例如在US 4539507、US 5151629、EP 0676461和WO 98/27136中描述了其中使用有機(jī)半導(dǎo)體作為功能材料的有機(jī)電致發(fā)光器件(OLED)的結(jié)構(gòu)。所用的發(fā)光材料通常是顯示磷光而不是熒光的有機(jī)金屬絡(luò)合物。出于量子力學(xué)原因，利用有機(jī)金屬化合物作為磷光發(fā)光體可實(shí)現(xiàn)高達(dá)四倍的能量和功率效率的增加。一般說來，在OLED的情況下，此外特別是在顯示三重態(tài)發(fā)光(磷光)的OLED的情況下，例如在效率、工作電壓和壽命方面仍需要改進(jìn)。磷光OLED的特性不是僅由使用的三重態(tài)發(fā)光體決定的。特別是，使用的其它材料，例如基質(zhì)材料，在此處也特別重要。因此這些材料的改進(jìn)也可導(dǎo)致OLED特性的顯著改進(jìn)。
根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)，尤其是咔唑衍生物(例如根據(jù)WO 2014/015931的)、吲哚并咔唑衍生物(例如根據(jù)WO 2007/063754或WO 2008/056746的)或茚并咔唑衍生物(例如根據(jù)WO 2010/136109或WO 2011/000455的)，特別是被缺電子雜芳族化合物如三嗪取代的那些，被用作磷光發(fā)光體的基質(zhì)材料。WO 2011/046182公開了在三嗪上被芴基基團(tuán)取代的咔唑-亞芳基-三嗪衍生物。WO 2013/077352公開了其中三嗪基團(tuán)經(jīng)由二價亞芳基基團(tuán)鍵合至二苯并呋喃基團(tuán)的三嗪衍生物。這些化合物被描述為空穴阻擋材料。這些材料作為磷光發(fā)光體的主體的用途未被公開。KR 2014-0046541公開了咔唑-三嗪-二苯并呋喃和咔唑-三嗪-二苯并噻吩化合物，其中所述二苯并呋喃或二苯并噻吩經(jīng)由其4位鍵合至所述三嗪。
一般說來，在用作基質(zhì)材料的材料的情況下，特別是在器件的壽命方面，以及在器件的效率和工作電壓方面，仍需要改進(jìn)。
本發(fā)明的目的是提供適合用于磷光或熒光OLED中，特別是用作基質(zhì)材料的化合物。特別地，本發(fā)明的目的是提供適合于紅色、黃色和綠色磷光OLED并且此外任選地適合于藍(lán)色磷光OLED并且導(dǎo)致長壽命、良好效率和低工作電壓的基質(zhì)材料。
令人驚訝的是，已發(fā)現(xiàn)包含下式(1)化合物的電致發(fā)光器件相比于現(xiàn)有技術(shù)，特別是在用作磷光摻雜劑的基質(zhì)材料時，具有改進(jìn)。
因此，本發(fā)明涉及下式(1)的化合物，
其中以下適用于所用的符號：
A在每次出現(xiàn)時相同或不同地是CR1或N，其中每個環(huán)中最多兩個基團(tuán)A代表N；
Y1是O或S；
L在每次出現(xiàn)時相同或不同地是單鍵或具有5至30個芳族環(huán)原子的芳族或雜芳族環(huán)系，所述環(huán)系可被一個或多個基團(tuán)R1取代；
HetAr是下式(2)或(3)的基團(tuán)，
其中虛線鍵表示該基團(tuán)與二苯并呋喃或二苯并噻吩衍生物和與L的連接；
X在每次出現(xiàn)時相同或不同地是CR2或N，條件是至少一個符號X代表N；
N1是下式(4)、(5)或(6)的基團(tuán)，
其中虛線鍵表示該基團(tuán)與L的連接，并且A具有上文給出的含義；
Ar1在每次出現(xiàn)時相同或不同地是具有5至30個芳族環(huán)原子的芳族或雜芳族環(huán)系，所述環(huán)系可被一個或多個基團(tuán)R3取代；
W在每次出現(xiàn)時相同或不同地是CR1或N，其中最多兩個基團(tuán)W代表N，或者兩個相鄰的基團(tuán)W一起代表下式(7)或(8)的基團(tuán)，其中式(4)或式(6)的基團(tuán)含有最多一個式(7)或(8)的基團(tuán)，并且其余基團(tuán)W在每次出現(xiàn)時相同或不同地代表CR1或N，
其中虛線鍵表示該基團(tuán)的連接，并且A具有上文給出的含義；
Y2、Y3在每次出現(xiàn)時相同或不同地是O、NR4、S、C(R4)2、Si(R4)2、BR4或C＝O，其中與N鍵合的基團(tuán)R4不同于H；
R1、R2、R3、R4在每次出現(xiàn)時相同或不同地選自H，D，F(xiàn)，Cl，Br，I，CN，NO2，N(Ar2)2，N(R5)2，C(＝O)Ar2，C(＝O)R5，P(＝O)(Ar2)2，P(Ar2)2，B(Ar2)2，Si(Ar2)3，Si(R5)3，具有1至20個C原子的直鏈烷基、烷氧基或硫代烷基基團(tuán)，或具有3至20個C原子的支鏈或環(huán)狀的烷基、烷氧基或硫代烷基基團(tuán)，或具有2至20個C原子的烯基基團(tuán)，所述基團(tuán)中的每個可被一個或多個基團(tuán)R5取代，其中一個或多個非相鄰的CH2基團(tuán)可被R5C＝CR5、Si(R5)2、C＝O、C＝NR5、P(＝O)(R5)、SO、SO2、NR5、O、S或CONR5代替，并且其中一個或多個H原子可被D、F、Cl、Br、I、CN或NO2代替，具有5至40個芳族環(huán)原子的芳族或雜芳族環(huán)系，所述環(huán)系在每種情況下可被一個或多個基團(tuán)R5取代，具有5至40個芳族環(huán)原子的芳氧基或雜芳氧基基團(tuán)，所述基團(tuán)可被一個或多個基團(tuán)R5取代，或具有5至40個芳族環(huán)原子的芳烷基或雜芳烷基基團(tuán)，所述基團(tuán)可被一個或多個基團(tuán)R5取代；此處兩個相鄰的取代基R1或兩個相鄰的取代基R3或兩個相鄰的取代基R4可任選地彼此形成脂族、芳族或雜芳族環(huán)系，所述環(huán)系可被一個或多個基團(tuán)R5取代；
Ar2在每次出現(xiàn)時相同或不同地是具有5至30個芳族環(huán)原子的芳族或雜芳族環(huán)系，所述環(huán)系可被一個或多個非芳族基團(tuán)R5取代；此處鍵合至同一N原子、P原子或B原子的兩個基團(tuán)Ar2也可通過單鍵或選自N(R5)、C(R5)2、O或S的橋連基彼此橋連；
R5在每次出現(xiàn)時相同或不同地選自H，D，F(xiàn)，CN，具有1至20個C原子的脂族烴基團(tuán)或具有5至30個芳族環(huán)原子的芳族或雜芳族環(huán)系，其中一個或多個H原子可被D、F、Cl、Br、I或CN代替，并且其可被一個或多個各自具有1至4個碳原子的烷基基團(tuán)取代；此處兩個或更多個相鄰的取代基R5可彼此形成脂族環(huán)系；
條件是，如果基團(tuán)N1代表不含式(7)或(8)的基團(tuán)的式(4)的基團(tuán)，則Y1代表O。
在本發(fā)明意義上的相鄰取代基是鍵合至彼此直接連接的碳原子或鍵合至同一碳原子的取代基。
如果L代表單鍵，則基團(tuán)HetAr和N1彼此直接鍵合。
為了本申請的目的，兩個或更多個基團(tuán)可彼此形成環(huán)的形成旨在被認(rèn)為尤其是指兩個基團(tuán)通過化學(xué)鍵彼此連接。這由下圖示例：
然而，此外，上述形成也旨在被認(rèn)為是指，在兩個基團(tuán)之一表示氫的情況下，第二個基團(tuán)鍵合在氫原子所鍵合的位置處，從而成環(huán)。
在本發(fā)明意義上的稠合芳基基團(tuán)是其中兩個或更多個芳族基團(tuán)通過共同邊彼此稠合(即縮合)的基團(tuán)，例如在萘中。相比之下，例如，芴不是本發(fā)明意義上的稠合芳基基團(tuán)，因?yàn)檐讨械膬蓚€芳族基團(tuán)不具有共同邊。
在本發(fā)明意義上的芳族環(huán)系在環(huán)系中含有6至40個C原子。在本發(fā)明意義上的芳族環(huán)系旨在被認(rèn)為是指不一定僅含有芳基或雜芳基基團(tuán)的體系，而是其中多個芳基或雜芳基基團(tuán)還可通過非芳族單元(優(yōu)選小于非H原子的10％)連接，所述非芳族單元例如是C、N或O原子。因此，例如，和其中兩個或更多個芳基基團(tuán)例如通過短的烷基基團(tuán)連接的體系一樣，諸如芴、9,9'-螺二芴、9,9'-二芳基芴、三芳基胺等的體系同樣旨在被認(rèn)為是在本發(fā)明意義上的芳族環(huán)系。此外，通過單鍵彼此連接的芳族環(huán)，即低聚亞芳基或低聚亞雜芳基，例如聯(lián)苯、三聯(lián)苯或四聯(lián)苯，被稱為在本申請意義上的芳族環(huán)系。
