本申請要求于2014年7月11日提交的美國臨時申請?zhí)?2/023,222的優(yōu)先權。將該申請的全部內容通過援引方式明確并入本申請。發(fā)明領域本發(fā)明涉及包含導電聚合物和離子液體的聚合物絡合物,以及含有此類絡合物的電子設備。背景導電聚合物如聚噻吩聚合物特別是聚(3,4-亞乙基二氧噻吩)和聚(苯乙烯磺酸鹽)的聚合物共混物(“PEDOT-PSS”)已作為用于在要求高導電性的各種應用中使用的金屬涂層、特別是ITO涂層的可能的替代物被研究。導電聚合物的導電性典型地低于ITO的導電性,但可以通過使用導電填料(如碳納米管)和摻雜劑來增強。然而,此類材料的性能仍然達不到ITO的性能,并且在優(yōu)化包含導電聚合物的組分的導電性與優(yōu)化價格、光學透明度、以及物理彈性之間存在折衷。已經(jīng)研究了PEDOT:PSS薄膜的特性,但是迄今為止一直缺乏對具有在數(shù)十至數(shù)百微米的范圍內的厚度的本體凝膠和PEDOT:PSS材料的特性的研究。然而,因為與延展性結合的高導電性呈現(xiàn)出制造用于在各種各樣的應用中使用的可變形電極和/或有機導體的可能性,此類材料是非常有前途的。此外,在本體材料中存在壓阻特性是在壓力傳感應用中有利的。在增加導電聚合物、更確切地PEDOT-PSS的導電性,以及使它們適應于在工業(yè)應用中使用上存在持續(xù)的未解決的興趣。發(fā)明概述在第一方面,本披露涉及一種聚合物組合物,該聚合物組合物包含:(a)至少一種導電聚合物,(b)任選地一種或多種聚合物酸摻雜劑,(c)至少一種離子液體,(d)液體介質,以及(e)任選地一種或多種添加劑。在第二方面,本披露涉及一種聚合物凝膠以及一種用于形成聚合物凝膠的方法,該方法包括:(I)通過包括在液體介質中使以下項接觸的方法形成聚合物組合物:(i)導電聚合物,(ii)任選地一種或多種聚合物酸摻雜劑,(iii)離子液體,(iv)任選地一種或多種添加劑,其中該離子液體的量對于膠化該導電聚合物是有效的,并且(II)允許該凝膠形成。在第三方面,本披露涉及一種聚合物泡沫以及一種用于形成聚合物泡沫的方法,該方法包括:(I)通過包括在液體介質中使以下項接觸的方法形成聚合物組合物:(i)導電聚合物,(ii)任選地一種或多種聚合物酸摻雜劑,(iii)離子液體,(iv)任選地一種或多種添加劑,其中該離子液體的量對于膠化該導電聚合物是有效的,(II)允許該凝膠形成,并且(III)從該凝膠中去除在該凝膠上或中剩余的任何液體。在第四方面,本披露涉及一種壓阻設備,該壓阻設備包括:(I)在此描述的聚合物泡沫或聚合物凝膠,以及(II)第一和第二電極。在第五方面,本披露涉及一種電子設備,該電子設備包括:(a)陽極層,(b)陰極層,(c)被布置在該陽極層與該陰極層之間的電活性層,(d)任選地,緩沖層,(e)任選地,空穴傳輸層,以及(f)任選地,電子注入層,其中該陽極層、該陰極層和若存在的話該緩沖層中的至少一種包括在此描述的聚合物泡沫或聚合物凝膠。在第六方面,本披露涉及一種電池組,該電池組包括:第一電極,至少一種電解質,以及第二電極,其中該第一電極、該電解質和該第二電極中的至少一種包括在此描述的聚合物泡沫或聚合物凝膠。在第七方面,本披露涉及一種熱電設備,該熱電設備包括:第一電極,至少一種電解質,以及第二電極;其中該第一電極、該至少一種電解質和該第二電極中的至少一種包括在此描述的聚合物泡沫或聚合物凝膠。附圖簡要說明圖1A和1B示出了在40X放大倍率下的本發(fā)明的泡沫材料的薄層的表面的光學顯微鏡圖像。圖2示出了通過其他(Schaarschmidt等人,非絕熱退火對PEDOT-PSS膜的形態(tài)和分子結構的影響(InfluenceofNonadiabaticAnnealingontheMorphologyandMolecularStructureofPEDOT-PSSFilms),物理化學雜志B(JournalofPhysicalChemistryB),113:9352–9355,2009)獲得的PEDOT:PSS膜的拉曼光譜。虛線包圍歸因于在獲得該光譜中使用的硅基底的峰。圖3示出了本發(fā)明的泡沫材料:漂洗的(淺色)和未漂洗的(深色)的薄層的拉曼光譜。光譜分辨率是1.5cm-1。圖4示出了圖3中示出的光譜的放大的部分。光譜分辨率是0.5cm-1。圖5示出了本發(fā)明的各種泡沫材料的薄層的掃描電子顯微鏡(SEM)圖像:(A)60分鐘的凝膠化時間,沒有漂洗形成的泡沫;(B)90分鐘的凝膠化時間,沒有漂洗形成的泡沫;(C)90分鐘的凝膠化時間,在攪動下漂洗泡沫;(D)120分鐘的凝膠化時間,沒有漂洗形成的泡沫;(E)120分鐘的凝膠化時間,沒有攪動地漂洗泡沫;以及(F)120分鐘的凝膠化時間,在攪動下漂洗泡沫。圖6示出了用于電導率的縱向測量的裝置。(A)是玻璃載片、電線、以及泡沫材料樣品的示意圖并且(B)是照片。圖7示出了用于電導率和阻抗的全厚度測量的裝置。(a)示出了使用作為電極的銅帶與導電膏,(b)示出了使用可商購的電極裝置,并且(c)示出了該裝置的示意圖。圖8示出了本發(fā)明的泡沫材料的阻抗特性:(A)是隨頻率變化的阻抗的波特圖,并且(B)是示出隨電阻變化的電抗的相圖。由于測量儀器,在高頻率下電抗較高。圖9示出了用于測量本發(fā)明的泡沫材料的壓阻特性的裝置。(A)和(B)是該裝置的示意圖的不同視圖,并且(C)是該裝置的照片。圖10示出了隨應變變化的應力的曲線圖。通過線性回歸獲得該樣品的楊氏模量。圖11示出了隨本發(fā)明的具體泡沫材料的應力和楊氏模量變化的該泡沫材料的電阻變化。對于樣品A(60分鐘的凝膠化時間)獲得12.1的應變系數(shù)(gaugeforctor)并且對于樣品B(90分鐘的凝膠化時間)獲得17.1的應變系數(shù)。圖12示出了壓阻設備120的示意圖。圖13示出了壓阻設備130的示意圖。圖14示出了電子設備140的示意圖。圖15示出了a)PEDOT:PSS和離子液體組合物;b)在(聚合物凝膠形成)1小時之后的PEDOT:PSS和離子液體組合物;以及c)通過冷凍干燥去除剩余的液體制備的本發(fā)明的泡沫。發(fā)明的詳細說明如在此使用的,術語“一個/一種(a/an)”、或“該(the)”意指“一個/一種或多個/多種”或“至少一個/一種”,除非另外說明。如在此使用的,術語“包含”囊括了“主要由……組成”和“由……組成”。術語“包含著”囊括了“主要由……組成”和“由……組成”。如在此使用的,以下術語具有以下賦予的含義:“酸性基團”意指能夠離子化以貢獻氫離子的基團,“陽極”意指與給定的陰極相比對于注入空穴更有效的電極,“緩沖層”一般指的是在電子設備中具有一種或多種功能的導電或半導電的材料或結構,這些功能包括但不限于,在該設備中的相鄰結構(如底層)的平坦化,電荷傳輸和/或電荷注入特性,雜質如氧或金屬離子的清除,以及促進或改進該電子設備的性能的其他方面,“陰極”意指對于注入電子或負電荷載流子特別有效的電極,“約束層”意指阻止或防止在層界面處的淬滅反應的層,如在此關于導電聚合物所使用的“摻雜的”意指導電聚合物已與用于該導電聚合物的聚合物抗衡離子結合,該聚合物抗衡離子在此被稱為“摻雜劑”,并且典型地為聚合物酸,在此被稱為“聚合物酸摻雜劑”,“摻雜的導電聚合物”意指包含導電聚合物和用于該導電聚合物的聚合物抗衡離子的聚合物共混物,“導電聚合物”意指在不添加導電填料(如炭黑或導電金屬顆粒)的情況下固有地或本質上能夠導電的任何聚合物或聚合物共混物,更典型地為展現(xiàn)出大于或等于10-7西門子/厘米(“S/cm”)的松裝比電導(bulkspecificconductance)的任何聚合物或低聚物,除非另外指明,否則在此對“導電聚合物”的提及包括任何任選的聚合物酸摻雜劑,“導電”包括導電和半導電,當在此關于材料或結構使用時的“電活性的”意指該材料或結構表現(xiàn)出電子或電輻射特性,如發(fā)出輻射或當接收輻射時表現(xiàn)出電子空穴對的濃度的變化,“電子設備”意指包括包含一種或多種半導體材料的一個或多個層并且利用電子穿過該一個或多個層的受控運動的設備,如在此關于材料或結構使用的“電子注入/傳輸”意指此種材料或結構促進或有助于負電荷通過此種材料或結構遷移到另一種材料或結構中,“高沸點溶劑”指的是在室溫下是液體并且具有大于100℃的沸點的有機化合物,當在此當提及材料或結構時使用時的“空穴傳輸”意指此種材料或結構以相對效率和小的電荷損失有助于正電荷遷移通過此種材料或結構的厚度,如在此關于電子設備所使用的“層”意指覆蓋該設備的所希望的區(qū)域的涂層,其中該區(qū)域不受尺寸限制,也就是說,由該層所覆蓋的區(qū)域可以例如與整個設備一樣大,與該設備的特定功能區(qū)域一樣大(如實際視覺顯示),或與單個子像素一樣小,“聚合物”包括均聚物和共聚物,并且“聚合物共混物”意指兩種或更多種聚合物的共混物。如在此使用的,術語“聚合物絡合物”指的是任選地與一種或多種非聚合物材料組合的一種或多種聚合物,其中該一種或多種聚合物和該任選的一種或多種非聚合物材料通過不同于共價鍵的手段(例如像,物理纏結、氫鍵、或離子鍵)或者通過共價鍵并且通過不同于共價鍵的手段兩者互相連接。聚合物絡合物包括,但不限于,聚合物凝膠、聚合物泡沫、以及類似物。如在此使用的,術語“聚合物凝膠”、“凝膠”或“凝膠材料”指的是以固體和連續(xù)的液相為特征的聚合物絡合物。如在此使用的,術語“聚合物泡沫”、“泡沫”或“泡沫材料”指的是以固體和連續(xù)的氣相為特征的聚合物絡合物。如在此使用的,關于有機基團的術語“(Cx-Cy)”,其中x和y各自為整數(shù),意指該基團每個基團可以含有從x個碳原子至y個碳原子。如在此使用的,術語“鹵”意指鹵素或鹵化物基團,并且包括,例如,氟化物(F)、氯化物(Cl)、溴化物(Br)、碘化物(I)、以及砹化物(At)。如在此使用的,術語“烷基”意指單價直鏈、支鏈或環(huán)狀的飽和烴基,更典型地,單價直鏈或支鏈的飽和(C1-C40)烴基,例如像甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、叔丁基、己基、辛基、十六烷基、十八烷基、二十烷基、二十二烷基、三十烷基(tricontyl)、以及四十烷基。如在此使用的,術語“環(huán)烷基”意指包括一個或多個環(huán)狀烷基環(huán)的飽和烴基,更典型地為飽和(C5-C22)烴基,該飽和烴基在環(huán)的一個或多個碳原子上可以任選地被每個碳原子一個或兩個(C1-C6)烷基取代,例如像環(huán)戊基、環(huán)庚基、環(huán)辛基。術語“雜烷基”意指其中烷基內的一個或多個碳原子已被雜原子例如像氮、氧或硫替代的烷基。術語“鹵烷基”意指被一個或多個鹵素原子(如,氟、氯、溴、以及碘)取代的烷基,更典型地為(C1-C22)烷基。鹵烷基的實例包括,例如,三氟甲基、1H,1H,2H,2H-全氟辛基、全氟乙基。如在此使用的,術語“羥烷基”意指被一個或多個羥基取代的烷基,更典型地為(C1-C22)烷基,包括,例如,羥甲基、羥乙基、羥丙基以及羥癸基。如在此使用的,術語“烷氧基烷基”意指被一個或多個烷氧基取代基取代的烷基,更典型地為(C1-C22)烷氧基-(C1-C6)烷基,包括,例如,甲氧基甲基、乙氧基乙基、以及乙氧基丁基。如在此使用的,術語“烯基”意指含有一個或多個碳-碳雙鍵的不飽和的直鏈或支鏈烴基,更典型地為不飽和的直鏈、支鏈(C2-C22)烴基,包括,例如,乙烯基(ethenyl)(乙烯基(vinyl))、正丙烯基、以及異丙烯基、以及烯丙基。如在此使用的,術語“環(huán)烯基”意指含有一個或多個環(huán)狀烯基環(huán)并且可以任選地在該環(huán)的一個或多個碳原子上被每個碳原子一個或兩個(C1-C6)烷基取代的不飽和烴基,典型地為不飽和(C5-C22)烴基,包括,例如,環(huán)己烯基和環(huán)庚烯基。如在此使用的,術語“炔基”意指含有一個或多個碳-碳三鍵的不飽和的直鏈或支鏈烴基,更典型地為不飽和的直鏈、支鏈(C2-C22)烴基,包括,例如,乙炔基、丙炔基以及丁炔基。如在此使用的,術語“芳基”意指包含一個或多個六元碳環(huán)的單價不飽和烴基,其中不飽和度可以由三個共軛雙鍵表示。芳基包括單環(huán)芳基以及多環(huán)芳基。“多環(huán)芳基”指的是含有多于一個六元碳環(huán)的單價不飽和烴基,其中不飽和度可以由三個共軛雙鍵表示其中相鄰環(huán)可通過一個或多個鍵或二價橋連基團彼此連接或可以稠合在一起。