具有高量子效率和穩(wěn)定性的在基質中分散納米顆粒的新材料和方法
【專利摘要】本發(fā)明提供生產具有嵌入的發(fā)光納米顆粒的固態(tài)聚合物的方法，包括(1)混合外表面覆蓋有包含第一種官能團和第二種官能團的覆蓋分子的發(fā)光納米顆粒和固態(tài)聚合物的前體，和(2)允許形成固態(tài)聚合物；其中第一種官能團配置來結合至量子點的外表面，和第二種官能團可與固態(tài)聚合物前體混溶和/或能夠與固態(tài)聚合物前體反應。本發(fā)明還提供發(fā)光聚合物制品，包含在聚合物制品中嵌入發(fā)光納米顆粒的固態(tài)聚合物，所述納米顆粒外表面覆蓋有包含第一種官能團和第二種官能團的覆蓋分子。
【專利說明】具有高量子效率和穩(wěn)定性的在基質中分散納米顆粒的新材 料和方法

【技術領域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種生產在聚合物中嵌入發(fā)光納米顆粒的固態(tài)聚合物的方法，由此獲 得的聚合制品，以及包含這種聚合物或聚合制品的照明設備。
[0002] 發(fā)明背景 納米顆粒，例如量子點（QD)用于照明應用的用途在本領域中是已知的。例如， US20110240960描述發(fā)光設備，包含發(fā)光源，設置在發(fā)光源上方的第一量子點波長轉換器， 其中分散嵌入第一量子點的第一分散介質，以及將嵌入第一量子點的分散介質的全部外表 面整體密封的第一密封劑（first sealer )，所述第一量子點波長轉換器包含多個用于通過 從發(fā)光源轉換光波長產生波長轉換光的第一量子點。
[0003] 施加第一包封劑用于包封第一量子點波長轉換器的全部外表面。此外，第二量子 點波長轉換器設置在第一量子點波長轉換器上方，第二量子點波長轉換器包含多個用于通 過從發(fā)光源轉換光波長產生波長轉換光的第二量子點，其中分散嵌入第二量子點的第二分 散介質，以及用于整體密封嵌入第二量子點的第二分散介質的全部外表面的第二密封劑， 其中第一量子點波長轉換器，第二量子點波長轉換器以及發(fā)光源彼此以間隔開。第二包封 劑設置在第二量子點波長轉換器的全部外表面上，用于包封第二量子點波長轉換器的全部 外表面。此外，發(fā)光源為發(fā)光二極管或激光二極管。


【發(fā)明內容】

[0004] 納米顆粒，例如量子點（QD)，已經(jīng)被顯示在照明應用中是高度有意義的。它們可以 例如在將藍光轉換為其他顏色中用作無機熒光體（phosphor)，并且具有發(fā)射帶較窄的優(yōu)點 以及顏色可由QD尺寸調諧，能夠獲得高質量純白光的優(yōu)點。
[0005] 迄今，在許多類型的聚合物中嵌入納米顆?？雌饋韺е录{米顆粒聚集。報告的覆 蓋（capping)分子具有相當?shù)偷墓饣瘜W穩(wěn)定性，并且該覆蓋分子在空氣中通常是敏感的。
[0006] 因此，本發(fā)明的一個方面是提供替代的納米顆粒-聚合物體系，特別是聚合物量 子點體系。特別地，本發(fā)明的一個方面是提供生產這種具有嵌入的納米顆粒的聚合物的替 代方法。此外，本發(fā)明的一個方面是提供其中嵌入納米顆粒的替代聚合物制品。此外，另一 個方面是提供包含具有嵌入的QD的聚合物的替代照明設備。優(yōu)選，該替代方法和/或替代 聚合物制品和/或替代照明設備至少部分避免一個或多個上述（以及下述）現(xiàn)有技術解決 方案的缺點。
[0007] 其中，在此建議使用高Tg，例如至少120°C，更特別地至少150°C，再更特別地至少 200°C和光化學穩(wěn)定的聚合物，例如含有機硅聚合物，作為具有高穩(wěn)定性的基質材料。含硅 聚合物，例如PDMS和Silres (有機硅樹脂）可以具有比現(xiàn)有技術解決方案高的多的熱穩(wěn) 定性和/或透光度。但是具有常規(guī)表面覆蓋分子的QD在有機硅中不分散并且顯示聚集，導 致驟冷（quenching)。因此，將納米顆粒混合進入此類聚合物，特別是含硅聚合物中仍是難 題。納米顆粒和聚合物之間的相分離導致QD聚結，并顯著降低納米顆粒/聚合物混合物的 量子效率（quantum yields)和透光度。
