描述本發(fā)明涉及單疊氮化合物用于光誘導(dǎo)交聯(lián)聚合物線材的用途，其中所述單疊氮化合物具有式(i)的結(jié)構(gòu)：其中q1和q2各自獨(dú)立地是鹵素，和其中r1、r2和r3各自獨(dú)立地是不含疊氮基結(jié)構(gòu)部分的任何殘基。另外，本發(fā)明涉及一種交聯(lián)聚合物線材的方法，和涉及可從所述方法得到的交聯(lián)的聚合物組合物以及包含這種組合物的電子裝置。目前，聚合物的有效交聯(lián)在許多應(yīng)用中起到重要作用。特別是當(dāng)制造電子裝置時(shí)，通常需要聚合物的選擇性交聯(lián)。另外，制造電子裝置經(jīng)常另外包括多種層例如電極、半導(dǎo)體層、介電層和/或阻隔層的結(jié)構(gòu)化(也稱為圖案化)。用于裝置中的層的結(jié)構(gòu)化的方便策略是通過溶液加工制備這些層。在這里，一種或多種聚合物通常溶解在合適的溶劑中，并且在裝置部件的表面上形成所得溶液的層。這可以例如通過旋涂、噴涂和/或印刷進(jìn)行。然后，蒸發(fā)溶劑并干燥聚合物層。這些方法的缺點(diǎn)是用于溶解一種或多種聚合物的溶劑也可以影響與之接觸的裝置部件(通常由聚合物組成)的表面。這可以通過選擇能特定溶解具體聚合物、但不會(huì)影響裝置部件的正交溶劑來防止。但是這限制了許多常規(guī)溶劑的可用性，并阻止制備包含相同類型聚合物的兩個(gè)相鄰層?？朔藛栴}的合適策略是在裝置的已形成部件中所含的聚合物進(jìn)行交聯(lián)，從而降低其可溶性。這使得能使用相同或相似的溶劑以制備其它層且不會(huì)干擾所制造的裝置部件的整體性。另外，因?yàn)榕c非交聯(lián)的聚合物相比，交聯(lián)能顯著降低交聯(lián)聚合物的溶解性，所以也可以制備包含相同類型聚合物的兩個(gè)相鄰層。根據(jù)所用的化合物，交聯(lián)可以通過不同的方式進(jìn)行。通常，本領(lǐng)域公知的方式是基于向聚合物組合物引入雙官能的交聯(lián)結(jié)構(gòu)部分，其中一個(gè)活性基團(tuán)能共價(jià)連接至一種聚合物線材，另一個(gè)活性基團(tuán)能共價(jià)連接至另一種聚合物線材。在這里，交聯(lián)反應(yīng)的引發(fā)可以通過不同的方式進(jìn)行，例如通過化學(xué)引發(fā)，通過熱引發(fā)，或通過輻照引發(fā)。交聯(lián)反應(yīng)的引發(fā)的優(yōu)點(diǎn)是具有空間特定性。在這里，通過掩蔽和位置特定性輻照，可以特定地在局部引發(fā)交聯(lián)。所以，交聯(lián)和結(jié)構(gòu)化可以在單個(gè)步驟中合并。殘余的非交聯(lián)聚合物可以任選地隨后通過一個(gè)或多個(gè)用合適溶劑洗滌的洗滌步驟除去，而交聯(lián)的聚合物保留在原地。此工藝也稱為光刻蝕法。在70年代的早期，已經(jīng)研究了聚合物基質(zhì)的剛性對(duì)于芳族疊氮基化合物、例如疊氮基萘與伯胺和仲胺的反應(yīng)的影響，其中此反應(yīng)是通過uv燈引發(fā)的(reiser等,1971)。不久之后，在理論上分析了芳基疊氮基團(tuán)的結(jié)構(gòu)和光解反應(yīng)，其中致力于芳基疊氮基聚合物，其包含多種帶有疊氮基結(jié)構(gòu)部分的單體(delzenne,1974)。j.l.r.williams進(jìn)一步描述了光活性聚合物，包括帶有疊氮基結(jié)構(gòu)部分的那些光活性聚合物(williams；1974)。另外，也綜述了聚合物的光交聯(lián)(cottart,1981)。這些基于聚合物的方法的顯著缺點(diǎn)是僅僅能使用包含帶有活化的可交聯(lián)基團(tuán)的特殊單體的特殊聚合物。首先，明顯希望使用常用的聚合物并且避免麻煩、耗時(shí)和昂貴制備的特殊聚合物。第二，與非官能化聚合物相比，這些聚合物具有不同的化學(xué)和光化學(xué)性能，所以可能是不需要的。第三，與非官能化聚合物相比，這些聚合物是不太穩(wěn)定的，并具有較短的儲(chǔ)存期。所以，已經(jīng)開發(fā)了能交聯(lián)非官能化聚合物的方法。另外，為了光誘導(dǎo)交聯(lián)，已經(jīng)成功使用了雙官能雙疊氮化合物。已經(jīng)開發(fā)了將多種疊氮基交聯(lián)劑加入聚合物組合物中(iwayanagi等，1983,hashimoto等，1986；nonogaki,1987；han和corelli,1989)。us2009/0004402和wo2011/068482公開了雙疊氮型化合物，其帶有相對(duì)復(fù)雜的結(jié)構(gòu)。ep0019726涉及基于馬來酰亞胺的磺酰基疊氮化合物。yan等，1994公開了相當(dāng)復(fù)雜的雙官能化合物，其包含疊氮結(jié)構(gòu)部分和n-羥基琥珀酰亞胺活性酯結(jié)構(gòu)部分。這些雙官能化合物作為交聯(lián)劑用于聚合物，其中通過將聚合物線材與每個(gè)官能團(tuán)連接來連接兩種聚合物線材。沒有得到優(yōu)化的結(jié)果。另外，大多數(shù)現(xiàn)有技術(shù)中的化合物是很難合成的。與雙官能雙疊氮化合物相比，較容易合成的單疊氮化合物被認(rèn)為在交聯(lián)聚合物線材方面不是有效的。