相關(guān)申請(qǐng)資料本專利申請(qǐng)根據(jù)35u.s.c.§119(e)，要求兩者均于2014年10月20日提交的美國臨時(shí)申請(qǐng)?zhí)?2/065815和62/065819的優(yōu)先權(quán)，將所述文獻(xiàn)全文以引用方式并入本文。
背景技術(shù)：
：一般來講，本公開涉及藍(lán)色發(fā)光化合物以及它們?cè)陔娮友b置中的用途。相關(guān)技術(shù)描述發(fā)光的有機(jī)電子裝置(諸如組成顯示器的發(fā)光二極管)存在于許多不同種類的電子設(shè)備中。在所有此類裝置中，有機(jī)活性層均被夾置在兩個(gè)電接觸層之間。所述電接觸層中的至少一個(gè)為透光的以便光能夠穿過該電接觸層。當(dāng)在整個(gè)電接觸層上施加電流時(shí)，有機(jī)活性層發(fā)射光穿過該透光的電接觸層。在發(fā)光二極管中將有機(jī)電致發(fā)光化合物用作活性組分是熟知的。已知簡(jiǎn)單的有機(jī)分子如蒽、噻二唑衍生物、和香豆素衍生物顯示電致發(fā)光。金屬絡(luò)合物，尤其是銥和鉑絡(luò)合物，也已知顯示電致發(fā)光性。在一些情況下，這些小分子化合物作為摻雜劑存在于基質(zhì)材料中以改善加工和/或電子性能。持續(xù)存在對(duì)新發(fā)光化合物的需求。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：提供具有式i的化合物，如以下具體實(shí)施方式中所述。還提供具有式i-a的化合物，如以下具體實(shí)施方式中所述。還提供具有式ii的化合物，如以下具體實(shí)施方式中所述。還提供具有式ii-a的化合物，如以下具體實(shí)施方式中所述。還提供具有式iii的化合物，如以下具體實(shí)施方式中所述。還提供具有式iii-a的化合物，如以下具體實(shí)施方式中所述。還提供具有式iv的化合物，如以下具體實(shí)施方式中所述。還提供具有式iv-a的化合物，如以下具體實(shí)施方式中所述。還提供具有式v的化合物，如以下具體實(shí)施方式中所述。還提供具有式v-a的化合物，如以下具體實(shí)施方式中所述。還提供具有式v-b的化合物，如以下具體實(shí)施方式中所述。還提供具有式vi的化合物，如以下具體實(shí)施方式中所述。還提供具有式vi-a的化合物，如以下具體實(shí)施方式中所述。還提供具有式vi-b的化合物，如以下具體實(shí)施方式中所述。還提供了包括第一電接觸件、第二電接觸件和兩者間的光敏層的有機(jī)電子裝置，所述光敏層包含具有式i、式i-a、式ii、式ii-a、式iii、式iii-a、式iv、式iv-a、式v、式v-a、式v-b、式vi、式vi-a、或式vi-b的化合物。上述綜述和下列具體實(shí)施方式僅是示例性和說明性的而不是對(duì)本發(fā)明進(jìn)行限制，本發(fā)明如所附權(quán)利要求書中所限定。附圖說明附圖中示出了實(shí)施方案，以增進(jìn)對(duì)本文所示概念的理解。圖1包括有機(jī)發(fā)光裝置的例示。圖2包括有機(jī)發(fā)光裝置的另一個(gè)例示。技術(shù)人員理解，圖中的物體是以簡(jiǎn)潔明了的方式示出的，而不一定按比例繪制。例如，圖中一些物體的尺寸相對(duì)于其它物體可能有所放大，以便于增進(jìn)對(duì)實(shí)施方案的理解。具體實(shí)施方式許多方面和實(shí)施方案已描述于上文中，并且僅是示例性的和非限制性的。在閱讀本說明書后，技術(shù)人員應(yīng)認(rèn)識(shí)到，在不脫離本發(fā)明范圍的情況下，其它方面和實(shí)施方案也是可能的。根據(jù)下列具體實(shí)施方式和權(quán)利要求書，任何一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方案的其它特征和益處將顯而易見。具體實(shí)施方式首先陳述術(shù)語的定義和解釋，隨后是化合物，具有式i或式i-a的化合物、具有式ii或式ii-a的化合物、具有式iii或式iii-a的化合物、具有式iv或式iv-a的化合物、具有式v、式v-a、或式v-b的化合物、具有式vi、式vi-a、或式vi-b的化合物，裝置，并且最后是實(shí)施例。1.術(shù)語的定義和解釋在陳述下文實(shí)施方案詳情之前，先定義或闡明一些術(shù)語。如涉及取代基團(tuán)的術(shù)語“相鄰”是指結(jié)合至與單鍵或重鍵接合在一起的碳的基團(tuán)。示例性相鄰r基團(tuán)如下所示：術(shù)語“烷氧基”旨在表示其中r為烷基基團(tuán)的ro-基團(tuán)。術(shù)語“烷基”旨在表示衍生自脂族烴的基團(tuán)并且包括直鏈、支鏈或環(huán)狀的基團(tuán)。在一些實(shí)施方案中，烷基具有1-20個(gè)碳原子。術(shù)語“芳族化合物”旨在表示包含至少一個(gè)具有4n+2個(gè)離域π電子的不飽和環(huán)狀基團(tuán)的有機(jī)化合物。術(shù)語“芳基”旨在表示衍生自芳族烴的具有一個(gè)附接點(diǎn)的基團(tuán)。該術(shù)語包括具有單環(huán)的基團(tuán)以及具有多個(gè)可由單鍵接合或稠合在一起的環(huán)的那些。烴芳基基團(tuán)在環(huán)結(jié)構(gòu)中僅具有碳。雜芳基基團(tuán)在環(huán)結(jié)構(gòu)中具有至少一個(gè)雜原子。術(shù)語“烷基芳基”旨在表示具有一個(gè)或多個(gè)烷基取代基的芳基基團(tuán)。術(shù)語“芳氧基”旨在表示其中r為芳基基團(tuán)的ro-基團(tuán)。術(shù)語“苯并芴”包括如下文所示的三種異構(gòu)體。其中數(shù)字指示核上的位置。應(yīng)當(dāng)理解，在bzf-1中的7位處可存在兩個(gè)基團(tuán)，并且在bzf-2和bzf-3中的11位處可存在兩個(gè)基團(tuán)。當(dāng)涉及層、材料、構(gòu)件、或結(jié)構(gòu)時(shí)，術(shù)語“電荷傳輸”旨在表示此類層、材料、構(gòu)件、或結(jié)構(gòu)促進(jìn)此類電荷以相對(duì)高的效率和小的電荷損失穿過此類層、材料、構(gòu)件、或結(jié)構(gòu)的厚度進(jìn)行遷移?？昭▊鬏敳牧嫌欣谡姾桑浑娮觽鬏敳牧嫌欣谪?fù)電荷。雖然發(fā)光材料也可具有某些電荷傳輸特性，但術(shù)語“電荷傳輸層、材料、構(gòu)件或結(jié)構(gòu)”并不旨在包括其主要功能為發(fā)光的層、材料、構(gòu)件或結(jié)構(gòu)。術(shù)語“氘代”旨在表示至少一個(gè)氫(“h”)被氘(“d”)置換。術(shù)語“氘代類似物”是指其中一種或更多種可用氫已被氘置換的化合物或基團(tuán)的結(jié)構(gòu)類似物。在氘代化合物或氘代類似物中，氘以天然豐度的至少100倍存在。術(shù)語“％氘代”或“氘代％”旨在表示氘核與質(zhì)子加氘核的總和的比率，以百分比表示。術(shù)語“摻雜劑”旨在表示包括基質(zhì)材料的層內(nèi)材料，與不存在此類材料時(shí)所述層的輻射發(fā)射、接收、或過濾的一種或多種電特性或一種或多種波長相比，所述摻雜劑改變了所述層的輻射發(fā)射、接收、或過濾的一種或多種電特性或一種或多種目標(biāo)波長。前綴“雜”表示一個(gè)或更多個(gè)碳原子已被不同的原子置換。在一些實(shí)施方案中，所述不同的原子為n、o或s。術(shù)語“基質(zhì)材料”旨在表示通常為層形式的材料，可向所述基質(zhì)材料中加入摻雜劑?；|(zhì)材料可具有或可不具有發(fā)射、接收、或過濾輻射的一種或多種電子特性或能力。術(shù)語“發(fā)光材料”、“發(fā)射性材料”和“發(fā)射體”旨在表示經(jīng)施加電壓激活時(shí)發(fā)射光的材料(諸如在發(fā)光二極管或發(fā)光電化學(xué)電池中)。術(shù)語“藍(lán)色發(fā)光材料”旨在表示能夠發(fā)射在約445-490nm范圍內(nèi)的波長下具有最大發(fā)射的輻射的材料。術(shù)語“層”與術(shù)語“膜”互換使用并且是指涵蓋所期望區(qū)域的涂層。所述術(shù)語不受尺寸的限制。所述區(qū)域可以大如整個(gè)裝置，也可以小如諸如實(shí)際可視顯示器的特定功能區(qū)，或小如單個(gè)子像素。層和膜可由任何常規(guī)的沉積技術(shù)形成加工，包括氣相沉積、液相沉積(連續(xù)和不連續(xù)技術(shù))、以及熱轉(zhuǎn)移。連續(xù)的沉積技術(shù)包括但不限于旋涂、凹面涂布、簾式涂布、浸涂、槽模涂布、噴涂、和連續(xù)噴涂或噴印。非連續(xù)沉積技術(shù)包括但不限于噴墨印刷、凹版印刷、以及絲網(wǎng)印刷。術(shù)語“有機(jī)電子裝置”或有時(shí)僅為“電子裝置”旨在表示包含一個(gè)或多個(gè)有機(jī)半導(dǎo)體層或材料的裝置。術(shù)語“光敏”是指當(dāng)通過所施加的電壓激活時(shí)發(fā)射光(諸如在發(fā)光二極管或化學(xué)電池中)，或者響應(yīng)于輻射能并且在或不在所施加的偏壓下生成信號(hào)(諸如在光電探測(cè)器或光伏電池中)的材料或?qū)?。術(shù)語“硅氧烷”是指基團(tuán)r3sior2si-，其中r在每次出現(xiàn)時(shí)相同或不同并且為h、d、c1-20烷基、氘代烷基、氟代烷基、芳基、或氘代芳基。在一些實(shí)施方案中，r烷基基團(tuán)中的一個(gè)或多個(gè)碳被si置換。術(shù)語“甲硅烷氧基”是指基團(tuán)r3sio-，其中r在每次出現(xiàn)時(shí)相同或不同，并且為h、d、c1-20烷基、氘代烷基、氟代烷基、芳基、或氘代芳基。術(shù)語“甲硅烷基”是指基團(tuán)r3si-，其中r在每次出現(xiàn)時(shí)相同或不同并且為h、d、c1-20烷基、氘代烷基、氟代烷基、芳基、或氘代芳基。在一些實(shí)施方案中，r烷基基團(tuán)中的一個(gè)或多個(gè)碳被si置換。所有基團(tuán)均可為未取代或取代的。下文論述了取代基。如下所示，在取代基鍵穿過一個(gè)或多個(gè)環(huán)的結(jié)構(gòu)體中，表示取代基r可結(jié)合在一個(gè)或多個(gè)環(huán)上的任何可用位置。在本說明書中，除非在使用情形下另外明確指明或指出相反情況，本發(fā)明主題的實(shí)施方案被論述或描述為包含、包括、含有、具有一些特征或要素、由一些特征或要素組成或構(gòu)成，除明確論述或描述的那些特征或要素以外的一種或多種特征或要素也可存在于實(shí)施方案中。所公開的本發(fā)明主題的一個(gè)另選的實(shí)施方案被描述為基本上由某些特征或要素組成，則其中將會(huì)顯著地改變操作原理或?qū)嵤┓桨革@著特性的實(shí)施方案特征或要素不存在于其中。本發(fā)明所述的主題的另一個(gè)另選的實(shí)施方案被描述為基本上由某些特征或要素組成，在所述實(shí)施方案或其非實(shí)質(zhì)性變型中，僅存在所具體論述或描述的特征或要素。而且，采用“一個(gè)”或“一種”來描述本文所述的成分和組分。這樣做僅是為了方便并且對(duì)本發(fā)明的范圍提供一般性意義。此描述應(yīng)被理解為包括一個(gè)或至少一個(gè)、一種或至少一種，并且單數(shù)也包括復(fù)數(shù)，除非明顯地另指他意。對(duì)應(yīng)于元素周期表內(nèi)列的族序號(hào)的使用參見“crchandbookofchemistryandphysics”，第81版(2000-2001)中所述的“新命名法”公約。除非另外定義，否則本文所用的所有技術(shù)和科學(xué)術(shù)語的含義均與本發(fā)明所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員通常理解的一樣。盡管與本文所述的那些方法和材料的類似者或等同者均可用于本發(fā)明實(shí)施方案的實(shí)踐或測(cè)試，但合適的方法和材料如下文所述。此外，材料、方法和實(shí)施例只是例示性的，而不是限制性的。