芳基可以在該一個或多個環(huán)的一個或多個碳處被羥基、氰基、烷基、烷氧基、烯基、鹵素、鹵烷基、單環(huán)芳基、氨基、-(C=O)-烷基、-(C=O)O-烷基、-(C=O)-鹵烷基、或-(C=O)-(單環(huán)芳基)取代。芳基的實例包括,但不限于,苯基、甲基苯基、異丙基苯基、叔丁基苯基、甲氧基苯基、二甲基苯基、三甲基苯基、氯苯基、三氯甲基苯基、三異丁基苯基、蒽基、萘基、菲基、芴基、以及芘基。如在此使用的,術語“芳烷基”意指被一個或多個芳基取代的烷基,更典型地為被一個或多個(C6-C14)芳基取代基取代的(C1-C18)烷基,包括,例如,苯基甲基(芐基)、苯基乙基、以及三苯基甲基。如在此使用的,術語“雜環(huán)”或“雜環(huán)的”指的是在環(huán)中包括一個或多個雜原子的具有飽和的或部分不飽和的環(huán)狀環(huán)結構的化合物。術語“雜環(huán)基”指的是在環(huán)中包括一個或多個雜原子的具有飽和的或部分不飽和的環(huán)狀環(huán)結構的單價基團。雜環(huán)基的實例包括,但不限于,嗎啉基、哌啶基(piperadinyl)、哌嗪基、吡咯啉基、吡唑基、以及吡咯烷基。如在此使用的,術語“雜芳基”意指在環(huán)中包括至少一個雜原子的具有至少一個芳香族環(huán)的單價基團,其可以在該環(huán)的一個或多個原子處被羥基、烷基、烷氧基、烯基、鹵素、鹵烷基、單環(huán)芳基、或氨基取代。雜芳基的實例包括,但不限于,噻吩基、吡咯基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、三嗪基、噠嗪基、四唑基、以及咪唑基。術語“多環(huán)雜芳基”指的是具有多于一個芳香族環(huán)的單價基團,該多于一個芳香族環(huán)中的至少一個在該環(huán)中包括至少一個雜原子,其中相鄰環(huán)可通過一個或多個鍵或二價橋連基團彼此連接或可以稠合在一起。多環(huán)雜芳基的實例包括,但不限于,吲哚基和喹啉基。在此描述的任何烷基、鹵烷基、羥烷基、烷氧基烷基、烷氧基、烯基、環(huán)烯基、炔基、芳基、芳烷基、雜環(huán)基、或雜芳基可以任選地在一個或多個碳原子處被羥基、氰基、烷基、烷氧基、烯基、鹵素、鹵烷基、單環(huán)芳基、氨基、-(C=O)-烷基、-(C=O)O-烷基、-(C=O)-鹵烷基、或-(C=O)-(單環(huán)芳基)取代。如在此使用的,以下術語指的是相應的取代基:“酰胺基”是-R1-C(O)N(R6)R6,“酰胺基磺酸鹽(酯)”是--R1-C(O)N(R4)R2-SO3Z,“芐基”是-CH2-C6H5,“羧酸鹽(酯)”是-R1-C(O)O-Z或-R1-O-C(O)-Z,“醚”是-R1-(O-R3)p-O-R3,“醚羧酸鹽(酯)”是-R1-O-R2-C(O)O-Z或-R1-O-R2-O-C(O)-Z,“醚磺酸鹽(酯)”是-R1-O-R2-SO3Z,“酯磺酸鹽(酯)”是-R1-O-C(O)R2-SO3Z,并且“氨基甲酸鹽(酯)(urethane)”是-R1-O-C(O)-N(R4)2,其中:每個R1是不存在的或是亞烷基,每個R2是亞烷基,每個R3是烷基,每個R4是H或烷基,p是0或者從1至20的整數(shù),并且每個Z是H、堿金屬、堿土金屬、N(R3)4或R3,其中以上基團中的任一個可以是未取代的或取代的,并且任何基團可具有對于一個或多個氫取代的氟,包括全氟化的基團。本發(fā)明的聚合物絡合物的導電聚合物組分和/或電子設備的聚合物絡合物組分可各自包括一種或多種均聚物、兩種或更多種對應單體的一種或多種共聚物、或者一種或多種均聚物和一種或多種共聚物的混合物。本發(fā)明的對應的導電聚合物絡合物、和/或電子設備的聚合物絡合物組分可各自包括單一聚合物或可包括兩種或更多種聚合物的共混物,所述兩種或更多種聚合物在下述一些方面彼此不同,例如關于組成、結構或分子量。在實施例中,這些聚合物絡合物的導電聚合物組分和/或該電子設備的聚合物絡合物組分包括一種或多種導電聚合物,該一種或多種導電聚合物選自導電聚噻吩聚合物、導電聚(硒吩)聚合物、導電聚(碲吩)聚合物、導電聚吡咯聚合物、導電聚苯胺聚合物、導電稠合多環(huán)雜芳香族聚合物、以及任何此類聚合物的共混物。在一個實施例中,該導電聚合物包括一種或多種聚合物,該一種或多種聚合物選自導電聚噻吩聚合物、導電聚(硒吩)聚合物、導電聚(碲吩)聚合物、以及其混合物。適合的聚噻吩聚合物、聚(硒吩)聚合物、聚(碲吩)聚合物以及用于制造此類聚合物的方法總體上是已知的。在一個實施例中,該導電聚合物包括每分子的該聚合物至少一種包含2個或更多個、更典型地4個或更多個根據(jù)結構(I)的單體單元的導電聚噻吩聚合物、導電聚(硒吩)聚合物、或導電聚(碲吩)聚合物:其中:Q是S、SE、或Te,并且R11的每次出現(xiàn)和R12的每次出現(xiàn)獨立地是H、烷基、烯基、烷氧基、烷?;⑼榱蚧⒎佳趸⑼榱蚧榛?、烷基芳基、芳基烷基、氨基、烷基氨基、二烷基氨基、芳基、烷基亞磺?;?、烷氧基烷基、烷基磺?;⒎剂蚧?、芳基亞磺?;?、烷氧基羰基、芳基磺酰基、丙烯酸、磷酸、膦酸、鹵素、硝基、氰基、羥基、環(huán)氧基、硅烷、硅氧烷、羥基、羥烷基、芐基、羧酸鹽(酯)、醚、醚羧酸鹽(酯)、酰胺基磺酸鹽(酯)、醚磺酸鹽(酯)、酯磺酸鹽(酯)、以及氨基甲酸鹽(酯),或給定單體單元的R11基團和R12基團兩者與它們所附接的碳原子一起稠合形成亞烷基或亞烯基鏈,從而構成3、4、5、6、或7-元芳香族環(huán)或脂環(huán)族環(huán),該環(huán)可任選地包含一個或多個二價氮、硒、碲、硫或氧原子。在一個實施例中,Q是S,根據(jù)結構(I)的單體單元的R11和R12是稠合的,并且該導電聚合物包括每分子的該聚合物包含2個或更多個、更典型地4個或更多個根據(jù)結構(I.a)的單體單元的聚二氧噻吩(polydioxythiopene)聚合物:其中:R13的每次出現(xiàn)獨立地是H、烷基、羥基、雜烷基、烯基、雜烯基、羥烷基、酰胺基磺酸鹽(酯)、芐基、羧酸鹽(酯)、醚、醚羧酸鹽(酯)、醚磺酸鹽(酯)、酯磺酸鹽(酯)、或氨基甲酸鹽(酯),并且m'是2或3。在一個實施例中,根據(jù)結構(I.a)的單體單元的所有R13基團各自是H、烷基、或烯基。在一個實施例中,根據(jù)結構(I.a)的單體單元的R13基團不是每個都是H。在一個實施例中,根據(jù)結構(I.a)的單體單元的每個R13基團是H。在一個實施例中,該導電聚合物包括根據(jù)結構(I.a)的單體單元的導電聚噻吩均聚物,其中每個R13是H并且m'是2,被稱為聚(3,4-亞乙基二氧噻吩),更典型地被稱為“PEDOT”。在一個實施例中,該導電聚合物包括一種或多種導電聚吡咯聚合物。適合的導電聚吡咯聚合物以及用于制造此類聚合物的方法總體上是已知的。在一個實施例中,該導電聚合物包括每分子的該聚合物包含2個或更多個、更典型地4個或更多個根據(jù)結構(II)的單體單元的聚吡咯聚合物:其中:R21的每次出現(xiàn)和R22的每次出現(xiàn)獨立地是H、烷基、烯基、烷氧基、烷?;?、烷硫基、芳氧基、烷硫基烷基、烷基芳基、芳基烷基、氨基、烷基氨基、二烷基氨基、芳基、烷基亞磺?;⑼檠趸榛?、烷基磺酰基、芳硫基、芳基亞磺?;?、烷氧基羰基、芳基磺?;?、丙烯酸、磷酸、膦酸、鹵素、硝基、氰基、羥基、環(huán)氧基、硅烷、硅氧烷、羥基、羥烷基、芐基、羧酸鹽(酯)、醚、酰胺基磺酸鹽(酯)、醚羧酸鹽(酯)、醚磺酸鹽(酯)、酯磺酸鹽(酯)、以及氨基甲酸鹽(酯),或給定吡咯單元的R21和R22與它們所附接的碳原子一起稠合形成亞烷基或亞烯基鏈,從而構成3、4、5、6、或7-元芳香族環(huán)或脂環(huán)族環(huán),該環(huán)可任選地包含一個或多個二價氮、硫或氧原子,并且R23的每次出現(xiàn)獨立地被選擇以便在每次出現(xiàn)時是相同或不同的,并且選自氫、烷基、烯基、芳基、烷酰基、烷硫基烷基、烷基芳基、芳基烷基、氨基、環(huán)氧基、硅烷、硅氧烷、羥基、羥烷基、芐基、羧酸鹽(酯)、醚、醚羧酸鹽(酯)、醚磺酸鹽(酯)、酯磺酸鹽(酯)、以及氨基甲酸鹽(酯)。在一個實施例中,R21的每次出現(xiàn)和R22的每次出現(xiàn)獨立地是H、烷基、烯基、烷氧基、環(huán)烷基、環(huán)烯基、羥基、羥烷基、芐基、羧酸鹽(酯)、醚、酰胺基磺酸鹽(酯)、醚羧酸鹽(酯)、醚磺酸鹽(酯)、酯磺酸鹽(酯)、氨基甲酸鹽(酯)、環(huán)氧基、硅烷、硅氧烷、或烷基,其中該烷基可以任選地被磺酸、羧酸、丙烯酸、磷酸、膦酸、鹵素、硝基、氰基、羥基、環(huán)氧基、硅烷、或硅氧烷部分中的一個或多個取代。在一個實施例中,R23的每次出現(xiàn)獨立地是H,烷基,以及被磺酸、羧酸、丙烯酸、磷酸、膦酸、鹵素、氰基、羥基、環(huán)氧基、硅烷、或硅氧烷部分中的一個或多個取代的烷基。在一個實施例中,R21、R22、和R23的每次出現(xiàn)是H。在一個實施例中,R21和R22與它們所附接的碳原子一起稠合形成6-或7-元脂環(huán)族環(huán),其進一步被選自烷基、雜烷基、羥基、羥烷基、芐基、羧酸鹽(酯)、醚、醚羧酸鹽(酯)、醚磺酸鹽(酯)、酯磺酸鹽(酯)、以及氨基甲酸鹽(酯)的基團取代。在一個實施例中,并且R22與它們所附接的碳原子一起稠合形成6-或7-元脂環(huán)族環(huán),其進一步被烷基取代。在一個實施例中,R21和R22與它們所附接的碳原子一起稠合形成6-或7-元脂環(huán)族環(huán),其進一步被具有至少1個碳原子的烷基取代。在一個實施例中,R21和R22與它們所附接的碳原子一起稠合形成-O-(CHR24)n'-O-基團,其中R24的每次出現(xiàn)獨立地是H、烷基、羥基、羥烷基、芐基、羧酸鹽(酯)、酰胺基磺酸鹽(酯)、醚、醚羧酸鹽(酯)、醚磺酸鹽(酯)、酯磺酸鹽(酯)、以及氨基甲酸鹽(酯),并且n'是2或3。在一個實施例中,至少一個R24基團不是氫。在一個實施例中,至少一個R24基團是具有對于至少一個氫取代的F的取代基。在一個實施例中,至少一個Y基團是全氟化的。在一個實施例中,該導電聚合物包括一種或多種導電聚苯胺聚合物。適合的導電聚苯胺聚合物以及制造此類聚合物的方法總體上是已知的。在一個實施例中,該導電聚合物包括每分子的該聚合物包含2個或更多個、更典型地4個或更多個選自根據(jù)結構(III)的單體單元和根據(jù)結構(III.a)的單體單元的單體單元的聚苯胺聚合物:其中:R31和R32的每次出現(xiàn)獨立地是烷基、烯基、烷氧基、環(huán)烷基、環(huán)烯基、烷?;⑼榱蚧?、芳氧基、烷硫基烷基、烷基芳基、芳基烷基、氨基、烷基氨基、二烷基氨基、芳基、烷基亞磺?;?、烷氧基烷基、烷基磺酰基、芳硫基、芳基亞磺?;⑼檠趸驶?、芳基磺?;?、羧酸、鹵素、氰基、或烷基(其是被磺酸、羧酸、鹵素、硝基、氰基或環(huán)氧基部分中的一個或多個取代的),或者在同一個環(huán)上的兩個R31或R32基團可以與它們所附接的碳原子一起稠合形成3、4、5、6、或7-元芳香族環(huán)或脂環(huán)族環(huán),該環(huán)可任選地包含一個或多個二價氮、硫或氧原子;并且每個a和a'獨立地是從0至4的整數(shù),每個b和b'是從1至4的整數(shù),其中,對于每個環(huán),該環(huán)的a和b系數(shù)或者該環(huán)的a’和b'系數(shù)的總和是4。在一個實施例中,a或a'=0并且該聚苯胺聚合物是未取代的聚苯胺聚合物(在此被稱為“PANI”聚合物)。在一個實施例中,該導電聚合物包括一種或多種導電多環(huán)雜芳香族聚合物。適合的導電多環(huán)雜芳香族聚合物以及用于制造此類聚合物的方法總體上是已知的。在一個實施例中,該導電聚合物包括每分子一種或多種包含2個或更多個、更典型地4個或更多個單體單元的多環(huán)雜芳香族聚合物,這些單體單元衍生自一種或多種雜芳香族單體,這些雜芳香族單體中的每一種獨立地根據(jù)式(IV):其中:Q是S或NH,R41、R42、R43、以及R44各自獨立地是H、烷基、烯基、烷氧基、烷酰基、烷硫基、芳氧基、烷硫基烷基、烷基芳基、芳基烷基、氨基、烷基氨基、二烷基氨基、芳基、烷基亞磺?;?、烷氧基烷基、烷基磺酰基、芳硫基、芳基亞磺?;⑼檠趸驶⒎蓟酋;⒈┧?、磷酸、膦酸、鹵素、硝基、氰基、羥基、環(huán)氧基、硅烷、硅氧烷、羥基、羥烷基、芐基、羧酸鹽(酯)、醚、醚羧酸鹽(酯)、酰胺基磺酸鹽(酯)、醚磺酸鹽(酯)、酯磺酸鹽(酯)、或氨基甲酸鹽(酯),其條件是至少一對相鄰的取代基R41和R42,R42和R43,或R43和R44與它們所附接的碳原子一起稠合形成5或6-元芳香族環(huán),該環(huán)可任選地包含一個或多個雜原子作為環(huán)成員,這些雜原子更典型地選自二價氮、硫和氧原子。