專(zhuān)利名稱(chēng)：一種超支化改性分子印跡聚合物及其應(yīng)用的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及分子印跡技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種超支化改性分子印跡聚合物，還涉及所述超支化改性分子印跡聚合物在微流控芯片中的應(yīng)用。
背景技術(shù)：
微流控芯片技術(shù)是指采用微細(xì)加工技術(shù)，在一塊幾平方厘米的芯片上制作出微通道網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)和其他功能單元，并將進(jìn)樣、預(yù)處理、生物與化學(xué)反應(yīng)、分離和檢測(cè)等基本操作集成在芯片上進(jìn)行的一門(mén)新技術(shù)。它充分體現(xiàn)了 21世紀(jì)分析設(shè)備微型化、集成化和便攜化的發(fā)展趨勢(shì)，并已成為生物、化學(xué)等諸多學(xué)科的研究熱點(diǎn)和發(fā)展前沿，廣泛應(yīng)用于氨基酸、DNA及其限制片段、聚合酶反應(yīng)、免疫分析、單細(xì)胞分離等領(lǐng)域。超支化聚合物具有其獨(dú)特的支化分子結(jié)構(gòu)，分子之間無(wú)纏結(jié)，并且含有大量的末 端官能團(tuán)，因此表現(xiàn)出高溶解度、低粘度、高的化學(xué)反應(yīng)活性等許多線(xiàn)型聚合物所不具有的特殊性能，在表面改性和共混改性聚合物、涂料領(lǐng)域、藥物載體方面等有極好的應(yīng)用。分子印跡技術(shù)是指制備對(duì)某一特定分子具有特異性選擇的聚合物的過(guò)程。模板分子與聚合物單體接觸時(shí)會(huì)形成多重作用點(diǎn)，通過(guò)聚合過(guò)程這種作用會(huì)被記錄下來(lái)，當(dāng)模板分子去除后，聚合物中就行成了與模板分子空間構(gòu)型匹配的具有多重作用點(diǎn)的空穴，這樣的空穴將對(duì)模板分子及其類(lèi)似物具有極好的選擇識(shí)別性?，F(xiàn)有技術(shù)中，單純使用分子印跡聚合物改性芯片不能完全拆分手性氨基酸，并且分子印跡聚合物與微流控芯片微通道內(nèi)壁的接枝也是個(gè)難題。

發(fā)明內(nèi)容
為了解決以上單純使用分子印跡聚合物改性芯片不能完全拆分手性氨基酸，并且分子印跡聚合物與微流控芯片微通道內(nèi)壁的接枝的難題，本發(fā)明提供了一種與微流控芯片微通道內(nèi)壁易接枝的超支化改性分子印跡聚合物。本發(fā)明還提供了所述的超支化改性分子印跡聚合物在微流控芯片中的應(yīng)用。一種超支化改性分子印跡聚合物，是由模板分子、功能單體、交聯(lián)劑、引發(fā)劑、催化劑和端羥基超支化聚合物組成。所述的超支化改性分子印跡聚合物，所述改性超支化聚合物為經(jīng)丙烯酸改性的超支化聚胺酯。所述的超支化改性分子印跡聚合物，所述的端羥基超支化聚胺酯是通過(guò)以下步驟得到的
由以下步驟制備而成
(1)取等摩爾的二乙醇胺和丙烯酸甲酯，加入甲醇，混合均勻后加入反應(yīng)器中，升溫至35 °C保持4 h，得到N，N-二羥乙基-3-胺基丙酸甲酯；
(2)將N，N-二羥乙基-3-胺基丙酸甲酯、對(duì)甲苯磺酸和三羥甲基丙烷加入反應(yīng)器中，通氮?dú)猓瑪嚢枞芙?，升溫?5 °C，攪拌24 h，
當(dāng)三羥甲基丙烷與N，N- 二羥乙基-3-胺基丙酸甲酯的摩爾比為I :9時(shí)，得到G2代端羥基超支化聚胺酯聚合物；當(dāng)三羥甲基丙烷與N，N- ニ羥こ基-3-胺基丙酸甲酯的摩爾比為I :21時(shí)，得到G3代端羥基超支化聚胺酯聚合物；
(3)將合成的超支化聚胺-酯聚合物(G2，G3)與過(guò)量丙烯酸加入有攪拌和冷凝回流的反應(yīng)容器內(nèi)，加入對(duì)苯ニ酚，適量對(duì)甲苯磺酸鈉做催化劑，85-90°C反應(yīng)3h，將產(chǎn)物用大量去離子水沖洗至中性，真空干燥得到最終丙烯酸改性的超支化聚胺酷。所述的超支化改性分子印跡聚合物，原料配比為模板分子功能単體交聯(lián)劑弓丨發(fā)劑=1 mmol: 4 mmol: 16mmol: 2mmol,端輕基超支化聚合物Ig,催化劑占總質(zhì)量的千分之 --O所述的模板分子為L(zhǎng)-色氨酸，所述的功能單體為甲基丙烯酸，所述的交聯(lián)劑為ニ甲基丙烯酸こニ醇酯，所述的引發(fā)劑為偶氮ニ異丁臆。所述的超支化改性分子印跡聚合物，是通過(guò)以下步驟得到的