為了本發(fā)明的目的，可含有1至40個C原子并且其中單獨(dú)的H原子或CH2基團(tuán)還可被上述基團(tuán)取代的脂族烴基團(tuán)或烷基基團(tuán)或烯基或炔基基團(tuán)優(yōu)選被認(rèn)為是指如下的基團(tuán)：甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、仲丁基、叔丁基、2-甲基丁基、正戊基、仲戊基、新戊基、環(huán)戊基、正己基、新己基、環(huán)己基、正庚基、環(huán)庚基、正辛基、環(huán)辛基、2-乙基己基、三氟甲基、五氟乙基、2,2,2-三氟乙基、乙烯基、丙烯基、丁烯基、戊烯基、環(huán)戊烯基、己烯基、環(huán)己烯基、庚烯基、環(huán)庚烯基、辛烯基、環(huán)辛烯基、乙炔基、丙炔基、丁炔基、戊炔基、己炔基、庚炔基或辛炔基。具有1至40個C原子的烷氧基基團(tuán)優(yōu)選被認(rèn)為是指甲氧基、三氟甲氧基、乙氧基、正丙氧基、異丙氧基、正丁氧基、異丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、正戊氧基、仲戊氧基、2-甲基丁氧基、正己氧基、環(huán)己氧基、正庚氧基、環(huán)庚氧基、正辛氧基、環(huán)辛氧基、2-乙基己氧基、五氟乙氧基或2,2,2-三氟乙氧基。具有1至40個C原子的硫代烷基基團(tuán)尤其被認(rèn)為是指甲硫基、乙硫基、正丙硫基、異丙硫基、正丁硫基、異丁硫基、仲丁硫基、叔丁硫基、正戊硫基、仲戊硫基、正己硫基、環(huán)己硫基、正庚硫基、環(huán)庚硫基、正辛硫基、環(huán)辛硫基、2-乙基己硫基、三氟甲硫基、五氟乙硫基、2,2,2-三氟乙硫基、乙烯硫基、丙烯硫基、丁烯硫基、戊烯硫基、環(huán)戊烯硫基、己烯硫基、環(huán)己烯硫基、庚烯硫基、環(huán)庚烯硫基、辛烯硫基、環(huán)辛烯硫基、乙炔硫基、丙炔硫基、丁炔硫基、戊炔硫基、己炔硫基、庚炔硫基或辛炔硫基。一般說來，根據(jù)本發(fā)明的烷基、烷氧基或硫代烷基基團(tuán)可為直鏈、支鏈或環(huán)狀的，其中一個或多個非相鄰的CH2基團(tuán)可被上述基團(tuán)代替；此外，一個或多個H原子還可被D、F、Cl、Br、I、CN或NO2，優(yōu)選地F、Cl或CN，進(jìn)一步優(yōu)選地F或CN，特別優(yōu)選地CN代替。
具有5-40個芳族環(huán)原子的芳族或雜芳族環(huán)系被認(rèn)為特別是指來自如下物質(zhì)的基團(tuán)：苯、萘、蒽、苯并蒽、菲、芘、苝、熒蒽、并四苯、并五苯、苯并芘、聯(lián)苯、偶苯、三聯(lián)苯、三亞苯、芴、螺二芴、二氫菲、二氫芘、四氫芘、順式或反式茚并芴、順式或反式茚并咔唑、順式或反式吲哚并咔唑、三聚茚、異三聚茚、螺三聚茚、螺異三聚茚、呋喃、苯并呋喃、異苯并呋喃、二苯并呋喃、噻吩、苯并噻吩、異苯并噻吩、二苯并噻吩、吡咯、吲哚、異吲哚、咔唑、吡啶、喹啉、異喹啉、吖啶、菲啶、苯并-5,6-喹啉、苯并-6,7-喹啉、苯并-7,8-喹啉、吩噻嗪、吩嗪、吡唑、吲唑、咪唑、苯并咪唑、萘并咪唑、菲并咪唑、吡啶并咪唑、吡嗪并咪唑、喹喔啉并咪唑、唑、苯并唑、萘并唑、蒽并唑、菲并唑、異唑、1,2-噻唑、1,3-噻唑、苯并噻唑、噠嗪、六氮雜三亞苯、苯并噠嗪、嘧啶、苯并嘧啶、喹喔啉、1,5-二氮雜蒽、2,7-二氮雜芘、2,3-二氮雜芘、1,6-二氮雜芘、1,8-二氮雜芘、4,5-二氮雜芘、4,5,9,10-四氮雜苝、吡嗪、吩嗪、吩嗪、吩噻嗪、熒紅環(huán)、萘啶、氮雜咔唑、苯并咔啉、菲咯啉、1,2,3-三唑、1,2,4-三唑、苯并三唑、1,2,3-二唑、1,2,4-二唑、1,2,5-二唑、1,3,4-二唑、1,2,3-噻二唑、1,2,4-噻二唑、1,2,5-噻二唑、1,3,4-噻二唑、1,3,5-三嗪、1,2,4-三嗪、1,2,3-三嗪、四唑、1,2,4,5-四嗪、1,2,3,4-四嗪、1,2,3,5-四嗪、嘌呤、蝶啶、吲嗪和苯并噻二唑，或由這些體系的組合衍生的基團(tuán)。
在本發(fā)明的一個優(yōu)選實(shí)施方式中，式(1)中每個環(huán)中最多一個基團(tuán)A代表N并且其它基團(tuán)A代表CR1。A特別優(yōu)選地代表CR1，因此式(1)化合物是下式(1a)的化合物，
其中所用的符號具有上文給出的含義，n代表0、1、2或3并且m代表0、1、2、3或4。
在本發(fā)明的一個優(yōu)選實(shí)施方式中，式(1a)中的標(biāo)記n是0或1并且式(1a)中的標(biāo)記m是0、1或2。標(biāo)記n和m特別優(yōu)選地在每次出現(xiàn)時相同或不同地是0或1并且非常特別優(yōu)選地等于0。
因此，式(1a)的優(yōu)選實(shí)施方式是下式(1b)至(1h)的化合物，
其中所用的符號具有上文給出的含義。
式(1a)的特別優(yōu)選的實(shí)施方式是下式(1i)的化合物，
其中所用的符號具有上文給出的含義。
下文描述基團(tuán)HetAr的優(yōu)選實(shí)施方式。
式(2)和(3)的基團(tuán)的優(yōu)選實(shí)施方式是下式(2-1)至(2-7)和(3-1)的基團(tuán)，
其中虛線鍵和*表示這些基團(tuán)與式(1)中的二苯并呋喃或二苯并噻吩衍生物的連接，虛線鍵和#表示這些基團(tuán)與L的連接，或者對于等于單鍵的L，表示這些基團(tuán)與N1的連接，并且R2具有上文給出的含義。
優(yōu)選的是式(2-1)至(2-4)和(3-a)的基團(tuán)，并且特別優(yōu)選的是式(2-1)的基團(tuán)。
上述基團(tuán)的優(yōu)選實(shí)施方式是下式(2-1a)至(3-1a)的基團(tuán)，
其中虛線鍵和*表示這些基團(tuán)與式(1)中的二苯并呋喃或二苯并噻吩衍生物的連接，虛線鍵和#表示這些基團(tuán)與L的連接，或者對于等于單鍵的L，表示這些基團(tuán)與N1的連接，并且R2表示除氫以外的根據(jù)上文給出的定義的取代基。
基團(tuán)HetAr上的取代基R2優(yōu)選是H或具有6至24個芳族環(huán)原子的芳族或雜芳族環(huán)系，所述環(huán)系可被一個或多個基團(tuán)R5取代。此處式(2-1a)至(2-6a)的基團(tuán)中的R2不同于氫。所述芳族或雜芳族環(huán)系優(yōu)選具有6至18個芳族環(huán)原子。它特別優(yōu)選地是具有6至12個芳族環(huán)原子的芳族環(huán)系或具有6至13個芳族環(huán)原子的雜芳族環(huán)系，所述環(huán)系中的每個可被一個或多個基團(tuán)R5取代，但優(yōu)選未被取代。合適的基團(tuán)R2的實(shí)例選自苯基，聯(lián)苯基，特別是鄰位聯(lián)苯基、間位聯(lián)苯基或?qū)ξ宦?lián)苯基，三聯(lián)苯基，特別是支鏈三聯(lián)苯基，四聯(lián)苯基，特別是支鏈四聯(lián)苯基，1-芴基、2-芴基、3-芴基或4-芴基，1-螺二芴基、2-螺二芴基、3-螺二芴基或4-螺二芴基，吡啶基，嘧啶基，1-二苯并呋喃基、2-二苯并呋喃基、3-二苯并呋喃基或4-二苯并呋喃基，1-二苯并噻吩基、2-二苯并噻吩基、3-二苯并噻吩基或4-二苯并噻吩基和1-咔唑基、2-咔唑基、3-咔唑基或4-咔唑基，所述基團(tuán)中的每個可被一個或多個基團(tuán)R5取代，但優(yōu)選未被取代。
合適的基團(tuán)R2的實(shí)例是下文示出的結(jié)構(gòu)R2-1至R2-24，
其中Y2和R5具有上文給出的含義，并且虛線鍵表示與雜芳基基團(tuán)連接的鍵。
下文示出基團(tuán)N1的優(yōu)選實(shí)施方式。
在式(4)和(6)的基團(tuán)中，優(yōu)選的是最多一個基團(tuán)A代表N并且其它基團(tuán)A代表CR1。特別優(yōu)選地，式(4)和(6)中的所有基團(tuán)A代表CR1。因此，特別優(yōu)選的式(4)的基團(tuán)是下式(4-1)和(4-2)的基團(tuán)，并且特別優(yōu)選的式(6)的基團(tuán)是下式(6-1)的基團(tuán)，
其中R1和m具有上文給出的含義，并且此外：
兩個相鄰的基團(tuán)W一起代表下式(7a)或(8a)的基團(tuán)并且其它兩個基團(tuán)W代表CR1并且優(yōu)選地代表CH，
其中Y2、Y3、R1和m具有上文給出的含義。
在本發(fā)明的一個優(yōu)選實(shí)施方式中，式(4-1)、(4-2)和(6-1)中的標(biāo)記m代表0、1、2或3，特別優(yōu)選地代表0、1或2并且非常特別優(yōu)選地代表0或1。
式(4-1)的基團(tuán)的優(yōu)選實(shí)施方式是下式(4-1a)至(4-1f)的基團(tuán)，