在一個實施例中,這些多環(huán)雜芳香族聚合物每分子包含2個或更多個、更典型地4個或更多個單體單元,這些單體單元衍生自一種或多種雜芳香族單體,這些雜芳香族單體中的每一種獨立地根據(jù)結構(V):其中:Q是S、Se、Te、或NR55,T是S、Se、Te、NR55、O、Si(R55)2、或PR55,E是亞烯基、亞芳基和雜亞芳基,R55是氫或烷基,R51、R52、R53、以及R54各自獨立地是H、烷基、烯基、烷氧基、烷酰基、烷硫基、芳氧基、烷硫基烷基、烷基芳基、芳基烷基、氨基、烷基氨基、二烷基氨基、芳基、烷基亞磺酰基、烷氧基烷基、烷基磺?;?、芳硫基、芳基亞磺酰基、烷氧基羰基、芳基磺?;⒈┧?、磷酸、膦酸、鹵素、硝基、腈、氰基、羥基、環(huán)氧基、硅烷、硅氧烷、羥基、羥烷基、芐基、羧酸鹽(酯)、醚、醚羧酸鹽(酯)、酰胺基磺酸鹽(酯)、醚磺酸鹽(酯)、以及氨基甲酸鹽(酯),或其中每對相鄰的取代基R51和R52以及相鄰的取代基R53和R54可以獨立地與它們所附接的碳原子一起形成3、4、5、6、或7-元芳香族環(huán)或脂環(huán)族環(huán),該環(huán)可任選地包含一個或多個雜原子作為環(huán)成員,這些雜原子更典型地選自二價氮、硫和氧原子。在一個實施例中,該導電聚合物包括這樣的導電共聚物,該導電共聚物每分子包含至少一種根據(jù)式(I)、(I.a)、(II)、(III)、或(III.a)或者衍生自根據(jù)結構(IV)或(V)的雜芳香族單體的第一單體單元并且每分子進一步包含一種或多種在結構和/或組成上與這些第一單體單元不同的第二單體單元。可以使用任何類型的第二單體單元,只要它不有害地影響該共聚物的所希望的特性。在一個實施例中,該共聚物包含,基于該共聚物的單體單元的總數(shù),小于或等于50%、更典型地小于或等于25%、甚至更典型地小于或等于10%的第二單體單元。示例性類型的第二單體單元包括,但不限于,衍生自烯基、炔基、亞芳基、和雜亞芳基單體的那些,例如像,芴、噁二唑、噻二唑、苯并噻二唑、亞苯基亞乙烯基、亞苯基亞乙炔基、吡啶、二嗪、以及三嗪,所有這些可以進一步被取代,這些單體與衍生出這些第一單體單元的單體可共聚。在一個實施例中,這些導電共聚物是通過首先形成具有結構A-B-C的中間體低聚物制成的,其中A和C表示第一單體單元(其可以是相同或不同的),并且B表示第二單體單元。該A-B-C中間體低聚物可以使用標準合成有機技術(如Yamamoto偶聯(lián)、Stille偶聯(lián)、格氏置換(Grignardmetathesis)偶聯(lián)、Suzuki偶聯(lián)和Negishi偶聯(lián))制備。然后通過單獨地該中間體低聚物的氧化聚合、或者通過該中間體低聚物與一種或多種附加的單體的共聚形成該導電共聚物。在一個實施例中,該導電聚合物包括兩種或更多種單體的導電共聚物。在一個實施例中,這些單體包括至少一種選自噻吩單體、吡咯單體、苯胺單體、以及多環(huán)芳香族單體的單體。在一個實施例中,該導電聚合物的重均分子量是從約1000至約2,000,000克/摩爾、更典型地從約5,000至約1,000,000克/摩爾、并且甚至更典型地從約10,000至約500,000克/摩爾。在一個實施例中,本發(fā)明的聚合物絡合物的導電聚合物,和/或電子設備的聚合物絡合物進一步包含摻雜劑。適合的摻雜劑包括,但不限于,磺酸根陰離子,例如,對-甲苯磺酸根陰離子;聚合物酸摻雜劑,以及類似物。在一個實施例中,本發(fā)明的聚合物絡合物的導電聚合物,和/或電子設備的聚合物絡合物進一步包含聚合物酸摻雜劑,典型地(特別地當該聚合物組合物的液體介質是水性介質時)水溶性聚合物酸摻雜劑。在一個實施例中,這些新組合物和方法中使用的導電聚合物是通過氧化聚合在含有水溶性酸(典型地水溶性聚合物酸)的水溶液中的相應單體制備的。在一個實施例中,該酸是聚合物磺酸。這些酸的一些非限制性實例是聚(苯乙烯磺酸)(“PSSA”)、聚(2-丙烯酰胺基-2-甲基-1-丙磺酸)(“PAAMPSA”)、以及其混合物。該酸陰離子提供了用于該導電聚合物的摻雜劑。使用氧化劑如過硫酸銨、過硫酸鈉、以及其混合物進行該氧化聚合。因此,例如,當苯胺在PMMPSA的存在下進行氧化聚合時,形成摻雜的導電聚合物共混物PANI/PAAMPSA。當亞乙基二氧噻吩(EDOT)在PSSA的存在下進行氧化聚合時,形成摻雜的導電聚合物共混物PEDOT/PSS。PEDOT的共軛骨架是部分氧化的并且?guī)д姷?。氧化聚合的吡咯和噻吩并噻吩也具有通過該酸陰離子平衡的正電荷。在一個實施例中,該水溶性聚合物酸選自聚磺酸,更典型地,聚(苯乙烯磺酸)或聚(丙烯酰胺基-2-甲基-1-丙烷-磺酸),或聚羧酸,如聚丙烯酸、聚甲基丙烯酸、或聚馬來酸。本發(fā)明的聚合物絡合物和/或電子設備的聚合物絡合物組分包含離子液體組分。離子液體是具有小于或等于100℃的熔點的鹽。在一個實施例中,該離子液體具有小于或等于75℃、更典型地小于或等于50℃并且甚至更典型地小于或等于25℃的熔點。在一個實施例中,該離子液體包含一種或多種有機或無機鹽并且具有小于或等于100℃的熔點。在一個實施例中,該離子液體完全由陽離子和陰離子物種組成。適合的離子液體化合物的典型的陽離子包括,例如:銨或四烷基銨陽離子,例如像四甲基銨、四丁基銨、四己基銨、丁基三甲基銨、以及甲基三辛基銨陽離子;胍鎓陽離子,例如像,N,N,N',N'-四己基-N”,N”-二甲基胍鎓陽離子;咪唑鎓陽離子,更典型地,每個硼原子用從1至3、更典型地2至3個烷基、羥烷基和/或芳基取代基取代的咪唑鎓陽離子,例如像1,3-二甲基-咪唑鎓、1-芐基-3-甲基-咪唑鎓、1-丁基-3-甲基-咪唑鎓、1-乙基-3-甲基-咪唑鎓、1-己基-3-甲基-咪唑鎓、1-甲基-3-丙基-咪唑鎓、1-甲基-3-辛基-咪唑鎓、1-甲基-3-十四烷基-咪唑鎓、1-甲基-3-苯基-咪唑鎓、1,2,3-三甲基-咪唑鎓、1,2-甲基-3-辛基-咪唑鎓、1-丁基-2,3-二甲基-咪唑鎓、1-己基-2,3-甲基-咪唑鎓、以及1-(2-羥乙基)-2,3-二甲基-咪唑鎓陽離子;嗎啉鎓陽離子,例如像N-甲基-嗎啉鎓以及N-乙基-嗎啉鎓陽離子;磷鎓陽離子,例如像四丁基磷鎓以及三丁基甲基磷鎓陽離子;哌啶鎓陽離子,例如像1-丁基-1-甲基-哌啶鎓以及1-甲基-1-丙基-哌啶鎓陽離子;噠嗪鎓(pyradazinium)陽離子;吡嗪鎓陽離子,例如像1-乙基-4-甲基-吡嗪鎓、1-辛基-4-丙基-吡嗪鎓陽離子;吡唑鎓陽離子,例如像1-乙基-2,3,5-吡唑啉鎓陽離子;吡啶鎓陽離子,例如像N-丁基-吡啶鎓、以及N-己基-吡啶鎓陽離子;嘧啶鎓陽離子,例如像1-己基-3-丙基-嘧啶鎓、1-乙基-3-甲基-嘧啶鎓陽離子;吡咯烷鎓陽離子,例如像1-丁基-1-甲基-吡咯烷鎓以及1-甲基-1-丙基-吡咯烷鎓陽離子;吡咯鎓(pyrrolium)陽離子,例如像1,1,-二甲基-吡咯鎓、1-甲基-1-戊基-吡咯鎓陽離子;吡咯啉鎓陽離子;硫鎓陽離子,例如像三甲基硫鎓陽離子;噻唑鎓陽離子;噁唑鎓陽離子;三唑鎓陽離子;以及無機陽離子,例如像,鈉(Na+)、鋰(Li+)、鉀(K+)、銣(Rb+)、銫(Cs+)、鎂(Mg2+)、鈣(Ca2+)、鍶(Sr2+)、鋇(Ba2+)、鐵(III)(Fe3+)、銅(II)(Cu2+)、銀(I)(Ag+)、鋅(II)(Zn2+)、釔(III)(Y3+)、鈷(II)(Co2+)、鎢(III)(W3+)、鋯(IV)(Zr4+)、鈦(IV)(Ti4+)、鑭(III)(La3+)、鈰(III)(Ce3+)、銪(III)(Eu3+)、鋁(III)(Al3+)、鎵(III)(Ga3+)、錫(II)(Sn2+)、錫(IV)(Sn4+)、鉍(III)(Bi3+)以及銻(III)(Sb3+)。適合的離子液體化合物的典型的陰離子包括,例如:硼酸根陰離子,例如像四氟硼酸根、四氰基硼酸根、四-(對-(二甲基(1H,1H,2H,2H-全氟辛基)甲硅烷基)苯基)硼酸根、烷基三氟硼酸根、全氟烷基三氟硼酸根、以及烯基三氟硼酸根陰離子;碳酸根陰離子,例如像碳酸氫根以及甲基碳酸根陰離子;羧酸根陰離子,例如像水楊酸根、硫代水楊酸根、L-乳酸根、乙酸根、三氟乙酸根、以及甲酸根陰離子;氯酸根陰離子;氰酸根陰離子,例如像硫氰酸根、二氰胺、以及三氰甲烷陰離子;鹵化物陰離子,例如像氟化物、氯化物、溴化物、以及碘化物陰離子;酰亞胺陰離子,例如像酰亞胺、雙(氟甲基磺?;?酰亞胺陰離子、以及雙(三氟甲基磺?;?酰亞胺陰離子,硝酸根陰離子;磷酸根陰離子,例如像磷酸二氫根、六氟磷酸根、二(三氟甲基)四氟磷酸根、三(三氟甲基)三氟磷酸根、三(全氟烷基)三氟磷酸根、四(三氟甲基)二氟磷酸根、五(三氟甲基)氟磷酸根、以及六(三氟甲基)磷酸根陰離子;硫酸根和磺酸根陰離子,例如像三氟甲磺酸根、硫酸氫根、甲苯磺酸根、(C1-C12)烷基硫酸根、以及(C1-C12)烷基磺酸根陰離子;全氟烷基β-二酮酸根(diketonate)陰離子,例如像6,6,7,7,8,8,8-七氟-2,2-二甲基-3,5-辛烷二酮酸根、1,1,1,5,5,5-六氟-2,4-戊烷二酮酸根、以及4,4,4-三氟-1-(2-噻吩基)-1,3-丁烷二酮酸根陰離子;氟氫化物陰離子,例如像聚(氟化氫)氟化物陰離子;氟代金屬酸根(fluorometallate)陰離子,例如像氧代五氟鎢(VI)陰離子,以及多金屬氧酸根陰離子。該離子液體可以包括離子液體化合物的混合物,以及因此兩種或更多種此類陽離子和/或兩種或更多種此類陰離子的混合物。在一個實施例中,該離子液體包括一種或多種具有咪唑鎓陽離子的化合物。在一個實施例中,該咪唑鎓陽離子選自:1,3-二甲基咪唑鎓、1-芐基-3-甲基-咪唑鎓、1-丁基-3-甲基-咪唑鎓、1-乙基-3-甲基-咪唑鎓、1-己基-3-甲基-咪唑鎓、1-甲基-3-丙基-咪唑鎓、1-甲基-3-辛基-咪唑鎓、1-甲基-3-十四烷基-咪唑鎓、1-甲基-3-苯基咪唑鎓、1,2,3-三甲基-咪唑鎓、1,2-甲基-3-辛基-咪唑鎓、1-丁基-2,3-二甲基-咪唑鎓、1-己基-2,3-甲基-咪唑鎓、以及1-(2-羥乙基)-2,3-二甲基-咪唑鎓陽離子。在一個實施例中,該離子液體包含磺酸根陰離子、硫酸根陰離子、羧酸根陰離子、雙(三氟甲基磺?;?酰亞胺陰離子、硝酸根陰離子、硝基陰離子、鹵素陰離子、六氟磷酸根(PF6-)陰離子、或四氟硼酸根陰離子。在一個實施例中,該離子液體包含對-甲苯磺酸根陰離子、(CF3SO3)-陰離子、(CH3CH2CH2CH2SO3)-陰離子、(CHF2CF2CF2CF2CH2SO3)-陰離子、雙(三氟甲基磺?;?酰亞胺陰離子、或四氟硼酸根陰離子。在一個實施例中,該離子液體包括烷基-、羥烷基-和/或芳基-取代的咪唑鎓陽離子和四氟硼酸根陰離子的鹽,例如像,1,3-二甲基-咪唑鎓四氟硼酸鹽、1-芐基-3-甲基-咪唑鎓四氟硼酸鹽、1-丁基-3-甲基-咪唑鎓四氟硼酸鹽、1-乙基-3-甲基-咪唑鎓四氟硼酸鹽、1-己基-3-甲基-咪唑鎓四氟硼酸鹽、1-甲基-3-丙基-咪唑鎓四氟硼酸鹽、1-甲基-3-辛基-咪唑鎓四氟硼酸鹽、1-甲基-3-十四烷基-咪唑鎓四氟硼酸鹽、1-甲基-3-苯基-咪唑鎓四氟硼酸鹽、1,2,3-三甲基-咪唑鎓四氟硼酸鹽、1,2-甲基-3-辛基-咪唑鎓四氟硼酸鹽、1-丁基-2,3-二甲基-咪唑鎓四氟硼酸鹽、1-己基-2,3-甲基-咪唑鎓四氟硼酸鹽、以及1-(2-羥乙基)-2,3-二甲基-咪唑鎓四氟硼酸鹽、以及其混合物。在一個實施例中,該離子液體包括烷基-、羥烷基-和/或芳基-取代的咪唑鎓陽離子和雙(三氟甲基磺酰基)酰亞胺陰離子的鹽,例如像,1,3-二甲基-咪唑鎓雙(三氟甲基磺?;?酰亞胺、1-芐基-3-甲基-咪唑鎓雙(三氟甲基磺?;?酰亞胺、1-丁基-3-甲基-咪唑鎓雙(三氟甲基磺?;?酰亞胺、1-乙基-3-甲基-咪唑鎓雙(三氟甲基磺?;?酰亞胺、1-己基-3-甲基-咪唑鎓雙(三氟甲基磺酰基)酰亞胺、1-甲基-3-丙基-咪唑鎓雙(三氟甲基磺酰基)酰亞胺、1-甲基-3-辛基-咪唑鎓雙(三氟甲基磺?;?酰亞胺、1-甲基-3-十四烷基-咪唑鎓雙(三氟甲基磺?;?酰亞胺、1-甲基-3-苯基-咪唑鎓雙(三氟甲基磺酰基)酰亞胺、1,2,3-三甲基-咪唑鎓雙(三氟甲基磺酰基)酰亞胺、1,2-甲基-3-辛基-咪唑鎓雙(三氟甲基磺?;?酰亞胺、1-丁基-2,3-二甲基-咪唑鎓雙(三氟甲基磺酰基)酰亞胺、1-己基-2,3-甲基-咪唑鎓雙(三氟甲基磺?;?