至于本文未描述的有關(guān)特定材料、加工行為和電路的許多細(xì)節(jié)是常規(guī)的，并且可在有機(jī)發(fā)光二極管顯示器、光電探測(cè)器、光伏電池、和半導(dǎo)體構(gòu)件領(lǐng)域內(nèi)的教科書和其它來源中找到。2.化合物在一些實(shí)施方案中，本文所述的新化合物可用作發(fā)光材料。在一些實(shí)施方案中，新化合物為藍(lán)色發(fā)光材料。它們可單獨(dú)使用或在基質(zhì)材料中用作摻雜劑。在一些實(shí)施方案中，本文所述的新化合物具有深藍(lán)色。如本文所用，術(shù)語“深藍(lán)色”是指根據(jù)c.i.e.色度(commissioninternationaledel’eclairage，1931)，小于0.10的c.i.e.y坐標(biāo)。在一些實(shí)施方案中，本文所述的新化合物具有小于0.10；在一些實(shí)施方案中小于0.090的光致發(fā)光y坐標(biāo)。在一些實(shí)施方案中，包含本文所述新化合物的裝置具有改善的效率。在一些實(shí)施方案中，包含本文所述新化合物的裝置的效率在1000尼特下大于4.5cd/a；在一些實(shí)施方案中在1000尼特下大于5.0cd/a。在一些實(shí)施方案中，包含本文所述新化合物的裝置具有增大的壽命。在一些實(shí)施方案中，包含本文所述新化合物的裝置在50℃下具有大于1000小時(shí)的t70。如本文所用，t70是指達(dá)到70％初始亮度的時(shí)間。在一些實(shí)施方案中，包含本文所述新化合物的裝置在50℃下具有大于1500小時(shí)的t70。在一些實(shí)施方案中，包含本文所述新化合物作為發(fā)光材料的電致發(fā)光裝置具有深藍(lán)色。在一些實(shí)施方案中，x坐標(biāo)小于0.15并且y坐標(biāo)小于0.10；在一些實(shí)施方案中，y坐標(biāo)小于0.090。在本文所述新化合物的一些實(shí)施方案中，新化合物是氘代的。在一些實(shí)施方案中，新化合物是至少10％氘代的；在一些實(shí)施方案中至少20％氘代；在一些實(shí)施方案中至少30％氘代；在一些實(shí)施方案中至少40％氘代；在一些實(shí)施方案中至少50％氘代；在一些實(shí)施方案中至少60％氘代；在一些實(shí)施方案中至少70％氘代；在一些實(shí)施方案中至少80％氘代；在一些實(shí)施方案中至少90％氘代；在一些實(shí)施方案中100％氘代。在本文所述新化合物的一些實(shí)施方案中，氘代存在于核苯并芴基團(tuán)上。在本文所述新化合物的一些實(shí)施方案中，氘代存在于一個(gè)或多個(gè)取代基上。在本文所述新化合物的一些實(shí)施方案中，氘代存在于核苯并芴基團(tuán)以及一個(gè)或多個(gè)取代基上?？墒褂脤a(chǎn)生c-c或c-n鍵的任何技術(shù)，制得本文所述的新化合物。已知多種此類技術(shù)，諸如suzuki、yamamoto、stille、和金屬催化的c-n偶合以及金屬催化和氧化性直接芳基化。氘代類似化合物可以類似的方式，使用氘代前體材料制備，或者更一般地，通過在路易斯酸h/d交換催化劑諸如三氯化鋁或乙基氯化鋁或酸諸如cf3cood、dci、三氟甲磺酸等的存在下，用氘代溶劑諸如d6-苯處理非氘代化合物來制備。氘代反應(yīng)也已描述于已公布的pct申請(qǐng)wo2011/053334中。示例性制備給出于實(shí)施例中。3.具有式i或式i-a的化合物式i和式i-a的化合物具有與兩個(gè)氨基基團(tuán)直接附接的苯并芴核，其中每個(gè)氨基氮具有附接的兩個(gè)芳基基團(tuán)。具有式i或式i-a的化合物具有如上文所述的苯并芴核結(jié)構(gòu)bzf-1。在一些實(shí)施方案中，化合物具有式i：其中：q1和q2相同或不同，并且選自不存在、連接氮上兩個(gè)芳基基團(tuán)的單鍵、(cr52)w、nr6、o、s、和se，條件是q1和q2中的至少一個(gè)不是不存在；r1、r2和r4在每次出現(xiàn)時(shí)相同或不同，并且選自d、f、cn、烷基、烷氧基、氟代烷基、芳基、芳氧基、雜芳基、甲硅烷基、硅氧烷、甲硅烷氧基、甲鍺烷基、氘代烷基、氘代部分氟化的烷基、氘代烷氧基、氘代芳基、氘代雜芳基、氘代雜芳基、氘代甲硅烷基、氘代硅氧烷、氘代甲硅烷氧基、和氘代甲鍺烷基；r3在每次出現(xiàn)時(shí)相同或不同，并且選自烷基、甲硅烷基、甲鍺烷基、芳基、以及它們的氘代類似物，其中兩個(gè)烷基r3基團(tuán)可接合在一起以形成環(huán)烷基螺環(huán)，并且其中兩個(gè)r3苯基基團(tuán)可接合以形成螺芴基團(tuán)；r5在每次出現(xiàn)時(shí)相同或不同，并且選自h、d、f、烷基、氟代烷基、氘代烷基、或氘代部分氟化的烷基；r6選自芳基和氘代芳基；a和b相同或不同，并且為0或1，條件是a+b≥1；w為1-6的整數(shù)；x為0-4的整數(shù)，條件是當(dāng)a＝1時(shí)，x＝0-3；y為0-6的整數(shù)，條件是當(dāng)b＝1時(shí)，y＝0-5；z為0-5的整數(shù)，條件是當(dāng)q1不是不存在時(shí)，z為0-4；并且z1為0-5的整數(shù)，條件是當(dāng)q2不是不存在時(shí)，z1為0-4。在式i的一些實(shí)施方案中，q1不存在?！安淮嬖凇笔侵笡]有連接氮上兩個(gè)芳基基團(tuán)的鍵。“氮上兩個(gè)芳基基團(tuán)”不包括苯并芴核。在式i的一些實(shí)施方案中，q2不存在。在式i的一些實(shí)施方案中，q1和q2兩者均存在，并且不是不存在的。在式i的一些實(shí)施方案中，a＝1，b＝0，并且q1不是不存在的。在式i的一些實(shí)施方案中，a＝0，b＝1，并且q2不是不存在的。在式i的一些實(shí)施方案中，a＝b＝1。在式i的一些實(shí)施方案中，a＝1，并且氨基氮鍵合至苯并芴核上的8位。在式i的一些實(shí)施方案中，a＝1，并且氨基氮鍵合至苯并芴核上的9位。在式i的一些實(shí)施方案中，a＝1，并且氨基氮鍵合至苯并芴核上的10位。在式i的一些實(shí)施方案中，a＝1，并且氨基氮鍵合至苯并芴核上的11位。在式i的一些實(shí)施方案中，b＝1，并且氨基氮鍵合至苯并芴核上的1位。在式i的一些實(shí)施方案中，b＝1，并且氨基氮鍵合至苯并芴核上的2位。在式i的一些實(shí)施方案中，b＝1，并且氨基氮鍵合至苯并芴核上的3位。在式i的一些實(shí)施方案中，b＝1，并且氨基氮鍵合至苯并芴核上的4位。在式i的一些實(shí)施方案中，b＝1，并且氨基氮鍵合至苯并芴核上的6位。在式i的一些實(shí)施方案中，q1為單鍵。這是指氮上的兩個(gè)芳基基團(tuán)通過單鍵連接?！暗蟽蓚€(gè)芳基基團(tuán)”不包括苯并芴核。在式i的一些實(shí)施方案中，q1＝(cr52)w。在式i的一些實(shí)施方案中，r5為h或d。在式i的一些實(shí)施方案中，r5為1-20個(gè)碳；在一些實(shí)施方案中1-10個(gè)碳；在一些實(shí)施方案中1-3個(gè)碳的烷基或氘代烷基。在式i的一些實(shí)施方案中，r5為1-20個(gè)碳；在一些實(shí)施方案中1-10個(gè)碳；在一些實(shí)施方案中1-3個(gè)碳的氟代烷基或氘代部分氟化的烷基。在式i的一些實(shí)施方案中，一個(gè)r5為h或d，并且一個(gè)r5為烷基或氘代烷基。在式i的一些實(shí)施方案中，一個(gè)r5為h或d，并且一個(gè)r5為氟代烷基或氘代部分氟化的烷基。在式i的一些實(shí)施方案中，r5為烷基或氘代烷基，并且兩個(gè)r5基團(tuán)接合在一起以形成5-或6-元環(huán)。在式i的一些實(shí)施方案中，w為1。在式i的一些實(shí)施方案中，w為2。在式i的一些實(shí)施方案中，w為3。在式i的一些實(shí)施方案中，w為4。在式i的一些實(shí)施方案中，w為5。在式i的一些實(shí)施方案中，w為6。在式i的一些實(shí)施方案中，q1＝nr6。在式i的一些實(shí)施方案中，r6選自苯基、聯(lián)苯基、萘基、以及它們的氘代類似物。在式i的一些實(shí)施方案中，q1＝o。在式i的一些實(shí)施方案中，q1＝s。在式i的一些實(shí)施方案中，q1＝se。在式i的一些實(shí)施方案中，q2為單鍵。在式i的一些實(shí)施方案中，q2＝(cr52)w。在式i的一些實(shí)施方案中，q2＝nr6。在式i的一些實(shí)施方案中，q2＝o。在式i的一些實(shí)施方案中，q2＝s。在式i的一些實(shí)施方案中，q2＝se。在式i的一些實(shí)施方案中，q1和q2中的至少一個(gè)為單鍵。在式i的一些實(shí)施方案中，q1和q2中的至少一個(gè)為(cr52)w。在式i的一些實(shí)施方案中，x＝0。在式i的一些實(shí)施方案中，x＝1。在式i的一些實(shí)施方案中，x＝2。在式i的一些實(shí)施方案中，x＝3。在式i的一些實(shí)施方案中，x＝4。在式i的一些實(shí)施方案中，x>0。在式i的一些實(shí)施方案中，x>0，并且至少一個(gè)r1為d。在式i的一些實(shí)施方案中，x>0，并且至少一個(gè)r1為烷基或氘代烷基。在一些實(shí)施方案中，烷基或氘代烷基具有1-12個(gè)碳；在一些實(shí)施方案中3-8個(gè)碳；在一些實(shí)施方案中1-4個(gè)碳。在式i的一些實(shí)施方案中，y＝0。在式i的一些實(shí)施方案中，y＝1。在式i的一些實(shí)施方案中，y＝2。在式i的一些實(shí)施方案中，y＝3。在式i的一些實(shí)施方案中，y＝4。在式i的一些實(shí)施方案中，y>0。在式i的一些實(shí)施方案中，y>0，并且至少一個(gè)r2為d。在式i的一些實(shí)施方案中，y>0，并且至少一個(gè)r2為烷基或氘代烷基。在式i的一些實(shí)施方案中，r3選自具有1-12個(gè)碳；在一些實(shí)施方案中3-8個(gè)碳；在一些實(shí)施方案中1-4個(gè)碳的烷基和氘代烷基。在式i的一些實(shí)施方案中，使兩個(gè)r3基團(tuán)接合在一起以形成5-或6-元脂族環(huán)。在式i的一些實(shí)施方案中，r3選自芳基和氘代芳基。在式i的一些實(shí)施方案中，r3選自苯基和氘代苯基。在式i的一些實(shí)施方案中，兩個(gè)r3基團(tuán)為接合在一起以形成螺芴基團(tuán)的苯基基團(tuán)。在式i的一些實(shí)施方案中，z＝0。在式i的一些實(shí)施方案中，至少一個(gè)z>0。在式i的一些實(shí)施方案中，至少一個(gè)z＝1。在式i的一些實(shí)施方案中，至少一個(gè)z＝2。在式i的一些實(shí)施方案中，至少一個(gè)z＝3。在式i的一些實(shí)施方案中，至少一個(gè)z＝4。在式i的一些實(shí)施方案中，至少一個(gè)z＝5。在式i的一些實(shí)施方案中，z1＝0。在式i的一些實(shí)施方案中，至少一個(gè)z1>0。在式i的一些實(shí)施方案中，至少一個(gè)z1＝1。在式i的一些實(shí)施方案中，至少一個(gè)z1＝2。在式i的一些實(shí)施方案中，至少一個(gè)z1＝3。在式i的一些實(shí)施方案中，至少一個(gè)z1＝4。在式i的一些實(shí)施方案中，至少一個(gè)z1＝5。在式i的一些實(shí)施方案中，存在至少一個(gè)r4，并且選自芳基、雜芳基、以及它們的氘代類似物。在式i的一些實(shí)施方案中，存在至少一個(gè)r4基團(tuán)，并且選自雜芳基和氘代雜芳基，其中所述雜芳基具有至少一個(gè)選自n、o、和s的環(huán)原子。在式i的一些實(shí)施方案中，存在至少一個(gè)r4，并且為具有至少一個(gè)為n的環(huán)原子的n-雜芳基或氘代n-雜芳基。在一些實(shí)施方案中，n-雜芳基選自吡咯、吡啶、嘧啶、咔唑、咪唑、苯并咪唑、咪唑并苯并咪唑、三唑、苯并三唑、三唑吡啶、吲哚并咔唑、菲咯啉、喹啉、異喹啉、喹喔啉、吲哚、吲哚并吲哚、它們的取代的衍生物、以及它們的氘代類似物。在一些實(shí)施方案中，n-雜芳基為咔唑或氘代咔唑。在一些實(shí)施方案中，n-雜芳基為具有式cz-1的咔唑或氘代咔唑：其中：r8在每次出現(xiàn)時(shí)相同或不同并且選自d、烷基、甲硅烷基、芳基、氘代芳基、氘代甲硅烷基和氘代芳基；r9選自芳基和氘代芳基；s為0-3的整數(shù)；t為0-4的整數(shù)；并且*代表附接的點(diǎn)。