其中Y2具有上文給出的含義并且優(yōu)選地代表NR4、O或S，并且m和n具有上文給出的含義。
式(4-2)的基團(tuán)的優(yōu)選實(shí)施方式是下式(4-2a)至(4-2f)的基團(tuán)，
其中所用的符號和標(biāo)記具有上文給出的含義。
在本發(fā)明的另一個優(yōu)選實(shí)施方式中，Y2和Y3在每次出現(xiàn)時相同或不同地代表O、C(R4)2或NR4，其中與氮鍵合的基團(tuán)R4不同于H。在式(4-2a)至(4-2f)中，Y2特別優(yōu)選地代表C(R4)2或NR4，其中與氮鍵合的基團(tuán)R4不同于H；并且非常特別優(yōu)選地代表C(R4)2。
如果Y2或Y3代表NR4，則優(yōu)選的是該基團(tuán)R4在每次出現(xiàn)時相同或不同地代表具有5至24個芳族環(huán)原子的芳族或雜芳族環(huán)系，所述環(huán)系在每種情況下可被一個或多個基團(tuán)R5取代，特別優(yōu)選地代表具有6至18個芳族環(huán)原子的芳族或雜芳族環(huán)系，所述環(huán)系可被一個或多個基團(tuán)R5取代。合適的取代基R4的實(shí)例選自苯基，聯(lián)苯基，特別是鄰位聯(lián)苯基、間位聯(lián)苯基或?qū)ξ宦?lián)苯基，三聯(lián)苯基，特別是支鏈三聯(lián)苯基，四聯(lián)苯基，特別是支鏈四聯(lián)苯基，1-芴基、2-芴基、3-芴基或4-芴基，1-螺二芴基、2-螺二芴基、3-螺二芴基或4-螺二芴基，吡啶基，嘧啶基，1,3,5-三嗪基，4,6-二苯基-1,3,5-三嗪基，1-二苯并呋喃基、2-二苯并呋喃基、3-二苯并呋喃基或4-二苯并呋喃基，1-二苯并噻吩基、2-二苯并噻吩基、3-二苯并噻吩基或4-二苯并噻吩基和1-咔唑基、2-咔唑基、3-咔唑基或4-咔唑基，其中所述咔唑基基團(tuán)在氮原子上被除H或D外的基團(tuán)R5取代。這些基團(tuán)可各自被一個或多個基團(tuán)R5取代，但優(yōu)選未被取代。合適的結(jié)構(gòu)R4是與上文關(guān)于R2-1至R2-24所描繪的相同的結(jié)構(gòu)。
如果Y2代表C(R4)2，則優(yōu)選的是這些基團(tuán)R4在每次出現(xiàn)時相同或不同地代表具有1至10個C原子的直鏈烷基基團(tuán)，或具有3至10個C原子的支鏈或環(huán)狀的烷基基團(tuán)，或具有2至10個C原子的烯基基團(tuán)，所述基團(tuán)中的每個可被一個或多個基團(tuán)R5取代，其中一個或多個非相鄰的CH2基團(tuán)可被O代替，并且其中一個或多個H原子可被D或F代替，或代表具有5至24個芳族環(huán)原子的芳族或雜芳族環(huán)系，所述環(huán)系在每種情況下可被一個或多個基團(tuán)R5取代；此處兩個取代基R4可任選地形成單環(huán)或多環(huán)的脂族、芳族或雜芳族環(huán)系，所述環(huán)系可被一個或多個基團(tuán)R5取代。如果基團(tuán)R4代表苯基基團(tuán)，則兩個取代基R4的成環(huán)形成螺環(huán)系，例如螺二芴或螺二芴的衍生物。
在本發(fā)明的一個優(yōu)選實(shí)施方式中，式(5)的基團(tuán)中的基團(tuán)Ar1在每次出現(xiàn)時相同或不同地代表具有6至24個芳族環(huán)原子、優(yōu)選具有6至18個芳族環(huán)原子的芳族或雜芳族環(huán)系，特別優(yōu)選地代表具有6至12個芳族環(huán)原子的芳族環(huán)系或具有6至13個芳族環(huán)原子的雜芳族環(huán)系，所述環(huán)系中的每個可被一個或多個基團(tuán)R3取代，但優(yōu)選未被取代。合適的基團(tuán)Ar1的實(shí)例選自苯基，聯(lián)苯基，特別是鄰位聯(lián)苯基、間位聯(lián)苯基或?qū)ξ宦?lián)苯基，三聯(lián)苯基，特別是支鏈三聯(lián)苯基，四聯(lián)苯基，特別是支鏈四聯(lián)苯基，1-芴基、2-芴基、3-芴基或4-芴基，1-螺二芴基、2-螺二芴基、3-螺二芴基或4-螺二芴基，吡啶基，嘧啶基，1-二苯并呋喃基、2-二苯并呋喃基、3-二苯并呋喃基或4-二苯并呋喃基，1-二苯并噻吩基、2-二苯并噻吩基、3-二苯并噻吩基或4-二苯并噻吩基和1-咔唑基、2-咔唑基、3-咔唑基或4-咔唑基，所述基團(tuán)中的每個可被一個或多個基團(tuán)R3取代，但優(yōu)選未被取代。
特別優(yōu)選的基團(tuán)Ar1是下式(Ar1-1)至(Ar1-21)的基團(tuán)，
其中Y2和R3具有上文給出的含義，并且虛線鍵表示與式(5)中的氮連接的鍵。
在本發(fā)明的一個優(yōu)選實(shí)施方式中，R3在每次出現(xiàn)時相同或不同地代表H，具有1至4個C原子的烷基基團(tuán)或具有5至14個芳族環(huán)原子的芳族或雜芳族環(huán)系。R3特別優(yōu)選地在每次出現(xiàn)時相同或不同地代表H或具有1至4個C原子的烷基基團(tuán)。
在本發(fā)明的另一個優(yōu)選實(shí)施方式中，L在每次出現(xiàn)時相同或不同地代表單鍵或具有5至24個芳族環(huán)原子的芳族或雜芳族環(huán)系，所述環(huán)系可被一個或多個基團(tuán)R1取代。L特別優(yōu)選地在每次出現(xiàn)時相同或不同地代表單鍵或具有6至12個芳族環(huán)原子的芳族環(huán)系或具有6至13個芳族環(huán)原子的雜芳族環(huán)系，所述環(huán)系中的每個可被一個或多個基團(tuán)R1取代，但優(yōu)選未被取代。如果N1是式(4)或(6)的基團(tuán)，則L非常特別優(yōu)選地代表單鍵，并且如果N1是式(5)的基團(tuán)，則代表具有6至12個芳族環(huán)原子的芳族環(huán)系或具有6至13個芳族環(huán)原子的雜芳族環(huán)系，所述環(huán)系中的每個可被一個或多個基團(tuán)R1取代，但優(yōu)選未被取代。合適的芳族或雜芳族環(huán)系L的實(shí)例選自亞苯基、聯(lián)苯、芴、吡啶、嘧啶、三嗪、二苯并呋喃、二苯并噻吩和咔唑，所述環(huán)系中的每個可被一個或多個基團(tuán)R1取代，但優(yōu)選未被取代。
如果根據(jù)本發(fā)明的化合物含有取代基R1，則這些優(yōu)選選自H，D，F(xiàn)，CN，N(Ar2)2，C(＝O)Ar2，P(＝O)(Ar2)2，具有1至10個C原子的直鏈烷基或烷氧基基團(tuán)，或具有3至10個C原子的支鏈或環(huán)狀的烷基或烷氧基基團(tuán)，或具有2至10個C原子的烯基基團(tuán)，所述基團(tuán)中的每個可被一個或多個基團(tuán)R5取代，其中一個或多個非相鄰的CH2基團(tuán)可被O代替，并且其中一個或多個H原子可被D或F代替，具有5至24個芳族環(huán)原子的芳族或雜芳族環(huán)系，所述環(huán)系在每種情況下可被一個或多個基團(tuán)R5取代，或具有5至25個芳族環(huán)原子的芳烷基或雜芳烷基基團(tuán)，所述基團(tuán)可被一個或多個基團(tuán)R1取代；此處鍵合至相鄰碳原子的兩個取代基R1可任選地形成單環(huán)或多環(huán)的脂族環(huán)系，所述環(huán)系可被一個或多個基團(tuán)R5取代。
取代基R1特別優(yōu)選地選自H，D，F(xiàn)，CN，N(Ar2)2，具有1至8個C原子、優(yōu)選具有1、2、3或4個C原子的直鏈烷基基團(tuán)，或具有3至8個C原子、優(yōu)選具有3或4個C原子的支鏈或環(huán)狀的烷基基團(tuán)，或具有2至8個C原子、優(yōu)選具有2、3或4個C原子的烯基基團(tuán)，所述基團(tuán)中的每個可被一個或多個基團(tuán)R5取代，但優(yōu)選未被取代，或具有6至24個芳族環(huán)原子、優(yōu)選具有6至18個芳族環(huán)原子、特別優(yōu)選具有6至13個芳族環(huán)原子的芳族或雜芳族環(huán)系，所述環(huán)系在每種情況下可被一個或多個非芳族基團(tuán)R5取代，但優(yōu)選未被取代；此處鍵合至相鄰碳原子的兩個取代基R1可任選地形成單環(huán)或多環(huán)的脂族環(huán)系，所述環(huán)系可被一個或多個基團(tuán)R5取代，但優(yōu)選未被取代。