酰亞胺、以及1-(2-羥乙基)-2,3-二甲基-咪唑鎓雙(三氟甲基磺?;?酰亞胺、以及其混合物。在一個實施例中,該離子液體可以是具有小于25℃的熔點、在20℃下小于或等于約100厘泊的粘度、以及離子電導率的離子化合物。在一個實施例中,該離子液體是具有小于或等于25℃的熔點的離子化合物,例如像,1-乙基-3-甲基-咪唑鎓四氯鋁酸鹽、1-丁基-3-甲基-咪唑鎓四氯鋁酸鹽、1-乙基-3-甲基-咪唑鎓乙酸鹽、1-丁基-3-甲基-咪唑鎓乙酸鹽、1-乙基-3-甲基-咪唑鎓乙基硫酸鹽、1-丁基-3-甲基-咪唑鎓甲基硫酸鹽、1-乙基-3-甲基-咪唑鎓硫氰酸鹽、1-丁基-3-甲基-咪唑鎓硫氰酸鹽、1-乙基-3-甲基-咪唑鎓雙(三氟甲烷磺酰基)酰亞胺、1-乙基-3-甲基-咪唑鎓四氰基硼酸鹽、1-丁基-1-甲基-吡咯烷鎓二氰胺、1-乙基-3-甲基-咪唑鎓四氟硼酸鹽、1-乙基-3-甲基-咪唑鎓三氟乙酸鹽、1-乙基-3-甲基-咪唑鎓雙(氟甲基磺?;?酰亞胺、以及其混合物。在一個實施例中,該離子液體包括烷基-、羥烷基-和/或芳基-取代的咪唑鎓陽離子和氰酸根陰離子的鹽,例如像,1,3-二甲基-咪唑鎓二氰酸鹽、1-芐基-3-甲基-咪唑鎓硫氰酸鹽、1-丁基-3-甲基-咪唑鎓三氰甲烷、1-乙基-3-甲基-咪唑鎓二氰酸鹽、1-己基-3-甲基-咪唑鎓硫氰酸鹽、1-甲基-3-丙基-咪唑鎓三氰甲烷、1-甲基-3-辛基-咪唑鎓二氰酸鹽、1-甲基-3-十四烷基-咪唑鎓硫氰酸鹽、1-甲基-3-苯基-咪唑鎓二氰酸鹽、1,2,3-三甲基-咪唑鎓硫氰酸鹽、1,2-甲基-3-辛基-咪唑鎓三氰甲烷、1-丁基-2,3-二甲基-咪唑鎓二氰酸鹽、1-己基-2,3-甲基-咪唑鎓硫氰酸鹽、以及1-(2-羥乙基)-2,3-二甲基-咪唑鎓三氰甲烷、以及其混合物。在一個實施例中,該離子液體包括一種或多種化合物,該一種或多種化合物包含:(i)咪唑鎓陽離子、和(ii)四氰基硼酸根陰離子。在一個實施例中,該離子液體包括烷基-、羥烷基-和/或芳基-取代的咪唑鎓陽離子和四氰基硼酸根陰離子的鹽,例如像,1,3-二甲基-咪唑鎓四氰基硼酸鹽、1-芐基-3-甲基-咪唑鎓四氰基硼酸鹽、1-丁基-3-甲基-咪唑鎓四氰基硼酸鹽、1-乙基-3-甲基-咪唑鎓四氰基硼酸鹽、1-己基-3-甲基-咪唑鎓四氰基硼酸鹽、1-甲基-3-丙基-咪唑鎓四氰基硼酸鹽、1-甲基-3-辛基-咪唑鎓四氰基硼酸鹽、1-甲基-3-十四烷基-咪唑鎓四氰基硼酸鹽、1-甲基-3-苯基-咪唑鎓四氰基硼酸鹽、1,2,3-三甲基-咪唑鎓四氰基硼酸鹽、1,2-甲基-3-辛基-咪唑鎓四氰基硼酸鹽、1-丁基-2,3-二甲基-咪唑鎓四氰基硼酸鹽、1-己基-2,3-甲基-咪唑鎓四氰基硼酸鹽、以及1-(2-羥乙基)-2,3-二甲基-咪唑鎓四氰基硼酸鹽、以及其混合物。在一個實施例中,該離子液體包括烷基-、羥烷基-和/或芳基-取代的咪唑鎓陽離子和四-(對-(二甲基(1H,1H,2H,2H-全氟辛基)甲硅烷基)苯基)硼酸根陰離子的鹽,例如像,1,3-二甲基-咪唑鎓四-(對-(二甲基(1H,1H,2H,2H-全氟辛基)甲硅烷基)苯基)硼酸鹽、1-芐基-3-甲基-咪唑鎓四-(對-(二甲基(1H,1H,2H,2H-全氟辛基)甲硅烷基)苯基)硼酸鹽、1-丁基-3-甲基-咪唑鎓四-(對-(二甲基(1H,1H,2H,2H-全氟辛基)甲硅烷基)苯基)硼酸鹽、1-乙基-3-甲基-咪唑鎓四-(對-(二甲基(1H,1H,2H,2H-全氟辛基)甲硅烷基)苯基)硼酸鹽、1-己基-3-甲基-咪唑鎓四-(對-(二甲基(1H,1H,2H,2H-全氟辛基)甲硅烷基)苯基)硼酸鹽、1-甲基-3-丙基-咪唑鎓四-(對-(二甲基(1H,1H,2H,2H-全氟辛基)甲硅烷基)苯基)硼酸鹽、1-甲基-3-辛基-咪唑鎓四-(對-(二甲基(1H,1H,2H,2H-全氟辛基)甲硅烷基)苯基)硼酸鹽、1-甲基-3-十四烷基-咪唑鎓四-(對-(二甲基(1H,1H,2H,2H-全氟辛基)甲硅烷基)苯基)硼酸鹽、1-甲基-3-苯基-咪唑鎓四-(對-(二甲基(1H,1H,2H,2H-全氟辛基)甲硅烷基)苯基)硼酸鹽、1,2,3-三甲基-咪唑鎓四-(對-(二甲基(1H,1H,2H,2H-全氟辛基)甲硅烷基)苯基)硼酸鹽、1,2-甲基-3-辛基-咪唑鎓四-(對-(二甲基(1H,1H,2H,2H-全氟辛基)甲硅烷基)苯基)硼酸鹽、1-丁基-2,3-二甲基-咪唑鎓四-(對-(二甲基(1H,1H,2H,2H-全氟辛基)甲硅烷基)苯基)硼酸鹽、1-己基-2,3-甲基-咪唑鎓四-(對-(二甲基(1H,1H,2H,2H-全氟辛基)甲硅烷基)苯基)硼酸鹽、以及1-(2-羥乙基)-2,3-二甲基-咪唑鎓四-(對-(二甲基(1H,1H,2H,2H-全氟辛基)甲硅烷基)苯基)硼酸鹽、以及其混合物。在一個實施例中,該離子液體包括烷基-、羥烷基-和/或芳基-取代的咪唑鎓陽離子和六氟磷酸根陰離子的鹽,例如像,1,3-二甲基-咪唑鎓六氟磷酸鹽、1-芐基-3-甲基-咪唑鎓六氟磷酸鹽、1-丁基-3-甲基-咪唑鎓六氟磷酸鹽、1-乙基-3-甲基-咪唑鎓六氟磷酸鹽、1-己基-3-甲基-咪唑鎓六氟磷酸鹽、1-甲基-3-丙基-咪唑鎓六氟磷酸鹽、1-甲基-3-辛基-咪唑鎓六氟磷酸鹽、1-甲基-3-十四烷基-咪唑鎓六氟磷酸鹽、1-甲基-3-苯基-咪唑鎓六氟磷酸鹽、1,2,3-三甲基-咪唑鎓六氟磷酸鹽、1,2-甲基-3-辛基-咪唑鎓六氟磷酸鹽、1-丁基-2,3-二甲基-咪唑鎓六氟磷酸鹽、1-己基-2,3-甲基-咪唑鎓六氟磷酸鹽、以及1-(2-羥乙基)-2,3-二甲基-咪唑鎓六氟磷酸鹽、以及其混合物。本發(fā)明的聚合物絡合物和/或電子設備的聚合物絡合物組分可任選地進一步包含一種或多種附加的組分,例如像,聚合物、染料、涂覆助劑、導電顆粒、導電油墨、導電膏、電荷傳輸材料、交聯(lián)劑、無機材料(例如像,氧化鋅、氧化鈰、氧化鈦)、以及其組合中的一種或多種。在一些實施例中,本發(fā)明的聚合物絡合物和/或電子設備的聚合物絡合物組分可任選地進一步包含導電納米結構。如在此使用的,術語“納米結構”通常是指納米尺寸的結構,這些結構的至少一個維度小于或等于500nm、更典型地小于或等于250nm、或小于或等于100nm、或小于或等于50nm、或小于或等于25nm。這些導電納米結構可以具有任何形狀或幾何形狀,更典型地具有各向異性的幾何形狀。典型的各向異性納米結構包括納米纖維、納米線和納米管。這些導電納米結構可以由任何導電材料(例如像,金屬材料或非金屬材料,如碳或石墨)形成,并且可包括由不同的導電材料(如碳纖維和銀納米線的混合物)形成的納米結構的混合物。在一個實施例中,本發(fā)明的聚合物絡合物和/或電子設備的聚合物絡合物組分進一步包含一種或多種金屬導電納米結構,例如像,銀納米線或銀納米管。在一個實施例中,本發(fā)明的聚合物絡合物和/或電子設備的聚合物絡合物組分可各自任選地進一步包含一種或多種導電添加劑,例如像,金屬顆粒(包括金屬納米顆粒和金屬納米線)、石墨顆粒(包括石墨纖維)、或碳顆粒(包括碳富勒烯和碳納米管)、和以及任何此類添加劑的組合。適合的富勒烯包括例如,C60、C70、和C84富勒烯,其中每一種可以例如用(3-甲氧基羰基)-丙基-苯基(“PCBM”)基團衍生,如C60-PCBM、C-70-PCBM和C-84PCBM衍生的富勒烯。適合的碳納米管包括具有椅式、之字形或手性結構的單壁碳納米管,以及多壁碳納米管(包括雙壁碳納米管),以及其混合物。在一個實施例中,本發(fā)明的聚合物絡合物和/或電子設備的聚合物絡合物組分可各自任選地包含,基于該聚合物絡合物的100wt%,最高達約65wt%、更典型地從約12wt%至約62wt%的碳顆粒、更典型地碳納米管、并且甚至更典型地多壁碳納米管。本發(fā)明的聚合物絡合物和/或電子設備的聚合物絡合物組分是由聚合物組合物制備的。本發(fā)明的聚合物組合物包含:(a)至少一種導電聚合物,(b)任選地一種或多種聚合物酸摻雜劑,(c)至少一種離子液體,(d)液體介質,以及(e)任選地一種或多種添加劑。在實施例中,基于該聚合物組合物的100wt%,本發(fā)明的聚合物組合物包含:(a)從約0.1wt%至約10.0wt%、更典型地從約0.1wt%至約5.0wt%、并且甚至更典型地從約0.1wt%至約3.0wt%的導電聚合物,(b)從約0至約10.0wt%、更典型地從約0.1wt%至約5.0wt%、并且甚至更典型地從約0.1wt%至約3.0wt%的聚合物酸摻雜劑,(c)從約0.1wt%至約70.0wt%、更典型地從約0.1wt%至約10.0wt%、并且甚至更典型地從約0.2wt%至約5.0wt%的離子液體,(d)從約1.0wt%至約99.0wt%、更典型地從約50.0wt%至約99.0wt%、并且甚至更典型地從約80.0wt%至約99.0wt%的液體介質。在該聚合物組合物的實施例中,該離子液體的按重量計的總量與該導電聚合物的按重量計的總量的比率典型地是從約1:1至約45:1、更典型地從1.5:1至20:1、甚至更典型地從約2:1至約10:1。在一個實施例中,基于該聚合物組合物的100wt%,本發(fā)明的聚合物組合物包含:(a)從約0.1wt%至約10.0wt%、更典型地從約0.1wt%至約5.0wt%、并且甚至更典型地從約0.1wt%至約3.0wt%的導電聚合物,(b)從約0至約10.0wt%、更典型地從約0.1wt%至約5.0wt%、并且甚至更典型地從約0.1wt%至約3.0wt%的聚合物酸摻雜劑,(c)從約0.1wt%至約70.0wt%、更典型地從約0.1wt%至約10.0wt%、并且甚至更典型地從約0.2wt%至約5.0wt%的離子液體,(d)從約1.0wt%至約99.0wt%、更典型地從約50.0wt%至約99.0wt%、并且甚至更典型地從約80.0wt%至約99.0wt%的液體介質,并且該離子液體的按重量計的總量與該導電聚合物的按重量計的總量的比率典型地是從約1:1至約45:1、更典型地從1.5:1至20:1、甚至更典型地從約2:1至約10:1。在一個實施例中,基于該聚合物組合物的100wt%,本發(fā)明的聚合物組合物包含:(a)從約0.1wt%至約10.0wt%、更典型地從約0.1wt%至約5.0wt%、并且甚至更典型地從約0.1wt%至約3.0wt%的包含根據(jù)結構(I.a)的單體單元的導電聚合物,更典型地至少一種包含根據(jù)結構(I.a)且其中Q是S的單體單元的聚噻吩聚合物,并且甚至更典型地至少一種包含聚(3,4-亞乙基二氧噻吩)的導電聚合物,(b)從約0至約10.0wt%、更典型地從約0.1wt%至約5.0wt%、并且甚至更典型地從約0.1wt%至約3.0wt%的水溶性聚合物酸摻雜劑,更典型地至少一種包含聚(苯乙烯磺酸)摻雜劑的水溶性聚合物酸摻雜劑,(c)從約0.1wt%至約70.0wt%、更典型地從約0.1wt%至約10.0wt%、并且甚至更典型地從約0.2wt%至約5.0wt%的包括1-乙基-3-甲基-咪唑鎓四氰基硼酸鹽的離子液體,(d)從約1.0wt%至約99.0wt%、更典型地從約50.0wt%至約99.0wt%、并且甚至更典型地從約80.0wt%至約99.0wt%的液體介質,并且該離子液體的按重量計的總量與該導電聚合物的按重量計的總量的比率典型地是從約1:1至約45:1、更典型地從1.5:1至20:1、甚至更典型地從約2:1至約10:1。在一個實施例中,該液體介質是包含水的水性介質。在一個實施例中,該液體介質是主要由水組成的水性介質。在一個實施例中,該液體介質是由水組成的水性介質。在一個實施例中,該液體介質是非水性介質,該非水性介質包含一種或多種水可混溶的有機液體。在一個實施例中,該液體介質是水性介質,該水性介質包含水以及任選地一種或多種水可混溶的有機液體。適合的水可混溶的有機液體包括極性非質子有機溶劑,例如像,二甲亞砜和二甲基2-甲基戊二酸酯(作為IRIS銷售的),極性質子有機溶劑,例如像甲醇、乙醇、丙醇、乙二醇、和丙二醇,以及其混合物。在一個實施例中,基于該液體介質的100wt%,該液體介質包含從約10wt%至100wt%、更典型地從約50wt%至100wt%、并且甚至更典型地從約90wt%至100wt%的水,以及從0至約90wt%、更典型地從0pbw至約50wt%、并且甚至更典型地從0至約10wt%的一種或多種水可混溶的有機液體。在一個實施例中,該液體介質可以是其中該導電聚合物絡合物是可溶的任何液體。在一個實施例中,該液體介質是非水性液體介質并且該導電聚合物絡合物可溶于該非水性液體介質中。