在一些實(shí)施方案中，n-雜芳基為具有式cz-2的咔唑或氘代咔唑：其中r8、r9、t和*如上對(duì)cz-1所定義。在一些實(shí)施方案中，n-雜芳基為具有式cz-3的咔唑或氘代咔唑：其中r8和*如上對(duì)cz-1所定義。在一些實(shí)施方案中，n-雜芳基為具有式cz-4的咔唑或氘代咔唑：其中r8、r9和*如上文對(duì)于cz-1所定義。在一些實(shí)施方案中，n-雜芳基為具有式cz-5的咔唑或氘代咔唑：其中r8、r9和*如上文對(duì)于cz-1所定義。在一些實(shí)施方案中，n-雜芳基為具有式bzi-1的苯并咪唑或氘代苯并咪唑：其中r10選自烷基、芳基、以及它們的氘代類似物；r8和*如上文對(duì)于cz-1所定義。在一些實(shí)施方案中，n-雜芳基為具有式bzi-2的苯并咪唑或氘代苯并咪唑：其中r10和*如上文對(duì)于bzi-1所定義。在式i的一些實(shí)施方案中，存在至少一個(gè)r4，并且為具有至少一個(gè)為s的環(huán)原子的s-雜芳基。在一些實(shí)施方案中，s-雜芳基選自噻吩、苯并噻吩、二苯并噻吩、以及它們的氘代類似物。在一些實(shí)施方案中，s-雜芳基為二苯并噻吩或氘代二苯并噻吩。在一些實(shí)施方案中，s-雜芳基為具有式dbt-1的二苯并噻吩或氘代二苯并噻吩其中r8、r9和*如上文對(duì)于cz-1所定義。在一些實(shí)施方案中，s-雜芳基為具有式dbt-2的二苯并噻吩或氘代二苯并噻吩：其中*代表附接的點(diǎn)。在一些實(shí)施方案中，s-雜芳基為具有式dbt-3的二苯并噻吩或氘代二苯并噻吩：其中*代表附接的點(diǎn)。在式i的一些實(shí)施方案中，存在至少一個(gè)r4，并且為具有至少一個(gè)為o的環(huán)原子的o-雜芳基。在一些實(shí)施方案中，o-雜芳基選自呋喃、苯并呋喃、二苯并呋喃以及它們的氘代類似物。在一些實(shí)施方案中，o-雜芳基為二苯并呋喃或氘代二苯并呋喃。在一些實(shí)施方案中，o-雜芳基為具有式dbf-1的二苯并呋喃或氘代二苯并呋喃：r8、r9和*如上對(duì)cz-1所定義。在一些實(shí)施方案中，o-雜芳基為具有式dbf-2的二苯并呋喃或氘代二苯并呋喃：其中*代表附接的點(diǎn)。在一些實(shí)施方案中，o-雜芳基為具有式dbf-3的二苯并呋喃或氘代二苯并呋喃：其中*代表附接的點(diǎn)。在式i的一些實(shí)施方案中，存在至少一個(gè)r4，并且為具有至少一個(gè)為n的環(huán)原子和至少一個(gè)為o的環(huán)原子的n,o-雜芳基。在一些實(shí)施方案中，n,o-雜芳基選自唑、苯并唑以及它們的氘代類似物。在一些實(shí)施方案中，n,o-雜芳基為具有式bzo-1的苯并唑或氘代苯并唑：其中r8和*如上文對(duì)于cz-1所定義。在一些實(shí)施方案中，n,o-雜芳基為具有式bzo-2的苯并唑或氘代苯并唑：其中*代表附接的點(diǎn)。在式i的一些實(shí)施方案中，存在至少一個(gè)r4，并且為具有至少一個(gè)為n的環(huán)原子和至少一個(gè)為s的環(huán)原子的n,s-雜芳基。在一些實(shí)施方案中，n,s-雜芳基選自噻唑、苯并噻唑以及它們的氘代類似物。在一些實(shí)施方案中，n,s-雜芳基為具有式bt-1的苯并噻唑或氘代苯并噻唑：其中r8和*如上文對(duì)于cz-1所定義。在一些實(shí)施方案中，n,s-雜芳基為具有式bt-2的苯并噻唑或氘代苯并噻唑：其中*代表附接的點(diǎn)。在式i的一些實(shí)施方案中，存在至少一個(gè)r4，并且為烴芳基。在一些實(shí)施方案中，烴芳基具有6-30個(gè)環(huán)碳；在一些實(shí)施方案中6-20個(gè)環(huán)碳。在式i的一些實(shí)施方案中，存在至少一個(gè)r4，并且選自苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、1-萘基、2-萘基、蒽基、芴基、它們的氘代類似物、以及它們的具有一個(gè)或多個(gè)取代基的衍生物，所述取代基選自d、f、cn、烷基、氟代烷基、烷氧基、甲硅烷基、硅氧烷、甲硅烷氧基、氘代烷基、氘代部分氟化的烷基、氘代烷氧基、氘代甲硅烷基、氘代硅氧烷、和氘代甲硅烷氧基。在式i的一些實(shí)施方案中，存在至少一個(gè)r4，并且具有式a其中：r7在每次出現(xiàn)時(shí)相同或不同，并且選自d、烷基、芳氧基、雜芳基、烷氧基、甲硅烷氧基、甲硅烷基、甲鍺烷基、氘代烷基、氘代芳氧基、氘代雜芳基、氘代烷氧基、氘代硅氧烷、氘代甲硅烷基、氘代甲鍺烷基，其中相鄰的r7基團(tuán)可接合在一起以形成稠環(huán)；p在每次出現(xiàn)時(shí)相同或不同并且為0-4的整數(shù)；q為0-5的整數(shù)；并且r為0至5的整數(shù)。在一些實(shí)施方案中，存在至少一個(gè)r4，并且具有式b其中r7、p、q、和r如式a中一樣。在一些實(shí)施方案中，化合物具有式i-a：其中：q1和q2相同或不同，并且選自不存在、連接氮上兩個(gè)芳基基團(tuán)的單鍵、(cr52)w、nr6、o、s、和se，條件是q1和q2中的至少一個(gè)不是不存在；r1、r2和r4在每次出現(xiàn)時(shí)相同或不同，并且選自d、f、cn、烷基、烷氧基、氟代烷基、芳基、芳氧基、雜芳基、甲硅烷基、硅氧烷、甲硅烷氧基、甲鍺烷基、氘代烷基、氘代部分氟化的烷基、氘代烷氧基、氘代芳基、氘代雜芳基、氘代雜芳基、氘代甲硅烷基、氘代硅氧烷、氘代甲硅烷氧基、和氘代甲鍺烷基；r3在每次出現(xiàn)時(shí)相同或不同，并且選自烷基、甲硅烷基、甲鍺烷基、芳基、以及它們的氘代類似物，其中兩個(gè)烷基r3基團(tuán)可接合在一起以形成環(huán)烷基螺環(huán)，并且其中兩個(gè)r3苯基基團(tuán)可接合以形成螺芴基團(tuán)；r5在每次出現(xiàn)時(shí)相同或不同，并且選自h、d、f、烷基、氟代烷基、氘代烷基、或氘代部分氟化的烷基；r6選自芳基和氘代芳基；a和b相同或不同，并且為0或1，條件是a+b≥1；w為1-6的整數(shù)；x為0-4的整數(shù)，條件是當(dāng)a＝1時(shí)，x＝0-3；y為0-6的整數(shù)，條件是當(dāng)b＝1時(shí)，y＝0-5；z為0-5的整數(shù)，條件是當(dāng)q1不是不存在時(shí)，z為0-4；并且z1為0-5的整數(shù)，條件是當(dāng)q2不是不存在時(shí)，z1為0-4。如上文對(duì)于式i所述的a、b、q1、q2、r1、r2、r3、r4、w、x、y、z、和z1的所有實(shí)施方案等同地適用于式i-a。上文式i或式i-a的實(shí)施方案中任一個(gè)可與其它實(shí)施方案中的一個(gè)或多個(gè)組合，只要它們不互相排斥。例如，其中至少一個(gè)x>0，并且至少一個(gè)r1為d的實(shí)施方案可與其中至少一個(gè)z1>0，并且r4為n,s-雜芳基或氘代n,s-雜芳基的實(shí)施方案組合。對(duì)于上文所論述的其它非互相排斥的實(shí)施方案同樣適用。技術(shù)人員將理解哪些實(shí)施方案互相排斥，并將因此能夠容易地確定由本發(fā)明所預(yù)期的實(shí)施方案的組合。具有式i的化合物的示例包括但不限于以下所示化合物?；衔飅-1bd3501化合物i-2化合物i-3化合物i-4(bd3839)化合物i-5(bd3847)4.具有式ii或式ii-a的化合物式ii和式ii-a的化合物具有如上文所述的核苯并芴結(jié)構(gòu)bzf-1。在一些實(shí)施方案中，化合物具有式ii：其中：ar1–ar4相同或不同，并且選自烴芳基、雜芳基、以及它們的氘代類似物，條件是ar1–ar4中的至少一個(gè)為雜芳基或氘代雜芳基；r1和r2在每次出現(xiàn)時(shí)相同或不同，并且選自d、f、cn、烷基、烷氧基、氟代烷基、芳基、芳氧基、雜芳基、甲硅烷基、硅氧烷、甲硅烷氧基、甲鍺烷基、氘代烷基、氘代部分氟化的烷基、氘代烷氧基、氘代芳基、氘代雜芳基、氘代雜芳基、氘代甲硅烷基、氘代硅氧烷、氘代甲硅烷氧基、和氘代甲鍺烷基；r3在每次出現(xiàn)時(shí)相同或不同，并且選自烷基、甲硅烷基、甲鍺烷基、芳基、以及它們的氘代類似物，其中兩個(gè)烷基r3基團(tuán)可接合在一起以形成環(huán)烷基螺環(huán)，并且其中兩個(gè)r3苯基基團(tuán)可接合以形成螺芴基團(tuán)；a和b相同或不同，并且為0或1，條件是a+b≥1；x為0-4的整數(shù)，條件是當(dāng)a＝1時(shí)，x＝0-3；并且y為0-6的整數(shù)，條件是當(dāng)b＝1時(shí)，y＝0-5。如上文對(duì)于式i所述的r1、r2、r3、a、b、x和y的所有實(shí)施方案等同地適用于式ii。在式ii的一些實(shí)施方案中，a＝1并且氨基氮鍵合至苯并芴核上的8位。在式ii的一些實(shí)施方案中，a＝1并且氨基氮鍵合至苯并芴核上的9位。在式ii的一些實(shí)施方案中，a＝1并且氨基氮鍵合至苯并芴核上的10位。在式ii的一些實(shí)施方案中，a＝1并且氨基氮鍵合至苯并芴核上的11位。在式ii的一些實(shí)施方案中，b＝1并且氨基氮鍵合至苯并芴核上的1位。在式ii的一些實(shí)施方案中，b＝1并且氨基氮鍵合至苯并芴核上的2位。在式ii的一些實(shí)施方案中，b＝1并且氨基氮鍵合至苯并芴核上的3位。在式ii的一些實(shí)施方案中，b＝1并且氨基氮鍵合至苯并芴核上的4位。在式ii的一些實(shí)施方案中，b＝1并且氨基氮鍵合至苯并芴核上的6位。在式ii中，ar1–ar4中的至少一個(gè)為雜芳基或氘代雜芳基，并且雜芳環(huán)直接鍵合至氨基氮。當(dāng)雜芳基基團(tuán)具有兩個(gè)或更多個(gè)稠環(huán)時(shí)，基團(tuán)通過稠環(huán)中任一個(gè)上的任何可得位置直接鍵合至氨基氮。當(dāng)a＝0時(shí)，ar3和ar4中的至少一個(gè)為雜芳基或氘代雜芳基。當(dāng)b＝0時(shí)，ar1和ar2中的至少一個(gè)為雜芳基或氘代雜芳基。在式ii的一些實(shí)施方案中，ar1–ar4中的兩個(gè)為雜芳基或氘代雜芳基。在式ii的一些實(shí)施方案中，ar1–ar4中的三個(gè)為雜芳基或氘代雜芳基。在式ii的一些實(shí)施方案中，ar1–ar4全部為雜芳基或氘代雜芳基。在式ii的一些實(shí)施方案中，ar1為雜芳基或氘代雜芳基。在式ii的一些實(shí)施方案中，ar2為雜芳基或氘代雜芳基。在式ii的一些實(shí)施方案中，ar3為雜芳基或氘代雜芳基。在式ii的一些實(shí)施方案中，ar4為雜芳基或氘代雜芳基。在式ii的一些實(shí)施方案中，ar1＝ar2。在式ii的一些實(shí)施方案中，ar1≠ar2。在式ii的一些實(shí)施方案中，ar1＝ar3。在式ii的一些實(shí)施方案中，ar1≠ar3。在式ii的一些實(shí)施方案中，ar2＝ar4。在式ii的一些實(shí)施方案中，ar2≠ar4。在式ii的一些實(shí)施方案中，ar3＝ar4。在式ii的一些實(shí)施方案中，ar3≠ar4。在式ii的一些實(shí)施方案中，ar1–ar4中的至少一個(gè)為具有至少一個(gè)選自n、o、和s的環(huán)原子的雜芳基。在式ii的一些實(shí)施方案中，ar1–ar4中的至少一個(gè)為具有至少一個(gè)為n的環(huán)原子的n-雜芳基或氘代n-雜芳基。上文對(duì)于式i所述的n-雜芳基的所有實(shí)施方案等同地適用于式ii中的n-雜芳基。在式ii的一些實(shí)施方案中，ar1–ar4中的至少一個(gè)為具有至少一個(gè)為s的環(huán)原子的s-雜芳基。上文對(duì)于式i所述的s-雜芳基的所有實(shí)施方案等同地適用于式ii中的s-雜芳基。在式ii的一些實(shí)施方案中，ar1–ar4中的至少一個(gè)為具有至少一個(gè)為o的環(huán)原子的o-雜芳基。上文對(duì)于式i所述的o-雜芳基的所有實(shí)施方案等同地適用于式ii中的o-雜芳基。在式ii的一些實(shí)施方案中，ar1–ar4中的至少一個(gè)為具有至少一個(gè)為n的環(huán)原子和至少一個(gè)為o的環(huán)原子的n,o-雜芳基。