基、鹵素、或羧基，

R⁴-R⁶獨(dú)立地為氫、或C1-C20烷基，

L¹為碳原子，

L²和L⁴獨(dú)立地為取代或未取代的C1-C20亞烷基、取代或未取代的C6-C20亞芳基、取代或未取代的C3-C20亞環(huán)烷基、取代或未取代的C2-C20亞烯基、取代或未取代的C2-C20亞炔基、-R-O-R'-、-R-N-R'-、-R-(C＝O)-R'-(其中，R和R'獨(dú)立地為二價(jià)C1-C10烴基團(tuán))、或其組合，和

L³為-O-(C＝O)-NR"-、-(C＝O)-NR"-(其中，R"為氫、或二價(jià)C1-C6烴基團(tuán))、-O-、-COO-、或-S-。

在化學(xué)式1中，R¹、R²、和R³可獨(dú)立地為C1-C6烷氧基。

在化學(xué)式1中，L²和L⁴可獨(dú)立地為C1-C20亞烷基。

在化學(xué)式1中，L³可為-(C＝O)-NR"-(其中，R"為氫、或二價(jià)C1-C6烴基團(tuán))。

在化學(xué)式1中，R⁴-R⁶可為氫或甲基。

所述熱交聯(lián)劑為至少一種選自如下的金屬的乙酸鹽化合物：鋁(Al)、鋯(Zr)、鈦(Ti)、鎂(Mg)、鉿(Hf)、和錫(Sn)。

所述熱交聯(lián)劑為選自如下的至少一種：乙酰乙酸鋁、乙酰乙酸鋯、乙酰乙酸鈦、乙酰乙酸鎂、乙酰乙酸鉿、和乙酰乙酸錫。

可以基于100重量份的所述由化學(xué)式1表示的化合物的水解和縮聚產(chǎn)物的小于或等于約40重量份的量包括所述熱交聯(lián)劑以與所述由化學(xué)式1表示的化合物的水解和縮聚產(chǎn)物進(jìn)行縮合反應(yīng)。

可以基于100重量份的所述由化學(xué)式1表示的化合物的水解和縮聚產(chǎn)物的約0.01-約30重量份的量包括所述熱交聯(lián)劑以與所述由化學(xué)式1表示的化合物的水解和縮聚產(chǎn)物進(jìn)行縮合反應(yīng)。

所述組合物可進(jìn)一步包括通過(guò)化學(xué)鍵合連接到所述由化學(xué)式1表示的化合物的水解和縮聚產(chǎn)物的納米顆粒。

所述納米顆?？蔀榘ㄟx自如下的至少一種的溶膠狀態(tài)納米顆粒：二氧化硅、二氧化鈦、鈦酸鋇、氧化鋯、硫酸鋇、氧化鋁、氧化鉿、及其組合。

所述納米顆粒和所述由化學(xué)式1表示的化合物的水解和縮聚產(chǎn)物可通過(guò)化學(xué)鍵合形成三維網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)。

所述納米顆粒和所述由化學(xué)式1表示的化合物的水解和縮聚產(chǎn)物可形成核-殼結(jié)構(gòu)。

可以基于100重量份的所述由化學(xué)式1表示的化合物的水解和縮聚產(chǎn)物的小于或等于約40重量份的量包括所述納米顆粒。所述組合物可進(jìn)一步包括選自光引發(fā)劑、光致產(chǎn)酸劑、和分散劑的至少一種。

根據(jù)另一實(shí)例實(shí)施方式，電子器件可包括所述根據(jù)一個(gè)實(shí)例實(shí)施方式的組合物的固化材料。

所述電子器件可為選自如下的至少一種：固體發(fā)光器件、顯示器件、及其組合。

所述固體發(fā)光器件可包括選自如下的至少一種：半導(dǎo)體發(fā)光二極管、有機(jī)發(fā)光二極管、和聚合物發(fā)光二極管。

所述顯示器件可包括選自如下的至少一種：電子紙、液晶顯示器、有機(jī)發(fā)光二極管顯示器、和量子點(diǎn)顯示器。

根據(jù)還一實(shí)例實(shí)施方式，薄膜晶體管可包括柵電極、與所述柵電極重疊(覆蓋所述柵電極)的半導(dǎo)體、在所述柵電極和所述半導(dǎo)體之間的絕緣體、以及電連接到所述半導(dǎo)體的源電極和漏電極，其中所述絕緣體可包括根據(jù)以上實(shí)例實(shí)施方式的組合物的固化材料。

所述半導(dǎo)體可為有機(jī)半導(dǎo)體。

根據(jù)還一實(shí)例實(shí)施方式，電容器可包括：第一電極、在所述第一電極上的第二電極、以及在所述第一電極和所述第二電極之間的絕緣層。所述絕緣層可包括根據(jù)實(shí)例實(shí)施方式的組合物的固化材料。

附圖說(shuō)明

圖1為顯示根據(jù)實(shí)例實(shí)施方式的納米顆粒-聚有機(jī)硅氧烷復(fù)合物的示意圖，

圖2將圖1中的區(qū)域“A”放大的示意圖，

圖3A為顯示根據(jù)一個(gè)示例性實(shí)施方式的薄膜晶體管面板的橫截面圖，

圖3B和3C為根據(jù)實(shí)例實(shí)施方式的薄膜晶體管和雙柵晶體管的橫截面圖，

圖3D為根據(jù)實(shí)例實(shí)施方式的電子器件的橫截面圖，

圖3E為根據(jù)實(shí)例實(shí)施方式的電容器的橫截面圖，

圖4為顯示根據(jù)制備實(shí)施例1的薄膜晶體管的絕緣強(qiáng)度的圖，

圖5為顯示根據(jù)制備實(shí)施例2的薄膜晶體管的絕緣強(qiáng)度的圖，

圖6為顯示根據(jù)制備實(shí)施例3的薄膜晶體管的絕緣強(qiáng)度的圖，

圖7為顯示根據(jù)制備實(shí)施例1的薄膜晶體管的電荷遷移率的圖，

圖8為顯示根據(jù)制備實(shí)施例2的薄膜晶體管的電荷遷移率的圖，和

圖9為顯示根據(jù)制備實(shí)施例3的薄膜晶體管的電荷遷移率的圖。

具體實(shí)施方式

將在下文中參照其中示出實(shí)例實(shí)施方式的附圖更充分地描述本公開(kāi)內(nèi)容。然而，本公開(kāi)內(nèi)容可以許多不同的形式體現(xiàn)并且不被解釋為限于本文中闡述的實(shí)例實(shí)施方式。