適合的非水性液體介質包括具有小于120℃、更典型地小于或等于約100℃的沸點的有機液體,這些有機液體基于導電聚合物絡合物的選擇選自:非極性有機溶劑,如己烷、環(huán)己烷、苯、甲苯、氯仿、和二乙醚,極性非質子有機溶劑,如二氯甲烷、乙酸乙酯、丙酮、和四氫呋喃,極性質子有機溶劑,如甲醇、乙醇、和丙醇,以及此類溶劑的混合物。在一個實施例中,該液體介質可以任選地進一步包含,基于該液體介質的100wt%,從大于0至約15wt%、更典型地從約1wt%至約10wt%的有機液體,該有機液體選自典型地具有至少120℃的沸點的高沸點極性有機液體,更典型地選自二乙二醇、內消旋-赤藻糖醇、1,2,3,4,-四羥丁烷、2-硝基乙醇、丙三醇、山梨糖醇、二甲亞砜、四氫呋喃、二甲基甲酰胺、以及其混合物。在一個實施例中,本發(fā)明的聚合物絡合物包括在該導電聚合物與該離子液體之間的相互作用。在一個實施例中,該聚合物絡合物、凝膠和泡沫材料具有多孔結構、高的強度與重量之比以及表面積與體積之比、以及高的導電性。在一個實施例中,在從約0.01至約100弧度/秒的范圍內的任何角頻率下,該聚合物泡沫的儲能模量(G')超過該聚合物絡合物的損耗模量(G”),如通過使用動態(tài)力學分析儀器(例如像,AR-G2)的動態(tài)振動測量確定的。本發(fā)明的聚合物絡合物和/或電子設備的聚合物絡合物組分是通過以下方式制成的:通過包括在液體介質中使導電聚合物和離子液體接觸的方法形成聚合物組合物。在一個實施例中,該形成的聚合物組合物是在此描述的聚合物組合物。在一個實施例中,本發(fā)明的聚合物絡合物和/或電子設備的聚合物絡合物組分可以是聚合物凝膠。在一個實施例中,本發(fā)明的聚合物凝膠材料和/或電子設備的聚合物凝膠組分是通過包括以下項的方法制成的:(I)通過包括在液體介質中使以下項接觸的方法形成聚合物組合物:(i)導電聚合物,(ii)任選地一種或多種聚合物酸摻雜劑,(iii)離子液體,(iv)任選地一種或多種添加劑,其中該離子液體的量對于膠化該導電聚合物是有效的,并且(II)允許該凝膠形成。在一個實施例中,本發(fā)明的聚合物凝膠材料和/或電子設備的聚合物凝膠組分是通過包括以下項的方法制成的:(I)通過包括在液體介質中使以下項接觸的方法形成聚合物組合物:(i)導電聚合物,(ii)任選地一種或多種聚合物酸摻雜劑,(iii)離子液體,(iv)任選地一種或多種添加劑,其中該離子液體的量對于膠化該導電聚合物是有效的,并且(II)允許該凝膠形成,(III)用漂洗液體漂洗在步驟(II)中形成的該凝膠。在一個實施例中,本發(fā)明的聚合物絡合物和/或電子設備的聚合物絡合物組分可以是聚合物泡沫。在一個實施例中,本發(fā)明的聚合物泡沫和/或電子設備的聚合物泡沫組分是通過包括以下項的方法制成的:(I)通過包括在液體介質中使以下項接觸的方法形成聚合物組合物:(i)導電聚合物,(ii)任選地一種或多種聚合物酸摻雜劑,(iii)離子液體,(iv)任選地一種或多種添加劑,其中該離子液體的量對于膠化該導電聚合物是有效的,(II)允許該凝膠形成,并且(III)從在步驟(II)中形成的該凝膠中去除在該凝膠上或中剩余的任何液體。在一個實施例中,本發(fā)明的聚合物泡沫和/或電子設備的聚合物泡沫組分是通過包括以下項的方法制成的:(I)通過包括在液體介質中使以下項接觸的方法形成聚合物組合物:(i)導電聚合物,(ii)任選地一種或多種聚合物酸摻雜劑,(iii)離子液體,(iv)任選地一種或多種添加劑,其中該離子液體的量對于膠化該導電聚合物是有效的,(II)允許該凝膠形成,(III)用漂洗液體漂洗在步驟(II)中形成的該凝膠,并且(IV)從在步驟(III)中漂洗的該凝膠中去除在該凝膠上或中剩余的任何液體。在一個實施例中,該導電聚合物包含根據(jù)結構(I.a)的單體單元,更典型地至少一種包含根據(jù)結構(I.a),其中Q為S的單體單元的聚噻吩聚合物,并且甚至更典型地至少一種包含聚(3,4-亞乙基二氧噻吩)的導電聚合物;并且該聚合物酸摻雜劑包括至少一種水溶性聚合物酸摻雜劑,更典型地至少一種包含聚(苯乙烯磺酸)摻雜劑的水溶性聚合物酸摻雜劑。在該方法的一個實施例中,步驟(I)包括:通過包括在液體介質中使以下項接觸的方法形成聚合物組合物,基于該聚合物組合物的100wt%:(a)從約0.1wt%至約10.0wt%、更典型地從約0.1wt%至約5.0wt%、并且甚至更典型地從約0.1wt%至約3.0wt%的導電聚合物,(b)從約0至約10.0wt%、更典型地從約0.1wt%至約5.0wt%、并且甚至更典型地從約0.1wt%至約3.0wt%的聚合物酸摻雜劑,(c)從約0.1wt%至約70.0wt%、更典型地從約0.1wt%至約10.0wt%、并且甚至更典型地從約0.2wt%至約5.0wt%的離子液體,(d)從約1.0wt%至約99.0wt%、更典型地從約50.0wt%至約99.0wt%、并且甚至更典型地從約80.0wt%至約99.0wt%的液體介質。在實施例中,該離子液體的按重量計的總量與該導電聚合物的按重量計的總量的比率典型地是從約1:1至約45:1、更典型地從1.5:1至20:1、甚至更典型地從約2:1至約10:1。在該方法的一個實施例中,步驟(I)包括:通過包括在液體介質中使以下項接觸的方法形成聚合物組合物,基于該聚合物組合物的100wt%:(a)從約0.1wt%至約10.0wt%、更典型地從約0.1wt%至約5.0wt%、并且甚至更典型地從約0.1wt%至約3.0wt%的導電聚合物,(b)從約0至約10.0wt%、更典型地從約0.1wt%至約5.0wt%、并且甚至更典型地從約0.1wt%至約3.0wt%的聚合物酸摻雜劑,(c)從約0.1wt%至約70.0wt%、更典型地從約0.1wt%至約10.0wt%、并且甚至更典型地從約0.2wt%至約5.0wt%的離子液體,(d)從約1.0wt%至約99.0wt%、更典型地從約50.0wt%至約99.0wt%、并且甚至更典型地從約80.0wt%至約99.0wt%的液體介質,并且該離子液體的按重量計的總量與該導電聚合物的按重量計的總量的比率典型地是從約1:1至約45:1、更典型地從1.5:1至20:1、甚至更典型地從約2:1至約10:1。在該方法的一個實施例中,步驟(I)包括:通過包括在液體介質中使以下項接觸的方法形成聚合物組合物,基于該聚合物組合物的100wt%:(a)從約0.1wt%至約10.0wt%、更典型地從約0.1wt%至約5.0wt%、并且甚至更典型地從約0.1wt%至約3.0wt%的包含根據(jù)結構(I.a)的單體單元的導電聚合物,更典型地至少一種包含根據(jù)結構(I.a)且其中Q是S的單體單元的聚噻吩聚合物,并且甚至更典型地至少一種包含聚(3,4-亞乙基二氧噻吩)的導電聚合物,(b)從約0至約10.0wt%、更典型地從約0.1wt%至約5.0wt%、并且甚至更典型地從約0.1wt%至約3.0wt%的水溶性聚合物酸摻雜劑,更典型地至少一種包含聚(苯乙烯磺酸)摻雜劑的水溶性聚合物酸摻雜劑,(c)從約0.1wt%至約70.0wt%、更典型地從約0.1wt%至約10.0wt%、并且甚至更典型地從約0.2wt%至約5.0wt%的包括1-乙基-3-甲基-咪唑鎓四氰基硼酸鹽的離子液體,(d)從約1.0wt%至約99.0wt%、更典型地從約50.0wt%至約99.0wt%、并且甚至更典型地從約80.0wt%至約99.0wt%的液體介質,并且該離子液體的按重量計的總量與該導電聚合物的按重量計的總量的比率典型地是從約1:1至約45:1、更典型地從1.5:1至20:1、甚至更典型地從約2:1至約10:1。在一個實施例中,該導電聚合物可溶于液體介質中并且該離子液體可溶于該液體介質中。在一個實施例中,提供了導電聚合物在液體介質中的分散體,并且該離子液體可溶于該導電聚合物的分散體中并且將該離子液體添加至該液體介質中。一旦該導電聚合物和離子液體在該液體介質中接觸,所得聚合物組合物可以任選地被機械攪拌。在攪拌下或者沒有攪拌,凝膠化發(fā)生,只要使用對于膠化該導電聚合物有效的離子液體量。如在此使用的,術語“對于膠化該導電聚合物有效的離子液體量”意指與該導電聚合物組合以引起該導電聚合物的凝膠化所要求的離子液體的最小量。膠化該導電聚合物所要求的離子液體的有效量將取決于該聚合物和該離子液體的特性,并且可以如對于具體應用所希望的由本領域的普通技術人員確定,例如通過將不同量的離子液體與導電聚合物組合并且觀察所得聚合物組合物。本發(fā)明的聚合物絡合物的形成可被表征為兩步反應。在第一步驟中,在將該離子液體與該導電聚合物組合之后的一些時間,所得組合物變成粘性的。在第二步驟中,該聚合物組合物可見地在該液體介質中收縮,產(chǎn)生被液相包圍的凝膠。本發(fā)明的聚合物絡合物和/或電子設備的聚合物絡合物組分具有三維結構并且總體上不存在對于這些聚合物絡合物的每個維度的限制。適當?shù)木S度將取決于這些聚合物絡合物的具體用途或應用。在實施例中,該聚合物絡合物具有至少10μm、典型地至少50μm、更典型地至少100μm、甚至更典型地至少500μm的至少一個維度。在實施例中,該聚合物絡合物具有至少10μm、典型地至少50μm、更典型地至少100μm、甚至更典型地至少500μm的至少兩個維度。在實施例中,該聚合物絡合物具有至少10μm、典型地至少50μm、更典型地至少100μm、甚至更典型地至少500μm的三個維度。本發(fā)明的聚合物絡合物可以被模制成任何所希望的形狀。當該離子液體和導電聚合物混合時,但在凝膠化發(fā)生之前,可以將所得混合物轉移到任意形狀的模具中,在該模具中允許凝膠化進行而沒有干擾以形成呈現(xiàn)該模具的形狀的凝膠。在一個實施例中,該聚合物絡合物被模制成圓柱形狀。在一個實施例中,該聚合物絡合物被模制成平行六面體形狀。還可以將該混合物沉積在基底上以形成三維扁平結構。在其上形成該聚合物絡合物的基底可以是剛性的或柔性的,并且可以包括,例如金屬;聚合物,如塑料片材;玻璃,紙,或陶瓷材料??梢愿淖兡z化時間,即,在將該離子液體與該導電聚合物結合與形成該粘性絡合物之間的時間。該凝膠化時間典型地是從約1分鐘至約150分鐘。更典型地,該凝膠化時間是從約2分鐘至約120分鐘。甚至更典型地,該凝膠化時間是從約5分鐘至約60分鐘。通過使該離子液體與該導電聚合物接觸形成的聚合物凝膠可任選地被漂洗。在實施例中,用漂洗液體漂洗該聚合物凝膠。該漂洗液體可以是其中該凝膠是不可溶的任何溶劑。在實施例中,該漂洗液體是包含水的水性介質。在一個實施例中,該漂洗液體是主要由水組成的水性介質。在一個實施例中,該漂洗液體是由水組成的水性介質。在一個實施例中,該漂洗液體是水性介質,該水性介質包含水以及任選地一種或多種水可混溶的有機液體。適合的水可混溶的有機液體包括極性非質子有機溶劑,例如像,二甲亞砜和二甲基2-甲基戊二酸酯(作為IRIS銷售的),極性質子有機溶劑,例如像甲醇、乙醇、丙醇、乙二醇、和丙二醇,以及其混合物。在一個實施例中,基于該液體介質的100wt%,該液體介質包含從約10wt%至100wt%、更典型地從約50wt%至100wt%、并且甚至更典型地從約90wt%至100wt%的水,以及從0至約90wt%、更典型地從0pbw至約50wt%、并且甚至更典型地從0至約10wt%的一種或多種水可混溶的有機液體。通過使該離子液體與該導電聚合物接觸形成的聚合物凝膠的漂洗可以通過本領域的普通技術人員已知的任何方法來實現(xiàn)。例如,可以將該凝膠浸入過量的漂洗液體中。典型地,所使用的漂洗液體的量是有待被漂洗的所形成的凝膠的重量的至少約500倍。更典型地,所使用的漂洗液體的量是有待被漂洗的所形成的凝膠的重量的從約500倍至2000倍。甚至更典型地,所使用的漂洗液體的量是有待被漂洗的所形成的凝膠的重量的從約800倍至1200倍??梢愿淖兤磿r間,即,所形成的凝膠與該漂洗液體接觸的時間量。發(fā)現(xiàn)的是,所形成的凝膠與該漂洗液體接觸的時間量影響最終聚合物泡沫材料的電導率。典型地,該漂洗時間是從約1分鐘至約24小時。更典型地,該漂洗時間是從約2分鐘至約120分鐘。甚至更典型地,該漂洗時間是從約5分鐘至約60分鐘。通過使該離子液體與該導電聚合物接觸形成的聚合物凝膠的漂洗還可以在攪動下或者沒有攪動地進行。攪動可以使用本領域的普通技術人員已知的任何方法(例如像,使用磁力攪拌器攪拌、使用渦旋在高速下攪拌等)來完成??梢詮脑摼酆衔锬z中去除在該聚合物凝膠上或中剩余的任何液體,例如像,液體介質、漂洗液體、或其混合物??梢允褂脤τ趶脑摼酆衔锬z中去除任何液體有效的本領域的普通技術人員已知的任何方法,例如像,冷凍干燥(凍干)、在紅外線燈下加熱等。本發(fā)明的聚合物絡合物和/或電子設備的聚合物絡合物組分的電導率可以使用本領域的普通技術人員已知的方法測量。例如,該聚合物絡合物的電導率可以是以縱向方式測量的。