考慮到上述，仍然需要改進(jìn)的光誘導(dǎo)交聯(lián)聚合物的措施。理想的是，這些措施是能通過直接合成方式易于得到的化合物，它們?cè)趦?chǔ)存條件下是比較穩(wěn)定的，并能有效地交聯(lián)。驚奇地發(fā)現(xiàn)，至少在與疊氮基結(jié)構(gòu)部分相鄰的苯碳原子上被鹵代的單疊氮基苯類化合物(即單官能試劑)能用作有效的光誘導(dǎo)劑，用于引發(fā)聚合物線材的自由基驅(qū)動(dòng)交聯(lián)。這些單疊氮基苯類化合物可以通過從相應(yīng)的鹵代苯胺化合物直接合成得到。這些化合物的合成已有描述(us3,238,230)，但是我們知道這些化合物尚未用作用于交聯(lián)的光誘導(dǎo)引發(fā)劑。在第一個(gè)方面，本發(fā)明涉及單疊氮化合物用于光誘導(dǎo)交聯(lián)聚合物線材的用途，其中所述單疊氮化合物具有式(i)的結(jié)構(gòu)：其中q1和q2各自獨(dú)立地是鹵素，和其中r1、r2和r3各自獨(dú)立地是不含疊氮基結(jié)構(gòu)部分的任何殘基。在這里，術(shù)語“光誘導(dǎo)交聯(lián)”可以在廣義上理解為能用光激發(fā)以引發(fā)的任何交聯(lián)方法(光引發(fā))。那么，本發(fā)明的化合物可以作為引發(fā)劑用于觸發(fā)在聚合物線材之間的交聯(lián)。最優(yōu)選，本發(fā)明的化合物在被光激發(fā)(光誘導(dǎo))時(shí)將產(chǎn)生能與聚合物側(cè)鏈反應(yīng)的聚合物自由基。在位于不同聚合物線材上的兩個(gè)自由基彼此反應(yīng)時(shí)，在兩種聚合物線材之間形成共價(jià)鍵。術(shù)語“光誘導(dǎo)交聯(lián)”可以與“光引發(fā)交聯(lián)”、“光促進(jìn)交聯(lián)”、“光觸發(fā)交聯(lián)”等互換使用。因此，本發(fā)明的用于光誘導(dǎo)交聯(lián)聚合物線材的單疊氮化合物也可以定義為“(光)促進(jìn)劑”、“(光)引發(fā)劑”、“(光)觸發(fā)劑”等。優(yōu)選，用具有合適波長和強(qiáng)度的光進(jìn)行輻照能活化所述單疊氮化合物，從而引發(fā)待交聯(lián)聚合物線材產(chǎn)生自由基(“自由基的形成”)，進(jìn)而觸發(fā)聚合物線材的交聯(lián)。這里使用的單疊氮化合物僅僅帶有單個(gè)疊氮基結(jié)構(gòu)部分。因此，殘基r1、r2和r3都不具有其它疊氮基結(jié)構(gòu)部分。q1和q2可以各自是任何鹵素。例如，q1和q2都是氟(f)。或者，q1和q2都是氯(cl)?；蛘撸琿1和q2都是溴(br)。或者，q1和q2都是碘(i)。或者，q1是f，并且q2是cl?；蛘?，q1是f，并且q2是br。或者，q1是f，并且q2是i?；蛘撸琿1是cl，并且q2是f?；蛘?，q1是cl，并且q2是br。或者，q1是cl，并且q2是i。或者，q1是br，并且q2是cl?；蛘?，q1是br，并且q2是f?；蛘撸琿1是br，并且q2是i?；蛘?，q1是i，并且q2是cl?；蛘?，q1是i，并且q2是f。或者，q1是i，并且q2是br。在一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方案中，q1和q2都是f。殘基r1、r2和r3可以各自獨(dú)立地是不含疊氮基結(jié)構(gòu)部分的任何殘基。優(yōu)選，r1、r2和r3各自獨(dú)立地選自鹵素、氫或具有不超過40個(gè)碳原子的有機(jī)殘基，更優(yōu)選不超過30個(gè)碳原子，甚至更優(yōu)選不超過20個(gè)碳原子，特別是不超過10個(gè)碳原子。在一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方案中，r1、r2和r3各自是吸電子基團(tuán)和/或水溶性基團(tuán)。優(yōu)選，這些殘基r1、r2和r3各自具有小于1000da的分子量，更優(yōu)選不超過500da，特別是不超過250da或甚至更小。優(yōu)選，殘基r1、r2和r3可以各自獨(dú)立地是吸電子殘基或氫，更優(yōu)選r1、r2和r3中的至少一個(gè)是吸電子殘基，甚至更優(yōu)選r1、r2和r3中的至少兩個(gè)是吸電子殘基，特別是全部r1、r2和r3是吸電子殘基。在一個(gè)更優(yōu)選的實(shí)施方案中，r1、r2和r3各自獨(dú)立地選自鹵素，-cn,-co-o-ra，-co-ra，氫，-ra，-o-co-ra，-no2，-n+rarbra+x-，-rd-o-co-ra，-rd-co-o-ra，-nrb-co-ra，-rd-nrb-co-ra，-co-nrb-ra，-rd-co-nrb-ra，-nrarb，-rd-nrarb，-sirarbrc，-rd-sirarbrc，-o-ra，-rd-o-ra，-co-ra，-rd-co-ra，-o-co-o-ra，-rd-o-co-o-ra，-nrb-co-o-ra，-rd-nrb-co-o-ra，-o-co-nrb-ra，-rd-o-co-nrb-ra，-nrb-co-nrc-ra，-rd-nrb-co-nrc-ra，-o-cs-ra，-rd-o-cs-ra，