在附圖中，為了清楚起見(jiàn)，放大層、膜、面板、區(qū)域等的厚度。在整個(gè)說(shuō)明書(shū)中，相同的附圖標(biāo)記表示相同的元件。將理解，當(dāng)一個(gè)元件例如層、膜、區(qū)域、或基底被稱(chēng)為“在”另外的元件“上”時(shí)，其可直接在所述另外的元件上或者還可存在中間元件。相反，當(dāng)一個(gè)元件被稱(chēng)為“直接在”另外的元件“上”時(shí)，則不存在中間元件。

應(yīng)理解，盡管術(shù)語(yǔ)第一、第二、第三等可在本文中用于描述各種元件、組分、區(qū)域、層和/或部分，但這些元件、組分、區(qū)域、層、和/或部分不應(yīng)受這些術(shù)語(yǔ)限制。這些術(shù)語(yǔ)僅用于將一個(gè)元件、組分、區(qū)域、層或部分區(qū)別于另外的元件、組分、區(qū)域、層或部分。因此，在不背離實(shí)例實(shí)施方式的教導(dǎo)的情況下，下面討論的第一元件、組分、區(qū)域、層或部分可稱(chēng)為第二元件、組分、區(qū)域、層或部分。

為了便于描述，在本文中可使用空間相對(duì)術(shù)語(yǔ)(例如，“在……之下”、“在……下面”、“下部”、“在……上方”、“上部”等)來(lái)描述如圖中所示的一個(gè)元件或特征與另外的元件或特征的關(guān)系。應(yīng)理解，除圖中所描繪的方位之外，空間相對(duì)術(shù)語(yǔ)還意圖包括在使用或操作中的器件的不同方位。例如，如果將圖中的器件翻轉(zhuǎn)，被描述為“在”另外的元件或特征“下面”或“之下”的元件則將被定向在所述另外的元件或特征“上方”。因此，術(shù)語(yǔ)“在……下面”可包括在……上方和在……下面兩種方位。器件可以其它方式定向(旋轉(zhuǎn)90度或在其它方位上)，并且本文中所使用的空間相對(duì)描述詞相應(yīng)地進(jìn)行解釋。

本文中使用的術(shù)語(yǔ)僅為了描述各種實(shí)施方式的目的且不意圖限制實(shí)例實(shí)施方式。如本文中使用的，單數(shù)形式“一個(gè)(種)(a，an)”和“所述(該)(the)”也意圖包括復(fù)數(shù)形式，除非上下文清楚地另外指明。將進(jìn)一步理解，術(shù)語(yǔ)“包括”、“包含”、“含有”和/或“含”當(dāng)用在本說(shuō)明書(shū)中時(shí)，表明存在所陳述的特征、整體、步驟、操作、元件、和/或組分，但不排除存在或增加一種或多種另外的特征、整體、步驟、操作、元件、組分、和/或其集合。

在本文中參照作為實(shí)例實(shí)施方式的理想化實(shí)施方式(和中間結(jié)構(gòu))的示意圖的橫截面圖描述實(shí)例實(shí)施方式。照這樣，將預(yù)計(jì)到作為例如制造技術(shù)和/或公差的結(jié)果的與圖的形狀的偏差。因此，實(shí)例實(shí)施方式不應(yīng)被解釋為限于如本文中所圖示的區(qū)域的形狀，而是將包括由例如制造所導(dǎo)致的形狀方面的偏差。

除非另外定義，在本文中所使用的所有術(shù)語(yǔ)(包括技術(shù)和科學(xué)術(shù)語(yǔ))的含義與實(shí)例實(shí)施方式所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員通常理解的相同。將進(jìn)一步理解，術(shù)語(yǔ)，包括在常用字典中定義的那些，應(yīng)被解釋為其含義與它們?cè)谙嚓P(guān)領(lǐng)域的背景中的含義一致，并且將不以理想化或過(guò)度形式的意義進(jìn)行解釋?zhuān)窃诒疚闹星宄厝绱硕x。

在下文中，描述根據(jù)實(shí)例實(shí)施方式的絕緣組合物。

根據(jù)示例性實(shí)施方式的絕緣組合物包括熱交聯(lián)劑與由化學(xué)式1表示的化合物的水解和縮聚產(chǎn)物之間的縮合反應(yīng)的產(chǎn)物：

化學(xué)式1

在化學(xué)式1中，

R¹、R²、和R³獨(dú)立地為氫、C1-C20烷氧基、羥基、鹵素、羧基、取代或未取代的C1-C20烷基、取代或未取代的C3-C20環(huán)烷基、取代或未取代的C6-C20芳基、取代或未取代的C7-C20芳烷基、取代或未取代的C1-C20雜烷基、取代或未取代的C2-C20雜環(huán)烷基、取代或未取代的C2-C20炔基、或其組合，條件是R¹、R²、和R³的至少一個(gè)為C1-C20烷氧基、羥基、鹵素、或羧基，

R⁴-R⁶獨(dú)立地為氫、或C1-C20烷基，

L¹為碳原子，

L²和L⁴獨(dú)立地為取代或未取代的C1-C20亞烷基、取代或未取代的C6-C20亞芳基、取代或未取代的C3-C20亞環(huán)烷基、取代或未取代的C2-C20亞烯基、取代或未取代的C2-C20亞炔基、-R-O-R'-、-R-N-R'-、-R-(C＝O)-R'-(其中，R和R'獨(dú)立地為二價(jià)C1-C10烴基團(tuán))、或其組合、和