[0008] 在此，為了在有機硅中獲得良好分散的QD層，建議使用可以將其附著于QD表面的 覆蓋分子或配體。已經(jīng)研發(fā)一組新的基質相容的，例如有機硅相容的覆蓋分子。這些覆蓋 分子可以輕易覆蓋在QD上，使得其形成均勻的QD /有機硅聚合物復合材料（通過簡單的 配體交換方法）。這些覆蓋分子由兩部分組成；一部分與QD晶體表面上的暴露原子結合， 另一部分與（例如有機硅）基質具有相容性。通過納米顆粒的表面改性，納米顆?？梢暂p 易地混合進入含聚合物，例如PDMS和Silres的（有機硅）基質中，而沒有相分離。新的基 質可以形成高度透明的薄膜。該膜具有高熱穩(wěn)定性并且可以用作新的光轉換熒光體。通過 選擇匹配的PDMS / Silres和納米顆粒的表面覆蓋分子，可以將大多數(shù)普通納米顆粒均勻 地混合進入任何規(guī)定的PDMS / Silres基質中。形成的納米顆粒/娃基質薄膜具有高透光 度和可與純無機基質中的納米顆粒相當?shù)姆€(wěn)定性。與（在實驗室中）已經(jīng)試驗過的其它納 米顆粒-聚合物基質相比，納米顆粒/硅聚合物復合材料具有壓倒性優(yōu)勢。
[0009] 因此，在第一個方面，本發(fā)明提供一種生產聚合物中嵌入納米顆粒，特別是發(fā)光納 米顆粒的固態(tài)聚合物（制品）的方法，該方法包含以下工藝元素： (1) 使（i)外表面覆蓋有包含第一種官能團和第二種官能團的覆蓋分子的納米顆粒， 特別是發(fā)光納米顆粒，和（ii)固態(tài)聚合物的前體（在此也稱為"聚合物前體"）混合，和 (2) 允許形成固態(tài)聚合物，由此產生具有嵌入的納米顆粒的固態(tài)聚合物； 其中第一種官能團配置來結合至量子點的外表面，其中第二種官能團具有一種或多種 選自（a)可與固態(tài)聚合物前體混溶和（b)能夠與固態(tài)聚合物前體反應的作用。
[0010] 特別地，納米顆粒為發(fā)光納米顆粒，其可以特別配置來在被UV和/或藍光激發(fā)時 提供至少部分可見光譜部分形式的發(fā)光。因此，這些顆粒在此也稱為發(fā)光納米顆粒。
[0011] 可由此類方法獲得的這種聚合物可以用作聚合物制品或用于聚合物制品中，并且 看起來顯示具有高量子效率和穩(wěn)定性的發(fā)光。此外，聚合物可以是相對溫度和/或光化學 穩(wěn)定的，特別是當應用有機硅基聚合物（以及覆蓋分子）時。此外，利用該方法，可以以相 對均勻的方式將納米顆粒分散在聚合物中，沒有顯著的聚結缺點。
[0012] 因此，在另一個方面，本發(fā)明還提供一種可由本發(fā)明方法獲得的固態(tài)聚合物或聚 合物制品。特別地，本發(fā)明還提供一種（發(fā)光）聚合物制品，其包含在聚合物制品中嵌入 (發(fā)光）納米顆粒的固態(tài)聚合物，所述納米顆粒外表面覆蓋有包含第一種官能團和第二種 官能團的覆蓋分子。
[0013] 因為這些發(fā)光材料可以很好地應用于照明設備中，所以本發(fā)明在另一個方面提供 照明設備，其包含（i)配置來產生光源光的光源和（ii)配置來將至少部分光源光轉換成為 轉換器光的光轉換器，其中光轉換器包含可根據(jù)在此定義的方法獲得的固態(tài)聚合物或者在 此定義的聚合物制品。