取代基R1非常特別優(yōu)選地選自H或具有6至18個芳族環(huán)原子、優(yōu)選具有6至13個芳族環(huán)原子的芳族或雜芳族環(huán)系，所述環(huán)系在每種情況下可被一個或多個非芳族基團(tuán)R5取代，但優(yōu)選未被取代。合適的取代基R1的實(shí)例選自苯基，聯(lián)苯基，特別是鄰位聯(lián)苯基、間位聯(lián)苯基或?qū)ξ宦?lián)苯基，三聯(lián)苯基，特別是支鏈三聯(lián)苯基，四聯(lián)苯基，特別是支鏈四聯(lián)苯基，1-芴基、2-芴基、3-芴基或4-芴基，1-螺二芴基、2-螺二芴基、3-螺二芴基或4-螺二芴基，吡啶基，嘧啶基，1-二苯并呋喃基、2-二苯并呋喃基、3-二苯并呋喃基或4-二苯并呋喃基，1-二苯并噻吩基、2-二苯并噻吩基、3-二苯并噻吩基或4-二苯并噻吩基和1-咔唑基、2-咔唑基、3-咔唑基或4-咔唑基，所述基團(tuán)中的每個可被一個或多個基團(tuán)R5取代，但優(yōu)選未被取代。此處合適的結(jié)構(gòu)R1是與上文關(guān)于R2-1至R2-24所描繪的相同的結(jié)構(gòu)。
在本發(fā)明的另一個優(yōu)選實(shí)施方式中，R5在每次出現(xiàn)時相同或不同地選自H，D，F(xiàn)，CN，具有1至10個C原子、優(yōu)選具有1、2、3或4個C原子的脂族烴基團(tuán)，或具有5至30個芳族環(huán)原子、優(yōu)選具有5至13個芳族環(huán)原子的芳族或雜芳族環(huán)系，所述基團(tuán)或環(huán)系可被一個或多個各自具有1至4個碳原子的烷基基團(tuán)取代，但優(yōu)選未被取代。
如果根據(jù)本發(fā)明的化合物被芳族或雜芳族基團(tuán)取代，則優(yōu)選的是這些基團(tuán)不含具有多于兩個彼此直接稠合的芳族六元環(huán)的芳基或雜芳基基團(tuán)。所述取代基特別優(yōu)選地絕對不含具有彼此直接稠合的六元環(huán)的芳基或雜芳基基團(tuán)。這種優(yōu)選情形是由于這種結(jié)構(gòu)的低三重態(tài)能量導(dǎo)致的。根據(jù)本發(fā)明仍然也是合適的具有多于兩個彼此直接稠合的芳族六元環(huán)的稠合芳基基團(tuán)是菲和三亞苯，因?yàn)檫@些也具有高三重態(tài)能級。
上述優(yōu)選情形可獨(dú)立地或一起出現(xiàn)。優(yōu)選的是上述優(yōu)選情形一起出現(xiàn)。
因此優(yōu)選的是上述式(1a)的化合物，其中：
Y1是O或S；
L在每次出現(xiàn)時相同或不同地是單鍵或具有5至24個芳族環(huán)原子的芳族或雜芳族環(huán)系，所述環(huán)系可被一個或多個基團(tuán)R1取代；
HetAr是上述式(2-1)至(2-7)或(3-1)之一的基團(tuán)；
N1是下式(4-1)、(4-2)、(5)或(6-1)的基團(tuán)，
兩個相鄰的基團(tuán)W一起代表下式(7a)或(8a)的基團(tuán)并且其它兩個基團(tuán)W代表CR1并且優(yōu)選代表CH，
Ar1在每次出現(xiàn)時相同或不同地是具有6至24個芳族環(huán)原子、優(yōu)選具有6至18個芳族環(huán)原子的芳族或雜芳族環(huán)系，所述環(huán)系可被一個或多個基團(tuán)R3取代；
Y2、Y3在每次出現(xiàn)時相同或不同地是O、S、NR4或C(R4)2，其中與N鍵合的基團(tuán)R4不同于H；
R1在每次出現(xiàn)時相同或不同地選自H，D，F(xiàn)，CN，N(Ar2)2，C(＝O)Ar2，P(＝O)(Ar2)2，具有1至10個C原子的直鏈烷基或烷氧基基團(tuán)，或具有3至10個C原子的支鏈或環(huán)狀的烷基或烷氧基基團(tuán)，或具有2至10個C原子的烯基基團(tuán)，所述基團(tuán)中的每個可被一個或多個基團(tuán)R5取代，其中一個或多個非相鄰的CH2基團(tuán)可被O代替，并且其中一個或多個H原子可被D或F代替，具有5至24個芳族環(huán)原子的芳族或雜芳族環(huán)系，所述環(huán)系在每種情況下可被一個或多個基團(tuán)R5取代，或具有5至25個芳族環(huán)原子的芳烷基或雜芳烷基基團(tuán)，所述基團(tuán)可被一個或多個基團(tuán)R1取代；此處與相鄰碳原子鍵合的兩個取代基R1可任選地形成單環(huán)或多環(huán)的脂族環(huán)系，所述環(huán)系可被一個或多個基團(tuán)R5取代；
R2在每次出現(xiàn)時相同或不同地是H或具有6至24個芳族環(huán)原子、特別是具有6至18個芳族環(huán)原子的芳族或雜芳族環(huán)系，所述環(huán)系在每種情況下可被一個或多個基團(tuán)R5取代；
R3在每次出現(xiàn)時相同或不同地是H，具有1至4個C原子的烷基基團(tuán)或具有5至14個芳族環(huán)原子的芳族或雜芳族環(huán)系；
對于Y2或Y3＝NR4，R4是具有5至24個芳族環(huán)原子、優(yōu)選具有6至18個芳族環(huán)原子的芳族或雜芳族環(huán)系，所述環(huán)系在每種情況下可被一個或多個基團(tuán)R5取代；
并且對于Y2或Y3＝C(R4)2，R4在每次出現(xiàn)時相同或不同地是具有1至10個C原子的直鏈烷基基團(tuán)，或具有3至10個C原子的支鏈或環(huán)狀的烷基基團(tuán)，或具有2至10個C原子的烯基基團(tuán)，所述基團(tuán)中的每個可被一個或多個基團(tuán)R5取代，其中一個或多個非相鄰的CH2基團(tuán)可被O代替，并且其中一個或多個H原子可被D或F代替，或具有5至24個芳族環(huán)原子的芳族或雜芳族環(huán)系，所述環(huán)系在每種情況下可被一個或多個基團(tuán)R5取代；此處兩個取代基R4可任選地形成單環(huán)或多環(huán)的脂族、芳族或雜芳族環(huán)系，所述環(huán)系可被一個或多個基團(tuán)R5取代；
Ar2具有上文給出的含義；
R5在每次出現(xiàn)時相同或不同地選自H，D，F(xiàn)，CN，具有1至10個C原子的脂族烴基團(tuán)，或具有5至30個芳族環(huán)原子的芳族或雜芳族環(huán)系，所述基團(tuán)或環(huán)系可被一個或多個各自具有1至4個碳原子的烷基基團(tuán)取代；
n在每次出現(xiàn)時相同或不同地是0、1、2或3，優(yōu)選0、1或2；
m在每次出現(xiàn)時相同或不同地是0、1、2、3或4，優(yōu)選0、1、2或3。
特別優(yōu)選的是上述式(1b)至(1i)的化合物，其中：
Y1是O或S；
L在每次出現(xiàn)時相同或不同地是單鍵或具有6至12個芳族環(huán)原子的芳族環(huán)系或具有6至13個芳族環(huán)原子的雜芳族環(huán)系，所述環(huán)系中的每個可被一個或多個基團(tuán)R1取代，但優(yōu)選未被取代；
HetAr是上述式(2-1a)至(2-7a)或(3-1a)之一的基團(tuán)；
N1是上述式(4-1)、(4-2a)至(4-2f)、(5)或(6-1)的基團(tuán)；
Ar1在每次出現(xiàn)時相同或不同地選自苯基，聯(lián)苯基，三聯(lián)苯基，四聯(lián)苯基，1-芴基、2-芴基、3-芴基或4-芴基，1-螺二芴基、2-螺二芴基、3-螺二芴基或4-螺二芴基，吡啶基，嘧啶基，1-二苯并呋喃基、2-二苯并呋喃基、3-二苯并呋喃基或4-二苯并呋喃基，1-二苯并噻吩基、2-二苯并噻吩基、3-二苯并噻吩基或4-二苯并噻吩基和1-咔唑基、2-咔唑基、3-咔唑基或4-咔唑基，所述基團(tuán)中的每個可被一個或多個基團(tuán)R取代，但優(yōu)選未被取代，并且特別地選自上述式(Ar1-1)至(Ar1-21)的基團(tuán)；
Y2、Y3在每次出現(xiàn)時相同或不同地是O、NR4或C(R4)2，其中與N鍵合的基團(tuán)R4不同于H；
R1在每次出現(xiàn)時相同或不同地選自H，D，F(xiàn)，CN，N(Ar2)2，具有1至8個C原子、優(yōu)選具有1、2、3或4個C原子的直鏈烷基基團(tuán)，或具有3至8個C原子、優(yōu)選具有3或4個C原子的支鏈或環(huán)狀的烷基基團(tuán)，或具有2至8個C原子、優(yōu)選具有2、3或4個C原子的烯基基團(tuán)，所述基團(tuán)中的每個可被一個或多個基團(tuán)R5取代，但優(yōu)選未被取代，或具有6至24個芳族環(huán)原子、優(yōu)選具有6至18個芳族環(huán)原子、特別優(yōu)選具有6至13個芳族環(huán)原子的芳族或雜芳族環(huán)系，所述環(huán)系在每種情況下可被一個或多個非芳族基團(tuán)R5取代，但優(yōu)選未被取代；此處鍵合至相鄰碳原子的兩個取代基R1可任選地形成單環(huán)或多環(huán)的脂族環(huán)系，所述環(huán)系可被一個或多個基團(tuán)R5取代，但優(yōu)選未被取代；R1特別優(yōu)選地在每次出現(xiàn)時相同或不同地選自H或具有6至18個芳族環(huán)原子、優(yōu)選具有6至13個芳族環(huán)原子的芳族或雜芳族環(huán)系，所述環(huán)系在每種情況下可被一個或多個非芳族基團(tuán)R5取代，但優(yōu)選未被取代；