L³為-O-(C＝O)-NR"-、-(C＝O)-NR"-(其中，R"為氫、或二價(jià)C1-C6烴基團(tuán))、-O-、-COO-、或-S-。

由化學(xué)式1表示的化合物包括在一個(gè)末端處的硅烷官能團(tuán)和在另外的末端處的丙烯酸類(lèi)基團(tuán)。因此，由化學(xué)式1表示的化合物可通過(guò)水解和縮合/聚合經(jīng)由所述硅烷官能團(tuán)之間的化學(xué)鍵合形成具有鏈結(jié)構(gòu)和/或網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)的聚有機(jī)硅氧烷。此外，由化學(xué)式1表示的化合物可通過(guò)丙烯酸類(lèi)基團(tuán)光交聯(lián)，且因此可在所述化合物之間進(jìn)行更密集(致密)的光交聯(lián)，因?yàn)槿齻€(gè)丙烯酸類(lèi)基團(tuán)連接到每個(gè)硅氧烷單元。以這種方式，由化學(xué)式1表示的化合物可通過(guò)在所述化合物之間的水解、和縮合/聚合反應(yīng)以及光交聯(lián)形成具有密集的網(wǎng)結(jié)構(gòu)的聚有機(jī)硅氧烷。

此外，由化學(xué)式1表示的化合物包括在所述硅烷官能團(tuán)和所述丙烯酸類(lèi)基團(tuán)之間的由L²、L³、和L⁴表示的連接基團(tuán)，因此可保持包括由化學(xué)式1表示的化合物的組合物的穩(wěn)定性。在沒(méi)有所述連接基團(tuán)的情況下，可無(wú)法保證包括所述硅烷官能團(tuán)和所述丙烯酸類(lèi)基團(tuán)兩者的化合物的存儲(chǔ)穩(wěn)定性，這歸因于在所述化合物之間的高的反應(yīng)性。

在化學(xué)式1中，L¹可為碳原子。

在化學(xué)式1中，R¹、R²、和R³的至少一個(gè)可為C1-C6烷氧基。例如，R¹、R²、和R³全部可獨(dú)立地為C1-C6烷氧基。

所述C1-C6烷氧基可為甲氧基或乙氧基，且不限于此。

如果R¹、R²、和R³全部獨(dú)立地為C1-C20烷氧基、羥基、鹵素、或羧基之一，則通過(guò)由化學(xué)式1表示的化合物之間的水解和縮合/聚合反應(yīng)獲得的聚有機(jī)硅氧烷可包括由化學(xué)式2表示的結(jié)構(gòu)單元：

化學(xué)式2

在化學(xué)式2中，R⁴-R⁶、和L¹-L⁴如在化學(xué)式1中所定義的。

由化學(xué)式2表示的聚有機(jī)硅氧烷可固化成密集的聚有機(jī)硅氧烷，因?yàn)樵谀┒颂幍谋┧犷?lèi)基團(tuán)通過(guò)光固化反應(yīng)而交聯(lián)。特別地，由于連接到每個(gè)硅氧烷單元的三個(gè)丙烯酸類(lèi)基團(tuán)，可進(jìn)行密集得多的光交聯(lián)。

在一個(gè)示例性實(shí)施方式中，化學(xué)式1中的R¹、R²、和R³可獨(dú)立地為C1-C6烷氧基例如甲氧基或乙氧基，且不限于此。

在化學(xué)式1和2中，L²和L⁴可獨(dú)立地為C1-C20亞烷基，且不限于此。

在化學(xué)式1和2中，L³可為-O-(C＝O)-NR"-，其中R"為氫或二價(jià)C1-C6烴基團(tuán)，且不限于此。

在化學(xué)式1和2中，R⁴-R⁶可為氫或甲基，和在一種示例性實(shí)施方式中，R⁴-R⁶全部可為氫，且不限于此。

所述熱交聯(lián)劑可與作為由化學(xué)式1表示的化合物的水解和縮聚產(chǎn)物的聚有機(jī)硅氧烷的未反應(yīng)的硅烷醇基團(tuán)進(jìn)行縮合反應(yīng)。以這種方式，形成更密集的三維網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)，因?yàn)榈米运鰺峤宦?lián)劑的金屬顆粒進(jìn)一步交聯(lián)到所述聚有機(jī)硅氧烷，且可通過(guò)減少其中的未反應(yīng)的硅烷醇基團(tuán)而獲得更穩(wěn)定的產(chǎn)物。

所述熱交聯(lián)劑可為選自鋁(Al)、鋯(Zr)、鈦(Ti)、鎂(Mg)、鉿(Hf)、和錫(Sn)的金屬的至少一種乙酸鹽化合物。例如，所述熱交聯(lián)劑可為選自如下的至少一種：乙酰乙酸鋁、乙酰乙酸鋯、乙酰乙酸鈦、乙酰乙酸鎂、乙酰乙酸鉿、和乙酰乙酸錫，且不限于此。

熱交聯(lián)劑(例如，乙酰乙酸Al、乙酰乙酸Zn、乙酰乙酸Sn等)與由化學(xué)式1表示的化合物的水解和縮聚產(chǎn)物的縮合反應(yīng)的產(chǎn)物可包括以下如由化學(xué)式3表示的結(jié)構(gòu)單元：

化學(xué)式3

在化學(xué)式3中，M表示得自所述熱交聯(lián)劑的金屬(例如，Al、Zn、Sn等)。例如，M可為得自乙酰乙酸鋁(Al)化合物的Al。在化學(xué)式3中，R⁴-R⁶、R’、和L₁-L₄如化學(xué)式1中所定義。