[0014] 發(fā)光納米顆?？梢岳绨x自 CdS，CdSe，CdTe，ZnS，ZnSe，ZnTe，HgS，HgSe， HgTe, CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe, HgZnTe, CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS，CdHgSeTe，CdHgSTe，HgZnSeS，HgZnSeTe 和 HgZnSTe 的 II-VI 族化合物半導體納 米顆粒。在另一個實施方案中，發(fā)光納米顆?？梢岳鐬檫x自GaN，GaP，GaAs，A1N，A1P， AlAs, InN, InP, InAs, GaNP, GaNAs, GaPAs, A1NP, AlNAs, AlPAs, InNP, InNAs, InPAs, GaAlNP, GaAlNAs，GaAlPAs，GaInNP，GaInNAs，GaInPAs，InAlNP，InAlNAs 和 InAlPAs 的 III-V 族化合 物半導體納米顆粒。在另一個實施方案中，發(fā)光納米顆粒可以例如為選自CuInS2，CuInSe2， CuGaS2，CuGaSe2, AgInS2, AgInSe2, AgGaS2 和 AgGaSe2 的 I-III-VI2 黃銅礦型半導體納米顆 粒。在再另一個實施方案中，發(fā)光納米顆?？梢岳鐬槔邕x自 的I-V-VI2半導體納米顆粒。在另一個實施方案中，發(fā)光納米顆?？梢岳鐬槔鏢bTe的 IV-VI族化合物半導體納米晶體。在一個特殊實施方案中，發(fā)光納米顆粒選自InP，CuInS2， CuInSe2, CdTe，CdSe，CdSeTe，AgInS2和AgInSe2。在另一個實施方案中，發(fā)光納米顆?？梢?例如為選自例如ZnSe:Mn，ZnS:Mn的具有內部摻雜劑的上述材料的II-VI，III-V，I-III-V 和IV-VI族化合物半導體納米晶體的一種。摻雜劑元素可以選自Mn，Ag，Zn，Eu，S，P，Cu， Ce，Tb，Au，Pb，Tb，Sb，Sn和T1。在此，發(fā)光納米顆?；l(fā)光材料也可以包含不同類型的QD， 例如 CdSe 和 ZnSe:Mn。
[0015] 看起來特別有利的是使用II-VI納米顆粒。因此，在一個實施方案中，半導體基發(fā) 光納米顆粒包含Π -VI納米顆粒，特別是選自CdS，CdSe，CdTe，ZnS，ZnSe，ZnTe，HgS，HgSe， HgTe, CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe, HgZnTe, CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS，CdHgSeTe，CdHgSTe，HgZnSeS，HgZnSeTe，和 HgZnSTe，更特別選自 CdS，CdSe，CdSe/ CdS和 CdSe/CdS/ZnS。
[0016] 發(fā)光納米顆粒（沒有覆蓋層）可以具有約2-50 nm，例如2-20 nm，特別是2-10 nm， 更特別是2-5 nm的尺寸；特別是至少90%的納米顆粒分別具有所示范圍內的尺寸（即例如 至少90%的納米顆粒具有2-50 nm的尺寸，或特別是至少90%的納米顆粒具有2-5 nm的尺 寸）。典型的量子點由二元合金，例如硒化鎘，硫化鎘，砷化銦和磷化銦構成。但是，量子點 也可以由三元合金，例如硫化硒鎘構成。這些量子點可以在10至50個原子直徑的量子點 體積內含有少至1〇〇到1〇〇, 〇〇〇個原子。這相當于約2到10納米。例如，可以提供直徑為 約3 nm的球狀顆粒，例如CdSe，InP，CuInSe2。發(fā)光納米顆粒（沒有覆蓋層）可以具有球 形、立方體、棒狀、線狀、盤狀、多莢狀（multi-pods)等形狀，具有在一個維度中小于10 nm 的尺寸。例如，可以提供長度為20 nm和直徑為4 nm的CdSe的納米棒。因此，在一個實施 方案中，半導體基發(fā)光納米顆粒包含核-殼納米顆粒。在另一個實施方案中，半導體基發(fā)光 納米顆粒包含棒包點（dots-in-rods)納米顆粒。也可以應用不同類型的顆粒的組合。例 如，可以應用核-殼顆粒和棒包點和/或可以應用兩種或更多種上述納米顆粒的組合，例如 CdS 和 CdSe。