上文對(duì)于式i所述的n,o-雜芳基的所有實(shí)施方案等同地適用于式ii中的n,o-雜芳基。在式ii的一些實(shí)施方案中，ar1–ar4中的至少一個(gè)為具有至少一個(gè)為n的環(huán)原子和至少一個(gè)為s的環(huán)原子的n,s-雜芳基。上文對(duì)于式i所述的n,s-雜芳基的所有實(shí)施方案等同地適用于式ii中的n,s-雜芳基。在式ii的一些實(shí)施方案中，ar1–ar4中的至少一個(gè)為烴芳基。在一些實(shí)施方案中，烴芳基具有6-30個(gè)環(huán)碳；在一些實(shí)施方案中6-20個(gè)環(huán)碳。在式ii的一些實(shí)施方案中，ar1–ar4中的至少一個(gè)選自苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、1-萘基、2-萘基、蒽基、芴基、它們的氘代類似物、以及它們的具有一個(gè)或多個(gè)取代基的衍生物，所述取代基選自氟、烷基、烷氧基、甲硅烷基、甲硅烷氧基、甲鍺烷基、以及它們的氘代類似物。在式ii的一些實(shí)施方案中，ar1–ar4中的至少一個(gè)具有如上文所述的式a。在式ii的一些實(shí)施方案中，ar1–ar4中的至少一個(gè)具有如上文所述的式b。在式ii的一些實(shí)施方案中，ar1選自苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、1-萘基、2-萘基、蒽基、芴基、它們的氘代類似物、以及它們的具有一個(gè)或多個(gè)取代基的衍生物，所述取代基選自氟、烷基、烷氧基、甲硅烷基、甲硅烷氧基、甲鍺烷基、以及它們的氘代類似物。在式ii的一些實(shí)施方案中，ar1具有式a。在式ii的一些實(shí)施方案中，ar1具有式b。在式ii的一些實(shí)施方案中，ar2選自苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、1-萘基、2-萘基、蒽基、芴基、它們的氘代類似物、以及它們的具有一個(gè)或多個(gè)取代基的衍生物，所述取代基選自氟、烷基、烷氧基、甲硅烷基、甲硅烷氧基、甲鍺烷基、以及它們的氘代類似物。在式ii的一些實(shí)施方案中，ar2具有式a。在式ii的一些實(shí)施方案中，ar2具有式b。在式ii的一些實(shí)施方案中，ar3選自苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、1-萘基、2-萘基、蒽基、芴基、它們的氘代類似物、以及它們的具有一個(gè)或多個(gè)取代基的衍生物，所述取代基選自氟、烷基、烷氧基、甲硅烷基、甲硅烷氧基、甲鍺烷基、以及它們的氘代類似物。在式ii的一些實(shí)施方案中，ar3具有式a。在式ii的一些實(shí)施方案中，ar3具有式b。在式ii的一些實(shí)施方案中，ar4選自苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、1-萘基、2-萘基、蒽基、芴基、它們的氘代類似物、以及它們的具有一個(gè)或多個(gè)取代基的衍生物，所述取代基選自氟、烷基、烷氧基、甲硅烷基、甲硅烷氧基、甲鍺烷基、以及它們的氘代類似物。在式ii的一些實(shí)施方案中，ar4具有式a。在式ii的一些實(shí)施方案中，ar4具有式b。在式ii的一些實(shí)施方案中，ar1–ar4中的任一個(gè)或多個(gè)是取代的。在式ii的一些實(shí)施方案中，ar1–ar4中的至少一個(gè)被基團(tuán)取代，所述基團(tuán)選自d、f、cn、烷基、氟代烷基、芳基、雜芳基、甲硅烷基、甲鍺烷基、氘代烷基、氘代部分氟化的烷基、氘代芳基、氘代雜芳基、氘代甲硅烷基、和氘代甲鍺烷基。在一些實(shí)施方案中，化合物具有式ii-a：其中：ar1–ar4相同或不同，并且選自烴芳基、雜芳基、以及它們的氘代類似物，條件是ar1–ar4中的至少一個(gè)為雜芳基或氘代雜芳基；r1和r2在每次出現(xiàn)時(shí)相同或不同，并且選自d、f、cn、烷基、烷氧基、氟代烷基、芳基、芳氧基、雜芳基、甲硅烷基、硅氧烷、甲硅烷氧基、甲鍺烷基、氘代烷基、氘代部分氟化的烷基、氘代烷氧基、氘代芳基、氘代雜芳基、氘代雜芳基、氘代甲硅烷基、氘代硅氧烷、氘代甲硅烷氧基、和氘代甲鍺烷基；r3在每次出現(xiàn)時(shí)相同或不同，并且選自烷基、甲硅烷基、甲鍺烷基、芳基、以及它們的氘代類似物，其中兩個(gè)烷基r3基團(tuán)可接合在一起以形成環(huán)烷基螺環(huán)，并且其中兩個(gè)r3苯基基團(tuán)可接合以形成螺芴基團(tuán)；a和b相同或不同，并且為0或1，條件是a+b≥1；x為0-4的整數(shù)，條件是當(dāng)a＝1時(shí)，x＝0-3；并且y為0-6的整數(shù)，條件是當(dāng)b＝1時(shí)，y＝0-5。如上文對(duì)于式ii所述的a、b、ar1、ar2、ar3、ar4、r1、r2、r3、x、和y的所有實(shí)施方案等同地適用于式ii-a。具有式ii的化合物的示例包括但不限于下文所示的化合物?；衔飅i-1化合物ii-2化合物ii-3化合物ii-4化合物ii-55.具有式iii或式iii-a的化合物式iii和式iii-a的化合物具有與兩個(gè)氨基基團(tuán)直接附接的苯并芴核，其中每個(gè)氨基氮具有附接的兩個(gè)芳基基團(tuán)。具有式iii或式iii-a的化合物具有如上文所述的苯并芴核結(jié)構(gòu)bzf-2。在一些實(shí)施方案中，新化合物具有式iii：其中：q1和q2相同或不同，并且選自不存在、連接氮上兩個(gè)芳基基團(tuán)的單鍵、(cr52)w、nr6、o、s、和se，條件是q1和q2中的至少一個(gè)不是不存在；r1、r2、和r4在每次出現(xiàn)時(shí)相同或不同，并且選自d、f、cn、烷基、烷氧基、氟代烷基、芳基、芳氧基、雜芳基、甲硅烷基、硅氧烷、甲硅烷氧基、甲鍺烷基、氘代烷基、氘代部分氟化的烷基、氘代烷氧基、氘代芳基、氘代雜芳基、氘代雜芳基氘代甲硅烷基、氘代硅氧烷、氘代甲硅烷氧基、和氘代甲鍺烷基；r3在每次出現(xiàn)時(shí)相同或不同，并且選自烷基、甲硅烷基、甲鍺烷基、芳基、以及它們的氘代類似物，其中兩個(gè)烷基r3基團(tuán)可接合在一起以形成環(huán)烷基螺環(huán)，并且其中兩個(gè)r3苯基基團(tuán)可接合以形成螺芴基團(tuán)；r5在每次出現(xiàn)時(shí)相同或不同，并且選自h、d、f、烷基、氟代烷基、氘代烷基、或氘代部分氟化的烷基；r6選自芳基和氘代芳基；a和b相同或不同，并且為0或1，條件是a+b≥1；w為1-6的整數(shù)；x為0-4的整數(shù)，條件是當(dāng)a＝1時(shí)，x＝0-3；y為0-6的整數(shù)，條件是當(dāng)b＝1時(shí)，y＝0-5；z為0-5的整數(shù)，條件是當(dāng)q1不是不存在時(shí)，z為0-4；并且z1為0-5的整數(shù)，條件是當(dāng)q2不是不存在時(shí)，z1為0-4。如上文對(duì)于式i所述的a、b、q1、q2、r1、r2、r3、r4、r5、r6、w、x、y、z、和z1的所有實(shí)施方案等同地適用于式iii。在式iii的一些實(shí)施方案中，a＝1并且氨基氮鍵合至苯并芴核上的1位。在式iii的一些實(shí)施方案中，a＝1并且氨基氮鍵合至苯并芴核上的2位。在式iii的一些實(shí)施方案中，a＝1并且氨基氮鍵合至苯并芴核上的3位。在式iii的一些實(shí)施方案中，a＝1并且氨基氮鍵合至苯并芴核上的4位。在式iii的一些實(shí)施方案中，b＝1并且氨基氮鍵合至苯并芴核上的5位。在式iii的一些實(shí)施方案中，b＝1并且氨基氮鍵合至苯并芴核上的6位。在式iii的一些實(shí)施方案中，b＝1并且氨基氮鍵合至苯并芴核上的7位。在式iii的一些實(shí)施方案中，b＝1并且氨基氮鍵合至苯并芴核上的8位。在式iii的一些實(shí)施方案中，b＝1并且氨基氮鍵合至苯并芴核上的9位。在式iii的一些實(shí)施方案中，b＝1并且氨基氮鍵合至苯并芴核上的9位。在一些實(shí)施方案中，化合物具有式iii-a：其中：q1和q2相同或不同，并且選自不存在、連接氮上兩個(gè)芳基基團(tuán)的單鍵、(cr52)w、nr6、o、s、和se，條件是q1和q2中的至少一個(gè)不是不存在；r1、r2、和r4在每次出現(xiàn)時(shí)相同或不同，并且選自d、f、cn、烷基、烷氧基、氟代烷基、芳基、芳氧基、雜芳基、甲硅烷基、硅氧烷、甲硅烷氧基、甲鍺烷基、氘代烷基、氘代部分氟化的烷基、氘代烷氧基、氘代芳基、氘代雜芳基、氘代雜芳基氘代甲硅烷基、氘代硅氧烷、氘代甲硅烷氧基、和氘代甲鍺烷基；r3在每次出現(xiàn)時(shí)相同或不同，并且選自烷基、甲硅烷基、甲鍺烷基、芳基、以及它們的氘代類似物，其中兩個(gè)烷基r3基團(tuán)可接合在一起以形成環(huán)烷基螺環(huán)，并且其中兩個(gè)r3苯基基團(tuán)可接合以形成螺芴基團(tuán)；r5在每次出現(xiàn)時(shí)相同或不同，并且選自h、d、f、烷基、氟代烷基、氘代烷基、或氘代部分氟化的烷基；r6選自芳基和氘代芳基；a和b相同或不同，并且為0或1，條件是a+b≥1；w為1-6的整數(shù)；x為0-4的整數(shù)，條件是當(dāng)a＝1時(shí)，x＝0-3；y為0-6的整數(shù)，條件是當(dāng)b＝1時(shí)，y＝0-5；z為0-5的整數(shù)，條件是當(dāng)q1不是不存在時(shí)，z為0-4；并且z1為0-5的整數(shù)，條件是當(dāng)q2不是不存在時(shí)，z1為0-4。如上文對(duì)于式i所述的a、b、q1、q2、r1、r2、r3、r4、r5、r6、w、x、y、z、和z1的所有實(shí)施方案等同地適用于式iii-a。上文式iii或式iii-a中的任何實(shí)施方案可與其它實(shí)施方案中的一個(gè)或多個(gè)組合，只要它們不互相排斥。例如，其中r1為h或d的實(shí)施方案可與其中r3為具有3-8個(gè)碳的烷基或氘代烷基的實(shí)施方案以及其中a＝b＝1的實(shí)施方案組合。對(duì)于上文所論述的其它非互相排斥的實(shí)施方案同樣適用。技術(shù)人員將理解哪些實(shí)施方案互相排斥，并將因此能夠容易地確定由本發(fā)明所預(yù)期的實(shí)施方案的組合。具有式iii的化合物的示例包括但不限于下文所示的化合物?；衔飅ii-1化合物iii-2化合物iii-36.具有式iv或式iv-a的化合物具有式iv或式iv-a的化合物具有上文所述的苯并芴核結(jié)構(gòu)bzf-2。在一些實(shí)施方案中，化合物具有式iv：其中：ar1–ar4相同或不同，并且選自烴芳基、雜芳基、以及它們的氘代類似物，條件是ar1–ar4中的至少一個(gè)為雜芳基或氘代雜芳基；r1和r2在每次出現(xiàn)時(shí)相同或不同，并且選自d、f、cn、烷基、烷氧基、氟代烷基、芳基、芳氧基、雜芳基、甲硅烷基、硅氧烷、甲硅烷氧基、甲鍺烷基、氘代烷基、氘代部分氟化的烷基、氘代烷氧基、氘代芳基、氘代雜芳基、氘代雜芳基、氘代甲硅烷基、氘代硅氧烷、氘代甲硅烷氧基、和氘代甲鍺烷基；r3在每次出現(xiàn)時(shí)相同或不同，并且選自烷基、甲硅烷基、甲鍺烷基、芳基、以及它們的氘代類似物，其中兩個(gè)烷基r3基團(tuán)可接合在一起以形成環(huán)烷基螺環(huán)，并且其中兩個(gè)r3苯基基團(tuán)可接合以形成螺芴基團(tuán)；a和b相同或不同，并且為0或1，條件是a+b≥1；x為0-4的整數(shù)，條件是當(dāng)a＝1時(shí)，x＝0-3；并且y為0-6的整數(shù)，條件是當(dāng)b＝1時(shí)，y＝0-5。在式iv中，ar1–ar4中的至少一個(gè)為雜芳基或氘代雜芳基，并且雜芳環(huán)直接鍵合至氨基氮。當(dāng)雜芳基基團(tuán)具有兩個(gè)或更多個(gè)稠環(huán)時(shí)，基團(tuán)通過稠環(huán)中任一個(gè)上的任何可得位置直接鍵合至氨基氮。如上文對(duì)于式ii所述的a、b、ar1、ar2、ar3、ar4、r1、r2、r3、x、和y的所有實(shí)施方案等同地適用于式iv。