-cs-o-ra，-rd-cs-o-ra，-s-co-ra，-rd-s-co-ra，-co-s-ra，-rd-co-s-ra，-nrb-cs-ra，-rd-nrb-cs-ra，-cs-nrb-ra，-rd-cs-nrb-ra，-s-ra，-rd-s-ra，-cs-ra，-rd-cs-ra，-o-cs-o-ra，-rd-o-cs-o-ra，-s-co-o-ra，-rd-s-co-o-ra，-o-co-s-ra，-rd-o-co-s-ra，-s-co-s-ra，-rd-s-co-s-ra，-nrb-cs-o-ra，-nrb-co-s-ra，-rd-nrb-cs-o-ra，-rd-nrb-co-s-ra，-s-co-nrb-ra，-o-cs-nrb-ra，-rd-o-cs-nrb-ra，-rd-s-co-nrb-ra，-nrb-cs-nrc-ra，-rd-nrb-cs-nrc-ra，-so-ra，-rd-so-ra，-so2-ra，和-rd-so2-ra，其中ra、rb和rc各自獨(dú)立地選自氫，鹵素，或者未取代或取代的選自以下的具有不超過20個(gè)碳原子的殘基：烷基，鏈烯基，炔基，雜烷基，雜鏈烯基，雜炔基，芳基，烷芳基，芳基烷基，雜芳基，雜芳基烷基，和雜烷芳基，其中rd是具有不超過20個(gè)碳原子的二價(jià)殘基，優(yōu)選未取代或取代的選自以下的殘基：亞烷基，亞鏈烯基，亞炔基，亞雜烷基，亞雜鏈烯基，亞雜炔基，亞芳基，亞烷芳基，亞芳基烷基，亞雜芳基，亞雜芳基烷基，和亞雜烷芳基，和其中x-是抗衡離子。x-可以是任何陰離子性抗衡離子，例如oh-，cl-，hso3-,so32-，hso4-，so42-，no2-，no3-，h2po4-，hpo42-，po43-，aso43-，hco3-，co32-，sio44-，或bo33-。在甚至更優(yōu)選的實(shí)施方案中，r1、r2和r3各自獨(dú)立地選自鹵素，-cn，-co-o-ch3，-co-ch3，-cf3，-o-cf3，-no2，-n+rarbra+x-，和氫，其中ra、rb、rc和x-是如上所定義的。在一個(gè)更優(yōu)選的實(shí)施方案中，r1、r2和r3中的至少一個(gè)是吸電子殘基，其選自鹵素，氰基殘基，-ch3co，鹵代甲基殘基，特別是三氟甲基，鹵代乙基殘基，鹵化或非鹵化的甲氧基殘基，特別是三氟甲氧基，phco。在r1、r2和/或r3位置上被一個(gè)或多個(gè)其它吸電子殘基取代能改進(jìn)光活性物質(zhì)的穩(wěn)定性。在一個(gè)甚至更優(yōu)選的實(shí)施方案中，r1、r2和r3中的至少一個(gè)是鹵素。例如，至少r1是鹵素。例如至少r2是鹵素。例如，至少r3是鹵素。這些鹵素可以例如是f、cl、br或i。最優(yōu)選，鹵素是f。在一個(gè)甚至更優(yōu)選的實(shí)施方案中，r1、r2和r3中的至少一個(gè)是氟。在一個(gè)更優(yōu)選的實(shí)施方案中，r1、r2和r3中的至少兩個(gè)各自獨(dú)立地是鹵素。例如，至少r1和r2各自獨(dú)立地是鹵素。例如，至少r1和r3各自獨(dú)立地是鹵素。例如，至少r2和r3各自獨(dú)立地是鹵素。這些鹵素可以例如是f、cl、br或i。優(yōu)選，至少一個(gè)這些鹵素是f。最優(yōu)選，兩個(gè)鹵素都是f。在一個(gè)甚至更優(yōu)選的實(shí)施方案中，r1、r2和r3各自獨(dú)立地是鹵素。例如，r1、r2和r3各自是f?；蛘撸瑀1、r2和r3各自是cl?；蛘?，r1、r2和r3各自是br。或者，r1、r2和r3各自是i?；蛘?，r1是f，并且r2和r3各自是cl?；蛘?，r1是f，并且r2和r3各自是br?；蛘?，r1是f，并且r2和r3各自是i?；蛘?，r1是cl，并且r2和r3各自是f?；蛘?，r1是cl，并且r2和r3各自是br?；蛘撸瑀1是cl，并且r2和r3各自是i?；蛘?，r1是br，并且r2和r3各自是f?；蛘?，r1是br，并且r2和r3各自是cl?；蛘?，r1是br，并且r2和r3各自是i?；蛘?，r1是i，并且r2和r3各自是f?；蛘撸瑀1是i，并且r2和r3各自是cl。或者，r1是i，并且r2和r3各自是br。或者，r1和r2各自是f，并且r3是cl。或者，r1和r2各自是f，并且r3是br?；蛘?，r1和r2各自是f，并且r3是i?；蛘撸瑀1和r2各自是cl，并且r3是f。或者，r1和r2各自是cl，并且r3是br。或者，r1和r2各自是cl，并且r3是i?；蛘撸瑀1和r2各自是br，并且r3是f?；蛘撸瑀1和r2各自是br，并且r3是cl?；蛘撸瑀1和r2各自是br，并且r3是i?；蛘?，r1和r2各自是i，并且r3是f。或者，r1和r2各自是i，并且r3是br?；蛘撸瑀1和r2各自是i，并且r3是cl。或者，r1和r3各自是f，并且r2是cl?；蛘撸瑀1和r3各自是f，并且r2是br?；蛘?，r1和r3各自是f，并且r2是i?；蛘撸瑀1和r3各自是cl，并且r2是f?；蛘?，r1和r3各自是cl，并且r2是br。或者，r1和r3各自是cl，并且r2是i?；蛘?，r1和r3各自是br，并且r2是f。或者，r1和r3各自是br，并且r2是cl?；蛘?，r1和r3各自是br，并且r2是i?；蛘?，r1和r3各自是i，并且r2是f?；蛘?，r1和r3各自是i，并且r2是br?；蛘撸瑀1和r3各自是i，并且r2是cl。