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一致取向的片狀FeSiAl粉體顆粒復(fù)合材料制備方法

文檔序號(hào):3601233閱讀:326來源:國(guó)知局
一致取向的片狀FeSiAl粉體顆粒復(fù)合材料制備方法
【專利摘要】一致取向的片狀FeSiAl粉體顆粒復(fù)合材料制備方法,屬于電磁波吸收劑領(lǐng)域,本發(fā)明包括下述步驟:1)將容積為a毫升的羥基丙烯酸樹脂與b毫升的二甲苯按a/b=1/2的比例混合均勻,得到混合溶液;2)取重量為x克的FeSiAl粉末和c毫升的混合溶液,混合溶液與FeSiAl粉末的比例關(guān)系為c/x=120/1;3)將FeSiAl粉末倒入混合溶劑中,超聲分散,攪拌,分散均勻后過濾;4)取出復(fù)合材料沉積薄片,對(duì)薄片加壓使薄片平整致密,得到片狀FeSiAl復(fù)合材料。本發(fā)明操作和工藝流程簡(jiǎn)單無污染,無廢料,材料可循環(huán)使用,制得成品取向效果好。
【專利說明】—致取向的片狀FeSiAI粉體顆粒復(fù)合材料制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于電磁波吸收劑領(lǐng)域,具體涉及一種采用沉降方式制備取向片狀FeSiAl的方法,該薄片可以廣泛用于電磁波吸收材料。
【背景技術(shù)】
[0002]吸波材料指能吸收、衰減入射的電磁波,并將其電磁能轉(zhuǎn)換成熱能消耗掉或者使電磁波因干擾而相消的一類功能材料。一般由基體材料或者粘結(jié)劑與吸收介質(zhì)復(fù)合而成。
[0003]取向是指物體中結(jié)構(gòu)單元在空間的非無規(guī)指向。研究表明取向分布的的吸波材料具有更高的磁導(dǎo)率和更低的介電常數(shù)。在基體中一致取向的鐵磁片狀顆粒復(fù)合材料,憑借復(fù)合材料優(yōu)異的電磁性能,在吸收層厚度,阻抗匹配特性,以及高吸收率等方面有了明顯的改善。
[0004]在微波吸收領(lǐng)域,各國(guó)針對(duì)吸收劑粉體在基體中的取向和空間位置分布對(duì)等效電磁參數(shù)的影響這一課題展開了大量的研究工作,研究表明吸收劑在基體中的取向及分布與材料的電磁性能關(guān)系密切。目前采取用應(yīng)力使顆粒達(dá)到一致取向的手段已經(jīng)比較成熟,但是壓力取向會(huì)導(dǎo)致內(nèi)應(yīng)力的產(chǎn)生。外加磁場(chǎng)由于技術(shù)和條件的限制,實(shí)現(xiàn)較為困難。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是,提供一種片狀顆粒取向優(yōu)良的片狀FeSiAl復(fù)合材料制備方法。
[0006]本發(fā)明解決所述技術(shù)問題采用的技術(shù)方案是:
[0007]片狀FeSiAl復(fù)合材料制備方法,其特征在于,包括下述步驟:
[0008]I)將容積為a毫升的羥基丙烯酸樹脂與b毫升的二甲苯按a/b = 1/2的比例混合均勻,得到混合溶液;
[0009]2)取重量為X克的FeSiAl粉末和c毫升的混合溶液,混合溶液與FeSiAl粉末的比例關(guān)系為c/x = 120/1 ;
[0010]3)將FeSiAl粉末倒入混合溶劑中,超聲分散,攪拌,分散均勻后過濾;
[0011]4)取出復(fù)合材料沉積薄片,對(duì)薄片加壓使薄片平整致密,得到片狀FeSiAl復(fù)合材料。
[0012]進(jìn)一步的,步驟4)中,調(diào)整過濾器材使FeSiAl粉末的質(zhì)量與薄片面積的比例關(guān)系為每13cm2的粉末質(zhì)量為0.5g。
[0013]步驟3)中,過濾完成后,通風(fēng)條件下靜置24小時(shí)。
[0014]本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn):操作和工藝流程簡(jiǎn)單無污染,無廢料,材料可循環(huán)使用,制得成品取向效果好。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0015]圖1:實(shí)施例1制備的取向FeSiAl顆粒復(fù)合薄片與非取向樣品的光學(xué)顯微鏡照片;其中a為取向后,b為非取向。
[0016]圖2:實(shí)施例1制備的取向FeSiAl顆粒復(fù)合薄片與非取向樣品的掃描電鏡照片;其中a為取向后,b為非取向。
[0017]圖3:實(shí)施例1制備的取向FeSiAl顆粒復(fù)合薄片的微波磁導(dǎo)率測(cè)試圖譜與非取向樣品測(cè)試圖譜對(duì)比;左圖a為取向前后磁導(dǎo)率實(shí)部,右圖b為取向前后磁導(dǎo)率虛部。