可以基于100重量份的所述由化學(xué)式1表示的化合物的水解和縮聚產(chǎn)物的小于或等于約40重量份的量包括所述熱交聯(lián)劑，且所述熱交聯(lián)劑可與所述由化學(xué)式1表示的化合物的水解和縮聚產(chǎn)物進(jìn)行縮合反應(yīng)。例如，基于100重量份的所述由化學(xué)式1表示的化合物的水解和縮聚產(chǎn)物，可以約0.01-約30重量份的量、例如以約0.03-約25重量份的量包括所述熱交聯(lián)劑，使得其可與所述由化學(xué)式1表示的化合物的水解和縮聚產(chǎn)物進(jìn)行縮合反應(yīng)。

所述組合物可進(jìn)一步包括通過(guò)化學(xué)鍵合連接到所述由化學(xué)式1表示的化合物的水解和縮聚產(chǎn)物的納米顆粒。

所述納米顆粒沒(méi)有特別限制，只要其具有幾納米至數(shù)十納米的平均粒徑，且例如可為金屬氧化物和/或準(zhǔn)金屬氧化物。所述金屬氧化物和/或準(zhǔn)金屬氧化物可為例如二氧化硅、二氧化鈦、鈦酸鋇、氧化鋯、硫酸鋇、氧化鋁、氧化鉿、或其組合，且不限于此。

所述納米顆?？衫缣幱谌苣z狀態(tài)(稱(chēng)為“納米溶膠”)。

所述納米溶膠可具有在所述納米顆粒的表面上的反應(yīng)位點(diǎn)，其例如為選自如下的至少一種：羥基、烷氧基、鹵素、羧基、及其組合，在所述反應(yīng)位點(diǎn)處，縮合/聚合反應(yīng)可發(fā)生。

因此，所述納米顆粒與所述由化學(xué)式1表示的化合物的水解和縮聚產(chǎn)物之間的化學(xué)鍵合還可經(jīng)由例如在通過(guò)由化學(xué)式1表示的化合物的水解和縮合反應(yīng)制備具有鏈結(jié)構(gòu)和/或網(wǎng)結(jié)構(gòu)的聚有機(jī)硅氧烷的過(guò)程期間在所述納米溶膠的反應(yīng)位點(diǎn)處的縮合/聚合反應(yīng)形成。以這種方式，所述納米顆粒和所述由化學(xué)式1表示的化合物的水解和縮聚產(chǎn)物可通過(guò)化學(xué)鍵合形成具有三維網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)的納米顆粒-聚有機(jī)硅氧烷復(fù)合物。

所述納米顆粒-聚有機(jī)硅氧烷復(fù)合物可具有比所述納米顆粒大的平均粒徑，且例如可具有約2nm-約200nm的平均粒徑。

圖1為顯示根據(jù)實(shí)例實(shí)施方式的納米顆粒-聚有機(jī)硅氧烷復(fù)合物的示意圖。圖2將圖1中的區(qū)域“A”放大。

參照?qǐng)D1，根據(jù)實(shí)例實(shí)施方式的納米顆粒-聚有機(jī)硅氧烷復(fù)合物10包括多個(gè)納米顆粒11以及與各納米顆粒11化學(xué)鍵合且無(wú)規(guī)地設(shè)置在其中的聚有機(jī)硅氧烷12。納米顆粒11可具有例如球形形狀，和聚有機(jī)硅氧烷12可包括鏈結(jié)構(gòu)和/或網(wǎng)結(jié)構(gòu)。納米顆粒11和聚有機(jī)硅氧烷12通過(guò)化學(xué)鍵形成三維網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)。

參照?qǐng)D2，各納米顆粒11具有多個(gè)鍵合位點(diǎn)且與聚有機(jī)硅氧烷12化學(xué)鍵合。例如，各納米顆粒-聚有機(jī)硅氧烷復(fù)合物10可具有其中聚有機(jī)硅氧烷12包圍納米顆粒11的核-殼結(jié)構(gòu)，但不限于此。在圖2中，除硅烷官能團(tuán)之外的聚有機(jī)硅氧烷縮寫(xiě)為“R”。

基于100重量份的所述由化學(xué)式1表示的化合物的水解和縮聚產(chǎn)物，可以小于或等于約40重量份、例如約1重量份-約30重量份、例如約2重量份-約20重量份、例如約2重量份-約10重量份的量包括所述納米顆粒。

所述組合物可進(jìn)一步包括選自如下的至少一種：光引發(fā)劑、光致產(chǎn)酸劑、和分散劑。

通過(guò)包括光引發(fā)劑和/或光致產(chǎn)酸劑，當(dāng)將所述組合物涂覆在基底上并使其經(jīng)歷光固化時(shí)，促進(jìn)在所述聚有機(jī)硅氧烷的末端處的丙烯酸類(lèi)基團(tuán)之間的光交聯(lián)。

所述光引發(fā)劑和光致產(chǎn)酸劑沒(méi)有特別限制。所述光引發(fā)劑可包括如下之一：(由BASF制造)127(雙官能的α-羥基酮光引發(fā)劑，對(duì)UV光激發(fā)是敏感的)、184(1-羥基-環(huán)己基-苯基-酮)、754(氧基-苯基-乙酸2-[2氧代-2苯基-乙酰氧基-乙氧基]-乙酯液體MP和氧基-苯基-乙酸2-[2-羥基-乙氧基]-乙酯)、784(雙(η5-2,4-環(huán)戊二烯-1-基)雙[2,6-二氟-3-(1H-吡咯-1-基)苯基]鈦，由BASF銷(xiāo)售)、819(苯基雙(2,4,6-三甲基苯甲?；?氧化膦，由BASF銷(xiāo)售)、OXE01(1-[4-(苯硫基)苯基]-1,2-辛二酮-2-(O-苯甲酰肟)，由BASF銷(xiāo)售)、OXE 02(1-[9-乙基-6-(2-甲基苯甲?；?-9H-咔唑-3-基]-乙酮-1-(O-乙酰基肟))等。所述光致產(chǎn)酸劑可包括如下之一：(由BASF制造)CGI 725和CGI 1907等。然而，實(shí)例實(shí)施方式不限于此。