對于縱向測量,適合的裝置是由剛性支持件構成的裝置,在該剛性支持件上附接了充當電極的兩條導線。這些導線可以由任何導電材料(例如像,銅、銀、鋁,錫等)制成。該剛性支持件可以是不導電的任何材料,例如像,玻璃、塑料、硬橡膠等。將該有待分析的聚合物絡合物壓靠在這些電極上,這些電極總體上與該聚合物絡合物的末端接觸。為了良好接觸,經(jīng)由夾具將該絡合物壓靠在這些電極上,該夾具是絕緣的以便不使測量失真。然后將這些電極連接到測量設備(例如像,萬用表或阻抗分析器)上。該聚合物絡合物的電導率還可以沿著其厚度進行測量,其中使用具有較大表面積的電極。該有待分析的聚合物絡合物被“夾”在這些電極之間。對于沿著該聚合物絡合物的厚度的測量,適合的裝置是由兩個扁平電極組成的裝置。導電膏(例如像,銀膏或導電環(huán)氧膠)可以用于使該聚合物絡合物的粗糙表面與這些電極的表面貼合,由此改進接觸。適合的電極包括,但不限于,銅帶、銀帶、鋁帶、以及可商購的平臺電極。然后該有待分析的聚合物絡合物被“夾”在這些電極之間。當使用導電膏時,必不可少的是驗證該導電膏不繞開樣品泡沫并且不使樣品泡沫短路。照例將這些電極連接到適合的測量設備(例如像,萬用表或阻抗分析器)上。這些聚合物絡合物的電導率可以根據(jù)以下等式來確定:ρ=L/RS其中ρ表示以S/cm計的電導率,L表示這些電極之間的距離,R表示所測量的電阻,并且S表示在這些電極之間的聚合物絡合物的截面積。本發(fā)明的聚合物絡合物和/或電子設備的聚合物絡合物組分具有從約10S/cm至約120S/cm的電導率。典型地,本發(fā)明的聚合物絡合物和/或電子設備的聚合物絡合物組分具有從約50S/cm至約110S/cm的電導率。更典型地,本發(fā)明的聚合物絡合物和/或電子設備的聚合物絡合物組分具有從約70S/cm至約100S/cm的電導率。本發(fā)明的聚合物絡合物和/或電子設備的聚合物絡合物組分的阻抗可以使用在此描述的或本領域的普通技術人員已知的裝置和方法進行分析。該絡合物的阻抗是由該絡合物對交流電的流動所呈現(xiàn)的總抵抗,并且被認為是電阻和電抗的總和作用,其中電抗隨頻率可以改變或者可以不改變。在實施例中,該聚合物絡合物在從約1Hz至約105Hz的頻率范圍內是純電阻性的。本領域的普通技術人員已知的各種分析技術可以用于驗證本發(fā)明的聚合物絡合物的結構。振動光譜學,例如像,拉曼光譜學,可以用于驗證這些絡合物的分子結構。顯微鏡技術,例如像,電子顯微鏡和光學顯微鏡也可以被利用來驗證本發(fā)明的絡合物的分子結構。材料是否具有結晶或無定形的結構可以通過光學顯微鏡來確定。在實施例中,本發(fā)明的聚合物絡合物具有無定形結構。本發(fā)明的聚合物絡合物和/或電子設備的聚合物絡合物組分表現(xiàn)出壓阻效應。壓阻效應指的是隨機械應變的施加(例如像,壓力的施加)的電阻率的變化。壓阻效應通過應變系數(shù)(通常表示為K)進行描述。通過以下等式給出應變系數(shù)(K):K=(ΔR/R)(e/Δe)其中R是電阻,ΔR是電阻的變化,e是泡沫的厚度,并且Δe是厚度的變化。總體上,“e/Δe”的確定是困難的。幸運地,根據(jù)以下關系“e/Δe”與楊氏模量有關:e/Δe=E/P其中E是楊氏模量并且P是所施加的壓強。本領域的普通技術人員已知的任何方法可以用于確定“ΔR/R”和“P”。例如,適合的裝置是由計重秤或天平和剛性支持件組成的裝置,在該剛性支持件上放置該泡沫。將充當電極的兩條導線通過由絕緣夾具提供的壓力(在此被稱為接觸壓力)壓靠在該聚合物絡合物的末端上。通過連接到萬用表或阻抗分析器上完成電路??梢允褂迷谠搫傂灾С旨旅娣胖玫母郊拥闹С旨?。這些導線可以由任何導電材料(例如像,銅、銀、鋁,錫等)制成。該剛性支持件和附加的支持件可以是不導電的任何材料,例如像,玻璃、塑料、硬橡膠等。在該樣品聚合物絡合物上施加的質量允許確定壓強P(在此被稱為施加的壓強或壓電有關的壓強),根據(jù)等式該壓強與所施加的質量有關:P=mg/(施加的表面積)其中m是質量并且g是由于重力的加速度。R和ΔR的值從電測量設備中讀出并且P是從由天平或計重秤讀出的質量計算的。通過以下等式給出楊氏模量(E):E=σ/ε,ε=Δl/l其中σ表示以帕斯卡(Pa)計的應力,并且ε表示泡沫的變形或應變(長度的變化與長度的比率)。使用本領域的普通技術人員已知的任何裝置可以各自確定應力和變形。通過繪制隨變形變化的應力,所得圖的斜率、或其線性近似給出楊氏模量的近似值。本領域的普通技術人員已知的任何適合的裝置可以用于測量楊氏模量。用已知泡沫的楊氏模量,通過繪制隨“P/E”變化的“ΔR/R”確定應變系數(shù)K,其中該圖的斜率給出了該應變系數(shù)。本發(fā)明的聚合物絡合物的楊氏模量是從約0.01GPa至約0.2GPa。典型地,該楊氏模量是從約0.05GPa至約0.1GPa。本發(fā)明的聚合物絡合物和/或聚合物絡合物組分的應變系數(shù)是從約5至約20。典型地,該應變系數(shù)是從約10至約18。更典型地,該應變系數(shù)是從約12至約17。本發(fā)明的電子設備可以是包含一個或多個半導體材料層并且利用電子或離子穿過此一個或多個層的受控運動的任何設備,例如像:將機械擾動轉化成導電性的變化的設備,例如像壓阻設備;將電能轉化成輻射的設備,例如像發(fā)光二極管、發(fā)光二極管顯示器、二極管激光器、液晶顯示器、或照明面板;通過電子過程檢測信號的設備,例如像光檢測器、光導電池、光敏電阻器、光控開關、光晶體管、光電管、紅外(“IR”)檢測器、生物傳感器、或觸摸屏顯示設備;將輻射轉化成電能的設備,例如像光伏設備或太陽能電池;將溫度梯度(例如,熱流)轉化成電能或將電能轉化成溫度梯度的設備,如熱電設備,包括但不限于,熱電冷卻器、熱電加熱器、或熱電發(fā)電機;存儲和/或提供電的設備,例如像,電池組;以及包括一種或多種具有一個或多個半導體層的電子元件的設備,例如像,晶體管或二極管。在實施例中,該電子設備是壓阻設備。壓阻設備基于以下原理操作:當一種或多種材料被機械應變(例如,通過拉伸或通過壓縮)時,該一種或多種包含在其中的材料表現(xiàn)出電阻的變化。壓阻設備包括,但不限于,壓力傳感器、觸覺傳感器、生物傳感器等。本發(fā)明提供了一種壓阻設備,該壓阻設備包括:(I)根據(jù)本發(fā)明的聚合物絡合物;以及(II)第一和第二電極。在一個實施例中,該壓阻設備包括:(I)通過一種方法制成的聚合物凝膠,該方法包括:(a)通過包括在液體介質中使以下項接觸的方法形成聚合物組合物:(i)導電聚合物,以及(ii)離子液體,其中該離子液體的量對于膠化該導電聚合物是有效的,并且(b)允許該凝膠形成;以及(II)第一和第二電極。在一個實施例中,該壓阻設備包括:(I)通過一種方法制成的聚合物凝膠,該方法包括:(a)通過包括在液體介質中使以下項接觸的方法形成聚合物組合物:(i)導電聚合物,以及(ii)離子液體,其中該離子液體的量對于膠化該導電聚合物是有效的,(b)允許該凝膠形成,并且(c)用漂洗液體漂洗在步驟(b)中形成的該凝膠;以及(II)第一和第二電極。在實施例中,該壓阻設備包括:(I)根據(jù)一種方法制成的聚合物泡沫,該方法包括:(a)通過包括在液體介質中使以下項接觸的方法形成聚合物組合物:(i)導電聚合物,以及(ii)離子液體,其中該離子液體的量對于膠化該導電聚合物是有效的,(b)允許該凝膠形成,(c)用漂洗液體漂洗在步驟(b)中形成的該凝膠,并且(d)從該凝膠中去除該漂洗液體,由此形成該聚合物泡沫;以及(II)第一和第二電極。該第一和第二電極可以被定位為使得它們物理上彼此隔離但維持與該泡沫電接觸。該第一和第二電極可以選自相同或不同的材料,只要它們是足夠導電的。本發(fā)明的壓阻設備可以進一步包括歐姆表以測量在第一電極與第二電極之間的電阻。例如,該壓阻設備中的泡沫的電阻將改變,由此引起來自所聯(lián)接的歐姆表的響應。這種電阻測量可以被校準至所施加的壓力并且用于產(chǎn)生標準化的數(shù)據(jù)集。然后這些數(shù)據(jù)集能夠用于提供在設備上施加的壓力的直接讀出。在實施例中,本發(fā)明的壓阻設備是壓阻設備120,如在圖12中示出的,該壓阻設備具有壓阻層122、第一電極121、和第二電極123,其中該設備的壓阻層122是根據(jù)本發(fā)明的聚合物絡合物。設備120可進一步包括與第一電極121相鄰的支持件或基底(在圖12B中作為支持層124示出的)和/或與第二電極123相鄰的支持件或基底(在圖12B中作為支持層125示出的)。該支持件或基底可以是柔性的或剛性的,有機的或無機的。典型地,該支持件或基底是不導電的。適合的支持件材料包括,例如,玻璃、陶瓷、以及塑料。在實施例中,本發(fā)明的壓阻設備是壓阻設備130,如在圖13中示出的,該壓阻設備具有壓阻層132、第一電極131、第二電極133、以及支持層134,其中該設備的壓阻層132是根據(jù)本發(fā)明的聚合物絡合物。設備130可進一步包括與壓阻層132相鄰的支持件。該支持件或基底可以是柔性的或剛性的,有機的或無機的。典型地,該支持件或基底是不導電的。適合的支持件材料包括,例如,玻璃、陶瓷、以及塑料。第一和第二電極131和132被壓縮在壓阻層132與支持層134之間,使得這些電極與壓阻層132接觸但不與彼此接觸。本發(fā)明的壓阻設備在例如像生物傳感、智能紡織品、觸覺傳感和壓力傳感的領域中的寬范圍應用中是有用的。在一個實施例中,本發(fā)明的電子設備是電子設備140,如在圖14中示出的,該電子設備具有陽極層141、電活性層144、以及陰極層146,并且任選地進一步具有緩沖層142、空穴傳輸層143、和/或電子注入/傳輸層或約束層145,其中該設備的這些層中的至少一個是根據(jù)本發(fā)明的聚合物絡合物。設備140可進一步包括支持件或基底(沒有示出),該支持件或基底可以與陽極層141或陰極層146相鄰,更典型地與陽極層141相鄰。該支持件可以是柔性的或剛性的,有機的或無機的。適合的支持件材料包括,例如,玻璃、陶瓷、金屬、以及塑料膜。在一些實施例中,任選的空穴傳輸層143或者存在于陽極層141與電活性層144之間,或者在包括緩沖層142的那些實施例中,存在于緩沖層142與電活性層144之間??昭▊鬏攲?43可以包括一種或多種空穴傳輸分子和/或聚合物。通常使用的空穴傳輸分子包括,但不限于:4,4',4”-三(N,N-二苯基-氨基)-三苯胺、4,4',4”-三(N-3-甲基苯基-N-苯基-氨基)-三苯胺、N,N'-二苯基-N,N'-雙(3-甲基苯基)-(1,1'-聯(lián)苯基)-4,4'-二胺、1,1-雙((二-4-甲苯基氨基)苯基)環(huán)己烷、N,N'-雙(4-甲基苯基)-N,N'-雙(4-乙基苯基)-(1,1'-(3,3'-二甲基)聯(lián)苯基)-4,4'-二胺、四-(3-甲基苯基)-N,N,N',N'-2,5-亞苯基二胺、α-苯基-4-N,N-二苯基氨基苯乙烯、對-(二乙基氨基)苯甲醛二苯腙、三苯胺、雙(4-(N,N-二乙基氨基)-2-甲基苯基)(4-甲基苯基)甲烷、1-苯基-3-(對-(二乙基氨基苯乙烯基)-5-(對-(二乙基氨基)苯基)吡唑啉、1,2-反式-雙(9H-咔唑-9-基)環(huán)丁烷、N,N,N',N'-四(4-甲基苯基)-(1,1'-聯(lián)苯基)-4,4'-二胺、N,N'-雙(萘-1-基)-N,N'-雙-(苯基)聯(lián)苯胺、以及卟啉化合物(如酞菁銅)。通常使用的空穴傳輸聚合物包括,但不限于,聚乙烯基咔唑、(苯基甲基)聚硅烷、聚(二氧噻吩)、聚苯胺、以及聚吡咯。還可能通過將空穴輸運分子(如以上提及的那些)摻雜至聚合物(如聚苯乙烯和聚碳酸酯)中獲得空穴傳輸聚合物。電活性層144的組成取決于設備140的預期功能,例如,電活性層144可以是由施加的電壓活化的發(fā)光層(如在發(fā)光二極管或發(fā)光電化學電池中),或者響應于輻射能并在有或沒有施加的偏電壓下產(chǎn)生信號的材料的層(如在光檢測器中)。在一個實施例中,電活性層144包括有機電致發(fā)光(“EL”)材料,例如像,電致發(fā)光小分子有機化合物、電致發(fā)光金屬絡合物、和電致發(fā)光共軛聚合物、以及其混合物。適合的EL小分子有機化合物包括,例如,芘、苝、紅熒烯、和香豆素、以及其衍生物和其混合物。適合的EL金屬絡合物包括,例如,金屬螯合的喔星類(oxinoid)化合物,如三(8-羥基喹啉)鋁,環(huán)金屬化的銥和鉑電致發(fā)光化合物,如銥與苯基吡啶、苯基喹啉、或苯基嘧啶配體的絡合物(如在Petrov等人,美國專利號6,670,645中披露的),以及有機金屬絡合物,如在例如公開的PCT申請WO03/008424中描述的那些,以及此類EL金屬絡合物的任何混合物。