在一個(gè)更優(yōu)選的實(shí)施方案中，全部r1、r2和r3各自是f。十分優(yōu)選，全部殘基q1、q2、r1、r2和r3各自獨(dú)立地是鹵素。在一個(gè)特別優(yōu)選的實(shí)施方案中，式(i)單疊氮化合物是疊氮基五氟苯。聚合物線材可以是本領(lǐng)域公知的任何聚合物形成的聚合物線材。優(yōu)選，聚合物線材含有至少5個(gè)單體結(jié)構(gòu)部分，更優(yōu)選至少10個(gè)單體結(jié)構(gòu)部分，甚至更優(yōu)選至少50個(gè)單體結(jié)構(gòu)部分，甚至更優(yōu)選至少100個(gè)單體結(jié)構(gòu)部分，甚至更優(yōu)選至少250個(gè)、至少500個(gè)或甚至更優(yōu)選高達(dá)1000個(gè)單體結(jié)構(gòu)部分，它們彼此共價(jià)連接。因此，聚合物線材優(yōu)選具有至少500da的分子量，更優(yōu)選至少1kda，甚至更優(yōu)選至少5kda，甚至更優(yōu)選至少10kda。優(yōu)選，聚合物線材帶有氫原子，特別是其中聚合物線材帶有一個(gè)或多個(gè)芐基氫、烯丙基和/或穩(wěn)定的基團(tuán)。優(yōu)選，在如本文所述使用時(shí)，這些芐基氫(芐基h)可以進(jìn)行氫奪取，并隨后經(jīng)由網(wǎng)連促進(jìn)交聯(lián)。在一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方案中，聚合物線材是選自聚乙烯基吡啶，聚乙烯基芐基氯，聚乙烯基甲苯，聚2-乙烯基萘，聚氯乙烯，聚乙酸乙烯酯，聚乙烯基醇，聚丙烯腈，聚乙烯基酚，聚乙烯，聚丙烯，聚甲基戊烯，聚丁二烯，聚1-丁烯，聚異丁烯，乙烯-丙烯橡膠，和乙烯-丙烯-二烯單體橡膠，聚氧乙烯(polyethaleneoxide)，聚乙二醇甲基酯，聚丙烯酸甲基酯，聚甲基丙烯酸甲基酯，聚己內(nèi)酯，聚乳酸，聚蘋果酸，聚苯乙烯，聚(α-甲基苯乙烯)，聚二苯酮，聚(三苯基甲基)，聚苯乙烯-馬來酸酐共聚物，聚氧化乙烯，以及兩種或更多種這些物質(zhì)的共聚物。本發(fā)明當(dāng)然也包括包含一種、兩種或三種上述聚合物的聚合物共混物。更優(yōu)選，聚合物線材是選自聚乙烯基吡啶，聚2-乙烯基萘，聚乙烯基芐基氯，聚乙烯基甲苯，聚甲基丙烯酸甲基酯，和聚氧化乙烯。顯然，兩種或更多種這些聚合物的聚合物混合物也是優(yōu)選的，以及包含一種、兩種或三種上述聚合物的聚合物共混物。這些共聚物可以是無規(guī)共聚物、嵌段聚合物或其組合。通過式(i)單疊氮化合物結(jié)構(gòu)交聯(lián)聚合物線材的操作可以按照本領(lǐng)域公知的任何方式引發(fā)。例如，可以通過輻照包含所述式(i)單疊氮化合物結(jié)構(gòu)、所述聚合物線材和任選地一種或多種溶劑的組合物進(jìn)行引發(fā)(光誘導(dǎo)交聯(lián))或通過升高所述組合物的溫度進(jìn)行引發(fā)(熱誘導(dǎo)交聯(lián))。在一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方案中，交聯(lián)是光誘導(dǎo)交聯(lián)。在一個(gè)更優(yōu)選的實(shí)施方案中，交聯(lián)是通過用波長為200-450nm的光激發(fā)進(jìn)行的光誘導(dǎo)交聯(lián)。波長可以取決于式(i)單疊氮化合物的結(jié)構(gòu)的最大吸收，特別是苯環(huán)的取代基，特別是殘基q1和q2。甚至更優(yōu)選，交聯(lián)是通過用波長為200-400nm、優(yōu)選220-270nm、尤其240-260nm的光激發(fā)進(jìn)行的光誘導(dǎo)交聯(lián)。例如激發(fā)可以通過在波長為254nm時(shí)發(fā)射光的單色uv光進(jìn)行。這種光誘導(dǎo)交聯(lián)可以通過以下方式支持和改進(jìn)：提供包含式(i)單疊氮化合物結(jié)構(gòu)和所述聚合物線材和任選地一種或多種溶劑的組合物，使其達(dá)到厚度為小于1mm、優(yōu)選小于100μm、更優(yōu)選小于10μm、更優(yōu)選小于1μm、特別是小于500nm的層狀延伸，且同時(shí)進(jìn)行輻照。這可以在工藝上通過任何已知用于此目的的方式來實(shí)現(xiàn)，例如通過旋涂、溶液流延、噴涂、狹縫式模具涂覆和/或印刷(例如噴墨印刷、膠版印刷、照相凹版印刷)。光的強(qiáng)度將適應(yīng)于各組合物，例如取決于層的厚度、待交聯(lián)的聚合物線材和所用的式(i)單疊氮化合物、所用的溶劑以及各組分的用量和濃度。對(duì)于厚度處于較低的微米或納米范圍的薄層而言，所用的能量可以例如在100mj/cm2至100j/cm2的范圍內(nèi)。在第二方面，本發(fā)明涉及一種交聯(lián)聚合物線材的方法，包括以下步驟：(i)提供包含以下組分的組合物：(a)聚合物線材，(b)式(i)的單疊氮化合物：其中q1和q2各自獨(dú)立地是鹵素，其中r1、r2和r3各自獨(dú)立地是不含疊氮基結(jié)構(gòu)部分的任何殘基，和(c)任選地一種或多種溶劑；(ii)用波長為200-450nm的光輻照步驟(i)的所述組合物；(iii)任選地從樣品除去一種或多種溶劑；和(iv)得到交聯(lián)的聚合物組合物。