在式iv的一些實(shí)施方案中，a＝1，并且氨基氮鍵合至苯并芴核上的1位。在式iv的一些實(shí)施方案中，a＝1，并且氨基氮鍵合至苯并芴核上的2位。在式iv的一些實(shí)施方案中，a＝1，并且氨基氮鍵合至苯并芴核上的3位。在式iv的一些實(shí)施方案中，a＝1，并且氨基氮鍵合至苯并芴核上的4位。在式iv的一些實(shí)施方案中，b＝1，并且氨基氮鍵合至苯并芴核上的5位。在式iv的一些實(shí)施方案中，b＝1，并且氨基氮鍵合至苯并芴核上的6位。在式iv的一些實(shí)施方案中，b＝1，并且氨基氮鍵合至苯并芴核上的7位。在式iv的一些實(shí)施方案中，b＝1，并且氨基氮鍵合至苯并芴核上的8位。在式iv的一些實(shí)施方案中，b＝1，并且氨基氮鍵合至苯并芴核上的9位。在式iv的一些實(shí)施方案中，b＝1，并且氨基氮鍵合至苯并芴核上的9位。在一些實(shí)施方案中，化合物具有式iv-a：其中：ar1–ar4相同或不同，并且選自烴芳基、雜芳基、以及它們的氘代類似物，條件是ar1–ar4中的至少一個(gè)為雜芳基或氘代雜芳基；r1和r2在每次出現(xiàn)時(shí)相同或不同，并且選自d、f、cn、烷基、烷氧基、氟代烷基、芳基、芳氧基、雜芳基、甲硅烷基、硅氧烷、甲硅烷氧基、甲鍺烷基、氘代烷基、氘代部分氟化的烷基、氘代烷氧基、氘代芳基、氘代雜芳基、氘代雜芳基、氘代甲硅烷基、氘代硅氧烷、氘代甲硅烷氧基、和氘代甲鍺烷基；r3在每次出現(xiàn)時(shí)相同或不同，并且選自烷基、甲硅烷基、甲鍺烷基、芳基、以及它們的氘代類似物，其中兩個(gè)烷基r3基團(tuán)可接合在一起以形成環(huán)烷基螺環(huán)，并且其中兩個(gè)r3苯基基團(tuán)可接合以形成螺芴基團(tuán)；a和b相同或不同，并且為0或1，條件是a+b≥1；x為0-4的整數(shù)，條件是當(dāng)a＝1時(shí)，x＝0-3；并且y為0-6的整數(shù)，條件是當(dāng)b＝1時(shí)，y＝0-5。如上文對(duì)于式ii所述的a、b、ar1、ar2、ar3、ar4、r1、r2、r3、x、和y的所有實(shí)施方案等同地適用于式iv-a。上文式iv或式iv-a中的任何實(shí)施方案可與其它實(shí)施方案中的一個(gè)或多個(gè)組合，只要它們不互相排斥。例如，其中ar1為咔唑或氘代咔唑的實(shí)施方案可與其中ar2為苯基或氘代苯基的實(shí)施方案以及其中ar1＝ar3的實(shí)施方案組合。對(duì)于上文所論述的其它非互相排斥的實(shí)施方案同樣適用。技術(shù)人員將理解哪些實(shí)施方案互相排斥，并將因此能夠容易地確定由本發(fā)明所預(yù)期的實(shí)施方案的組合。具有式iv的化合物的示例包括但不限于下文所示的化合物?；衔飅v-1化合物iv-2化合物iv-37.具有式v、式v-a、或式v-b的化合物式v、式v-a、和式v-b的化合物具有與兩個(gè)氨基基團(tuán)直接附接的苯并芴核，其中每個(gè)氨基氮具有附接的兩個(gè)芳基基團(tuán)。具有式v、式v-a、或式v-b的化合物具有上文所述的苯并芴核結(jié)構(gòu)bzf-3。在一些實(shí)施方案中，化合物具有式v：其中：q1和q2相同或不同，并且選自不存在、連接氮上兩個(gè)芳基基團(tuán)的單鍵、(cr52)w、nr6、o、s、和se，條件是q1和q2中的至少一個(gè)不是不存在；r1、r2、和r4在每次出現(xiàn)時(shí)相同或不同，并且選自d、f、cn、烷基、烷氧基、氟代烷基、芳基、芳氧基、雜芳基、甲硅烷基、硅氧烷、甲硅烷氧基、甲鍺烷基、氘代烷基、氘代部分氟化的烷基、氘代烷氧基、氘代芳基、氘代雜芳基、氘代雜芳基氘代甲硅烷基、氘代硅氧烷、氘代甲硅烷氧基、和氘代甲鍺烷基；r3在每次出現(xiàn)時(shí)相同或不同，并且選自烷基、甲硅烷基、甲鍺烷基、芳基、以及它們的氘代類似物，其中兩個(gè)烷基r3基團(tuán)可接合在一起以形成環(huán)烷基螺環(huán)，并且其中兩個(gè)r3苯基基團(tuán)可接合以形成螺芴基團(tuán)；r5在每次出現(xiàn)時(shí)相同或不同，并且選自h、d、f、烷基、氟代烷基、氘代烷基、或氘代部分氟化的烷基；r6選自芳基和氘代芳基；a和b相同或不同，并且為0或1，條件是a+b≥1；w為1-6的整數(shù)；x為0-4的整數(shù)，條件是當(dāng)a＝1時(shí)，x＝0-3；y為0-6的整數(shù)，條件是當(dāng)b＝1時(shí)，y＝0-5；z為0-5的整數(shù)，條件是當(dāng)q1不是不存在時(shí)，z為0-4；并且z1為0-5的整數(shù)，條件是當(dāng)q2不是不存在時(shí)，z1為0-4。如上文對(duì)于式i所述的a、b、q1、q2、r1、r2、r3、r4、r5、r6、w、x、y、z、和z1的所有實(shí)施方案等同地適用于式v。在式v的一些實(shí)施方案中，a＝1，并且氨基氮鍵合至苯并芴核上的7位。在式v的一些實(shí)施方案中，a＝1，并且氨基氮鍵合至苯并芴核上的8位。在式v的一些實(shí)施方案中，a＝1，并且氨基氮鍵合至苯并芴核上的9位。在式v的一些實(shí)施方案中，a＝1，并且氨基氮鍵合至苯并芴核上的10位。在式v的一些實(shí)施方案中，b＝1，并且氨基氮鍵合至苯并芴核上的1位。在式v的一些實(shí)施方案中，b＝1，并且氨基氮鍵合至苯并芴核上的2位。在式v的一些實(shí)施方案中，b＝1，并且氨基氮鍵合至苯并芴核上的3位。在式v的一些實(shí)施方案中，b＝1，并且氨基氮鍵合至苯并芴核上的4位。在式v的一些實(shí)施方案中，b＝1，并且氨基氮鍵合至苯并芴核上的5位。在式v的一些實(shí)施方案中，b＝1，并且氨基氮鍵合至苯并芴核上的6位。在一些實(shí)施方案中，化合物具有式v-a：其中：q1和q2相同或不同，并且選自不存在、連接氮上兩個(gè)芳基基團(tuán)的單鍵、(cr52)w、nr6、o、s、和se，條件是q1和q2中的至少一個(gè)不是不存在；r1、r2、和r4在每次出現(xiàn)時(shí)相同或不同，并且選自d、f、cn、烷基、烷氧基、氟代烷基、芳基、芳氧基、雜芳基、甲硅烷基、硅氧烷、甲硅烷氧基、甲鍺烷基、氘代烷基、氘代部分氟化的烷基、氘代烷氧基、氘代芳基、氘代雜芳基、氘代雜芳基氘代甲硅烷基、氘代硅氧烷、氘代甲硅烷氧基、和氘代甲鍺烷基；r3在每次出現(xiàn)時(shí)相同或不同，并且選自烷基、甲硅烷基、甲鍺烷基、芳基、以及它們的氘代類似物，其中兩個(gè)烷基r3基團(tuán)可接合在一起以形成環(huán)烷基螺環(huán)，并且其中兩個(gè)r3苯基基團(tuán)可接合以形成螺芴基團(tuán)；r5在每次出現(xiàn)時(shí)相同或不同，并且選自h、d、f、烷基、氟代烷基、氘代烷基、或氘代部分氟化的烷基；r6選自芳基和氘代芳基；a和b相同或不同，并且為0或1，條件是a+b≥1；w為1-6的整數(shù)；x為0-4的整數(shù)，條件是當(dāng)a＝1時(shí)，x＝0-3；y為0-6的整數(shù)，條件是當(dāng)b＝1時(shí)，y＝0-5；z為0-5的整數(shù)，條件是當(dāng)q1不是不存在時(shí)，z為0-4；并且z1為0-5的整數(shù)，條件是當(dāng)q2不是不存在時(shí)，z1為0-4。如上文對(duì)于式i所述的a、b、q1、q2、r1、r2、r3、r4、r5、r6、w、x、y、z、和z1的所有實(shí)施方案等同地適用于式v-a。在一些實(shí)施方案中，化合物具有式v-b：其中：q1和q2相同或不同，并且選自不存在、連接氮上兩個(gè)芳基基團(tuán)的單鍵、(cr52)w、nr6、o、s、和se，條件是q1和q2中的至少一個(gè)不是不存在；r1、r2、和r4在每次出現(xiàn)時(shí)相同或不同，并且選自d、f、cn、烷基、烷氧基、氟代烷基、芳基、芳氧基、雜芳基、甲硅烷基、硅氧烷、甲硅烷氧基、甲鍺烷基、氘代烷基、氘代部分氟化的烷基、氘代烷氧基、氘代芳基、氘代雜芳基、氘代雜芳基氘代甲硅烷基、氘代硅氧烷、氘代甲硅烷氧基、和氘代甲鍺烷基；r3在每次出現(xiàn)時(shí)相同或不同，并且選自烷基、甲硅烷基、甲鍺烷基、芳基、以及它們的氘代類似物，其中兩個(gè)烷基r3基團(tuán)可接合在一起以形成環(huán)烷基螺環(huán)，并且其中兩個(gè)r3苯基基團(tuán)可接合以形成螺芴基團(tuán)；r5在每次出現(xiàn)時(shí)相同或不同，并且選自h、d、f、烷基、氟代烷基、氘代烷基、或氘代部分氟化的烷基；r6選自芳基和氘代芳基；a和b相同或不同，并且為0或1，條件是a+b≥1；w為1-6的整數(shù)；x為0-4的整數(shù)，條件是當(dāng)a＝1時(shí)，x＝0-3；y為0-6的整數(shù)，條件是當(dāng)b＝1時(shí)，y＝0-5；z為0-5的整數(shù)，條件是當(dāng)q1不是不存在時(shí)，z為0-4；并且z1為0-5的整數(shù)，條件是當(dāng)q2不是不存在時(shí)，z1為0-4。如上文對(duì)于式i所述的a、b、q1、q2、r1、r2、r3、r4、r5、r6、w、x、y、z、和z1的所有實(shí)施方案等同地適用于式v-b。上文式v、式v-a或式v-b中的任何實(shí)施方案可與其它實(shí)施方案中的一個(gè)或多個(gè)組合，只要它們不互相排斥。例如，其中至少一個(gè)r4為n,o-雜芳基的實(shí)施方案可與其中至少一個(gè)r4具有式b的實(shí)施方案組合。對(duì)于上文論述的其它非互相排斥的實(shí)施方案同樣適用。技術(shù)人員將理解哪些實(shí)施方案互相排斥，并將因此能夠容易地確定由本發(fā)明所預(yù)期的實(shí)施方案的組合。具有式v的化合物的示例包括但不限于下文所示的化合物?；衔飗-1化合物v-2化合物v-38.具有式vi、式vi-a或式vi-b的化合物具有式vi、式vi-a、或式vi-b的化合物具有上文所述的苯并芴核結(jié)構(gòu)bzf-3。在一些實(shí)施方案中，化合物具有式vi：其中：ar1–ar4相同或不同，并且選自烴芳基、雜芳基、以及它們的氘代類似物，條件是ar1–ar4中的至少一個(gè)為雜芳基或氘代雜芳基；r1和r2在每次出現(xiàn)時(shí)相同或不同，并且選自d、f、cn、烷基、烷氧基、氟代烷基、芳基、芳氧基、雜芳基、甲硅烷基、硅氧烷、甲硅烷氧基、甲鍺烷基、氘代烷基、氘代部分氟化的烷基、氘代烷氧基、氘代芳基、氘代雜芳基、氘代雜芳基、氘代甲硅烷基、氘代硅氧烷、氘代甲硅烷氧基、和氘代甲鍺烷基；r3在每次出現(xiàn)時(shí)相同或不同，并且選自烷基、甲硅烷基、甲鍺烷基、芳基、以及它們的氘代類似物，其中兩個(gè)烷基r3基團(tuán)可接合在一起以形成環(huán)烷基螺環(huán)，并且其中兩個(gè)r3苯基基團(tuán)可接合以形成螺芴基團(tuán)；a和b相同或不同，并且為0或1，條件是a+b≥1；x為0-4的整數(shù)，條件是當(dāng)a＝1時(shí)，x＝0-3；并且y為0-6的整數(shù)，條件是當(dāng)b＝1時(shí)，y＝0-5。在式vi中，ar1–ar4中的至少一個(gè)為雜芳基或氘代雜芳基，并且雜芳環(huán)直接鍵合至氨基氮。當(dāng)雜芳基基團(tuán)具有兩個(gè)或更多個(gè)稠環(huán)時(shí)，基團(tuán)通過稠環(huán)中任一個(gè)上的任何可得位置直接鍵合至氨基氮。在式vi的一些實(shí)施方案中，a＝1，并且氨基氮鍵合至苯并芴核上的7位。在式vi的一些實(shí)施方案中，a＝1，并且氨基氮鍵合至苯并芴核上的8位。在式vi的一些實(shí)施方案中，a＝1，并且氨基氮鍵合至苯并芴核上的9位。在式vi的一些實(shí)施方案中，a＝1，并且氨基氮鍵合至苯并芴核上的10位。在式vi的一些實(shí)施方案中，b＝1，并且氨基氮鍵合至苯并芴核上的1位。在式vi的一些實(shí)施方案中，b＝1，并且氨基氮鍵合至苯并芴核上的2位。在式vi的一些實(shí)施方案中，b＝1，并且氨基氮鍵合至苯并芴核上的3位。在式vi的一些實(shí)施方案中，b＝1，并且氨基氮鍵合至苯并芴核上的4位。在式vi的一些實(shí)施方案中，b＝1，并且氨基氮鍵合至苯并芴核上的5位。在式vi的一些實(shí)施方案中，b＝1，并且氨基氮鍵合至苯并芴核上的6位。