EL共軛聚合物的實例包括,但不限于聚(亞苯基亞乙烯基)、聚芴、聚(螺二芴)、聚噻吩、和聚(對-亞苯基)、以及其共聚物和其混合物。任選的層145可以起電子注入/傳輸層和/或約束層的作用。更確切地,層145可以提高電子遷移率并且減少淬滅反應的可能性,如果層104和106原本處于直接接觸。適合于任選的層105的材料的實例包括,例如,金屬螯合的喔星類化合物,如雙(2-甲基-8-喹啉)(對-苯基-酚基)鋁(III)和三(8-羥基喹啉)鋁、四(8-羥基喹啉)鋯,唑化合物,如2-(4-聯(lián)苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑、3-(4-聯(lián)苯基)-4-苯基-5-(4-叔丁基苯基)-1,2,4-三唑、和1,3,5-三(苯基-2-苯并咪唑)苯,喹喔啉衍生物,如2,3-雙(4-氟苯基)喹喔啉,菲咯啉衍生物,如9,10-二苯基菲咯啉和2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉,和以及其混合物??商娲兀芜x的層145可包括無機材料,例如像,BaO、LiF、Li2O。陰極層146可以是具有比陽極層141更低的功函數(shù)的任何金屬或非金屬。在一個實施例中,陽極層141具有大于或等于約4.4eV的功函數(shù)并且陰極層146具有小于約4.4eV的功函數(shù)。適合于用作陰極層146的材料在本領域中是已知的,并且包括,例如,第1族的堿金屬,如Li、Na、K、Rb、和Cs,第2族金屬,如Mg、Ca、Ba,第12族金屬,鑭系元素如Ce、Sm、和Eu,和錒系元素,以及鋁、銦、釔,以及任何此類材料的組合。適合于陰極層146的材料的特定非限制性實例包括,但不限于,鋇、鋰、鈰、銫、銪、銣、釔、鎂、釤、以及其合金和組合。陰極層146典型地是通過化學或物理氣相沉積方法形成的。在一些實施例中,該陰極層將是圖案化的,如關于陽極層141以上討論的。在一個實施例中,將封裝層(未示出)沉積在陰極層146上以防止不希望的組分(如水和氧)進入至設備140內。此類組分可具有對電活性層144有害的作用。在一個實施例中,該封裝層是阻擋層或膜。在一個實施例中,該封裝層是玻璃蓋。雖然未在圖14中示出,但是應理解的是設備140可包括附加層??梢允褂帽绢I域中已知的或未知的其他層。此外,以上描述的層中的任一個可以包括兩個或更多個子層,或者可以形成層狀結構。可替代地,陽極層141、緩沖層142、空穴傳輸層143、電子傳輸層145、陰極層146、以及任何附加層中的一些或所有可以被處理,尤其被表面處理,以增加這些設備的電荷載流子傳輸效率或其他物理特性。對于這些組分層中的每一個的材料的選擇優(yōu)選地是通過平衡以下目標確定的,這些目標是:提供具有高設備效率的設備,與設備操作壽命考慮、制造時間和復雜性因素以及本領域技術人員理會的其他考慮。將理會的是,確定最佳組分、組分構成和組成特性對于本領域的普通技術人員將是常規(guī)的。該電子設備的各種層可以通過任何常規(guī)的沉積技術形成,這些沉積技術包括氣相沉積、液相沉積(連續(xù)和不連續(xù)的技術)、以及熱傳遞。連續(xù)沉積技術包括但不限于,旋涂、凹版涂覆、幕式涂覆、浸涂、狹縫式模具涂覆、噴涂、以及連續(xù)噴嘴涂覆。不連續(xù)的沉積技術包括,但不限于,噴墨印刷、凹版印刷和絲網(wǎng)印刷。在該設備中的其他層可由任何材料制成,這些材料已知在考慮由此類層起到的作用時在此類層中是有用的。在設備140的一個實施例中,不同的層具有以下厚度范圍:陽極層101,典型地500-5000埃更典型地,任選的緩沖層102:典型地更典型地,任選的空穴傳輸層103:典型地更典型地,光活性層104:典型地,更典型地,任選的電子傳輸層:典型地105、更典型地,以及陰極層106:典型地更典型地,如本領域中已知的,在該設備中的電子-空穴重組區(qū)域的位置以及因此該設備的發(fā)射光譜可能受每個層的相對厚度的影響。適當?shù)膶雍穸缺嚷蕦⑷Q于該設備的確切性質和所使用的材料。在一個實施例中,本發(fā)明的電子設備包括:(a)陽極或組合的陽極和緩沖層141,(b)陰極層146,(c)電活性層144,被布置在陽極層141與陰極層146之間,(d)任選地,緩沖層142,典型地被布置在陽極層141與電活性層144之間,(e)任選地,空穴傳輸層145,典型地被布置在陽極層141與電活性層144之間,或者如果緩沖層142存在,被布置在緩沖層142與電活性層144之間,以及(f)任選地,電子注入層145,典型地被布置在電活性層144與陰極層146之間,其中該設備的層中的至少一個包括根據(jù)本發(fā)明的聚合物絡合物。在一個實施例中,本發(fā)明的電子設備是用于將輻射轉化成電能的設備,并且包括包含根據(jù)本發(fā)明的聚合物泡沫的陽極141、陰極層146、電活性層144(包含能夠將輻射轉化成電能的材料、被布置在陽極層141層與陰極層146之間),并且任選地進一步包括緩沖層142、空穴傳輸層143、和/或電子注入層145。在設備140的一個實施例(如用于將電能轉化成輻射的設備)的操作中,將來自適當電源(未描繪)的電壓施加在設備140上,使得電流通過設備140的層并且電子進入電活性層144,并且被轉化成輻射,如在電致發(fā)光設備的情況下,從電活性層144中釋放光子。在設備140的另一個實施例(如用于將輻射轉化成電能的設備)的操作中,設備140被暴露于對電活性層144的輻射沖擊,上并且被轉化成穿過該設備的層的電流的流。在一個實施例中,本發(fā)明的電子設備是熱電設備??傮w上,熱電設備是將溫差轉化成電的半導體設備,或者反之亦然。根據(jù)本發(fā)明的熱電設備包括:第一電極,至少一種電解質,以及第二電極;其中該第一電極、該至少一種電解質和該第二電極中的至少一種包括在此描述的聚合物絡合物。該第一和第二電極與該至少一種電解質接觸,使得在該至少一種電解質上施加的溫度梯度或在這些電極上施加的電壓有助于經(jīng)由該至少一種電解質將離子傳輸至這些電極和/或從這些電極傳輸離子,由此促進在這些電極處的還原-氧化(氧化還原)反應。在實施例中,該熱電設備的第一和/或第二電極包括在此描述的聚合物絡合物。該第一和/或第二電極可以包括在熱電設備的電極中有用的本領域技術人員已知的材料。此類材料可以單獨地或者組合地(如以混合物或復合物)使用。適合的電極材料包括,但不限于,具有高比表面積的碳材料,例如活性炭、碳氣凝膠、碳納米管、模板化的多孔碳、碳納米纖維和石墨烯網(wǎng)絡;以及金屬氧化物,例如像,RuO2、IrO2、MnO2、NiO、Co2O3、SnO2、V2O5、以及MoO。該至少一種電解質可以是在該熱電設備中能夠將離子從一個電極傳導至另一個對置電極的任何材料。在一個實施例中,該至少一種電解質包括在此描述的聚合物絡合物。熱電允許熱流(溫度梯度)與電荷流(電流)之間的可逆相互作用。熱電效應可以是以不同方式獲得的。其中熱流傳輸電荷載流子,由此產(chǎn)生電壓的熱電效應被稱為塞貝克效應。利用塞貝克效應的設備被用作電源,其總體上被稱為熱電發(fā)電機。相反地,存在逆效應,其中電流用于產(chǎn)生熱流(珀爾帖效應),由此,產(chǎn)生溫度梯度。熱電冷卻器利用珀爾帖效應用于用電能泵送熱。第三種熱電效應是所謂的湯姆遜效應,其中溫度梯度連同電流分別引起熱產(chǎn)生和熱吸收。在實施例中,在此描述的熱電設備是熱電發(fā)電機。在一個實施例中,在此描述的熱電設備是熱電冷卻器。在一個實施例中,本發(fā)明的電子設備是電池組,即電池組電池??傮w上,電池組電池包括第一電極、至少一種電解質、以及第二電極,其中該第一和第二電極任選地含有基底金屬或材料,基底金屬的離子可以嵌入至該材料中和從該材料中解吸。該第一電極、該至少一種電解質、和/或該第二電極可各自包括本發(fā)明的聚合物絡合物。在一個實施例中,該第一電極是陰極或陰極材料。在一個實施例中,該陰極或陰極材料包括金屬氧化物,例如,鋰鎳氧化物或鋰金屬氧化物。在一個實施例中,所利用的陰極材料可以包括,但不限于,過渡金屬、金屬氧化物等。在另一個實施例中,該陰極材料包括至少鋁、鈦、鎳、和/或這些金屬的合金。在一個實施例中,該陰極或陰極材料包括本發(fā)明的聚合物絡合物。在一個實施例中,該第二電極是陽極或陽極材料。在一個實施例中,該陽極或陽極材料包括,但不限于,石墨、銅等。在一個實施例中,該陽極或陽極材料包括本發(fā)明的聚合物絡合物。該至少一種電解質可以是在電池組電池中能夠將離子從一個電極傳導至另一個對置電極的任何材料。在一個實施例中,該至少一種電解質包括本發(fā)明的聚合物絡合物。在一個實施例中,電子設備140是電池組電池,該電池組電池包括陽極141、陰極層146以及被布置在該陽極層與陰極層之間的電解質層144,其中該陽極層、該陰極層、以及電解質層中的至少一種包括根據(jù)本發(fā)明的聚合物絡合物。包括陽極141、陰極層146以及被布置在該陽極層與陰極層之間的電解質層144,其中該陽極層、該陰極層、以及電解質層中的至少一種包括根據(jù)本發(fā)明的聚合物絡合物的電池組電池可進一步包括任選的層,這些任選的層的使用可以由本領域的普通技術人員確定。包括陽極141、陰極層146以及被布置在該陽極層與陰極層之間的電解質層144,其中該陽極層、該陰極層、以及電解質層中的至少一種包括根據(jù)本發(fā)明的聚合物絡合物的電池組電池可以使用本領域普通技術人員已知的方法被制成具有任何任意形狀,該任意形狀是剛性的、柔性的、可彎曲的、和/或可旋扭的。例如,陽極141、陰極146、和電解質層144可以被形成為電纜類型形狀,其中陽極141、陰極146、電解質層144以及任何任選的層被形成為以電纜類型形狀的同心圓柱形層,該形狀是柔性的、可彎曲的、和/或可旋扭的。該電池組電池的形狀可適配為用于任何應用,并且該電池組電池可以被制成是可佩帶的和/或防水的。包括陽極141、陰極層146以及被布置在該陽極層與陰極層之間的電解質層144,其中該陽極層、該陰極層、以及電解質層中的至少一種包括根據(jù)本發(fā)明的聚合物絡合物的電池組電池可以是包括一種或多種電池組電池的電池組包的一部分。該電池組包可以使用本領域普通技術人員已知的方法被制成具有任何任意形狀,該任意形狀是剛性的、柔性的、可彎曲的、和/或可旋扭的。通過以下非限制性實例進一步說明本發(fā)明。用于制備本發(fā)明的聚合物絡合物的通用程序將5g的PEDOT:PSS(1.3%的PEDOT:PSS水性分散體;CleviosPH1000,由賀利氏公司(Heraeus)銷售)添加至反應容器內,接著添加不同量的離子液體[0.05至0.15g的1-乙基-3-甲基咪唑鎓四氰基硼酸鹽(EMIMTCB,由默克公司(Merck)銷售)]。然后使用渦旋如Vortex-Genie2在7000轉/分鐘下攪拌該分散體。在添加該離子液體之后15秒停止攪拌,并且將所得組合物無擾動靜置以形成凝膠。該組合物在5至60分鐘之間膠化。然后干燥所形成的凝膠。任選地,在凝膠化之后但是在干燥之前,移除并且洗滌該凝膠。在洗滌過程中,任選地通過低速磁力攪拌器攪拌以允許良好的洗滌。將該凝膠洗滌持續(xù)5分鐘至24小時。在這個任選的步驟之后,干燥該凝膠。圖15a總體上示出了包含PEDOT:PSS和離子液體的組合物。圖15b示出在1小時后形成的聚合物凝膠。圖15c示出了通過冷凍干燥去除剩余的液體制備的本發(fā)明的泡沫。實例1a根據(jù)所描述的通用程序制成泡沫材料。將5g的PEDOT:PSS分散體添加至小瓶內,接著添加0.05至0.15g的EMIMTCB。然后使用渦旋在7000轉/分鐘下攪拌該分散體。在添加該離子液體之后15s停止攪拌,并且將所得組合物在工作臺上靜置以形成凝膠。凝膠在5至60分鐘之間形成。在凝膠化后,將所得凝膠移除并且放入1L水中以洗滌。將該凝膠洗滌從5分鐘至24小時。使用冷凍干燥機干燥該凝膠以允許形成該泡沫。實例1b根據(jù)所描述的通用程序制成泡沫聚合物材料并且使用0.15g的EMIMTCB。將該混合物沉積在模具中或基底上。允許該混合物靜置持續(xù)60至120分鐘,在此期間發(fā)生凝膠化和隨后的凝膠形成。然后通過將含有該凝膠的模具浸入在約1L水中洗滌該聚合物凝膠,將其任選地通過低速磁力攪拌器攪拌以洗滌該凝膠。將該凝膠洗滌持續(xù)60至120分鐘。在該洗滌步驟之后,在100℃下在紅外線燈下干燥該凝膠持續(xù)60分鐘以形成該泡沫。