所述組合物可進(jìn)一步包括溶劑。通過(guò)進(jìn)一步包括溶劑，可適當(dāng)?shù)卣{(diào)節(jié)所述組合物的粘度。在實(shí)例實(shí)施方式中，分散體可包括分散在溶劑中的所述組合物。所述分散體可包括至少一種與根據(jù)實(shí)例實(shí)施方式的聚有機(jī)硅氧烷12結(jié)合并且分散在溶劑中的納米顆粒。所述分散體可包括分散在溶劑中的圖1中的根據(jù)實(shí)例實(shí)施方式的納米顆粒-聚有機(jī)硅氧烷復(fù)合物10。

所述溶劑沒(méi)有特別限制，且可為例如脂族烴溶劑(例如，己烷)；芳族烴溶劑(例如，茴香醚、1,3,5-三甲基苯、和/或二甲苯)；基于酮的溶劑(例如，甲基異丁基酮、1-甲基-2-吡咯烷酮、環(huán)己酮、和/或丙酮)；基于醚的溶劑(例如，四氫呋喃、和/或二異丙基醚)；基于乙酸酯的溶劑(例如，乙酸乙酯、乙酸丁酯、和/或丙二醇甲基醚乙酸酯)；基于醇的溶劑(例如，異丙醇和/或丁醇)；基于酰胺的溶劑(例如，二甲基乙酰胺和/或二甲基甲酰胺)；基于有機(jī)硅的溶劑；或其組合。

將所述組合物涂覆在基底或下部層上并且使其經(jīng)歷光固化以變成固化材料。在光固化的幫助下，所述聚有機(jī)硅氧烷的所述丙烯酸類(lèi)基團(tuán)可光固化，由此所述聚有機(jī)硅氧烷可具有更密集的膜性質(zhì)。

以這種方式，根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式的組合物當(dāng)應(yīng)用于絕緣體時(shí)可具有優(yōu)良的絕緣體性質(zhì)例如高的絕緣強(qiáng)度、高的介電常數(shù)、高的耐熱性、高的耐化學(xué)性、長(zhǎng)期穩(wěn)定性等，因?yàn)橛苫瘜W(xué)式1表示的化合物形成具有密集的網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)的聚有機(jī)硅氧烷。因此，當(dāng)使用所述絕緣體作為用于薄膜晶體管的柵絕緣體時(shí)，由于優(yōu)良的膜性質(zhì)和相對(duì)高的絕緣強(qiáng)度，可減少泄漏電流且可改善薄膜晶體管的性質(zhì)。

此外，由于所述絕緣體是有機(jī)/無(wú)機(jī)復(fù)合物絕緣體，因此不同于無(wú)機(jī)絕緣體，其可簡(jiǎn)單地以溶液工藝形成。

所述絕緣體可用在需要電子器件的絕緣特性的領(lǐng)域中，例如，作為柵絕緣體、介電材料、和/或填料。

此外，所述組合物可被光固化，且通過(guò)如下形成圖案是可能的：將所述組合物涂覆在基底上，將其干燥，將具有預(yù)定圖案的掩模放置在其上，和對(duì)其進(jìn)行照射。以這種方式，經(jīng)照射的部分被固化以形成固化材料，而未被照射的部分通過(guò)顯影劑洗掉，以形成預(yù)定的圖案。在此情況下，由所述組合物制備的固化材料可具有例如小于或等于約100μm、例如小于或等于約50μm、例如小于或等于約30μm、例如小于或等于約20μm、例如小于或等于約10μm、例如小于或等于約7μm的高的分辨率。因此，所述固化材料可有效地用作平坦化膜、保護(hù)膜、阻擋膜等，且不限于此。

因此，根據(jù)另一示例性實(shí)施方式的電子器件包括通過(guò)使根據(jù)以上示例性實(shí)施方式的組合物固化而獲得的固化材料。

所述電子器件可為選自如下的至少一種：固體發(fā)光器件、顯示器件、及其組合。

所述固體發(fā)光器件可包括選自如下的至少一種：半導(dǎo)體發(fā)光二極管、有機(jī)發(fā)光二極管、和聚合物發(fā)光二極管，且不限于此。

所述顯示器件可包括選自如下的至少一種：電子紙、液晶顯示器、有機(jī)發(fā)光二極管顯示器、和量子點(diǎn)顯示器，且不限于此。

在下文中，描述多種包括根據(jù)實(shí)施方式的絕緣體的薄膜晶體管。圖3A為顯示根據(jù)實(shí)例實(shí)施方式的薄膜晶體管的橫截面圖。圖3B和3C為根據(jù)實(shí)例實(shí)施方式的薄膜晶體管和雙柵晶體管的橫截面圖。圖3D為根據(jù)實(shí)例實(shí)施方式的電子器件的橫截面圖。圖3E為根據(jù)實(shí)例實(shí)施方式的電容器的橫截面圖。

參照?qǐng)D3A，根據(jù)實(shí)例實(shí)施方式的薄膜晶體管包括設(shè)置于基底110上的柵電極124、與柵電極124重疊的半導(dǎo)體154、介于柵電極124和半導(dǎo)體154之間的柵絕緣體140、以及電連接至半導(dǎo)體154的源電極173和漏電極175。

基底110可由例如透明的玻璃、硅、或聚合物制成。柵電極124連接至傳輸數(shù)據(jù)信號(hào)的柵極線(xiàn)(未示出)，且可由例如金(Au)、銅(Cu)、鎳(Ni)、鋁(Al)、鉬(Mo)、鉻(Cr)、鉭(Ta)、鈦(Ti)、其合金、及其組合制成，但不限于此。

半導(dǎo)體154可為有機(jī)半導(dǎo)體或無(wú)機(jī)半導(dǎo)體，且例如有機(jī)半導(dǎo)體。所述有機(jī)半導(dǎo)體可為例如選自如下的至少一種：并五苯及其衍生物、四苯并卟啉及其衍生物、聚亞苯基亞乙烯基及其衍生物、聚芴及其衍生物、聚亞噻吩基亞乙烯基及其衍生物、聚噻吩及其衍生物、聚噻吩并噻吩及其衍生物、多(聚)芳基胺及其衍生物、酞菁及其衍生物、金屬化的酞菁和及其鹵化的衍生物、二萘嵌苯四羧酸二酐(PTCDA)、萘四羧酸二酐(NTCDA)或其酰亞胺衍生物、二萘嵌苯或暈苯以及其含取代基的衍生物，但不限于此。可使用沉積工藝在約70℃到約150℃、或者可最高達(dá)250℃的溫度范圍內(nèi)(取決于有機(jī)半導(dǎo)體材料)在柵絕緣體140上形成半導(dǎo)體154。