[0017] 因此，上述外表面可以為裸露的量子點的表面，或為覆蓋的量子點，例如核-殼量 子點的表面，即外殼的（外）表面。
[0018] 在此，術語"固態(tài)聚合物"用來表示本發(fā)明方法的聚合物最終產品不是液態(tài)或溶解 的聚合物，而是例如顆粒、膜、片等有形產品（在室溫（和大氣壓）下）。因此，在一個實施 方案中，聚合物制品選自涂層，自支撐層，和片（該聚合物制品因此在室溫下，特別是甚至 高達100°C，特別是甚至高達150°C，特別是甚至高達200°C下為固體）。
[0019] 特別地，聚合物制品透射波長為380-750 nm的光。例如，聚合物制品可以透射藍 光，和/或綠光，和/或紅光。特別地，聚合物制品透射至少420-680 nm的整個范圍。特別 地，聚合物制品對于由照明設備（同樣參見以下）的光源產生并具有選自可見光波長范圍 的波長的光具有50-100%，特別是70-100%的透光性。以這種方式，該制品透射來自照明設 備的可見光。透光度或透光性可以通過如下測定：向材料提供第一強度下的特定波長的光， 和使透射通過該材料之后測量的該波長下的光強度與到達該材料時以該特定波長提供的 光的第一強度關聯(lián)（也參見 CRC Handbook of Chemistry and Physics 的 E-208 和 E-406， 第69版，1088-1989)。聚合物制品可以是透明或半透明的，但是尤其可以是透明的。
[0020] 本發(fā)明的方法至少包含兩個方法元素，其通常將是連續(xù)實施的，第一個方法元素 先于第二個方法元素。明確提及兩個方法元素的事實并不排除存在一個或多個其它方法元 素，該一個或多個其它方法元素可以包括在第一個方法元素之前，和/或第一個和第二個 方法元素之間，和/或第二個方法元素之后的方法中。例如，本發(fā)明的方法也可以包括用本 發(fā)明中定義的覆蓋分子交換量子納米顆粒上存在的覆蓋分子。
[0021] 第一個方法元素包括使覆蓋的納米顆粒和固態(tài)聚合物前體混合。通常，這可以在 納米顆粒和聚合物前體兩者的溶劑存在下得到促進或優(yōu)化。在此，溶劑被認為是在室溫下 至少0. 1克/升的待溶解物質可以溶于溶劑中時的溶劑。溶劑可以為任何常用的，優(yōu)選非 極性的溶劑，優(yōu)選沸點低于120°C。例如，溶劑可以為甲苯，苯，己燒，環(huán)己烷等。溶劑可以為 極性溶劑。例如，溶劑可以為氯仿，丙酮，丙酮腈（acetone nitrile),乙酸乙酯，石油醚等。 可以用傳統(tǒng)方法進行混合。任選，可以加熱該混合物。
[0022] 在一個實施方案中，聚合物前體可以包含聚合物的單體，該單體在聚合時能夠形 成聚合物。但是，在另一個實施方案中，該聚合物前體為溶于溶劑中的聚合物。在前者實施 方案中，由于聚合，納米顆粒嵌入由此形成的聚合物中。在后者實施方案中，例如通過溶劑 蒸發(fā)或本領域中已知的其它技術將溶解的聚合物從溶液中回收。聚合物（再次）形成，納 米顆粒因此嵌入由此（再次）形成的聚合物中。后者實施方案可以類似于聚合物的結晶技 術。
[0023] 聚合物可以為例如可通過逐步生長聚合，鏈增長聚合，自由基聚合，催化聚合等獲 得的任何種類的聚合物。因此，短語"使固態(tài)聚合物形成"可以例如表示向混合物中添加聚 合引發(fā)劑和/或提供光和/或加熱，以引發(fā)聚合等。該聚合物可以為均聚物，共聚物，例如 交替共聚物，周期共聚物（periodic copolymer)，統(tǒng)計共聚物，嵌段共聚物，接枝共聚物，或 三聚物等。特別地，該聚合物前體為選自聚硅氧烷，聚苯乙烯和聚丙烯酸酯，特別是聚硅氧 烷的（固態(tài)）聚合物的前體。