將模板分子、功能単體、交聯(lián)劑、引發(fā)劑和丙烯酸改性超支化聚合物使用超聲波溶解于こ腈中，得改性溶液。所述的超支化改性分子印跡聚合物在微流控芯片中的應(yīng)用，包括以下步驟
(1)將PDMS微流控芯片在氧氣氛中氧化；
(2)將PDMS微流控芯片的微通道使用Y-環(huán)氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷改性；
(3)將所述的改性溶液注入PDMS微流控芯片的微通道內(nèi)，60°C水浴中反應(yīng)4h，即得。PDMS微流控芯片在氧氣氛中氧化步驟為在容器中加入NaOH水溶液和H2O2水溶液，將制作好的微流控芯片放入容器中，固定在液面以上氧化。所述的應(yīng)用，Y-環(huán)氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷配制成質(zhì)量分?jǐn)?shù)為5%的甲醇溶液。所述的應(yīng)用，NaOH水溶液的濃度為lmol/L，H2O2水溶液的質(zhì)量濃度為30%，NaOH水溶液與H2O2水溶液的體積比為1:4。本專(zhuān)利中使用的硅烷偶聯(lián)劑Y-環(huán)氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷是ー種具有特殊結(jié)構(gòu)的有機(jī)硅化合物。在其分子中同時(shí)具有能和無(wú)機(jī)質(zhì)材料(如玻璃、硅砂、金屬等)化學(xué)結(jié)合的反應(yīng)基團(tuán)及與有機(jī)質(zhì)材料(合成樹(shù)脂等)化學(xué)結(jié)合的反應(yīng)基團(tuán)。其中的Si-OCH3可以與經(jīng)氧氣氛處理過(guò)的PDMS表面的硅羥基反應(yīng)，環(huán)氧基可以與改性超支化聚合物中的羥基反應(yīng)。改性超支化聚胺酯中的雙鍵在聚合形成分子印跡聚合物，以達(dá)到將分子印跡聚合物鍵合到在芯片內(nèi)壁的效果。本發(fā)明的有益效果將端羥基超支化聚合物應(yīng)用于改性分子印跡聚合物可以提高分子印跡聚合物對(duì)模板分子的吸附能力，解決單純使用分子印跡聚合物改性芯片不能完全拆分手性氨基酸的問(wèn)題，也可以解決分子印跡聚合物與PDMS微流控芯片微通道內(nèi)壁接枝的問(wèn)題。


圖I G2、G3代端羥基超支化聚胺酯分子紅外光譜圖，
圖2傳統(tǒng)分子印跡聚合物改性PDMS微通道SEM照片，
圖3 G2代超支化分子印跡聚合物改性PDMS微通道SEM照片，
圖4 G3代超支化分子印跡聚合物改性PDMS微通道SEM照片，
圖5未經(jīng)改性的微流控芯片分離D-色氨酸與L-色氨酸分離圖，圖6經(jīng)傳統(tǒng)分子印跡聚合物改性的微流控芯片分離D-色氨酸與L-色氨酸分離圖，其中I為D-色氨酸,2為L(zhǎng)-色氨酸，
圖7經(jīng)G2代超支化型分子印跡聚合物改性的微流控芯片分離D-色氨酸與L-色氨酸分離圖，其中I為D-色氨酸，2為L(zhǎng)-色氨酸，
圖8經(jīng)G3代超支化型分子印跡聚合物改性的微流控芯片分離D-色氨酸與L-色氨酸分離圖，其中I為D-色氨酸，2為L(zhǎng)-色氨酸。
具體實(shí)施例方式實(shí)施例I超支化改性分子印跡聚合物改性溶液
L-色氨酸甲基丙烯酸二甲基丙烯酸乙二醇酯偶氮二異丁腈=1 mmol:4 mmol: 16mmol:2mmol,丙烯酸改性超支化聚合物Ig,再加入占總質(zhì)量千分之二的催化劑三氟化硼乙基醚，溶于IOml乙腈，超聲波除氣震蕩4小時(shí)后，制得改性基礎(chǔ)溶液。本實(shí)施例只是以模板分子L-色氨酸為例，也可以為其他模板分子，具體以想要分離的原料不同而不同，超支化改性分子印跡聚合物并不僅僅限于這一種模板分子的。超支化改性分子印跡聚合物中使用的功能單體、交聯(lián)劑、引發(fā)劑和催化劑，可以是分子印跡聚合物領(lǐng)域常用的功能單體、交聯(lián)劑、引發(fā)劑和催化劑，并不僅僅限于上述實(shí)施例I中列舉到的這幾種。在本具體實(shí)施方式