在這里，式(i)的單疊氮化合物用作光誘導(dǎo)劑，用于引發(fā)聚合物線材的交聯(lián)。那些在關(guān)于用于交聯(lián)聚合物線材的式(i)單疊氮化合物的描述中使用的定義也可以適用于本文所述的方法。提供包含聚合物線材、式(i)單疊氮化合物和任選地一種或多種溶劑的組合物的步驟(i)可以通過本領(lǐng)域公知的任何方式進(jìn)行。最常見的是，此步驟可以通過混合上述成分進(jìn)行。優(yōu)選，將聚合物線材和式(i)的單疊氮化合物溶解在一種或多種溶劑中。這些溶劑可以例如是醛或酮(例如戊酮，例如c-戊酮)。但是，也可以使用其它溶劑，例如甲苯、苯、烷烴溶劑(例如己烷、戊烷等)、鹵代烷烴，或兩種或更多種溶劑的混合物。在一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方案中，式(i)的單疊氮化合物和/或其中的聚合物線材是如上文關(guān)于用途的描述中所述定義的。輻照包含聚合物線材、式(i)單疊氮化合物和任選地一種或多種溶劑的組合物的步驟(ii)可以通過本領(lǐng)域公知的任何方式進(jìn)行。優(yōu)選，通過波長為200-450nm的光源進(jìn)行輻照。任選地，步驟(ii)的輻照操作可以在惰性氣氛下進(jìn)行(例如氮?dú)?n2)或稀有氣體氣氛(例如氬氣))。任選地，在輻照期間、在輻照之前和/或在輻照之后，溫度可以保持為室溫或可以升高(例如升高到50-100℃)或可以降低。優(yōu)選溫度保持為室溫或可以升高。輻照光的波長可以取決于式(i)單疊氮化合物結(jié)構(gòu)的最大吸收，特別是苯環(huán)的取代基，特別是殘基q1和q2。但是，在許多情況下用波長為254nm的光進(jìn)行輻照是十分適合于許多本發(fā)明化合物的。在一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方案中，輻照步驟(ii)是用波長為200-400nm、優(yōu)選220-270nm、尤其240-260nm的光激發(fā)的。例如，激發(fā)可以通過在波長為254nm處能發(fā)射光的單色uv光進(jìn)行。這種光誘導(dǎo)交聯(lián)可以通過提供包含式(i)單疊氮化合物結(jié)構(gòu)和所述聚合物線材和任選地一種或多種溶劑的組合物以達(dá)到層狀延伸帶來支持和改進(jìn)。所以，在一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方案中，在輻照步驟(ii)之前，使得步驟(i)的組合物與厚度為小于1mm，優(yōu)選小于100μm、更優(yōu)選小于10μm、更優(yōu)選小于1μm、尤其小于500nm的層狀延伸接觸。這可以通過已知用于此目的的任何方式進(jìn)行。在一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方案中，步驟(i)的組合物通過旋涂、溶液流延、噴涂、狹縫式模具涂覆和/或印刷(例如噴墨印刷、膠版印刷、照相凹版印刷)達(dá)到層狀延伸。在進(jìn)行步驟(ii)時(shí)輻照的光的強(qiáng)度可以是適合用于引發(fā)光誘導(dǎo)交聯(lián)的任何強(qiáng)度。對(duì)于厚度處于較低的微米或納米范圍的薄層而言，所用的能量可以例如是100mj/cm2至100j/cm2。在一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方案中，輻照步驟(ii)是被100mj/cm2至100j/cm2、優(yōu)選500mj/cm2至10j/cm2、更優(yōu)選750-5000mj/cm2、甚至更優(yōu)選1000-3000mj/cm2、尤其1500-2000mj/cm2的輻照能量下激發(fā)的。本領(lǐng)域技術(shù)人員能在進(jìn)行輻照步驟(ii)時(shí)選擇用于各組合物的光強(qiáng)度，這例如取決于層的厚度、待交聯(lián)的聚合物線材和所用的式(i)單疊氮化合物、所用的溶劑以及各組分的用量和濃度。用于從樣品除去一種或多種溶劑的任選步驟可以通過本領(lǐng)域公知的任何方式進(jìn)行。例如，一種或多種溶劑可以通過在室溫和常壓下蒸發(fā)溶劑除去。任選地，此方法可以通過使用較高的溫度和/或較低的壓力來加速。作為另一種選擇或者另外，溶劑可以通過使得交聯(lián)層經(jīng)受氣流(例如空氣流)來除去。作為另一種選擇或者另外，溶劑可以通過用另一種溶劑洗滌出去而除去，例如能更快蒸發(fā)和/或能蒸發(fā)到更高程度的溶劑。這種用溶劑洗滌的操作(與在步驟(i)組合物中相同的溶劑，或是可溶解聚合物線材的另一種溶劑)也可以用于除去殘余的式(i)單疊氮化合物、其反應(yīng)產(chǎn)物和/或要低度交聯(lián)或非交聯(lián)的聚合物線材。在一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方案中，此方法還包括除去以下物質(zhì)的步驟(v)：殘余的式(i)單疊氮化合物；式(i)單疊氮化合物的反應(yīng)產(chǎn)物；和/或低度交聯(lián)或非交聯(lián)的聚合物線材。