R2在每次出現(xiàn)時相同或不同地選自苯基，聯(lián)苯基，三聯(lián)苯基，四聯(lián)苯基，特別是支鏈四聯(lián)苯基，1-芴基、2-芴基、3-芴基或4-芴基，1-螺二芴基、2-螺二芴基、3-螺二芴基或4-螺二芴基，吡啶基，嘧啶基，1-二苯并呋喃基、2-二苯并呋喃基、3-二苯并呋喃基或4-二苯并呋喃基，1-二苯并噻吩基、2-二苯并噻吩基、3-二苯并噻吩基或4-二苯并噻吩基和1-咔唑基、2-咔唑基、3-咔唑基或4-咔唑基，所述基團(tuán)中的每個可被一個或多個基團(tuán)R5取代，并且特別地選自上述結(jié)構(gòu)R2-1至R2-24的基團(tuán)；
R3是H或具有1至4個C原子的烷基基團(tuán)；
對于Y2或Y3＝NR4，R4選自苯基，聯(lián)苯基，三聯(lián)苯基，四聯(lián)苯基，1-芴基、2-芴基、3-芴基或4-芴基，1-螺二芴基、2-螺二芴基、3-螺二芴基或4-螺二芴基，吡啶基，嘧啶基，1,3,5-三嗪基，4,6-二苯基-1,3,5-三嗪基，1-二苯并呋喃基、2-二苯并呋喃基、3-二苯并呋喃基或4-二苯并呋喃基，1-二苯并噻吩基、2-二苯并噻吩基、3-二苯并噻吩基或4-二苯并噻吩基和1-咔唑基、2-咔唑基、3-咔唑基或4-咔唑基，其中所述咔唑基基團(tuán)在氮原子上被除H或D外的基團(tuán)R5取代，其中這些基團(tuán)各自可被一個或多個基團(tuán)R5取代；特別優(yōu)選的是上文描繪的結(jié)構(gòu)R2-1至R2-24；
并且對于Y2或Y3＝C(R4)2，R4在每次出現(xiàn)時相同或不同地是具有1至5個C原子的直鏈烷基基團(tuán)，或具有3至8個C原子的支鏈或環(huán)狀的烷基基團(tuán)，或具有2至8個C原子的烯基基團(tuán)，所述基團(tuán)中的每個可被一個或多個基團(tuán)R5取代，其中一個或多個非相鄰的CH2基團(tuán)可被O代替，并且其中一個或多個H原子可被D或F代替，或具有6至18個芳族環(huán)原子的芳族或雜芳族環(huán)系，所述環(huán)系在每種情況下可被一個或多個基團(tuán)R5取代；此處兩個取代基R4可任選地形成單環(huán)或多環(huán)的脂族、芳族或雜芳族環(huán)系，所述環(huán)系可被一個或多個基團(tuán)R5取代；
Ar2具有上文給出的含義；
R5在每次出現(xiàn)時相同或不同地選自H，D，F(xiàn)，CN，具有1、2、3或4個C原子的脂族烴基團(tuán)或具有5至13個芳族環(huán)原子的芳族或雜芳族環(huán)系，所述基團(tuán)或環(huán)系可被一個或多個各自具有1至4個碳原子的烷基基團(tuán)取代，但優(yōu)選未被取代；
n在每次出現(xiàn)時相同或不同地是0或1；
m在每次出現(xiàn)時相同或不同地是0、1或2，優(yōu)選0或1。
合適的根據(jù)本發(fā)明的化合物的實(shí)例是下文示出的結(jié)構(gòu)。
根據(jù)本發(fā)明的化合物可以通過本領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的合成步驟(例如，溴化、Suzuki偶聯(lián)、Ullmann偶聯(lián)、Hartwig-Buchwald偶聯(lián)等)來制備。合適的合成方法在下面的方案1中概括地描繪。
方案1
合成起始于任選被取代的1-鹵代二苯并呋喃或1-鹵代二苯并噻吩，其可以被轉(zhuǎn)化成相應(yīng)的硼酸或硼酸衍生物。在下個步驟中，可以通過Suzuki偶聯(lián)引入也帶有另一個離去基團(tuán)的基團(tuán)HetAr。在最后的步驟中，在Suzuki偶聯(lián)中為引入基團(tuán)-L-N1，其中L代表芳族或雜芳族環(huán)系，或者在C-N偶聯(lián)反應(yīng)(例如Hartwig-Buchwald偶聯(lián))或親核芳族取代反應(yīng)中為引入基團(tuán)N1，可以使基團(tuán)HetAr上的該另外的離去基團(tuán)反應(yīng)。
上文關(guān)于根據(jù)本發(fā)明的化合物的合成描述的一般方法是示例性的。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將能夠在他的一般專業(yè)知識范圍內(nèi)開發(fā)替代合成路線。
因此，本發(fā)明還涉及從1-鹵代二苯并呋喃或1-鹵代二苯并噻吩(其中鹵素優(yōu)選是溴)開始合成根據(jù)本發(fā)明的化合物的方法，其特征在于以下步驟：
(1)任選地將鹵素基團(tuán)轉(zhuǎn)化成硼酸或硼酸衍生物；
(2)通過偶聯(lián)反應(yīng)、特別是Suzuki偶聯(lián)引入基團(tuán)HetAr；
(3)通過偶聯(lián)反應(yīng)、特別是Hartwig-Buchwald偶聯(lián)或親核芳族取代引入基團(tuán)N1，或通過偶聯(lián)反應(yīng)、特別是Suzuki偶聯(lián)引入基團(tuán)-L-N1。
為了從液相處理根據(jù)本發(fā)明的化合物，例如通過旋涂或通過印刷工藝進(jìn)行處理，根據(jù)本發(fā)明的化合物的制劑是必要的。這些制劑可例如是溶液、分散體或乳液。出于該目的，可優(yōu)選的是使用兩種或更多種溶劑的混合物。合適并且優(yōu)選的溶劑例如是甲苯，苯甲醚，鄰二甲苯、間二甲苯或?qū)Χ妆?，苯甲酸甲酯，均三甲基苯，萘滿，鄰二甲氧苯，THF，甲基-THF，THP，氯苯，二烷，苯氧基甲苯，特別是3-苯氧基甲苯，(-)-葑酮，1,2,3,5-四甲基苯，1,2,4,5-四甲基苯，1-甲基萘，2-甲基苯并噻唑，2-苯氧基乙醇，2-吡咯烷酮，3-甲基苯甲醚，4-甲基苯甲醚，3,4-二甲基苯甲醚，3,5-二甲基苯甲醚，苯乙酮，α-萜品醇，苯并噻唑，苯甲酸丁酯，異丙基苯，環(huán)己醇，環(huán)己酮，環(huán)己基苯，萘烷，十二烷基苯，苯甲酸乙酯，茚滿，苯甲酸甲酯，NMP，對異丙基甲苯，苯乙醚，1,4-二異丙基苯，二芐醚，二乙二醇丁基甲基醚，三乙二醇丁基甲基醚，二乙二醇二丁基醚，三乙二醇二甲基醚，二乙二醇單丁基醚，三丙二醇二甲基醚，四乙二醇二甲基醚，2-異丙基萘，戊基苯，己基苯，庚基苯，辛基苯，1,1-雙(3,4-二甲基苯基)乙烷，或這些溶劑的混合物。
因此，本發(fā)明還涉及包含根據(jù)本發(fā)明的化合物和至少一種另外的化合物的制劑。所述另外的化合物可例如是溶劑，特別是上述溶劑之一或這些溶劑的混合物。然而，所述另外的化合物也可為至少一種另外的有機(jī)或無機(jī)化合物，其同樣用于電子器件中，例如發(fā)光化合物，特別是磷光摻雜劑，和/或另一種基質(zhì)材料。下文結(jié)合有機(jī)電致發(fā)光器件指出合適的發(fā)光化合物和另外的基質(zhì)材料。這種另外的化合物也可以是聚合的。
根據(jù)本發(fā)明的化合物和混合物適合用于電子器件中。此處的電子器件被認(rèn)為是指包含至少一個層的器件，所述層包含至少一種有機(jī)化合物。然而，此處的組件也可包含無機(jī)材料或者完全由無機(jī)材料構(gòu)成的層。
因此，本發(fā)明還涉及根據(jù)本發(fā)明的化合物或混合物在電子器件中、特別是有機(jī)電致發(fā)光器件中的用途。
此外，本發(fā)明還涉及包含上述根據(jù)本發(fā)明的化合物或混合物中的至少一種的電子器件。上文對于化合物所述的優(yōu)選情形也適用于電子器件。
所述電子器件優(yōu)選選自有機(jī)電致發(fā)光器件(OLED、PLED)、有機(jī)集成電路(O-IC)、有機(jī)場效應(yīng)晶體管(O-FET)、有機(jī)薄膜晶體管(O-TFT)、有機(jī)發(fā)光晶體管(O-LET)、有機(jī)太陽能電池(O-SC)、有機(jī)染料敏化太陽能電池、有機(jī)光學(xué)檢測器、有機(jī)光感受器、有機(jī)場猝熄器件(O-FQD)、發(fā)光電化學(xué)電池(LEC)、有機(jī)激光二極管(O-laser)和“有機(jī)等離子體激元發(fā)光器件”(D.M.Koller等,Nature Photonics(自然光子學(xué))2008,1-4)，優(yōu)選是有機(jī)電致發(fā)光器件(OLED、PLED)，特別是磷光OLED。