[0024] 如上所指出的，第一種官能團配置來結合至量子點的外表面，第二種官能團具有 一種或多種選自（a)可與固態(tài)聚合物前體混溶和（b)能夠與固態(tài)聚合物前體反應的作用。 由于這種至少雙重作用，覆蓋分子能夠結合至量子點，但是覆蓋分子也能夠至少部分集成 進入聚合物中（在固態(tài)聚合物形成期間）。以這樣的方式，可以在沒有聚集的基礎上將納米 顆粒良好分散在聚合物中。在現(xiàn)有技術中，不可避免的發(fā)生聚集。特別是，第二種官能團至 少具有可與固態(tài)聚合物前體混溶的作用。任選，配體也可以與固態(tài)聚合物前體（和/或與 第二個方法元素中的形成中的固態(tài)聚合物）反應。當反應時，例如可以獲得共聚物或接枝 共聚物。
[0025] 因此，在一個實施方案中，固態(tài)聚合物前體包含聚合時能夠形成聚合物的單體，和 在另一個實施方案中，固態(tài)聚合物前體包含聚合物；其中第一個方法元素包括（1)使（i)外 表面覆蓋有包含第一種官能團和第二種官能團的覆蓋分子的納米顆粒，（ii)固態(tài)聚合物的 前體，和（iii)固態(tài)聚合物前體的溶劑混合。
[0026] 因此，在一個實施方案中，第一種官能團可以包含用作配位中心的金屬離子，例如 Zn (特別是Zn2+)，Ni (特別是Ni2+)，In (例如In3+)，Cd (例如Cd2+)，Cu (例如Cu+或優(yōu) 選Cu2+)，其能夠與納米顆粒表面上的陰離子-例如S，Se，P-配位/連接。因此，（第一種 覆蓋分子的；也參見以下）第一種官能團可以包含具有配位官能團的金屬離子。
[0027] 在另一個實施方案中，第一種官能團可以包含有機基團，例如胺，酸，硫醇，其能夠 與納米顆粒表面上的陽離子-例如Cd，Zn，In, Cu，Mg, Ag等-配位/連接。
[0028] 因此，具有覆蓋分子的覆蓋層可以被認為是由于覆蓋分子與納米顆粒外表面配位 的事實。其可以為裸露的納米顆粒的外表面或納米顆粒的覆蓋層（這里是無機的，通常還 是半導體的）的外表面。覆蓋分子因此可以連接至外表面。
[0029] 第二種官能團優(yōu)選至少包含聚合物（前體）單體，但是也可以應用可與聚合物 (前體）混溶的其它體系。這可以取決于混溶性。術語可混溶在本領域中是已知的，但是 可以任選定義為在室溫（和大氣壓）下，至少〇. 1克的具有覆蓋分子的納米顆?？苫烊苡?1 kg的聚合物前體和任選的溶劑中，聚合物前體和（具有覆蓋分子）的納米顆粒之間沒有 相分離。任選，在一個實施方案中，可混溶也可以定義為量子點的覆蓋分子含有前體聚合物 的單體單元。
[0030] 在一個實施方案中，短語"含有聚合物前體的單體"和類似短語可以表示配體或覆 蓋分子包含一種單體，該種單體也用于或用作構成聚合物或固態(tài)聚合物嵌段的單體。在一 個實施方案中，短語"含有聚合物前體的單體"和類似短語也表示配體或覆蓋分子包含一種 單體，該種單體類似于也用于或用作構成聚合物或固態(tài)聚合物嵌段單體的單體。在一個實 施方案中，短語"含有聚合物前體的單體"和類似短語進一步表示配體或覆蓋分子包含一種 基團，該基團與也用于或用作構成聚合物或固態(tài)聚合物嵌段單體的單體相同。例如，用于 (或已經(jīng)用于）形成聚合物的單體可以含有側鏈，其與配體的第二種官能團類似或相同。一 些非限制實例如下：

【權利要求】
1. 生產在聚合物中嵌入發(fā)光納米顆粒的固態(tài)聚合物的方法，該方法包含以下步驟： (1) 混合（i)外表面覆蓋有包含第一種官能團和第二種官能團的覆蓋分子的發(fā)光納 米顆粒，和（ii)固態(tài)聚合物的前體，和 (2) 使形成固態(tài)聚合物，由此產生具有嵌入的納米顆粒的固態(tài)聚合物； 其中第一種官能團配置成結合至量子點的外表面，其中第二種官能團具有一種或多種 選自（a)可與所述固態(tài)聚合物的前體混溶和（b)能夠與所述固態(tài)聚合物的前體反應的功 能。
2. 根據(jù)權利要求1的方法，其中覆蓋分子包含兩種覆蓋分子，其中第一種覆蓋分子的 第一種官能團包含具有配位官能團的金屬離子，和其中第二種覆蓋分子的第一種官能團具 有路易斯喊官能團。