根據(jù)步驟(v)的除去操作可以例如通過用一種或多種溶劑洗滌從上述工藝得到的交聯(lián)的聚合物組合物進(jìn)行。所述一種或多種溶劑可以是用于本方法的步驟(i)中的溶劑，或可以是其它溶劑。低度交聯(lián)的聚合物線材帶有比相應(yīng)的能有效交聯(lián)的聚合物線材更少的共價(jià)交聯(lián)鍵。非交聯(lián)的聚合物線材(基本上)不具有共價(jià)交聯(lián)鍵。例如，非交聯(lián)的聚合物線材可以(基本上)在步驟(i)組合物的非輻照部分中出現(xiàn)，低度交聯(lián)的聚合物線材可以(基本上)在步驟(i)組合物的非輻照部分或較少輻照的部分中出現(xiàn)。所以，在進(jìn)行步驟(ii)之前，所有聚合物線材是非交聯(lián)的。在進(jìn)行步驟(ii)之后的，步驟(i)組合物的已輻照部分是交聯(lián)的，但是非輻照的或較少輻照的部分可以保持為非交聯(lián)或較少交聯(lián)的。例如，(交聯(lián)的聚合物線材)：(低度交聯(lián)的聚合物線材)的交聯(lián)鍵比率可以優(yōu)選是至少1.5:1，更優(yōu)選至少2:1，甚至更優(yōu)選至少5:1，甚至更優(yōu)選至少10:1，甚至更優(yōu)選至少20:1，甚至更優(yōu)選至少50:1，特別是至少100:1或甚至更高。這種選擇性去除非交聯(lián)或較少交聯(lián)的聚合物線材的方式能使得裝置部件結(jié)構(gòu)化。在這里所用的術(shù)語“結(jié)構(gòu)化”可以在廣義上與術(shù)語“圖案化”互換使用，因?yàn)榭梢援a(chǎn)生任何圖案化的結(jié)構(gòu)。例如，裝置部件的特定空間區(qū)域可以被掩蔽以避免輻照。因此，然后，在步驟(ii)之前，從步驟(i)得到的包含式(i)單疊氮化合物結(jié)構(gòu)和所述聚合物線材和任選地一種或多種溶劑的組合物是被部分掩蔽的。在這里，優(yōu)選，步驟(i)的這種組合物進(jìn)入層狀結(jié)構(gòu)，然后部分地被固體或液體材料覆蓋(光掩蔽)以防止步驟(ii)的輻照光輻照具有所述組合物的層狀結(jié)構(gòu)的已覆蓋部分。作為另一種選擇或者另外，步驟(ii)的輻照操作可以是在空間上的選擇性輻照，例如經(jīng)由光束輻照以使步驟(i)組合物的層狀結(jié)構(gòu)形成柵格?？蓮谋疚乃龇椒ǖ玫降慕宦?lián)的聚合物組合物可以具有特別有益的多個(gè)特征。所以，本發(fā)明的另一個(gè)方面涉及可從本發(fā)明方法得到的交聯(lián)的聚合物組合物。另外，本發(fā)明的另一個(gè)方面涉及電子裝置，其包含根據(jù)本發(fā)明的交聯(lián)的聚合物組合物。優(yōu)選，交聯(lián)的聚合物組合物表示層。在一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方案中，交聯(lián)的聚合物組合物表示介電層、抗蝕層、絕緣層、鈍化層、平坦化層、包封層或涂層。特別優(yōu)選，交聯(lián)的聚合物組合物表示介電材料。這種介電材料可以應(yīng)用于許多電子裝置中，例如場(chǎng)效應(yīng)晶體管(fet)。所以，本發(fā)明也涉及用于形成介電層、抗蝕層、絕緣層、鈍化層、平坦化層、包封層和/或涂層的交聯(lián)的聚合物組合物。在一個(gè)特別優(yōu)選的實(shí)施方案中，這種交聯(lián)的聚合物組合物表示在所述電子裝置中的介電層。這種電子裝置可以是本領(lǐng)域公知的任何電子裝置，例如場(chǎng)效應(yīng)晶體管(fet)，二極管，太陽能電池，晶體管，倍增器，集成光電路(ioc)元件，電阻器，導(dǎo)電相機(jī)管，電荷耦合(成像)裝置，注射激光二極管或量子級(jí)聯(lián)激光器。例如，電子裝置是有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(fet)，并且所述層是介電層。場(chǎng)效應(yīng)晶體管(fet)可以用于需要電子功能的應(yīng)用中，例如顯示器、大面積傳感器和射頻識(shí)別(rfid)標(biāo)簽。本發(fā)明也涉及交聯(lián)的聚合物組合物(特別是通過本發(fā)明方法交聯(lián)的那些)和涉及包含由所述組合物形成的層的電子裝置。優(yōu)選，電子裝置是有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管，并且所述層是介電層。介電材料可以應(yīng)用于許多電子裝置中，例如場(chǎng)效應(yīng)晶體管(fet)。場(chǎng)效應(yīng)晶體管(fet)可以用于需要電子功能的應(yīng)用中，例如顯示器、大面積傳感器和射頻識(shí)別(rfid)標(biāo)簽。以下附圖和實(shí)施例用于進(jìn)一步說明本發(fā)明，但不限制本發(fā)明的范圍。附圖圖1顯示疊氮基五氟苯(pfpa)的19f-nmr：主峰位于-151.6ppm、-159.8ppm和-161.6ppm，其信號(hào)強(qiáng)度是2:1:2。在這里，設(shè)定以下參數(shù)：頻率(mhz)：(f1)375.638，初始點(diǎn)計(jì)數(shù)：(f1)131072，獲取時(shí)間(秒)：(f1)1.0000，光譜寬度(ppm)：(f1)207.980，溫度：25°，掃描數(shù)目：16。