所述有機(jī)電致發(fā)光器件包含陰極、陽極和至少一個發(fā)光層。除了這些層之外，它還可包含另外的層，例如在每種情況下一個或多個空穴注入層、空穴傳輸層、空穴阻擋層、電子傳輸層、電子注入層、激子阻擋層、電子阻擋層和/或電荷產(chǎn)生層。同樣可以在兩個發(fā)光層之間引入具有例如激子阻擋功能的中間層。然而，應(yīng)當(dāng)指出，這些層中的每個并非必須都存在。此處的有機(jī)電致發(fā)光器件可包含一個發(fā)光層或多個發(fā)光層。如果存在多個發(fā)光層，則這些發(fā)光層優(yōu)選總共具有多個在380nm與750nm之間的發(fā)光峰值，導(dǎo)致總體上白色發(fā)光，即，將能夠發(fā)熒光或發(fā)磷光的多種發(fā)光化合物用于所述發(fā)光層中。特別優(yōu)選的是具有三個發(fā)光層的體系，其中所述三個層顯示藍(lán)色、綠色和橙色或紅色發(fā)光(對于基本結(jié)構(gòu)，例如參見WO 2005/011013)。這些可以是熒光或磷光發(fā)光層或雜合體系，其中熒光和磷光發(fā)光層彼此組合。
取決于確切結(jié)構(gòu)，根據(jù)上文指出的實(shí)施方式的根據(jù)本發(fā)明的化合物可以用于多個層中。優(yōu)選如下的有機(jī)電致發(fā)光器件，其包含式(1)或根據(jù)優(yōu)選實(shí)施方式的化合物，其中根據(jù)確切的取代，所述式(1)或根據(jù)優(yōu)選實(shí)施方式的化合物作為用于熒光或磷光發(fā)光體、特別是用于磷光發(fā)光體的基質(zhì)材料，和/或用于電子傳輸層中和/或電子阻擋或激子阻擋層中和/或空穴傳輸層中。上文指出的優(yōu)選實(shí)施方式也適用于所述材料在有機(jī)電子器件中的用途。
在本發(fā)明的一個優(yōu)選實(shí)施方式中，式(1)或根據(jù)優(yōu)選實(shí)施方式的化合物被用作發(fā)光層中的熒光或磷光化合物、特別是磷光化合物的基質(zhì)材料。此處的有機(jī)電致發(fā)光器件可包含一個發(fā)光層或多個發(fā)光層，其中至少一個發(fā)光層包含至少一種根據(jù)本發(fā)明的化合物作為基質(zhì)材料。
如果式(1)或根據(jù)優(yōu)選實(shí)施方式的化合物被用作發(fā)光層中的發(fā)光化合物的基質(zhì)材料，則它優(yōu)選與一種或多種磷光材料(三重態(tài)發(fā)光體)組合使用。在本發(fā)明意義上的磷光被認(rèn)為是指從具有自旋多重性>1的激發(fā)態(tài)、特別是從激發(fā)三重態(tài)的發(fā)光。為了本申請的目的，所有發(fā)光的過渡金屬絡(luò)合物和發(fā)光的鑭系元素絡(luò)合物，特別是所有的銥、鉑和銅絡(luò)合物，都被認(rèn)為是磷光化合物。
以包含發(fā)光體和基質(zhì)材料的整個混合物計，包含式(1)或根據(jù)優(yōu)選實(shí)施方式的化合物和發(fā)光化合物的混合物包含介于99體積％與1體積％之間、優(yōu)選介于98體積％與10體積％之間、特別優(yōu)選介于97體積％與60體積％之間、特別是介于95體積％與80體積％之間的式(1)或根據(jù)優(yōu)選實(shí)施方式的化合物。相應(yīng)地，以包含發(fā)光體和基質(zhì)材料的整個混合物計，所述混合物包含介于1體積％與99體積％之間、優(yōu)選介于2體積％與90體積％之間、特別優(yōu)選介于3體積％與40體積％之間、特別是介于5體積％與20體積％之間的發(fā)光體。
本發(fā)明的另一個優(yōu)選實(shí)施方式是式(1)或根據(jù)優(yōu)選實(shí)施方式的化合物與另一種基質(zhì)材料組合作為磷光發(fā)光體的基質(zhì)材料的用途?？梢耘c式(1)或根據(jù)優(yōu)選實(shí)施方式的化合物組合使用的特別合適的基質(zhì)材料是芳族酮，芳族氧化膦或芳族亞砜或砜，例如根據(jù)WO 2004/013080、WO 2004/093207、WO 2006/005627或WO 2010/006680的，三芳基胺，咔唑衍生物，例如CBP(N,N-雙咔唑基聯(lián)苯)或公開在WO 2005/039246、US 2005/0069729、JP 2004/288381、EP 1205527或WO 2008/086851中的咔唑衍生物，吲哚并咔唑衍生物，例如根據(jù)WO 2007/063754或WO 2008/056746的，茚并咔唑衍生物，例如根據(jù)WO 2010/136109和WO 2011/000455的，氮雜咔唑衍生物，例如根據(jù)EP 1617710、EP 1617711、EP 1731584、JP 2005/347160的，雙極性基質(zhì)材料，例如根據(jù)WO 2007/137725的，硅烷，例如根據(jù)WO 2005/111172的，氮雜硼雜環(huán)戊二烯或硼酸酯，例如根據(jù)WO 2006/117052的，三嗪衍生物，例如根據(jù)WO 2010/015306、WO 2007/063754或WO 2008/056746的，鋅絡(luò)合物，例如根據(jù)EP 652273或WO 2009/062578的，二氮雜硅雜環(huán)戊二烯或四氮雜硅雜環(huán)戊二烯衍生物，例如根據(jù)WO 2010/054729的，二氮雜磷雜環(huán)戊二烯衍生物，例如根據(jù)WO 2010/054730的，橋連咔唑衍生物，例如根據(jù)US 2009/0136779、WO 2010/050778、WO 2011/042107、WO 2011/088877的或根據(jù)未公開申請EP 11003232.3的，三亞苯衍生物，例如根據(jù)WO 2012/048781的，或內(nèi)酰胺，例如根據(jù)WO 2011/116865或WO 2011/137951的。相比于實(shí)際發(fā)光體以較短波長發(fā)光的另一種磷光發(fā)光體同樣可作為共主體存在于混合物中。
優(yōu)選的共主體材料是三芳基胺衍生物，特別是單胺、內(nèi)酰胺、咔唑衍生物和茚并咔唑衍生物。
合適的磷光化合物(＝三重態(tài)發(fā)光體)特別是如下的化合物，其在適當(dāng)激發(fā)時發(fā)光，優(yōu)選在可見區(qū)發(fā)光，并且另外含有至少一種原子序數(shù)大于20、優(yōu)選大于38且小于84、特別優(yōu)選大于56且小于80的原子，特別是具有這種原子序數(shù)的金屬。使用的磷光發(fā)光體優(yōu)選是含有銅、鉬、鎢、錸、釕、鋨、銠、銥、鈀、鉑、銀、金或銪的化合物，特別是含有銥或鉑的化合物。為了本發(fā)明的目的，所有的含有上述金屬的發(fā)光化合物都被認(rèn)為是磷光化合物。
申請WO 00/70655、WO 2001/41512、WO 2002/02714、WO 2002/15645、EP 1191613、EP 1191612、EP 1191614、WO 05/033244、WO 05/019373、US 2005/0258742、WO 2009/146770、WO 2010/015307、WO 2010/031485、WO 2010/054731、WO 2010/054728、WO 2010/086089、WO 2010/099852、WO 2010/102709、WO 2011/032626、WO 2011/066898、WO 2011/157339、WO 2012/007086、WO 2014/008982、WO 2014/023377、WO 2014/094962、WO 2014/094961或WO 2014/094960公開了上述發(fā)光體的實(shí)例。一般說來，根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)用于磷光OLED的和在有機(jī)電致發(fā)光領(lǐng)域的普通技術(shù)人員所知的所有磷光絡(luò)合物都是合適的，并且本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將能夠在未付出創(chuàng)造性勞動的情況下使用其它的磷光絡(luò)合物。