如上文對(duì)于式ii所述的a、b、ar1、ar2、ar3、ar4、r1、r2、r3、x、和y的所有實(shí)施方案等同地適用于式vi。在一些實(shí)施方案中，化合物具有式vi-a：其中：ar1–ar4相同或不同，并且選自烴芳基、雜芳基、以及它們的氘代類似物，條件是ar1–ar4中的至少一個(gè)為雜芳基或氘代雜芳基；r1和r2在每次出現(xiàn)時(shí)相同或不同，并且選自d、f、cn、烷基、烷氧基、氟代烷基、芳基、芳氧基、雜芳基、甲硅烷基、硅氧烷、甲硅烷氧基、甲鍺烷基、氘代烷基、氘代部分氟化的烷基、氘代烷氧基、氘代芳基、氘代雜芳基、氘代雜芳基、氘代甲硅烷基、氘代硅氧烷、氘代甲硅烷氧基、和氘代甲鍺烷基；r3在每次出現(xiàn)時(shí)相同或不同，并且選自烷基、甲硅烷基、甲鍺烷基、芳基、以及它們的氘代類似物，其中兩個(gè)烷基r3基團(tuán)可接合在一起以形成環(huán)烷基螺環(huán)，并且其中兩個(gè)r3苯基基團(tuán)可接合以形成螺芴基團(tuán)；a和b相同或不同，并且為0或1，條件是a+b≥1；x為0-4的整數(shù)，條件是當(dāng)a＝1時(shí)，x＝0-3；并且y為0-6的整數(shù)，條件是當(dāng)b＝1時(shí)，y＝0-5。如上文對(duì)于式ii所述的a、b、ar1、ar2、ar3、ar4、r1、r2、r3、x、和y的所有實(shí)施方案等同地適用于式vi-a。在一些實(shí)施方案中，化合物具有式vi-b：其中：ar1–ar4相同或不同，并且選自烴芳基、雜芳基、以及它們的氘代類似物，條件是ar1–ar4中的至少一個(gè)為雜芳基或氘代雜芳基；r1和r2在每次出現(xiàn)時(shí)相同或不同，并且選自d、f、cn、烷基、烷氧基、氟代烷基、芳基、芳氧基、雜芳基、甲硅烷基、硅氧烷、甲硅烷氧基、甲鍺烷基、氘代烷基、氘代部分氟化的烷基、氘代烷氧基、氘代芳基、氘代雜芳基、氘代雜芳基、氘代甲硅烷基、氘代硅氧烷、氘代甲硅烷氧基、和氘代甲鍺烷基；r3在每次出現(xiàn)時(shí)相同或不同，并且選自烷基、甲硅烷基、甲鍺烷基、芳基、以及它們的氘代類似物，其中兩個(gè)烷基r3基團(tuán)可接合在一起以形成環(huán)烷基螺環(huán)，并且其中兩個(gè)r3苯基基團(tuán)可接合以形成螺芴基團(tuán)；a和b相同或不同，并且為0或1，條件是a+b≥1；x為0-4的整數(shù)，條件是當(dāng)a＝1時(shí)，x＝0-3；并且y為0-6的整數(shù)，條件是當(dāng)b＝1時(shí)，y＝0-5。如上文對(duì)于式ii所述的a、b、ar1、ar2、ar3、ar4、r1、r2、r3、x、和y的所有實(shí)施方案等同地適用于式vi-b。上文式vi、式vi-a或式vi-b中的任何實(shí)施方案可與其它實(shí)施方案中的一個(gè)或多個(gè)組合，只要它們不互相排斥。例如，其中ar1為二苯并噻吩或氘代二苯并噻吩的實(shí)施方案可與其中x＝1的實(shí)施方案以及其中至少一個(gè)r1為烷基或氘代烷基的實(shí)施方案組合。對(duì)于上文所論述的其它非互相排斥的實(shí)施方案同樣適用。技術(shù)人員將理解哪些實(shí)施方案互相排斥，并將因此能夠容易地確定由本發(fā)明所預(yù)期的實(shí)施方案的組合。具有式v的化合物的示例包括但不限于下文所示的化合物?；衔飗i-1化合物vi-2化合物vi-39.裝置可受益于具有包含本文所述式i、式i-a、式ii、式ii-a、式iii、式iii-a、式iv、式iv-a、式v、式v-a、式v-b、式vi、式vi-a、或式vi-b的化合物的一個(gè)或多個(gè)層的有機(jī)電子裝置包括但不限于(1)將電能轉(zhuǎn)化為輻射的裝置(例如發(fā)光二極管、發(fā)光二極管顯示器、照明裝置、照明設(shè)備或二極管激光器)，(2)通過電子處理檢測(cè)信號(hào)的裝置(例如光電探測(cè)器、光電導(dǎo)管、光敏電阻器、光控開關(guān)、光電晶體管、光電管、ir探測(cè)器、生物傳感器)，(3)將輻射轉(zhuǎn)換成電能的裝置(例如光伏裝置或太陽能電池)，以及(4)將一個(gè)波長的光轉(zhuǎn)換為較長波長的光的裝置(例如降頻轉(zhuǎn)換熒光體裝置)；(5)包括一個(gè)或多個(gè)電子部件的裝置，所述電子部件包括一個(gè)或多個(gè)有機(jī)半導(dǎo)體層(例如晶體管或二極管)，或項(xiàng)目(1)至(5)中裝置的任何組合。在一些實(shí)施方案中，裝置包括具有式i的化合物的光敏層。在一些實(shí)施方案中，裝置包括具有式i-a的化合物的光敏層。在一些實(shí)施方案中，裝置包括具有式ii的化合物的光敏層。在一些實(shí)施方案中，裝置包括具有式ii-a的化合物的光敏層。在一些實(shí)施方案中，裝置包括具有式iii的化合物的光敏層。在一些實(shí)施方案中，裝置包括具有式iii-a的化合物的光敏層。在一些實(shí)施方案中，裝置包括具有式iv的化合物的光敏層。在一些實(shí)施方案中，裝置包括具有式iv-a的化合物的光敏層。在一些實(shí)施方案中，裝置包括具有式v的化合物的光敏層。在一些實(shí)施方案中，裝置包括具有式v-a的化合物的光敏層。在一些實(shí)施方案中，裝置包括具有式v-b的化合物的光敏層。在一些實(shí)施方案中，裝置包括具有式v的化合物的光敏層。在一些實(shí)施方案中，裝置包括具有式vi-a的化合物的光敏層。在一些實(shí)施方案中，裝置包括具有式vi-b的化合物的光敏層。在一些實(shí)施方案中，裝置包括陽極和陰極以及兩者間的光敏層，其中所述光敏層包含具有式i、式i-a、式ii、式ii-a、式iii、式iii-a、式iv、式iv-a、式v、式v-a、式v-b、式vi、式vi-a、或式vi-b的化合物。包含一種本文所述新化合物的有機(jī)電子裝置結(jié)構(gòu)的一個(gè)示例示于圖1中。裝置100具有第一電接觸層(即陽極層110)和第二電接觸層(即陰極層160)、以及介于所述第一電接觸層和所述第二電接觸層之間的光敏層140。鄰近陽極的是空穴注入層120。鄰近空穴注入層的是包含空穴傳輸材料的空穴傳輸層130。鄰近陰極的可以是包含電子傳輸材料的電子傳輸層150。作為選擇，該裝置可以使用一個(gè)或多個(gè)緊鄰陽極110的附加的空穴注入層或空穴傳輸層(未示出)，和/或一個(gè)或多個(gè)緊鄰陰極160的附加的電子注入層或電子傳輸層(未示出)。作為另外的選項(xiàng)，裝置可具有在光敏層140和電子傳輸層150之間的抗淬滅層(未示出)。層120至150，以及在它們之間的任何附加層，單個(gè)地以及共同地稱為活性層。在一些實(shí)施方案中，所述光敏層如圖2所示是像素化的。在裝置200中，層140被分成在所述層之上重復(fù)的像素或子像素單元141、142和143。每一個(gè)像素或子像素單元表示不同的顏色。在一些實(shí)施方案中，所述子像素單元為紅色、綠色、藍(lán)色。盡管三個(gè)子像素單元在圖中顯示，但可使用兩個(gè)或多于三個(gè)。在一些實(shí)施方案中，不同的層具有以下范圍內(nèi)的厚度：陽極110，在一些實(shí)施方案中為空穴注入層120，在一些實(shí)施方案中為空穴傳輸層130，在一些實(shí)施方案中為光敏層140，在一些實(shí)施方案中為100-電子傳輸層150，在一些實(shí)施方案中為陰極160，在一些實(shí)施方案中為裝置內(nèi)電子-空穴重組區(qū)域的位置會(huì)受每層相對(duì)厚度的影響，從而影響裝置的發(fā)射光譜。層厚度的期望比率將取決于所用材料的確切性質(zhì)。在一些實(shí)施方案中，具有式i、式i-a、式ii、式ii-a、式iii、式iii-a、式iv、式iv-a、式v、式v-a、式v-b、式vi、式vi-a、或式vi-b的化合物可用作光敏層140中的發(fā)光材料，具有藍(lán)色發(fā)光顏色。它們可單獨(dú)使用或在基質(zhì)材料中用作摻雜劑。a.光敏層在一些實(shí)施方案中，所述光敏層包含基質(zhì)材料和作為摻雜劑的具有式i、式i-a、式ii、式ii-a、式iii、式iii-a、式iv、式iv-a、式v、式v-a、式v-b、式vi、式vi-a、或式vi-b的化合物。在一些實(shí)施方案中，存在第二基質(zhì)材料。在一些實(shí)施方案中，所述光敏層僅包含基質(zhì)材料和作為摻雜劑的具有式i、式i-a、式ii、式ii-a、式iii、式iii-a、式iv、式iv-a、式v、式v-a、式v-b、式vi、式vi-a、或式vi-b的化合物。在一些實(shí)施方案中，存在微量的其它材料，只要其不顯著改變層的功能。在一些實(shí)施方案中，所述光敏層僅包含第一基質(zhì)材料、第二基質(zhì)材料、和作為摻雜劑的具有式i、式i-a、式ii、式ii-a、式iii、式iii-a、式iv、式iv-a、式v、式v-a、式v-b、式vi、式vi-a、或式vi-b的化合物。在一些實(shí)施方案中，存在微量的其它材料，只要其不顯著改變層的功能。摻雜劑與總基質(zhì)材料的重量比在5:95至70:30的范圍內(nèi)；在一些實(shí)施方案中，10:90至20:80。在一些實(shí)施方案中，所述基質(zhì)材料選自蒽、芘、菲、三亞苯、菲咯啉、萘、三嗪、喹啉、異喹啉、喹喔啉、苯基吡啶、苯并二呋喃、金屬喹啉復(fù)合物、茚并芴、吲哚并咔唑、吲哚并吲哚、它們的氘代類似物、以及它們的組合。在一些實(shí)施方案中，基質(zhì)材料為9,10-二芳基蒽化合物或其氘代類似物。在一些實(shí)施方案中，所述基質(zhì)材料為具有一個(gè)或兩個(gè)二芳基氨基取代基的衍生物或其氘代類似物。在一些實(shí)施方案中，所述基質(zhì)材料為具有一個(gè)或兩個(gè)二芳基氨基取代基的吲哚并吲哚衍生物或其氘代類似物。由所述實(shí)施方案、具體實(shí)施方案、具體實(shí)施例、以及上文所述實(shí)施方案組合代表的任何式i、式i-a、式ii、式ii-a、式iii、式iii-a、式iv、式iv-a、式v、式v-a、式v-b、式vi、式vi-a、或式vi-b的化合物可用于光敏層中。b.其它裝置層裝置中的其它層可由已知用于此類層中的任何材料制得。陽極110為用于注入正電荷載體的尤其有效的電極。它可由例如包含金屬、混合金屬、合金、金屬氧化物或混合金屬氧化物的材料制得，或它可為導(dǎo)電聚合物，或它們的混合物。合適的金屬包括第11族金屬，第4、5和6族的金屬，以及第8-10族過渡金屬。如果使陽極具有透光性，則一般使用12族、13族和14族金屬的混合金屬氧化物，諸如氧化銦錫。陽極還可由有機(jī)材料諸如聚苯胺，如在“flexiblelight-emittingdiodesmadefromsolubleconductingpolymer，”nature第357卷，第477479頁(1992年6月11日)中描述的材料制得。期望陽極和陰極中的至少一者為至少部分透明的，以使產(chǎn)生的光線能夠被觀察到?？昭ㄗ⑷雽?20包含空穴注入材料，并且可具有有機(jī)電子裝置中的一種或多種功能，包括但不限于下層平坦化，電荷傳輸和/或電荷注入特性，清除雜質(zhì)如氧氣或金屬離子，以及其它有利于或改善有機(jī)電子裝置性能的方面?？昭ㄗ⑷雽涌捎删酆衔锊牧纤纬桑T如聚苯胺(pani)或聚乙烯二氧噻吩(pedot)，所述聚合材料通常摻有質(zhì)子酸。質(zhì)子酸可為例如聚(苯乙烯磺酸)、聚(2-丙烯酰胺-2-甲基-1-丙磺酸)等?？昭ㄗ⑷雽涌砂姾赊D(zhuǎn)移化合物等，諸如銅酞菁和四硫富瓦烯-四氰基苯醌二甲烷體系(ttf-tcnq)。在一些實(shí)施方案中，空穴注入層包含選自以下的材料：1,4,5,8,9,12-六氮雜三亞苯基六腈、四氰基對(duì)苯二醌二甲烷、和四氰基-2,3,5,6-四氟醌二甲烷。在一些實(shí)施方案中，空穴注入層包含至少一種導(dǎo)電聚合物和至少一種氟化酸聚合物。在一些實(shí)施方案中，空穴注入層由摻雜有成膠聚合酸的導(dǎo)電聚合物的含水分散體制得。此類物質(zhì)已描述于例如公布的美國專利申請(qǐng)us2004/0102577、us2004/0127637、us2005/0205860和公布的pct專利申請(qǐng)wo2009/018009中。用于空穴傳輸層130的空穴傳輸材料的示例已匯總于例如y.wang的kirk-othmerencyclopediaofchemicaltechnology第四版第18卷第837-860頁(1996年)中?？