3. 根據(jù)權利要求2的方法，其中第一種覆蓋分子的第二種官能團和第二種覆蓋分子的 第二種官能團相同。
4. 根據(jù)權利要求1-3任一項的方法，其中所述固態(tài)聚合物的前體包含聚合時能夠形成 聚合物的單體。
5. 根據(jù)權利要求1-3任一項的方法，其中所述固態(tài)聚合物的前體包含聚合物，和其中 第一個方法元素包括（1)混合（i)外表面覆蓋有包含第一種官能團和第二種官能團的覆蓋 分子的納米顆粒，（ii)固態(tài)聚合物前體，和（iii)固態(tài)聚合物前體的溶劑。
6. 根據(jù)在前權利要求任一項的方法，其中第二種官能團選自硅氧烷，苯乙烯和丙烯酸 酯，和其中固態(tài)聚合物包含分別選自聚硅氧烷、聚苯乙烯和聚丙烯酸酯的聚合物。
7. 根據(jù)在前權利要求任一項的方法，其中所述納米顆粒選自CdS，CdSe，CdTe，ZnS， ZnSe, ZnTe, HgS, HgSe, HgTe, CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe, HgZnTe, CdZnSeS, CdZnSeTe，CdZnSTe，CdHgSeS，CdHgSeTe，CdHgSTe，HgZnSeS，HgZnSeTe 和 HgZnSTe。
8. 發(fā)光聚合物制品，其包含在聚合物制品中嵌入發(fā)光納米顆粒的固態(tài)聚合物，所述納 米顆粒外表面覆蓋有包含第一種官能團和第二種官能團的覆蓋分子。
9. 根據(jù)權利要求8的聚合物制品，其中至少部分所述覆蓋分子的至少部分第二種官能 團與固態(tài)聚合物的聚合物鏈交織。
10. 根據(jù)權利要求8-9任一項的聚合物制品，其中至少部分所述覆蓋分子的第二種官 能團屬于固態(tài)聚合物的聚合物鏈的一部分。
11. 根據(jù)權利要求8-10任一項的聚合物制品，其中所述覆蓋分子包含兩種覆蓋分子， 其中第一種覆蓋分子的第一種官能團包含具有配位官能團的金屬離子，和其中第二種覆蓋 分子的第一種官能團具有路易斯堿官能團，和其中第一種覆蓋分子對第二種覆蓋分子的摩 爾比率為0. 8-1. 2。
12. 根據(jù)在前權利要求8-11任一項的聚合物制品，其中第二種官能團選自硅氧烷，苯 乙烯和丙烯酸酯，和其中固態(tài)聚合物包含分別選自聚硅氧烷、聚苯乙烯和聚丙烯酸酯的聚 合物。
13. 根據(jù)權利要求8-12任一項的聚合物制品，其中所述納米顆粒選自CdS，CdSe，CdTe， ZnS, ZnSe, ZnTe, HgS, HgSe, HgTe, CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe, HgZnTe, CdZnSeS，CdZnSeTe，CdZnSTe，CdHgSeS，CdHgSeTe，CdHgSTe，HgZnSeS，HgZnSeTe，和 HgZnSTe， 和其中聚合物制品選自覆蓋層、自支支撐層和片，和其中聚合物制品透射波長為380-750 nm的光。
14. 照明設備（5)，其包含（i)配置來產生光源光（21)的光源（20)，（ii)配置來將至 少部分光源光轉換成為轉換器光（41)的光轉換器（40)，其中該光轉換器包含可根據(jù)權利 要求1-7任一項的方法獲得的固態(tài)聚合物或者根據(jù)權利要求8-13任一項的聚合物制品。
15. 發(fā)光材料（30)，其包含多個納米顆粒（100)，其中所述納米顆粒（100)包含 量子點顆粒（10)，該量子點顆粒包含覆蓋有覆蓋分子的外表面，其中該覆蓋分子包 含-[-Si(R) 2-〇-]n，n = 1-20,其中R選自甲基和苯基。
【文檔編號】C08J3/00GK104105739SQ201380006483
【公開日】2014年10月15日 申請日期:2013年1月25日 優(yōu)先權日:2012年2月3日
【發(fā)明者】S.許, R.A.M.希克梅特 申請人:皇家飛利浦有限公司