圖2顯示在清洗之前在si/sio2上的固化pvpyr/pfpa膜的代表性例子。圖3顯示在清洗實(shí)驗(yàn)之后在si/sio2上的固化pvpyr/pfpa膜的代表性例子。圖4顯示對(duì)于在ito上的固化pvpyr/pfpa膜的k值與頻率的圖。這些指數(shù)給出pfpa的含量(重量％)。圖5顯示對(duì)于使用固化pvpyr/pfpa介電材料的bgtc裝置在vd＝-30v(w/l＝50)情況下的輸出功率(圖5b)和轉(zhuǎn)移曲線(圖5a)的代表性例子。實(shí)施例：實(shí)施例1合成疊氮基五氟苯(pfpa)：在配備溫度計(jì)、磁力攪拌棒和冷卻浴的250ml三頸圓底燒瓶中，將2,3,4,5,6-五氟苯胺(4.2g,23.1mmol)于-10℃溶解在三氟乙酸(50ml)中。分小份緩慢加入亞硝酸鈉(3.15g,45mmol)，并將混合物攪拌2小時(shí)，同時(shí)保持溫度恒定。然后，在10分鐘內(nèi)將疊氮化鈉(3.15g,48mmol)加入溶液中，并且將溶液攪拌1小時(shí)。然后，將水(100ml)倒入反應(yīng)混合物，并使其加熱到室溫。通過用正己烷(3×50ml)萃取得到產(chǎn)物。合并的有機(jī)相用碳酸氫鈉(飽和溶液)洗滌以中和剩余的三氟乙酸。然后，此溶液用水(50ml)洗滌并用硫酸鈉干燥。在蒸發(fā)溶液之后(旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)器)，作為深紅色至棕色油得到1-疊氮基-2,3,4,5,6-五氟苯，通過19f-nmr提純(3.54g，16.9mmol，73％)。(在dcm/己烷1:1中的tlc顯示產(chǎn)物的rf是0.75，原料的rf是0.55)。相應(yīng)的19f-nmr光譜如圖1所示。用于合成pfpa的合適方法也如us3,238,230所述。實(shí)施例2pfpa和聚乙烯基吡啶(pvpyr)的配制劑將聚-4-乙烯基吡啶(mn＝60,000,2.60g)溶解在c-戊酮(36.0ml)中以得到濃度c＝72.2mg/ml＝1.20·10-6mol/ml＝1.2mm的淺黃色溶液。將此聚合物溶液分成各自4ml的樣品，并用純pfpa如下處理。在攪拌60秒之后，得到pvpyr/pfpa的均勻溶液：表1.用于制備pvpyr/pfpa溶液(i)的代表性例子為了進(jìn)一步改進(jìn)膜厚度(參見下文)和重現(xiàn)性，通過將不同量的pfpa與ccpvpyr＝90.0mg/ml＝1.50·10-6mol/ml＝1.5mm的聚合物原料溶液混合，如下制備具有恒定聚合物濃度的pvpyr/pfpa溶液：表2.用于制備pvpyr/pfpa溶液(ii)的代表性例子實(shí)施例3薄膜樣品的制備和表征所有制備步驟在環(huán)境空氣下進(jìn)行。si/sio2晶片樣品(2x2cm)和ito樣品(2x2in)通過浸入異丙醇和丙酮中、并隨后在氮?dú)饬?55psi)中吹干而清潔。此工序重復(fù)三次，然后在90℃下將基材干燥5分鐘。所得的溶液在1500rpm下在30秒內(nèi)分別旋涂(255asc,22℃)到經(jīng)清潔的si/sio2晶片和ito樣品上。150μl的聚合物溶液用于si/sio2晶片樣品，200μl用于ito樣品。在90℃下干燥30秒之后，得到平滑透明的硬膜。使用254nm單色uv燈在2.97mw/cm2恒定輸出功率下進(jìn)行光固化10分鐘，相當(dāng)于能量輸入為1785mj/cm2。使用輪廓計(jì)量裝置獲得膜厚度。清洗實(shí)驗(yàn)是通過將樣品浸入c-戊酮中達(dá)到60秒、并隨后在氮?dú)饬?55psi)中吹干和進(jìn)一步在90℃下將基材干燥5分鐘進(jìn)行的。通過比較在清洗步驟之前和之后的膜厚度的檢測(cè)值來確定保留因子。對(duì)于每個(gè)pfpa負(fù)載量，制備和表征至少兩個(gè)相同的樣品。代表性例子如下所示：表3.比較在清洗之前和之后的膜在清洗之前在si/sio2晶片上的pvpyr/pfpa膜的示例性顯微鏡圖像顯示在圖2中。在清洗之后在si/sio2晶片上的pvpyr/pfpa膜的示例性顯微鏡圖像顯示在圖3中。實(shí)施例4檢測(cè)k值和裝置特性介電常數(shù)是通過檢測(cè)在經(jīng)旋涂的ito基材上的電容得到的。面積為7.85x10-7m2的蒸發(fā)的au(d≈70nm)點(diǎn)用作對(duì)電極。對(duì)于每個(gè)基材記錄五個(gè)數(shù)據(jù)點(diǎn)，并且對(duì)于每個(gè)上述pfpa濃度表征兩個(gè)基材。通過使用90.0mg/ml的聚合物濃度(參見上文)，膜厚度被優(yōu)化到至少500nm。圖4和表4顯示pvpyr/pfpa膜在1khz至1mhz頻率范圍內(nèi)的代表性k值。表4.對(duì)于在ito上的固化pvpyr/pfpa膜的k與頻率這里給出了對(duì)于含有100摩爾％pfpa(0.36重量％)的樣品檢測(cè)的k值的代表性數(shù)據(jù)。表5.對(duì)于各自含有100摩爾％pfpa的兩個(gè)樣品檢測(cè)的k值數(shù)據(jù)。樣品1樣品2表6.