實例2.表征厚度和質地本發(fā)明的泡沫的厚度和質地取決于所使用的漂洗技術。觀察到相對于未漂洗的泡沫,漂洗的泡沫的厚度的顯著減小(對于相同的初始體積和相同的模具)。當漂洗步驟的有效性增加時(在攪動下的漂洗被認為比沒有攪動的漂洗更有效),存在厚度減小的總體趨勢,如在以下表1中示出的。例如,不管凝膠化時間,隨著漂洗的有效性增加,該泡沫的厚度減小。表1.光學顯微鏡使用反射光用光學顯微鏡觀察本發(fā)明的泡沫,因為這些泡沫總體上是深色的并且不透明的。這些泡沫的光學顯微照片示出于圖1A和1B中。然而,反射光學顯微鏡連同偏振光的使用允許確定在研究中的材料是否是結晶的或無定形的。在偏振光下的觀察示出所研究的本發(fā)明的泡沫具有無定形結構。這與沒有將約束(例如,流)施加至該凝膠化樣品中的流體上的事實一致。拉曼光譜學通過拉曼光譜學、基于非彈性拉曼散射的非破壞性分析的方法表征本發(fā)明的泡沫。拉曼光譜學提供了證明材料中的化學鍵的性質和強度的信息。不含有離子液體的PEDOT:PSS膜的研究已經(jīng)預先地使用拉曼光譜學進行并且被描述于AntjeSchaarschmidt,AbdiazizAFarah,ArunAby等人,非絕熱退火對PEDOT-PSS膜的形態(tài)和分子結構的影響(InfluenceofNonadiabaticAnnealingontheMorphologyandMolecularStructureofPEDOT-PSSFilms),物理化學雜志B(JournalofPhysicalChemistryB)113:9352–9355,2009中。該出版物描述了PEDOT:PSS的拉曼光譜。PEDOT:PSS的拉曼光譜具有許多如在圖2中示出的與在以下表2中匯總的連接相一致的特征振動頻率。表2.對于Cα=Cβ的不對稱伸縮振動,1563和1532cm-1對于Cα=Cβ的對稱伸縮振動,1421cm-1對于Cβ-Cβ的伸縮振動,1365cm-1,對于在環(huán)之間的Cα-Cα的伸縮振動,1255cm-1對于C-O-C的變形振動,1093cm-1對于氧乙烯環(huán)的彎曲振動,989和577cm-1對于C-S-C的對稱變形,701cm-1對于PSS的SO2基團,437cm-1這些特征振動頻率主要保留在本發(fā)明的泡沫的拉曼光譜中。本發(fā)明的泡沫的拉曼光譜示出于圖3和4中。確實,該光譜示出了相同的總體形狀和大致相同的特征頻率。然而,更仔細的檢查揭示了被漂洗的聚合物絡合物與沒有被漂洗的聚合物絡合物之間的差異。對于Cα=Cβ的對稱伸縮振動,在沒有漂洗該凝膠的情況下觀察到對應于1421.5cm-1的最大值,然而在漂洗該泡沫的情況下觀察到1407.5cm-1的拉曼位移(參見圖4),指示關聯(lián)鍵的減弱。在相同的凝膠化時間但是不同漂洗方法的樣品之間觀察的頻率的最大變化是約15cm-1,對于被漂洗的泡沫具有朝向較低頻率的位移。還觀察到關于對應于Cβ-Cβ的伸縮振動和在環(huán)之間的Cα-Cα的伸縮振動的峰的頻率變化(最高達5cm-1)。這些變化暗示由于漂洗在該泡沫中的鍵的減弱。不希望受理論束縛,對于這些結果的可能解釋可以是在被漂洗的本發(fā)明的泡沫中的PEDOT鏈與PSS鏈之間的π-堆積相互作用上存在變化,這導致在分子內鍵的強度的變化。再次,不希望受理論束縛,該鍵(以及因此π-堆積)的強度的改變可能由于在漂洗過程中的泡沫的PSS的消除。為了測試此假設,比較對于被漂洗的泡沫和未被漂洗的泡沫,在437cm-1處的峰的面積(基團SO2的特征,這僅僅由于PSS的存在)。這些面積的比率直接與PSS在這些泡沫中的比率有關。發(fā)現(xiàn)該比率是小的。結果表明,這些鍵的強度的改變不可能是由于PSS從該泡沫中的消除。更可能的是漂洗引起該泡沫內的分子重排。電子顯微鏡使用掃描電子顯微鏡(SEM)分析本發(fā)明的泡沫,該掃描電子顯微鏡允許在最高達10000X的放大倍率下觀察這些泡沫的結構。所獲得的SEM圖像示出于圖5中。本發(fā)明的泡沫的檢驗揭示了僅未被洗滌的泡沫具有孔。此外,當漂洗時間增加時,這些孔的平均尺寸似乎減小。相繼地觀看圖5A、5B、然后5D(分別對應于反應的60分鐘、90分鐘和120分鐘),可以看出孔尺寸的減小。另一方面,觀察到被漂洗并且然后通過凍干被干燥的泡沫表現(xiàn)出在從十幾微米至一百微米尺寸上的范圍的孔(未示出)。少量漂洗的泡沫似乎具有層狀結構(參見圖5C),但它既不是系統(tǒng)的也不與其他特性(電導率,鍵的強度等)有關。實例3.電導率本發(fā)明的泡沫的電導率沿著該泡沫的長度并且沿著該泡沫的厚度進行測量。對于全長度測量,所用的裝置被示意地描繪于圖6A中。簡單地說,該裝置是由玻璃載片構成的,在該玻璃載片上附接了充當電極的兩條導線。然后通過絕緣夾具將該有待分析的泡沫壓靠在這些電極上。該泡沫和玻璃載片的照片示出于圖6B中,沒有夾具。然后將這些電極連接到萬用表或阻抗分析器上。對于全厚度測量,使用在圖7中描繪的裝置。該裝置由兩個扁平電極(或者如在圖7A中示出的銅帶或者在圖7B中示出的電極裝置)組成,在這些電極上導電銀膏用于改進在該有待被分析的泡沫與這些電極之間的接觸。用這些扁平電極,必不可少的是驗證該銀膏不使這些電極短路。本發(fā)明的泡沫材料的電導率取決于凝膠化時間,不論該泡沫被漂洗或不被漂洗,并且如果被漂洗攪動的存在或不存在,以及漂洗時間而變化,如在以下表3中示出的。通過縱向測量測定在表3中匯總的電導率。表3.表2中匯總的數(shù)據(jù)示出了取決于所選擇的制備,可以實現(xiàn)102S·cm-1的數(shù)量級的電導率。對于具有超過十微米的厚度的有機導電材料,這個值比到目前為止獲得的那些高得多。迄今為止,對于基于PEDOT:PSS的材料在文獻中報道的最高電導率是使用超臨界CO2干燥制備的氣凝膠的電導率并且具有10-1S·cm-1的數(shù)量級(參見XuetongZhang,DongwuChang,JirenLiu等人,來自超臨界CO2干燥PEDOT-PSS水凝膠的導電聚合物氣凝膠(ConductingpolymeraerogelsfromSupercriticalCO2dryingPEDOT-PSShydrogels),材料化學雜志(J.Mater.Chem.),20:5080–5085,2010)。附加地,當十二烷基苯磺酸(DBSA)被用作平衡離子時,對于基于聚苯胺的材料在文獻中報道的最高電導率是1S·cm-1(參見TerhiVikki,JanneRuokolainen,OlliT.Ikkala等人,聚苯胺的熱可逆凝膠:在可熔網(wǎng)絡結構上的粘彈性和電跡象(Thermoreversiblegelsofpolyaniline:Viscoelasticandelectricalevidenceonfusiblenetworkstructures),大分子(Macromolecules),30(14):4064–4072,1997)。這些文獻值遠低于用本發(fā)明的泡沫材料獲得的電導率值。根據(jù)表2,清楚的是,不管凝膠化時間為何,最導電泡沫是沒有攪動地已經(jīng)被漂洗持續(xù)60分鐘的那些。不希望受理論束縛,據(jù)信這些未被漂洗的泡沫的較大厚度可能是由于夾帶的離子液體的存在,并且據(jù)信厚度的減小是由于在形成過程中在該泡沫中夾帶的一些離子液體的去除。對于可比較的厚度,與沒有攪動地被漂洗的那些相比,發(fā)現(xiàn)在攪動下被漂洗的本發(fā)明的泡沫具有更高的電阻(更低的電導率)。再次,不希望受理論束縛,據(jù)信攪動允許更有效的漂洗,這因而消除了增加量的離子液體。據(jù)信太多離子液體的去除導致PEDOT鏈的分子排列的改變(這由在此描述的拉曼光譜的變化表示并且示出于圖3和4中),這可引起電導率的減小。由通過全厚度測量獲得的數(shù)據(jù)計算的電導率提供了范圍從0.03至0.47S·cm-1的值,這些值比在縱向測量中獲得的值低兩個至三個數(shù)量級(參見表3)。這些泡沫的各向異性可以是可能的。雖然這些全厚度測量證明比這些縱向測量較不可靠,但是該全厚度測量在測定隨交流電頻率變化的泡沫的阻抗上是有利的。使用全厚度裝置,分析隨頻率變化的本發(fā)明的泡沫的阻抗。該頻率范圍從1Hz至106Hz變化。該阻抗通過其幅度和相位來表征,如分別在圖8A和8B中示出的。該阻抗的幅度隨頻率的變化改變非常小。就相位而言,在非常高的頻率下的電抗的增加僅僅是由于所使用的測量設備,這高估了電抗。忽視通過阻抗分析器對電抗的高估,在相空間中觀察到這些泡沫的行為在寬頻率范圍(1至105Hz)內是純電阻性的(即,對于非零電阻電抗趨于零)。實例4.壓阻效應確定本發(fā)明的泡沫的壓阻效應。如在此討論的,通過應變系數(shù)K描述壓阻效應。通過以下等式給出應變系數(shù)(K):K=(ΔR/R)(e/Δe)其中R是電阻,ΔR是電阻的變化,e是該泡沫的厚度,并且Δe是厚度的變化。實際上,“e/Δe”的確定是困難的。幸運地,根據(jù)以下關系“e/Δe”與楊氏模量有關:e/Δe=E/P其中E是楊氏模量并且P是所施加的壓強。因此,可能通過確定R、ΔR、E、以及P來確定這些泡沫的應變系數(shù)。為了測量R、ΔR以及P,使用在圖9A和9B中示意地描繪的裝置。將該有待分析的泡沫材料放置在玻璃載片上。電接觸是用錫導線形成的,在這些錫導線上經(jīng)由絕緣夾具施加壓力(在此被稱為接觸壓力)。通過連接到萬用表或阻抗分析器上完成電路。需要在該玻璃載片下面的支持件以便將壓力施加在這些導線上,而不擾亂這些測量。將此裝置放置在計量秤或天平上。所使用的裝置的照片示出于圖9C中。在該樣品泡沫材料上施加的質量允許確定壓強P(在此被稱為壓電有關的壓強),根據(jù)等式該壓強與所施加的質量有關:壓強=mg/(施加的表面積)其中m是質量并且g是由于重力的加速度。通過已知質量的圓的、扁平的金屬物體施加該壓電有關的壓強,該物體通過石蠟膜與該樣品泡沫中電隔離。氣泡水平被用來驗證施加至該樣品泡沫上的壓強是均勻的。通過該金屬物體的直徑(1cm)和該樣品的寬度(1-2mm,取決于具體泡沫)確定施加的表面積。該樣品的寬度比該金屬物體的直徑小約5倍。因此,在其上施加壓強的表面積近似為1cm長度與1-2mm寬度的矩形。材料的楊氏模量(表示為E)對應于施加至材料上以獲得100%變形的應力的理論值。通過繪制隨變形變化的應力確定本發(fā)明的泡沫的楊氏模量。該圖的斜率、或其線性近似給出了楊氏模量的近似值。用已知泡沫的楊氏模量,通過繪制隨“P/E”變化的“ΔR/R”確定應變系數(shù)K,其中所得圖的斜率給出了該應變系數(shù)。在圖10中示出了隨應變百分比變化的本發(fā)明的泡沫的2的應力的曲線圖。在感興趣的圖的部分(即在105-106Pa的范圍內的應力)中,該曲線幾乎是線性的。該圖的這個部分的斜率給出了對于所分析的本發(fā)明的泡沫的楊氏模量的良好近似值。本發(fā)明的泡沫的楊氏模量范圍是從0.05至0.1Gpa,這具有與橡膠相同的數(shù)量級,如在以下表4中比較的。表4.材料楊氏模量(Gpa)橡膠0.001–0.1本發(fā)明的泡沫材料0.05–0.1紙3–4鐵196硫化橡膠2.8一旦該材料的楊氏模量是已知的,確定應變系數(shù)。通過繪制隨“P/E”變化的“ΔR/R”確定應變系數(shù)K,其中所得圖的斜率給出了該應變系數(shù)。該曲線圖示出于圖11中。所研究的本發(fā)明的泡沫是通過60或90分鐘的凝膠化時間表征的并且在沒有攪拌下漂洗持續(xù)60分鐘的那些。它們的應變系數(shù)分別是12.1和17.1。如在以下表5中示出的,這些值比對于金屬發(fā)現(xiàn)的那些更大,這些金屬具有約2的應變系數(shù)。然而,在金屬中,電導率不變化并且電阻的變化僅僅是由于所引起的應力的幾何變化。應力的施加改變本發(fā)明的泡沫的電導率,盡管該變化小于現(xiàn)有商業(yè)壓阻材料的變化,這些商業(yè)壓阻材料主要由無定形硅構成并且以從35至200的應變系數(shù)為特征。表5.材料應變系數(shù)金屬約2本發(fā)明的泡沫材料12.1–17.1無定形硅(科萊特公司(Kulite))35-200當經(jīng)受所施加的壓力時,對未被洗滌的泡沫的分析示出了以非線性方式的電阻減小??紤]到這些未被洗滌的泡沫總體上具有孔的發(fā)現(xiàn),該壓力的施加可引起孔的壓縮,增強在這些PEDOT鏈之間的接觸并且因此增強電導率。實例5.應用在此描述的這些結果使制造包含本發(fā)明的泡沫作為壓阻元件的壓力傳感器、開關、以及其他電子設備的能力實用。當前第1頁1 2 3