在本發(fā)明的另一個實(shí)施方式中，根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光器件不包含單獨(dú)的空穴注入層和/或空穴傳輸層和/或空穴阻擋層和/或電子傳輸層，即所述發(fā)光層與空穴注入層或陽極直接相鄰，和/或所述發(fā)光層與電子傳輸層或電子注入層或陰極直接相鄰，如在例如WO 2005/053051中所述的。此外可以使用與發(fā)光層中的金屬絡(luò)合物相同或相似的金屬絡(luò)合物作為與所述發(fā)光層直接相鄰的空穴傳輸或空穴注入材料，如在例如WO 2009/030981中所述的。
此外可在空穴阻擋或電子傳輸層中使用根據(jù)本發(fā)明的化合物。這特別適用于不具有咔唑結(jié)構(gòu)的根據(jù)本發(fā)明的化合物。這些也可優(yōu)選被一個或多個另外的電子傳輸基團(tuán)、例如苯并咪唑基團(tuán)取代。
在根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光器件的其它層中，可使用如根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)通常使用的所有材料。因此本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將能夠在未付出創(chuàng)造性勞動的情況下使用已知用于有機(jī)電致發(fā)光器件的所有材料以及式(1)或根據(jù)優(yōu)選實(shí)施方式的化合物。
此外優(yōu)選的是如下的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于借助于升華方法涂布一個或多個層，其中在真空升華裝置中，在小于10-5毫巴、優(yōu)選小于10-6毫巴的初始壓力下氣相沉積所述材料。然而，所述初始壓力也可以更低或更高，例如小于10-7毫巴。
同樣優(yōu)選的是如下的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于通過OVPD(有機(jī)氣相沉積)方法或借助于載氣升華來施加一個或多個層，其中在10-5毫巴至1巴的壓力下施加所述材料。這種方法的特別例子是OVJP(有機(jī)蒸氣噴印)方法，其中所述材料通過噴嘴直接施加并且因此是結(jié)構(gòu)化的(例如M.S.Arnold等,Appl.Phys.Lett.(應(yīng)用物理快報)2008,92,053301)。
此外優(yōu)選的是如下的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于從溶液中例如通過旋涂，或借助于任何希望的印刷方法例如噴墨印刷、LITI(光引發(fā)熱成像，熱轉(zhuǎn)印)、絲網(wǎng)印刷、柔性版印刷、平版印刷或噴嘴印刷，來產(chǎn)生一個或多個層。對于這種目的，例如通過合適的取代獲得的可溶性化合物是必要的。
此外可行的是雜合方法，其中，例如，從溶液中涂布一個或多個層并且通過氣相沉積涂布一個或多個其它的層。因此，例如可從溶液中涂布發(fā)光層并且通過氣相沉積涂布電子傳輸層。
這些方法是本領(lǐng)域普通技術(shù)人員通常已知的并且可以由他在未付出創(chuàng)造性勞動的情況下應(yīng)用于包含根據(jù)本發(fā)明的化合物的有機(jī)電致發(fā)光器件。
根據(jù)本發(fā)明的化合物通常在用于有機(jī)電致發(fā)光器件中時具有非常好的特性。特別是，根據(jù)本發(fā)明的化合物在有機(jī)電致發(fā)光器件中的使用壽命相比于根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的類似化合物顯著更好。有機(jī)電致發(fā)光器件的其它特性，特別是效率和電壓，同樣更好或至少相當(dāng)。此外，所述化合物具有高的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度和高的熱穩(wěn)定性。
現(xiàn)在將通過以下實(shí)施例更詳細(xì)地解釋本發(fā)明，而不希望由此對其進(jìn)行限制。
實(shí)施例
除非另外說明，否則在保護(hù)氣體氣氛下在干燥溶劑中進(jìn)行以下合成。溶劑和試劑可以購自例如Sigma-ALDRICH或ABCR。相應(yīng)的CAS編號在每種情況下也由從文獻(xiàn)已知的化合物示出。
a)6-溴-2-氟-2'-甲氧基聯(lián)苯
將200g(664mmol)的1-溴-3-氟-2-碘苯、101g(664mmol)的2-甲氧基苯基硼酸和137.5g(997mmol)的四硼酸鈉溶解在1000ml THF和600ml水中并脫氣。添加9.3g(13.3mmol)的雙(三苯基膦)氯化鈀(II)和1g(20mmol)的氫氧化肼。隨后在保護(hù)氣體氣氛下在70℃下攪拌反應(yīng)混合物48小時。將冷卻的溶液用甲苯補(bǔ)充，用水洗滌多次，干燥并蒸發(fā)。通過硅膠柱色譜法利用甲苯/庚烷(1:2)純化產(chǎn)物。產(chǎn)率：155g(553mmol)，理論值的83％。
類似地制備以下化合物：
b)6'-溴-2'-氟聯(lián)苯-2-醇
將112g(418mmol)的6-溴-2-氟-2'-甲氧基聯(lián)苯溶解在2l二氯甲烷中并冷卻至5℃。經(jīng)90分鐘過程向該溶液中逐滴添加41.01ml(431mmol)的三溴化硼，并且持續(xù)攪拌過夜。隨后向混合物中緩慢添加水，并且將有機(jī)相用水洗滌三次，經(jīng)Na2SO4干燥，在旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)儀中蒸發(fā)并通過色譜法純化。產(chǎn)率：104g(397mmol)，理論值的98％。
類似地制備以下化合物：
c)1-溴二苯并呋喃
將111g(416mmol)的6'-溴-2'-氟聯(lián)苯-2-醇溶解在2l的DMF(最多0.003％的H2O)中并冷卻至5℃。將20g(449mmol)的氫化鈉(于石蠟油中的60％懸浮液)按份添加至該溶液中，并且在添加完成后將混合物再攪拌20分鐘，然后在100℃下加熱45分鐘。在冷卻后，隨后將500ml乙醇緩慢添加至混合物中，然后在旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)儀中蒸發(fā)至干燥，然后通過色譜法純化。產(chǎn)率：90g(367mmol)，理論值的88.5％。
類似地制備以下化合物：
d)二苯并呋喃-1-硼酸
將180g(728mmol)的1-溴二苯并呋喃溶解在1500ml干燥THF中并冷卻至-78℃。在該溫度下經(jīng)約5分鐘過程添加305ml(764mmol/2.5M，于己烷中)的正丁基鋰并且隨后在-78℃下持續(xù)攪拌2.5小時。然后在該溫度下盡可能迅速地添加151g(1456mmol)的硼酸三甲酯，并且使反應(yīng)混合物緩慢地達(dá)到室溫(約18小時)。將反應(yīng)溶液用水洗滌，并且將沉淀的固體和有機(jī)相與甲苯共沸干燥。將粗產(chǎn)物通過在約40℃下與甲苯/二氯甲烷一起攪拌來洗滌并抽吸過濾。產(chǎn)率：146g(690mmol)，理論值的95％。
類似地制備以下化合物：
e)2-氯-4-二苯并呋喃-1-基-6-苯基-1,3,5-三嗪
將37.8g(153.0mmol)的二苯并呋喃-1-硼酸、34.6g(153.0mmol)的2,4-二氯-6-苯基-1,3,5-三嗪和17g(168.0mmol)的碳酸鈉懸浮在120ml甲苯、300ml二烷和300ml水中。將1.7g(1.5mmol)的四(三苯基膦)鈀(0)添加至該懸浮液中，并且將反應(yīng)混合物在回流下加熱16小時。在冷卻后，分離出有機(jī)相，通過硅膠過濾，用200ml水洗滌三次并且隨后蒸發(fā)至干燥。使殘余物從甲苯中和從二氯甲烷/庚烷中重結(jié)晶。產(chǎn)率為46g(131mmol)，對應(yīng)于理論值的86％。
類似地制備以下化合物：
f)10-(4-二苯并呋喃-1-基-6-苯基-1,3,5-三嗪-2-基)-12,12-二甲基-10,12-二氫-10-氮雜茚并[2,1-b]芴
在保護(hù)氣體氣氛下將8g(28.2mmol)的12,12-二甲基-10,12-二氫-10-氮雜茚并[2,1-b]芴溶解在225ml二甲基甲酰胺中，并且添加1.5g的NaH(60％于礦物油中)(37.5mmol)。在室溫下1小時后，逐滴添加11.3g(31.75mmol)的2-氯-4-二苯并呋喃-1-基-6-苯基-1,3,5-三嗪于75ml二甲基甲酰胺中的溶液。將反應(yīng)混合物在室溫下攪拌12小時，然后倒在冰上并用二氯甲烷萃取三次。將合并的有機(jī)相經(jīng)Na2SO4干燥并蒸發(fā)。將殘余物用熱甲苯萃取并從氯苯中重結(jié)晶(HPLC純度>99.9％)并在真空中升華。產(chǎn)率為15.2g(25mmol)，對應(yīng)于理論值的80％。