[0018]圖4:實(shí)施例2制備的取向FeSiAl顆粒復(fù)合薄片的微波磁導(dǎo)率測(cè)試圖譜與非取向樣品測(cè)試圖譜對(duì)比;左圖a為取向前后磁導(dǎo)率實(shí)部,右圖b為取向前后磁導(dǎo)率虛部。
[0019]圖5:實(shí)施例3制備的取向FeSiAl顆粒復(fù)合薄片的微波磁導(dǎo)率測(cè)試圖譜與非取向樣品測(cè)試圖譜對(duì)比;左圖a為取向前后磁導(dǎo)率實(shí)部,右圖b為取向前后磁導(dǎo)率虛部。
【具體實(shí)施方式】
[0020]實(shí)施例1:參見圖1~3。
[0021]本實(shí)施例包括下述步驟:
[0022]1、在燒杯中將20ml羥基丙烯酸樹脂與40ml 二甲苯混合,攪拌均勻。
[0023]2、稱取 0.5g 的 FeSiAl 粉末 [0024]3、將濾紙平鋪于底面積約13平方厘米的G3石英漏斗底部,并把石英漏斗端正的固定于細(xì)口瓶瓶口。
[0025]4、將FeSiAl粉末倒入混合溶劑中,通過超聲分散同時(shí)攪拌I分鐘,分散均勻后倒入G3石英漏斗中。靜置I小時(shí)。
[0026]5、待FeSiAl粉末沉積于濾紙上,通風(fēng)靜至24小時(shí)取出濾紙并將復(fù)合材料薄片從濾紙上揭下,通過兩塊平整的金屬板對(duì)薄片加壓使薄片平整致密。
[0027]由圖3可知,0.5Ghz處磁導(dǎo)率取向后實(shí)部由6.935提升到7.341 ;虛部由3.465提升到4.832。
[0028]實(shí)施例2:
[0029]本實(shí)施例包括下述步驟:
[0030]1、在燒杯中將15ml羥基丙烯酸樹脂與30ml 二甲苯混合,攪拌均勻。
[0031]2、稱取 0.37g 的 FeSiAl 粉末
[0032]3、將濾紙平鋪于底面積約9.6平方厘米G3石英漏斗底部,并把石英漏斗端正的固定于細(xì)口瓶瓶口。
[0033]4、將FeSiAl粉末倒入混合溶劑中,通過超聲分散同時(shí)攪拌I分鐘,分散均勻后倒入G3石英漏斗中。靜置I小時(shí)。
[0034]5、待FeSiAl粉末沉積于濾紙上,通風(fēng)靜至24小時(shí)取出濾紙并將復(fù)合材料薄片從濾紙上揭下,通過兩塊平整的金屬板對(duì)薄片加壓使薄片平整致密。
[0035]見圖4,本實(shí)施例的0.5Ghz處磁導(dǎo)率取向后實(shí)部由7.913提升到8.838 ;虛部由
2.876 提升到 5.533。
[0036]實(shí)施例3:
[0037]本實(shí)施例包括下述步驟:
[0038]1、在燒杯中將30ml羥基丙烯酸樹脂與60ml 二甲苯混合,攪拌均勻。
[0039]2、稱取 0.77g 的 FeSiAl 粉末[0040]3、將濾紙平鋪于底面積約20平方厘米G3石英漏斗底部,并把石英漏斗端正的固定于細(xì)口瓶瓶口。
[0041]4、將FeSiAl粉末倒入混合溶劑中,通過超聲分散同時(shí)攪拌I分鐘,分散均勻后倒入G3石英漏斗中。靜置I小時(shí)。
[0042]5、待FeSiAl粉末沉積于濾紙上,通風(fēng)靜至24小時(shí)取出濾紙并將復(fù)合材料薄片從濾紙上揭下,通過兩塊平整的金屬板對(duì)薄片加壓使薄片平整致密。
[0043]見圖5,0.5Ghz處磁導(dǎo)率取向后實(shí)部由6.714提升到8.841 ;虛部由3.212提升到10.536。
【權(quán)利要求】
1.一致取向的片狀FeSiAl粉體顆粒復(fù)合材料制備方法,其特征在于,包括下述步驟: 1)將容積為a毫升的羥基丙烯酸樹脂與b毫升的二甲苯按a/b= 1/2的比例混合均勻,得到混合溶液; 2)取重量為X克的FeSiAl粉末和c毫升的混合溶液,混合溶液與FeSiAl粉末的比例關(guān)系為 c/x = 120/1 ; 3)將FeSiAl粉末倒入混合溶劑中,超聲分散,攪拌,分散均勻后過濾; 4)取出復(fù)合材料沉積薄片,對(duì)薄片加壓使薄片平整致密,得到片狀FeSiAl復(fù)合材料。
2.如權(quán)利要求1所述的一致取向的片狀FeSiAl粉體顆粒復(fù)合材料制備方法,其特征在于,步驟4)中,調(diào)整過濾器材使FeSiAl粉末的質(zhì)量與薄片面積的比例關(guān)系為每13cm2的粉末質(zhì)量為0.5g。
3.如權(quán)利要求1所述的一致取向的片狀FeSiAl粉體顆粒復(fù)合材料制備方法,其特征在于,步驟3)中,過濾 完成后,通風(fēng)條件下靜置24小時(shí)。
【文檔編號(hào)】C08K3/34GK104004307SQ201410171894
【公開日】2014年8月27日 申請(qǐng)日期:2014年4月25日 優(yōu)先權(quán)日:2014年4月25日
【發(fā)明者】王昕 , 羅小嘉, 周佩珩, 謝建良, 鄧龍江 申請(qǐng)人:電子科技大學(xué)
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