墒褂每昭▊鬏敺肿雍途酆衔飪烧?。常用的空穴傳輸分子為：n,n’-二苯基-n,n’-雙(3-甲基苯基)-[1,1’-聯(lián)苯基]-4,4’-二胺(tpd)、1,1-雙[(二-4-甲苯基氨基)苯基]環(huán)己烷(tapc)、n,n’-雙(4-甲基苯基)-n,n’-雙(4-乙基苯基)-[1,1’-(3,3’-二甲基)聯(lián)苯基]-4,4’-二胺(etpd)、四-(3-甲基苯基)-n,n,n’,n’-2,5-苯二胺(pda)、a-苯基-4-n,n-二苯基氨基苯乙烯(tps)、對(duì)-(二乙基氨基)-苯甲醛二苯腙(deh)、三苯胺(tpa)、雙[4-(n,n-二乙基氨基)-2-甲基苯基](4-甲基苯基)甲烷(mpmp)、1-苯基-3-[對(duì)-(二乙基氨基)苯乙烯基]-5-[對(duì)-(二乙基氨基)苯基]吡唑啉(ppr或deasp)、1,2-反式-雙(9h-咔唑-9-基)環(huán)丁烷(dczb)、n,n,n’,n’-四(4-甲基-苯基)-(1,1'-聯(lián)苯基)-4,4'-二胺(ttb)、n,n’-雙(萘-1-基)-n,n’-雙-(苯基)聯(lián)苯胺(α-npb)、和卟啉化合物如酞菁銅。在一些實(shí)施方案中，所述空穴傳輸層包含空穴傳輸聚合物。在一些實(shí)施方案中，該空穴傳輸聚合物為二苯乙烯基芳基化合物。在一些實(shí)施方案中，該芳基具有兩個(gè)或更多個(gè)稠合的芳環(huán)。在一些實(shí)施方案中，該芳基為并苯。如本文所用，術(shù)語“并苯”是指含兩個(gè)或更多個(gè)以直線排列的鄰位稠合苯環(huán)的烴母組分。其它常用的空穴傳輸聚合物為聚乙烯基咔唑、(苯基甲基)聚硅烷、以及聚苯胺。還可通過將空穴傳輸分子諸如上文所提及那些摻入聚合物諸如聚苯乙烯和聚碳酸酯中，來獲得空穴傳輸聚合物。在一些情況下，可使用三芳基胺聚合物，尤其是三芳基胺-芴共聚物。在一些情況下，所述聚合物和共聚物為可交聯(lián)的。在一些實(shí)施方案中，所述空穴傳輸層還包含p型摻雜劑。在一些實(shí)施方案中，所述空穴傳輸層摻入有p型摻雜劑。p型摻雜劑的示例包括但不限于四氟四氰基對(duì)苯二醌二甲烷(f4-tcnq)和苝-3,4,9,10-四甲酸-3,4,9,10-二酸酐(ptcda)。在一些實(shí)施方案中，存在多于一個(gè)空穴傳輸層(未示出)?？捎糜陔娮觽鬏攲?50的電子傳輸材料的示例包括但不限于金屬螯合的8-羥基喹啉酮化合物，包括金屬喹啉衍生物如三(8-羥基喹啉)鋁(alq)、雙(2-甲基-8-羥基喹啉)(對(duì)-苯基苯氧基)鋁(balq)、四-(8-羥基喹啉)鉿(hfq)和四-(8-羥基喹啉)鋯(zrq)；和唑化合物如2-(4-聯(lián)苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑(pbd)、3-(4-聯(lián)苯基)-4-苯基-5-(4-叔丁基苯基)-1,2,4-三唑(taz)、和1,3,5-三(苯基-2-苯并咪唑)苯(tpbi)；喹喔啉衍生物如2,3-雙(4-氟苯基)喹喔啉；熒蒽衍生物如3-(4-(4-甲基苯乙烯基)苯基-對(duì)甲苯基氨基)熒蒽；菲咯啉如4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(dpa)和2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(ddpa)；以及它們的混合物。在一些實(shí)施方案中，所述電子傳輸層還包含n型摻雜劑。n型摻雜劑材料為人們所熟知。n型摻雜劑包括但不限于第1族和第2族金屬；第1族和第2族金屬鹽，諸如lif、csf和cs2co3；第1族和第2族金屬有機(jī)化合物，諸如鋰喹啉；以及分子n型摻雜劑，諸如無色染料、金屬配合物，諸如w2(hpp)4(其中hpp＝1,3,4,6,7,8-六氫-2h-嘧啶并-[1,2-a]-嘧啶)和二茂鈷、四硫雜萘并萘、雙(亞乙基二硫基)四硫富瓦烯、雜環(huán)基團(tuán)或二價(jià)基團(tuán)、以及雜環(huán)基團(tuán)或二價(jià)基團(tuán)的二聚體、低聚物、聚合物、二螺化合物和多環(huán)化物。在一些實(shí)施方案中，抗淬滅層可存在于光敏層和電子傳輸層之間以防止由電子傳輸層導(dǎo)致的藍(lán)色發(fā)光淬滅。為了防止能量傳輸淬滅，抗淬滅材料的單峰能量必須高于藍(lán)色發(fā)射極的單峰能量。為了防止電子傳輸淬滅，抗淬滅材料的lumo能級(jí)必須足夠窄(相對(duì)于真空能級(jí))，使得在發(fā)射極激子和抗淬滅材料之間的電子傳輸是吸熱的。此外，抗淬滅材料的homo能級(jí)必須足夠深(相對(duì)于真空能級(jí))，使得在發(fā)射極激子和抗淬滅材料之間的電子傳輸是吸熱的。一般來講，抗淬滅材料為具有高單峰和三重峰能量的大帶隙材料。陰極160是用于注入電子或負(fù)電荷載體的尤其高效的電極。陰極可為具有功函低于陽極的任何金屬或非金屬。用于陰極的材料可選自第1族的堿金屬(例如li、cs)、第2族(堿土)金屬、第12族金屬，包括稀土元素和鑭系元素、以及錒系元素。可使用諸如鋁、銦、鈣、鋇、釤和鎂、以及它們的組合的材料。還可將含堿金屬的無機(jī)化合物諸如lif、csf、cs2o和li2o、或含li的有機(jī)金屬化合物沉積在有機(jī)層150和陰極層160之間，以降低操作電壓。未顯示的該層可稱為電子注入層。已知在有機(jī)電子裝置中存在其它層。例如，在陽極110和空穴注入層120之間存在層(未示出)，以控制注入的正電荷量和/或提供層的帶隙匹配，或用作保護(hù)層?？墒褂帽绢I(lǐng)域已知的層，諸如銅酞菁、氮氧化硅、碳氟化合物、硅烷或超薄金屬層諸如pt。另選地，陽極層110、活性層120、130、140和150或陰極層160中的一些或所有可被表面處理，以增加電荷負(fù)載傳輸效率。優(yōu)選通過平衡發(fā)射極層中的正電荷和負(fù)電荷來確定每個(gè)組件層的材料的選擇以提供具有高電致發(fā)光效率的裝置。應(yīng)當(dāng)理解，每個(gè)功能層可由多于一層構(gòu)成。c.裝置制造裝置層可通過任何沉積技術(shù)或技術(shù)的組合形成，這些技術(shù)包括氣相沉積、液相沉積和熱轉(zhuǎn)移。在一些實(shí)施方案中，裝置通過空穴注入層、空穴傳輸層、和光敏層的液相沉積以及陽極、電子傳輸層、電子注入層和陰極的氣相沉積制造。在一些實(shí)施方案中，通過空穴注入層的液相沉積，并且通過空穴傳輸層、光敏層、陽極、電子傳輸層、電子注入層和陰極的氣相沉積，制造裝置。在一些實(shí)施方案中，裝置通過所有層的氣相沉積制造。在一些實(shí)施方案中，空穴注入層由液相沉積形成?？昭ㄗ⑷雽涌捎善渲腥芙饣蚍稚⒖昭▊鬏敳牧喜⑶铱昭▊鬏敳牧蠈⒂善湫纬赡さ娜魏我后w介質(zhì)沉積而成。在一些實(shí)施方案中，液體介質(zhì)僅包含一種或多種有機(jī)溶劑。在一些實(shí)施方案中，存在微量的其它材料，只要其不顯著影響液體介質(zhì)。在一些實(shí)施方案中，液體介質(zhì)僅包含水或僅包含水與有機(jī)溶劑。在一些實(shí)施方案中，存在微量的其它材料，只要其不顯著影響液體介質(zhì)?？昭ㄗ⑷氩牧弦?.5至10重量％的量存在于液體介質(zhì)中。在一些實(shí)施方案中，所述空穴注入層通過任何連續(xù)或不連續(xù)液相沉積技術(shù)形成。在一些實(shí)施方案中，空穴注入層通過旋涂施加。在一些實(shí)施方案中，空穴注入層通過噴墨印刷施加。在一些實(shí)施方案中，空穴注入層通過連續(xù)噴印施加。在一些實(shí)施方案中，空穴注入層通過槽模涂布施加。液相沉積后，液體介質(zhì)可在室溫下或在加熱下，在空氣中、在惰性氣氛中、或通過真空除去。在一些實(shí)施方案中，空穴注入層通過氣相沉積形成。此類技術(shù)是本領(lǐng)域中所熟知的。在一些實(shí)施方案中，空穴傳輸層通過使空穴傳輸材料沉積于液體介質(zhì)中形成。液體介質(zhì)是空穴傳輸材料溶解或分散于其中并由其形成膜的物質(zhì)。在一些實(shí)施方案中，液體介質(zhì)包含一種或多種有機(jī)溶劑。在一些實(shí)施方案中，液體介質(zhì)包含水或水和有機(jī)溶劑。在一些實(shí)施方案中，有機(jī)溶劑為芳族溶劑。在一些實(shí)施方案中，有機(jī)液體選自氯仿、二氯甲烷、氯苯、二氯苯、甲苯、二甲苯、三甲苯、苯甲醚以及它們的混合物。空穴傳輸材料可以0.2至2重量％的濃度存在于液體介質(zhì)中。可通過任何連續(xù)或非連續(xù)液相沉積技術(shù)來施加空穴傳輸層。在一些實(shí)施方案中，空穴傳輸層通過旋涂施加。在一些實(shí)施方案中，空穴傳輸層通過噴墨印刷施加。在一些實(shí)施方案中，空穴傳輸層通過連續(xù)噴印施加。在一些實(shí)施方案中，空穴傳輸層通過槽模涂布施加。在液相沉積后，液體介質(zhì)可在室溫下或在加熱下，在空氣中、在惰性氣氛中、或通過真空除去。在一些實(shí)施方案中，空穴傳輸層通過氣相沉積形成。此類技術(shù)是本領(lǐng)域中所熟知的。在一些實(shí)施方案中，光敏層通過使光敏材料和一種或多種基質(zhì)材料液相沉積于液體介質(zhì)中形成。液體介質(zhì)是光敏層材料溶解或分散于其中并由其形成膜的物質(zhì)。在一些實(shí)施方案中，液體介質(zhì)包含一種或多種有機(jī)溶劑。在一些實(shí)施方案中，存在微量的另外材料，只要其不顯著影響光敏層的功能。合適類型的溶劑包括但不限于脂族烴類(諸如癸烷和十六烷)、鹵代烴類(諸如二氯甲烷、氯仿、氯苯、和全氟庚烷)、芳族烴類(諸如未取代的以及烷基和烷氧基取代的甲苯和二甲苯)、芳族醚類(諸如苯甲醚和二芐醚)、雜芳族類(諸如吡啶)、極性溶劑(諸如四氫吡喃(“thp”)、二甲基乙酰胺(“dmac”)和n-甲基吡咯烷酮(“nmp”))、酯類(諸如乙酸乙酯、碳酸亞丙酯、苯甲酸甲酯)、醇類和二醇類(諸如異丙醇和乙二醇)、乙二醇醚以及衍生物類(諸如丙二醇甲醚和丙二醇甲醚乙酸酯)、以及酮類(諸如環(huán)戊酮和二異丁基酮)。光敏材料可以0.2至2重量％的濃度存在于液體介質(zhì)中?？筛鶕?jù)液體介質(zhì)來使用其它重量百分比的光敏材料。可通過任何連續(xù)或非連續(xù)液相沉積技術(shù)來施加光敏層。在一些實(shí)施方案中，光敏層通過旋涂施加。在一些實(shí)施方案中，光敏層通過噴墨印刷施加。在一些實(shí)施方案中，光敏層通過連續(xù)噴印施加。在一些實(shí)施方案中，光敏層通過槽模涂布施加。在液相沉積后，所述液體介質(zhì)可在室溫下或在加熱下，在空氣中、在惰性氣氛中或通過真空除去。在一些實(shí)施方案中，所述光敏層通過氣相沉積形成。此類技術(shù)是本領(lǐng)域所熟知的?？赏ㄟ^任何氣相沉積方法來沉積電子傳輸層。在一些實(shí)施方案中，通過在真空下熱蒸發(fā)來沉積?？梢杂萌魏螝庀喑练e方法來沉積電子注入層。在一些實(shí)施方案中，通過在真空下熱蒸發(fā)來沉積?？梢杂萌魏螝庀喑练e方法來沉積陰極。在一些實(shí)施方案中，通過在真空下熱蒸發(fā)來沉積。實(shí)施例本文所描述的概念將在以下實(shí)施例中進(jìn)一步描述，所述實(shí)施例不限制權(quán)利要求書中描述的本發(fā)明的范圍。合成實(shí)施例1該實(shí)施例示出具有式i的化合物(化合物i-1)的制備，10,10’-(7,7-二甲基-7h-苯并[c]芴-5,9-二基)雙(9,9-二甲基-9,10-二氫吖啶)向干燥箱內(nèi)部配備有攪拌棒、冷凝柱和加熱塊的250ml圓底燒瓶加入5,9-二溴-7,7-二甲基-7h-苯并[c]芴(5.21g，10mmol)、9,9-二甲基-9,10-二氫吖啶(4.39g，21mmol)、pd(oac)2(366mg，0.4mmol)、p(tbu)3(90mg，1.6mmol)和甲苯(110ml)。在以小份加入naotbu(324mg，22mmol)前，將其攪拌一分鐘。在干燥箱中，將反應(yīng)在45℃下攪拌過夜。uplc分析示出，所有起始的二溴化物已被消耗，并且形成>95％轉(zhuǎn)化率的產(chǎn)物。將其從干燥箱內(nèi)取出，使其通過用甲苯(50ml)洗脫的硅藻土層和硅膠層。將溶劑從其中除去，以得到褐色固體材料。將粗產(chǎn)物再溶解于dcm(20ml)中，并且在用dcm洗脫的硅膠柱上分離。收集包含產(chǎn)物的級(jí)分，并且蒸發(fā)溶劑。