柵絕緣體140可由以上組合物制備，例如，通過(guò)涂覆以上組合物，將其光固化、和/或熱固化以制備膜。

源電極173和漏電極175彼此面對(duì)、其間有半導(dǎo)體154，且電連接至半導(dǎo)體154。源電極173連接到傳輸數(shù)據(jù)信號(hào)的數(shù)據(jù)線(xiàn)(未示出)。源電極173和漏電極175可例如由金(Au)、銅(Cu)、鎳(Ni)、鋁(Al)、鉬(Mo)、鉻(Cr)、鉭(Ta)、鈦(Ti)、其合金及其組合制成，但不限于此。源電極173和漏電極175可通過(guò)如下形成：在半導(dǎo)體154上濺射金屬或金屬合金并且將所述金屬或金屬合金圖案化。源電極173和漏電極175可在室溫(例如25℃)下形成，但不限于此。

圖3B和3C為根據(jù)實(shí)例實(shí)施方式的薄膜晶體管和雙柵晶體管的橫截面圖。

參照?qǐng)D3B，根據(jù)實(shí)例實(shí)施方式的薄膜晶體管可與圖3A中描述的薄膜晶體管類(lèi)似，除了具有頂柵結(jié)構(gòu)代替底柵結(jié)構(gòu)之外。如圖3B中所說(shuō)明的，薄膜晶體管可包括在基底110上的在源電極173和漏電極174之間的半導(dǎo)體154。柵絕緣體140可覆蓋源電極173、半導(dǎo)體154、和漏電極174。柵電極124可形成于柵絕緣體140上。

參照?qǐng)D3C，根據(jù)實(shí)例實(shí)施方式的薄膜晶體管可與圖3B中的薄膜晶體管相同，除了具有雙柵結(jié)構(gòu)代替頂柵結(jié)構(gòu)之外。如圖3C中所說(shuō)明的，所述薄膜晶體管可進(jìn)一步包括在基底110與分別的源電極173、半導(dǎo)體154和漏電極174之間的第二柵絕緣體141。第二柵絕緣體141和柵絕緣體140可由相同的材料形成。然而，實(shí)例實(shí)施方式不限于此。例如，第二柵絕緣體141可替代地由與柵絕緣體140不同的材料(例如，氧化硅、高k介電材料)形成。

圖3A-3C中的根據(jù)實(shí)例實(shí)施方式的薄膜晶體管可應(yīng)用于多種電子器件例如半導(dǎo)體器件、平板顯示器、能量器件、和傳感器。所述電子器件可包括例如液晶顯示器(LCD)、有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)器件、太陽(yáng)能電池、和有機(jī)傳感器。

圖3D為根據(jù)實(shí)例實(shí)施方式的電子器件的橫截面圖。

參照?qǐng)D3D，所述電子器件可包括在基底SUB10上的彼此隔開(kāi)的第一柵電極G10和第二柵電極G40。柵絕緣體GI10可在第一柵電極G10、第二柵電極G40和基底SUB10上。第一溝道C10和第二溝道C40可分別在第一柵電極G10和第二柵電極G40上方的柵絕緣體GI10上。源電極和漏電極S10’和D10’可在柵絕緣體GI10的頂部上分別連接到第一溝道C10和第二溝道C40的相應(yīng)末端。

基底SUB10可絕緣體、半導(dǎo)體、或聚合物制成。例如，基底SUB10可由透明玻璃、硅、或聚合物制成。柵電極G10和G40連接到相應(yīng)的柵極線(xiàn)(未示出)用于傳輸數(shù)據(jù)信號(hào)，并且可由金屬或金屬合金制成，但不限于此。例如，柵電極G10和G40可各自獨(dú)立地包括如下之一：金(Au)、銅(Cu)、鎳(Ni)、鋁(Al)、鉬(Mo)、鉻(Cr)、鉭(Ta)、鈦(Ti)、其合金、及其組合，但不限于此。

圖3E為根據(jù)實(shí)例實(shí)施方式的電容器的橫截面圖。所述電容器可包括形成于第一電極E1和第二電極E2之間的絕緣體140。第一和第二電極E1和E2可各自獨(dú)立地包括如下之一：金(Au)、銅(Cu)、鎳(Ni)、鋁(Al)、鉬(Mo)、鉻(Cr)、鉭(Ta)、鈦(Ti)、其合金、及其組合，但不限于此。絕緣體140可由以上組合物制備，例如，通過(guò)如下制備：涂覆以上組合物，使其光固化和/或熱固化以制備膜。

在下文中，參照實(shí)施例更詳細(xì)地說(shuō)明本公開(kāi)內(nèi)容。然而，這些是實(shí)例且本公開(kāi)內(nèi)容不限于此。

實(shí)施例

對(duì)比例1:聚有機(jī)硅氧烷與熱交聯(lián)劑之間的縮合反應(yīng)產(chǎn)物的合成

將1000g甲醇放入能夠進(jìn)行攪拌且由玻璃材料制成的裝備有回流冷凝器的反應(yīng)器中，并向其添加672.8g由下列化學(xué)式4表示的硅烷化合物。將混合物在室溫下攪拌1小時(shí)。然后，將56g HCl水溶液(0.1N)以逐滴方式添加到所述混合物2小時(shí)，并且在室溫下攪拌另外的2小時(shí)以引起水解反應(yīng)。隨后，將反應(yīng)混合物加熱到80℃并且進(jìn)一步反應(yīng)36小時(shí)以進(jìn)行縮合和聚合反應(yīng)以獲得包括由下列化學(xué)式5表示的結(jié)構(gòu)單元的聚有機(jī)硅氧烷。對(duì)所獲得的聚有機(jī)硅氧烷進(jìn)行測(cè)量以確定其重均分子量為2800、PDI(多分散性指數(shù))為1.79(以GPC方法)、在20℃下的粘度為5.8厘泊、且pH為7。