結(jié)果匯總實(shí)施例5制造底柵-頂接觸型ofet裝置所有制備步驟在環(huán)境空氣下進(jìn)行。si/sio2晶片樣品(1x1cm)通過浸入異丙醇和丙酮中、并隨后在氮?dú)饬?55psi)中吹干而進(jìn)行清潔。此工序重復(fù)三次，然后在90℃下將基材干燥5分鐘。所得的溶液在1500rpm下在30秒內(nèi)旋涂(255asc,22℃)到經(jīng)清潔的si/sio2晶片樣品上。在90℃下干燥30秒之后，得到平滑透明的硬膜。使用254nm單色uv燈在2.97mw/cm2恒定輸出功率下進(jìn)行光固化10分鐘，相當(dāng)于能量輸入為1785mj/cm2。然后，將這些樣品浸入c-戊酮中達(dá)到60秒，隨后在氮?dú)饬?55psi)中吹干和進(jìn)一步在90℃下將基材干燥5分鐘。將p1100聚合物半導(dǎo)體(在鄰二甲苯中0.75重量％)在1000rpm(255asc,22℃)下旋涂到介電材料頂部上達(dá)到30秒，然后在90℃下干燥30秒。已蒸發(fā)的au(d≈70nm)用作源電極和漏電極。使用常規(guī)的三電極設(shè)置進(jìn)行表征。表7給出了對(duì)于代表性bgtc裝置得到的特征數(shù)據(jù)的匯總。表7.代表性bgtc裝置的特征(w/l＝50，id＝-30v).μ[cm2/vsec]2.5x10-1i開/關(guān)[a]6.6x103i漏[a]7.2x10-9這些結(jié)果進(jìn)一步顯示在圖5中。實(shí)施例6比較各種聚合物的交聯(lián)檢測(cè)以下(共)聚合物被pfpa交聯(lián)的能力：聚乙烯基吡啶(pvpyr),mw＝60k；聚2-乙烯基萘(pvn),mw＝175k；聚乙烯基芐基氯(pvbc),mw＝40.5k；聚乙烯基甲苯(pvt),mw＝72k；聚(α-甲基苯乙烯)(pαms),mn＝1,300；聚己內(nèi)酯(pcl),mn＝45k；聚乙烯基苯酚/聚甲基丙烯酸甲基酯共聚物(pvp/pmma)；聚苯乙烯-馬來酸酐共聚物(ps/ma)；聚丁二烯(pbd),mw＝20k；聚甲基丙烯酸甲基酯(pmma),mw＝996k；聚乙二醇甲基醚5,000(pegme)；和聚氧化乙烯(peo),mv＝300k。將這些聚合物的樣品溶解在溶劑中。然后，向這些溶液加入4％(w/w)pfpa。將這些溶液在254nm下用單色uv燈在恒定輸出功率2.97mw/cm2下輻照10分鐘。然后，所形成的浸漬物在初始溶劑中保留1分鐘，并且經(jīng)由過濾檢測(cè)保留率。結(jié)果如下所示：表8.各種聚合物的交聯(lián)的比較結(jié)果此實(shí)驗(yàn)證明了大量聚合物顯示在用本發(fā)明化合物引發(fā)交聯(lián)時(shí)具有顯著的保留率。因?yàn)榉磻?yīng)條件并沒有最終優(yōu)化，所以在這里沒有顯示顯著保留率的聚合物也可以在改進(jìn)反應(yīng)條件的情況下用本發(fā)明化合物交聯(lián)到一定程度。參考文獻(xiàn)ep0019726us2009/0004402us3,238,230wo2011/068482a.reiser,l.j.leyshon和l.johnston；基質(zhì)剛性對(duì)于芳族氮烯在聚合物中的反應(yīng)的影響；trans.faradaysoc.,1971,67：2389-2396。g.a.delzenne；光聚合物的照相應(yīng)用：光物理和光化學(xué)方面；ind.chim.belg.,1974,39：249-265。j.l.r.williams；光活性聚合物；polyelectrolytes,1974,507-528頁。j.j.cottart,c.loucheux和a.lablache-combier；聚合物體系的光化學(xué)iv.包含吡啶翁二氰基甲基化基團(tuán)的共聚物的光交聯(lián)；journalofappliedpolymerscience,1981,26(4)：1233-1241。t.iwayanagi,m.hashimoto和s.nonogaki；用于微石印的疊氮化合物-酚樹脂uv抗蝕劑(mrl)；polymerengineeringandscience,1983,23(17)：935-940。m.hashimoto,t.iwayanagi和h.shiraishi；疊氮化合物-酚樹脂光致抗蝕劑的光化學(xué)；polymerengineeringandscience,1986,26(16)：1090-1095。s.nonogaki；由酚樹脂和芳族疊氮化合物組成的高分辨率負(fù)型光致抗蝕劑，polymerjournal,1987,19(1)：99-104。c.c.han和j.c.corelli；深-uv輻照的聚甲基丙烯酸甲酯-疊氮化合物抗蝕劑體系的機(jī)理研究；inradiationeffectsanddefectsinsolids：incorporatingplasmascienceandplasmatechnology；1989,111(112)：45-58。m.yan,s.x.cai,m.n.wybourne,j.f.w.keana；用作新型光活性雜雙官能交聯(lián)劑的n-羥基琥珀酰亞胺酯官能化全氟苯基疊氮化合物；生物分子對(duì)聚合物表面的共價(jià)固定；bioconjugatechem.,1994,5(2)：151–157。當(dāng)前第1頁12