通過穿過用dcm/己烷洗脫的氧化鋁短柱，從dcm/ch3cn中結(jié)晶3次，將所述材料進(jìn)一步純化，以得到3.1g的純度為99.9％的白色結(jié)晶材料。合成實(shí)施例2該實(shí)施例示出具有式i的化合物(化合物i-4)的制備，5-(3,6-二叔丁基-9h-咔唑-9-基)-n,n-雙(3,5-二甲基苯基)-7,7-二甲基-7h-苯并[c]芴-9-胺步驟1：n-(2,4-二甲基苯基)-3-甲基聯(lián)苯基-4-胺向干燥箱內(nèi)部配備有攪拌棒、冷凝柱和加熱塊的1000ml圓底燒瓶加入1-溴-3,5-二甲基苯(25.0g，135mmol)、3,5-二甲基苯胺(17.2g，142mmol)、pd2(dba)3(2.47g，2.7mmol)、p(tbu)3(1.1g，5.4mmol)和甲苯(305ml)。在以小份加入naotbu(14.3g，148.6mmol)前，將其攪拌一分鐘。將所述反應(yīng)在室溫下攪拌i小時(shí)，并且通過uplc分析示出完成。將其從干燥箱內(nèi)取出，使其通過具有甲苯(100ml)的硅藻土層和硅膠層。將溶劑從其中除去，溶解于dcm/己烷(1/930ml)中，并且使其通過首先用己烷洗脫，然后用dcm/己烷(1/7)洗脫的硅膠短柱(5x10cm)。通過tlc鑒定級(jí)分，收集，并通過旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)除去溶劑。獲得作為無色稠油的產(chǎn)物，其在rt下靜置過夜固化。收率27g，通過uplc分析，純度為99.0％。步驟2：5-溴-n,n-雙(3,5-二甲基苯基)-7,7-二甲基-7h-苯并[c]芴-9-胺向干燥箱內(nèi)部配備有攪拌棒、冷凝柱和加熱塊的250ml圓底燒瓶加入5-溴-9-碘-7,7-二甲基-7h-苯并[c]芴(4.53g，10mmol)、雙(3,5-二甲基苯基)胺(2.32g，10.1mmol)、pd2(dba)3(183mg，0.2mmol)、dppf(222mg，0.4mmol)和甲苯(100ml)。在以小份加入naotbu(1.15g，12mmol)前，將其攪拌一分鐘。將其在90℃下攪拌4小時(shí)。冷卻至rt后，將反應(yīng)從干燥箱內(nèi)取出，使其通過具有甲苯(100ml)的硅藻土層和硅膠層。將溶劑從其中除去，并且通過氯仿/己烷梯度洗脫，通過在硅膠柱(combiclush)上層析，將粗產(chǎn)物純化。獲得作為淡褐色無定形材料的產(chǎn)物，3.18g，純度為99.6％。步驟3：5-(3,6-二叔丁基-9h-咔唑-9-基)-n,n-雙(3,5-二甲基苯基)-7,7-二甲基-7h-苯并[c]芴-9-胺向干燥箱內(nèi)部配備有攪拌棒、冷凝柱和加熱塊的250ml圓底燒瓶加入5-溴-n,n-雙(3,5-二甲基苯基)-7,7-二甲基-7h-苯并[c]芴-9-胺(2.76g，5.0mmol)、3,6-二叔丁基-9h-咔唑(1.42g，5.05mmol)、pd2(dba)3(923mg，0.1mmol)、p(tbu)3(40mg，0.2mmol)和鄰二甲苯(75ml)。在以小份加入naotbu(577g，6.0mmol)前，將其攪拌一分鐘。在輕微回流下，將反應(yīng)攪拌過夜。uplc分析示出，所有起始的溴化物已被消耗，并且產(chǎn)物作為主要組分。冷卻后，將其從干燥箱內(nèi)取出，使其通過用甲苯(60ml)洗脫的硅藻土層和硅膠層。將溶劑從其中除去，以得到褐色固體材料。通過氯仿/己烷梯度洗脫，通過在硅膠柱(combiclush)上層析，將粗產(chǎn)物純化。獲得作為淡黃色無定形材料的產(chǎn)物，1.54g，通過uplc分析純度為99.9％。合成實(shí)施例3該實(shí)施例示出具有式i的化合物(化合物i-5)的制備，9-(3,6-二叔丁基-9h-咔唑-9-基)-n,n-雙(3,5-二甲基苯基)-7,7-二甲基-7h-苯并[c]芴-5-胺步驟1：9-溴-n,n-雙(3,5-二甲基苯基)-7,7-二甲基-7h-苯并[c]芴-5-胺向干燥箱內(nèi)部配備有攪拌棒、冷凝柱和加熱塊的250ml圓底燒瓶加入5,9-二溴-7,7-二甲基-7h-苯并[c]芴(4.06g，10mmol)、雙(3,5-二甲基苯基)胺(2.32g，10.1mmol)、pd2(dba)3(183mg，0.2mmol)、dppf(222mg，0.4mmol)和甲苯(100ml)。在以小份加入naotbu(1.15g，12mmol)前，將其攪拌一分鐘。將其在室溫下攪拌過夜。通過uplc示出反應(yīng)完全。冷卻至rt后，將反應(yīng)從干燥箱內(nèi)取出，使其通過具有甲苯(100ml)的硅藻土層和硅膠層。將溶劑從其中除去，并且通過氯仿/己烷梯度洗脫，通過在硅膠柱(combiclush)上層析，將粗產(chǎn)物純化。產(chǎn)物從己烷中結(jié)晶，通過uplc分析，1.07g，為99.6％，第2批，0.2g，99.1％，第3批，0.4g，98.4％，并且1.06g，90％。步驟2：5-(3,6-二叔丁基-9h-咔唑-9-基)-n,n-雙(3,5-二甲基苯基)-7,7-二甲基-7h-苯并[c]芴-9-胺向干燥箱內(nèi)部配備有攪拌棒、冷凝柱和加熱塊的100ml圓底燒瓶加入9-溴-n,n-雙(3,5-二甲基苯基)-7,7-二甲基-7h-苯并[c]芴-5-胺(1.05g，1.91mmol)、3,6-二叔丁基-9h-咔唑(567mg，2.00mmol)、pd2(dba)3(52mg，0.06mmol)、p(tbu)3(23mg，0.11mmol)和鄰二甲苯(50ml)。在以小份加入naotbu(238mg，2.48mmol)前，將其攪拌一分鐘。在輕微回流下，將反應(yīng)攪拌過夜。uplc分析示出，所有起始的溴化物已被消耗，并且所形成產(chǎn)物作為主要組分。冷卻后，將其從干燥箱內(nèi)取出，使其通過用甲苯(60ml)洗脫的硅藻土層和硅膠層。將溶劑從其中除去，以得到褐色固體材料。通過氯仿/己烷梯度洗脫，通過在硅膠柱(combiclush)上層析，將粗產(chǎn)物純化。產(chǎn)物從甲苯/庚烷中結(jié)晶，以得到淡黃色結(jié)晶材料，0.8g，通過uplc分析純度為99.9％。裝置實(shí)施例(1)材料et-1為芳基氧化膦。et-2為鋰喹啉。hij-1為空穴注入材料，其由導(dǎo)電聚合物和聚合氟化磺酸的含水分散體制得。此類材料已描述于例如美國專利7,351,358中。hij-2為1,4,5,8,9,12-六氮雜三亞苯基六腈?；|(zhì)h1為氘代二芳基蒽?；衔锟墒褂靡阎腸-c偶合技術(shù)制得。此類材料已描述于已公布的pct專利申請(qǐng)wo2011028216中。htm-1為三芳基胺聚合物。聚合物可使用已知的c-c和c-n偶合技術(shù)制得。此類材料已描述于例如已公布的pct申請(qǐng)wo2011159872中。htm-2為具有多個(gè)苯基基團(tuán)的芳族化合物?；衔锟墒褂靡阎腸-c偶合技術(shù)制得。此類材料已描述于例如已公布的pct申請(qǐng)wo2015089304中。(2)裝置制造通過溶液處理和熱蒸發(fā)技術(shù)的組合來制造oled裝置。使用得自thinfilmdevices，inc的圖案化氧化銦錫(ito)鍍膜玻璃基板。這些ito基板基于涂覆有ito的corning1737玻璃，其具有30歐/平方的膜電阻和80％的透光率。在含水洗滌劑溶液中超聲清潔圖案化ito基板并且用蒸餾水沖洗。隨后在丙酮中超聲清潔圖案化ito，用異丙醇沖洗并且在氮?dú)饬髦懈稍?。在即將制造裝置之前，用紫外臭氧將潔凈的圖案化ito基板處理10分鐘。在冷卻后立即在ito表面上旋涂hij-1的含水分散體并且加熱以除去溶劑。冷卻后，接著用空穴傳輸材料在苯甲醚:1-甲基-2-吡咯烷酮:環(huán)己基苯(按體積計(jì)96:3:1)的溶劑中的溶液旋涂基板，然后加熱以除去溶劑。冷卻后，用基質(zhì)和摻雜劑的苯甲酸甲酯溶液旋涂基板，并且加熱以除去溶劑。將基板用掩模遮蓋，并且置于真空室中。通過熱蒸發(fā)沉積電子傳輸材料層，然后沉積電子注入材料層。然后真空變換掩模，并且通過熱蒸發(fā)來沉積鋁層。將室排氣并且使用玻璃封蓋、干燥劑、和可紫外固化的環(huán)氧化物來封裝裝置。(3)裝置表征通過測(cè)量它們的(1)電流-電壓(i-v)曲線，(2)電致發(fā)光輻射對(duì)電壓和(3)電致發(fā)光光譜對(duì)電壓，來表征oled裝置。所有三個(gè)測(cè)試均在同時(shí)進(jìn)行并且通過計(jì)算機(jī)控制。通過將led的電致發(fā)光輻射除以運(yùn)行裝置所需的電流密度來確定某一電壓下裝置的電流效率。單位為cd/a。功率效率為電流效率除以操作電壓。單位為lm/w。使用minoltacs-100色度計(jì)或photoresearchpr-705色度計(jì)確定顏色坐標(biāo)。裝置實(shí)施例1-3這些實(shí)施例示出具有式i的材料(化合物i-4)作為裝置中的光敏摻雜劑的用途。裝置具有以下層。陽極＝ito(50nm)hil＝hij-1(42nm)htl＝htm-1:htm-2(3:2)(18nm)eml＝h1和化合物i-4，以重量比給出于下文(38nm)etl＝et-1:et-2(2:3)(20nm)陰極＝al(100nm)結(jié)果給出于下表3中。表3裝置結(jié)果實(shí)施例比率ce(cd/a)eqe(％)cie(x,y)15ma/cm2下的v193:73.54.40.147,0.0844.3296:43.14.00.147,0.0824.3398:22.63.40.147,0.0814.3所有數(shù)據(jù)均在1000尼特下測(cè)定。比率為基質(zhì)h1與摻雜劑化合物的重量比；ce為電流效率；eqe＝外部量子效率；cie(x,y)是指根據(jù)c.i.e.色度(commissioninternationaledel’eclairage，1931)的x和y顏色坐標(biāo)。裝置實(shí)施例4-5這些實(shí)施例示出具有式i的材料(化合物i-5)作為裝置中的光敏摻雜劑的用途。裝置具有與裝置實(shí)施例1-3中相同的結(jié)構(gòu)，不同的是使用化合物i-5替代化合物i-4。比率和裝置結(jié)果給出于下表4中。表4裝置結(jié)果實(shí)施例比率ce(cd/a)eqe(％)cie(x,y)15ma/cm2下的v493:74.84.80.141,0.1194.4596:44.04.20.142,0.1124.4所有數(shù)據(jù)均在1000尼特下測(cè)定。比率為基質(zhì)h1與摻雜劑化合物的重量比；ce為電流效率；eqe＝外部量子效率；cie(x,y)是指根據(jù)c.i.e.色度(commissioninternationaledel’eclairage，1931)的x和y顏色坐標(biāo)。應(yīng)注意到的是，并不是所有的上文一般性描述或?qū)嵤├兴枋龅牟襟E都是必須的，一部分特定步驟不是必需的，并且除了所描述的那些以外，還可實(shí)施一個(gè)或多個(gè)其它步驟。此外，所列步驟的順序不必是它們實(shí)施的順序。在上述說明書中，已參考具體的實(shí)施方案描述了不同概念。然而，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員認(rèn)識(shí)到在不脫離以下權(quán)利要求書中所示出的本發(fā)明范圍的情況下可以作出多種修改和改變。因此，說明書和附圖應(yīng)被認(rèn)為是示例性的而非限制性的，并且所有此類修改均旨在包括于本發(fā)明的范圍內(nèi)。以上已針對(duì)具體的實(shí)施方案描述了益處、其它優(yōu)點(diǎn)以及問題的解決方案。然而，益處、優(yōu)點(diǎn)、問題的解決方案、以及可致使任何益處、優(yōu)點(diǎn)或解決方案產(chǎn)生或變得更顯著的任何特征不可解釋為是任何或全部權(quán)利要求書的關(guān)鍵、必需或基本特征。應(yīng)認(rèn)識(shí)到，為清楚起見，本文不同實(shí)施方案的上下文中所描述的某些特征也可在單個(gè)實(shí)施方案中以組合方式提供。反之，為簡(jiǎn)明起見，在單個(gè)實(shí)施方案的上下文中所描述的多個(gè)特征也可單獨(dú)或以任何子組合的方式提供。此外，范圍內(nèi)提出的相關(guān)數(shù)值包括該范圍內(nèi)的每個(gè)值。當(dāng)前第1頁12