將670g丙二醇單甲基醚乙酸酯添加到所獲得的聚有機(jī)硅氧烷用于稀釋?zhuān)覍⒒旌衔镌?0mmHg的降低的壓力下在60℃下蒸餾以除去副產(chǎn)物，獲得分散在丙二醇單甲基醚乙酸酯中的聚有機(jī)硅氧烷。向經(jīng)分散的聚有機(jī)硅氧烷添加基于聚有機(jī)硅氧烷的重量的1％的乙酰乙酸鋁以引起交聯(lián)反應(yīng)以獲得包括氧化鋁的聚有機(jī)硅氧烷。所述交聯(lián)反應(yīng)在如下條件下進(jìn)行：在90℃下預(yù)先退火2分鐘，并且使用具有240nm-400nm的波長(zhǎng)區(qū)域的200W高壓汞燈照射96秒，隨后在200℃下后退火1小時(shí)。

對(duì)比例2:納米顆粒-聚有機(jī)硅氧烷復(fù)合物與熱交聯(lián)劑之間的縮合反應(yīng)產(chǎn)物的合成

使500g含水堿性二氧化硅溶膠通過(guò)裝有強(qiáng)酸性陽(yáng)離子交換樹(shù)脂的柱，獲得具有pH 2的酸性二氧化硅溶膠。將500g所獲得的酸性二氧化硅溶膠放入能夠進(jìn)行攪拌且由玻璃材料制成的裝備有回流冷凝器的反應(yīng)器中，并向其添加1000g甲醇用于稀釋。隨后，向其添加11g縮水甘油氧基丙基三甲氧基硅烷，將混合物在室溫下攪拌1小時(shí)，然后在95℃下加熱和反應(yīng)6小時(shí)以進(jìn)行二氧化硅的表面處理。然后，將經(jīng)表面處理的二氧化硅溶膠在50mmHg的降低的壓力下在80℃下蒸餾，并且通過(guò)除去其中包括的水的一部分而濃縮至500g。在將二氧化硅溶膠通過(guò)向其添加1000g甲醇而稀釋之后，在相同的條件下另外進(jìn)行在降低的壓力下的蒸餾四次直至其中的水的量降低至小于或等于1重量％。然后，向其添加672.8g由化學(xué)式4表示的硅烷化合物，并將混合物在室溫下攪拌1小時(shí)。在此之后，以逐滴方式向其添加56g具有0.1N的濃度的HCl水溶液2小時(shí)，并且將混合物在室溫下另外攪拌2小時(shí)以進(jìn)行水解反應(yīng)。然后將所得物的溫度升高至80℃并且使所得物反應(yīng)36小時(shí)以進(jìn)行縮合和聚合反應(yīng)，獲得其中二氧化硅位于核中且縮合和聚合的聚有機(jī)硅氧烷作為在二氧化硅周?chē)臍さ亩趸?聚有機(jī)硅氧烷復(fù)合物。對(duì)所獲得的二氧化硅-聚有機(jī)硅氧烷進(jìn)行測(cè)量以確定其重均分子量為1800、PDI(多分散性指數(shù))為1.34(以GPC方法)，在20℃下的粘度為7.2厘泊，且pH為6。

隨后，將335g丙二醇單甲基醚乙酸酯添加到二氧化硅-聚有機(jī)硅氧烷復(fù)合物用于稀釋?zhuān)⑶覍⒔?jīng)稀釋的混合物在60mmHg的降低的壓力下在60℃下蒸餾以除去副產(chǎn)物，獲得分散在丙二醇單甲基醚乙酸酯中的二氧化硅-聚有機(jī)硅氧烷復(fù)合物。向經(jīng)分散的二氧化硅-聚有機(jī)硅氧烷復(fù)合物添加基于二氧化硅-聚有機(jī)硅氧烷復(fù)合物的重量的1％的乙酰乙酸鋁以引起交聯(lián)反應(yīng)以獲得氧化鋁交聯(lián)至其的二氧化硅-聚有機(jī)硅氧烷復(fù)合物。所述交聯(lián)反應(yīng)在如下條件下進(jìn)行：在90℃下預(yù)先退火2分鐘，并且使用具有240nm-400nm的波長(zhǎng)區(qū)域的200W高壓汞燈照射96秒，隨后在200℃下后退火1小時(shí)。

實(shí)施例1:具有三-丙烯酸類(lèi)基團(tuán)的聚有機(jī)硅氧烷與熱交聯(lián)劑之間的縮合反應(yīng)產(chǎn)物的合成

將1000g甲醇放入能夠進(jìn)行攪拌且由玻璃材料制成的裝備有回流冷凝器的反應(yīng)器中，并向其添加672.8g由下列化學(xué)式6表示的硅烷化合物。將混合物在室溫下攪拌1小時(shí)。然后，將56g HCl水溶液(0.1N)以逐滴方式添加到所述混合物2小時(shí)，并且在室溫下攪拌另外的2小時(shí)以引起水解反應(yīng)。隨后，將反應(yīng)混合物加熱至80℃并且使其進(jìn)一步反應(yīng)36小時(shí)以進(jìn)行縮合和聚合反應(yīng)以獲得包括由下式化學(xué)式7表示的結(jié)構(gòu)單元的聚有機(jī)硅氧烷。對(duì)所獲得的聚有機(jī)硅氧烷進(jìn)行測(cè)量以確定其重均分子量為2800、PDI(多分散性指數(shù))為1.79(以GPC方法)、在20℃下的粘度為5.8厘泊、且pH為7。