類似地制備以下化合物：
g)10-[3-(4-二苯并呋喃-1-基-6-苯基-1,3,5-三嗪-2-基)苯基]-12,12-二甲基-10,12-二氫-10-氮雜茚并[2,1-b]芴
將56g(140mmol)的B-[3-[7,7-二甲基茚并[2,1-b]咔唑-5[7H]-基)苯基]硼酸、49g(140mmol)的2-氯-4-二苯并呋喃-1-基-6-苯基-1,3,5-三嗪和78.9ml(158mmol)的Na2CO3(2M水溶液)懸浮在120ml甲苯、120ml乙醇和100ml水中。向該懸浮液中添加2.6g(2.2mmol)的Pd(PPh3)4，并且將反應(yīng)混合物在回流下加熱16小時。在冷卻后，分離出有機(jī)相，通過硅膠過濾，用200ml水洗滌三次并蒸發(fā)至干燥。使殘余物從甲苯中重結(jié)晶。將殘余物用熱甲苯萃取，從氯苯中重結(jié)晶(HPLC純度>99.9％)并在真空中升華。產(chǎn)率為82g(120mmol)，對應(yīng)于理論值的87％。
類似地制備以下化合物：
h)聯(lián)苯-4-基-(9,9-二甲基-9H-芴-2-基)胺
最初在950ml甲苯中引入24.0g(142mmol，1.2當(dāng)量)的4-氨基聯(lián)苯(CAS 92-67-1)和32.0g(117mmol，1.0當(dāng)量)的2-溴-9,9'-二甲基芴(CAS 28320-31-2)并用氬氣飽和30分鐘。隨后添加1.0g(1.8mmol，0.02當(dāng)量)的1,1'-雙(二苯基膦基)二茂鐵(CAS 12150-46-8)、350mg(1.6mmol，0.01當(dāng)量)的乙酸鈀(II)(CAS 3375-31-3)和29g(300mmol，2.6當(dāng)量)的叔丁醇鈉(CAS 865-48-5)，并且將混合物在回流下加熱過夜。當(dāng)反應(yīng)完成時，將批料用300ml甲苯稀釋并用水萃取。有機(jī)相經(jīng)硫酸鈉干燥，并且在旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)儀中除去溶劑。將50ml乙酸乙酯添加至棕色油中，并且將混合物添加至庚烷/乙酸乙酯20:1的混合物中。利用抽吸過濾出所形成的固體并用庚烷洗滌。干燥得到29g(80mmol，69％)的產(chǎn)物，具有99.1％的HPLC純度。
可以類似地獲得以下化合物：
j)雙聯(lián)苯-4-基-(4-二苯并呋喃-1-基-6-苯基-1,3,5-三嗪-2-基)胺
將經(jīng)過脫氣的49g(140mmol)的2-氯-4-二苯并呋喃-1-基-6-苯基-1,3,5-三嗪和43g(140mmol)的雙聯(lián)苯-4-基胺于600ml甲苯中的溶液用N2飽和1小時。然后，向溶液中首先添加2.09ml(8.6mmol)的P(tBu)3，然后添加1.38g(6.1mmol)的乙酸鈀(II)，并且隨后添加17.7g(185mmol)的呈固態(tài)的NaOtBu。將反應(yīng)混合物在回流下加熱1小時。在冷卻至室溫后，小心地添加500ml水。將水相用3×50ml的甲苯洗滌，經(jīng)MgSO4干燥，并且在真空中除去溶劑。然后通過硅膠色譜法利用庚烷/乙酸乙酯(20:1)純化粗產(chǎn)物。使殘余物從甲苯中重結(jié)晶并且最后在高真空(p＝5×10-6毫巴)中升華。產(chǎn)率為60g(94mmol)，對應(yīng)于理論值的69％。
可以類似地獲得以下化合物：
可以與程序(g)類似地獲得以下化合物：
k)10-[3-(4-二苯并呋喃-1-基-6-苯基-1,3,5-三嗪-2-基)苯基]-12,12-二甲基-10,12-二氫-10-氮雜茚并[2,1-b]芴
將15.5g(43.3mmol)的2-氯-4-二苯并呋喃-1-基-6-苯基-1,3,5-三嗪和19.3g(48mmol)的3-(12,12-二甲基-12H-10-氮雜茚并[2,1-b]芴-10-基)硼酸溶解在80ml甲苯中并脫氣。添加281ml的經(jīng)過脫氣的2M K2CO3水溶液和2.5g(2.2mmol)的Pd(OAc)2。隨后在保護(hù)氣體氣氛下在80℃下攪拌反應(yīng)混合物48小時。將冷卻的溶液用甲苯補(bǔ)充，用水洗滌多次，干燥并蒸發(fā)。通過硅膠柱色譜法利用甲苯/庚烷(1:2)純化產(chǎn)物并且最后在高真空(p＝5×10-7毫巴)中升華。純度為99.9％。產(chǎn)率：25.4g(37mmol)，理論值的78％。
可以類似地獲得以下化合物：
OLED的制造
各種OLED的數(shù)據(jù)呈現(xiàn)于以下實(shí)施例V1至E21中(參見表1和表2)。
實(shí)施例V1-E21的預(yù)處理：為改進(jìn)處理，向涂覆有厚度為50nm的結(jié)構(gòu)化ITO(氧化銦錫)的玻璃板涂以20nm的PEDOT:PSS(聚(3,4-亞乙基二氧噻吩)聚(苯乙烯磺酸鹽)，作為CLEVIOSTMP VP AI 4083購自德國賀利氏貴金屬有限公司(Heraeus Precious Metals GmbH)，通過旋涂從水溶液中施加)。這些涂覆玻璃板形成施加OLED的基底。
所述OLED原則上具有以下層結(jié)構(gòu)：基底/空穴傳輸層(HTL)/任選的中間層(IL)/電子阻擋層(EBL)/發(fā)光層(EML)/任選的空穴阻擋層(HBL)/電子傳輸層(ETL)/任選的電子注入層(EIL)和最后的陰極。所述陰極由厚度為100nm的鋁陰極形成。所述OLED的確切結(jié)構(gòu)示于表1中。所述OLED的制造所需的材料示于表3中。
通過在真空室中進(jìn)行熱氣相沉積來施加所有材料。此處的發(fā)光層總是由至少一種基質(zhì)材料(主體材料)和發(fā)光摻雜劑(發(fā)光體)構(gòu)成，通過共蒸發(fā)使所述發(fā)光摻雜劑與所述一種或多種基質(zhì)材料以特定的體積比例混合。此處例如IC1:IC3:TEG1(55％:35％:10％)的表述是指，材料IC1以55％的體積比例存在于該層中，IC3以35％的比例存在于該層中，而TEG1以10％的比例存在于該層中。類似地，所述電子傳輸層也可由兩種材料的混合物構(gòu)成。
通過標(biāo)準(zhǔn)方法表征所述OLED。為了該目的，確定電致發(fā)光光譜、電流效率(以cd/A計量)、功率效率(以lm/W計量)和外量子效率(EQE，以百分比計量)，其作為發(fā)光密度的函數(shù)從呈現(xiàn)郎伯輻射特征的電流/電壓/發(fā)光密度特性線(IUL特性線)進(jìn)行計算，以及確定壽命。在1000cd/m2的發(fā)光密度下測定電致發(fā)光光譜，并且從其計算CIE 1931x和y顏色坐標(biāo)。表2中的表述U1000表示1000cd/m2的發(fā)光密度所需的電壓。CE1000和PE1000表示在1000cd/m2下達(dá)到的電流和功率效率。最后，EQE1000表示在1000cd/m2的工作發(fā)光密度下的外量子效率。壽命LT被定義為在恒定電流下工作時發(fā)光密度從初始發(fā)光密度降至特定比例L1后的時間。表2中的表述L0；j0＝4000cd/m2和L1＝70％是指在LT欄中指示的壽命對應(yīng)于初始發(fā)光密度從4000cd/m2降至2800cd/m2后的時間。類似地，L0；j0＝20mA/cm2，L1＝80％是指在20mA/cm2下工作時的發(fā)光密度在時間LT后降至其初始值的80％。
各種OLED的數(shù)據(jù)概述于表2中。實(shí)施例V1-V4是根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的OLED比較例，實(shí)施例E1-E21示出根據(jù)本發(fā)明的OLED的數(shù)據(jù)。
下文更詳細(xì)地解釋一些實(shí)施例以說明根據(jù)本發(fā)明的化合物的優(yōu)點(diǎn)。
根據(jù)本發(fā)明的混合物在磷光OLED的發(fā)光層中的用途
在用作磷光OLED中的基質(zhì)材料時，根據(jù)本發(fā)明的材料相比于現(xiàn)有技術(shù)在組件的壽命方面產(chǎn)生顯著改進(jìn)。根據(jù)本發(fā)明的化合物EG1至EG5與發(fā)綠光摻雜劑TEG1組合使用能夠觀測到壽命相比于現(xiàn)有技術(shù)增加約20％至40％(實(shí)施例V1與E1、E2和V2與E3以及V3與E4和V4與E5的比較)。
表1：OLED的結(jié)構(gòu)
表2：OLED的數(shù)據(jù)
表3：用于OLED的材料的結(jié)構(gòu)式