化學(xué)式6

化學(xué)式7

將670g丙二醇單甲基醚乙酸酯添加到所獲得的聚有機(jī)硅氧烷用于稀釋?zhuān)⑶覍⒒旌衔镌?0mmHg的降低的壓力下在60℃下蒸餾以除去副產(chǎn)物，獲得分散在丙二醇單甲基醚乙酸酯中的聚有機(jī)硅氧烷。向經(jīng)分散的聚有機(jī)硅氧烷添加基于聚有機(jī)硅氧烷的重量的1％的乙酰乙酸鋁以引起交聯(lián)反應(yīng)以獲得包括氧化鋁的聚有機(jī)硅氧烷。所述交聯(lián)反應(yīng)在如下條件下進(jìn)行：在90℃下預(yù)先退火2分鐘，并且使用具有240nm-400nm的波長(zhǎng)區(qū)域的200W高壓汞燈照射96秒，隨后在200℃下后退火1小時(shí)。

薄膜晶體管的制造

制備實(shí)施例1:通過(guò)使用根據(jù)對(duì)比例1的產(chǎn)物制造薄膜晶體管

將鉬濺射在玻璃基底上，然后進(jìn)行光刻法以形成柵電極。隨后，將在對(duì)比例1中獲得的聚有機(jī)硅氧烷與熱交聯(lián)劑的縮合產(chǎn)物旋涂在其上，在90℃下預(yù)先退火2分鐘，并且使用具有240nm-400nm的波長(zhǎng)區(qū)域的200W高壓汞燈照射96秒，隨后在200℃下后退火1小時(shí)。

然后在其上真空沉積并五苯衍生物二苯并噻吩并[6,5-b:6’,5’-f]噻吩并[3,2-b]噻吩(DTBTT)，形成有機(jī)半導(dǎo)體。隨后，將金(Au)通過(guò)使用掩模濺射在有機(jī)半導(dǎo)體上以形成源電極和漏電極，制造薄膜晶體管。

制備實(shí)施例2:通過(guò)使用根據(jù)對(duì)比例2的產(chǎn)物制造薄膜晶體管

根據(jù)與制備實(shí)施例1相同的方法制造薄膜晶體管，除了使用根據(jù)對(duì)比例2的納米顆粒-聚有機(jī)硅氧烷復(fù)合物與熱交聯(lián)劑的縮合產(chǎn)物之外。

制備實(shí)施例3：通過(guò)使用根據(jù)實(shí)施例1的產(chǎn)物制造薄膜晶體管

根據(jù)與制備實(shí)施例1相同的方法制造薄膜晶體管，除了使用根據(jù)實(shí)施例1的聚有機(jī)硅氧烷-熱交聯(lián)劑的縮合產(chǎn)物之外。

評(píng)價(jià)

評(píng)價(jià)根據(jù)制備實(shí)施例1到制備實(shí)施例3的薄膜晶體管的特性。所述薄膜晶體管的特性包括絕緣強(qiáng)度、電荷遷移率、和I_開(kāi)/I_關(guān)比。

圖4為顯示根據(jù)制備實(shí)施例1的薄膜晶體管的絕緣強(qiáng)度的圖。圖5為顯示根據(jù)制備實(shí)施例2的薄膜晶體管的絕緣強(qiáng)度的圖。圖6為顯示根據(jù)制備實(shí)施例3的薄膜晶體管的絕緣強(qiáng)度的圖。

參照?qǐng)D4-6，根據(jù)制備實(shí)施例3的薄膜晶體管顯示出比根據(jù)制備實(shí)施例1和2的那些好的絕緣強(qiáng)度。特別地，盡管根據(jù)制備實(shí)施例1和2的薄膜晶體管中的絕緣體的絕緣強(qiáng)度直到約4兆伏/厘米(MV/cm)水平在例如在微安/平方厘米(μA/cm²)水平的范圍內(nèi)是足夠的，但是根據(jù)制備實(shí)施例3的薄膜晶體管中的絕緣體的絕緣強(qiáng)度直到約5兆伏/厘米(MV/cm)水平在例如在微安/平方厘米(μA/cm²)水平的范圍內(nèi)是足夠的。即，根據(jù)制備實(shí)施例3的薄膜晶體管具有比根據(jù)制備實(shí)施例1和2的那些高的電可靠性，因?yàn)榍罢甙總€(gè)硅氧烷單元被三個(gè)丙烯酸類(lèi)基團(tuán)取代的聚硅氧烷且因此具有比根據(jù)后者的薄膜晶體管中包含的每個(gè)硅氧烷單元僅具有一個(gè)丙烯酸類(lèi)基團(tuán)的聚硅氧烷密集的光交聯(lián)。

圖7為顯示根據(jù)制備實(shí)施例1的薄膜晶體管中的電荷遷移率的圖。圖8為顯示根據(jù)制備實(shí)施例2的薄膜晶體管中的電荷遷移率的圖。圖9為顯示根據(jù)制備實(shí)施例3的薄膜晶體管中的電荷遷移率的圖。

下表1顯示根據(jù)制備實(shí)施例1到3的薄膜晶體管的電荷遷移率、開(kāi)電流值、和關(guān)電流值。

表1

參照?qǐng)D7到9和表1，根據(jù)制備實(shí)施例3的薄膜晶體管顯示出比根據(jù)制備實(shí)施例1和2的那些好的電荷遷移率和I_開(kāi)/I_關(guān)比，且因此可更有效地用作有機(jī)絕緣體。

盡管已經(jīng)關(guān)于目前被認(rèn)為是實(shí)踐性的實(shí)例實(shí)施方式的內(nèi)容描述了本公開(kāi)內(nèi)容，但是將理解，所述公開(kāi)內(nèi)容不限于所公開(kāi)的實(shí)施方式，而是相反，意圖涵蓋包括在所附權(quán)利要求的精神和范圍內(nèi)的多種變型和等同布置。例如，盡管實(shí)例實(shí)施方式僅說(shuō)明了絕緣體和包括其的薄膜晶體管，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解，由根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式的組合物制備的固化材料可有效地用在多種制品和電子材料中。