中，具體以模板分子為L(zhǎng)-色氨酸為例說(shuō)明超支化聚合物在分子印跡聚合物領(lǐng)域中的應(yīng)用，但并不僅僅限于模板分子為L(zhǎng)-色氨酸。本實(shí)施例中所使用的超支化聚合物為丙烯酸改性的超支化聚胺酯。丙烯酸改性的超支化聚胺酯的制備方法為現(xiàn)有技術(shù)，如采用以下制備方法得到的丙烯酸修飾的G2超支化聚胺酯或丙烯酸修飾的G3超支化聚胺酯
(I)制備G2代端羥基超支化聚胺酯聚合物
向250 mL三口瓶中通氮?dú)饧s10 min后，加入0. 2mol 二乙醇胺和IOml甲醇，混合物在室溫和持續(xù)的氮?dú)獗Ｗo(hù)下，磁力攪拌直至二乙醇胺完全溶解。緩慢滴加0.2 mol丙烯酸甲酯，待滴加完成后，水浴升溫至40°C，保持4h，然后減壓蒸餾去除甲醇，得到N，N- 二羥乙基-3-胺基丙酸甲酯一種無(wú)色透明油狀液體。向250 mL四口瓶中加入0.045 mol N，N-二羥乙基_3_胺基丙酸甲酯、0. 045 g對(duì)甲苯磺酸和0.005 mol三羥甲基丙烷，通氮?dú)?0 min，攪拌待溶解后升溫至85 °C保持不變，攪拌反應(yīng)24 h，再蒸餾除去反應(yīng)中的甲醇和未反應(yīng)的小分子化合物，即得G2代端羥基超支化聚胺-酯聚合物。其中，三羥甲基丙烷和N，N- 二羥乙基-3-胺基丙酸甲酯的摩爾比為 I :9。(2)制備G3代端羥基超支化聚胺酯聚合物
向250 mL四口瓶中加入0.1 mol實(shí)施例I合成的N，N-二羥乙基-3-胺基丙酸甲酯、0.0986 g對(duì)甲苯磺酸和0.004761 mol三羥甲基丙烷，通氮?dú)?0 min，攪拌待溶解后升溫至85 1保持不變，攪拌反應(yīng)24 h，再蒸餾除去反應(yīng)中的甲醇和未反應(yīng)的小分子化合物，即得G3代端羥基超支化聚胺-酯聚合物。其中，三羥甲基丙烷和N，N- 二羥乙基-3-胺基丙酸甲 酯的摩爾比為I :21，
將上述得到的G2代、G3代端羥基超支化聚胺酯聚合物進(jìn)行IR表征，IR譜圖如圖I所示，超支化聚合物在3400cm-l處左右都有明顯的羥基吸收峰，表明所合成的超支化聚合物
中含有大量羥基。(3)制備丙烯酸改性的G2超支化聚胺酯
取5g G2超支化聚胺-酷與20ml丙烯酸加入帶有攪拌及冷凝分水裝置的三ロ燒瓶中，加入0.2g對(duì)苯ニ酚，適量對(duì)甲苯磺酸，在9(T95°C下反應(yīng)3h后，自然冷卻。加入大量去離子水，靜止lh，體系分層，去除上層清液。用大量去離子水沖洗底部產(chǎn)物，直至洗滌液為中性為止。將產(chǎn)物低溫真空干燥后，得到棕褐色粘稠油狀液體，此產(chǎn)物即為丙烯酸改性的超支化聚胺酷。(4)制備丙烯酸改性的G3超支化聚胺酯 將實(shí)施例3中的G2代端羥基超支化聚胺-酯聚合物替換為G3代端羥基代超支化聚胺-酯聚合物，即得到丙烯酸改性的超支化聚胺酷。 實(shí)施例2超支化改性分子印跡聚合物在PDMS微流控芯片中的應(yīng)用
(I)制備PDMS微流控芯片基片
用CAD軟件設(shè)計(jì)ー個(gè)具有三個(gè)液池的雙“T”型微流控芯片通道，進(jìn)樣寬度設(shè)計(jì)為寬度為50 μ m ;分離通道設(shè)計(jì)寬度為50 μ m,長(zhǎng)度4cm ;末端部連接通道設(shè)計(jì)寬度為200微米，長(zhǎng)度1cm。按照CAD圖紙的設(shè)計(jì)，通過(guò)紫外曝光是SU-8膠固化，在硅片上制備陽(yáng)模。PDMS預(yù)聚物和引發(fā)劑按質(zhì)量比10 1的比例混合，真空脫氣，將混合物澆鑄在模具上，70°C固化lh，剝離模具得到含有與設(shè)計(jì)圖樣相同微通道的PDMS微流控芯片基片。(2) PDMS 芯片改性
①將PDMS微流控芯片基片在氧氣氛中氧化；
②將PDMS微流控芯片基片的微通道使用Y-環(huán)氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷改性；
③將所述的改性溶液注入PDMS微流控芯片基片的微通道內(nèi)，60°C水浴中反應(yīng)4h，即得。上述步驟①可為如下具體操作在250 mL試劑瓶中加入10 mL I mo I/L的NaOH和40mL (30%) H202，混合均勻，反應(yīng)產(chǎn)生的氧氣立即充滿(mǎn)瓶子。將潔凈干燥的PDMS芯片置入瓶中液面以上固定，加蓋并在蓋上設(shè)一單向放氣閥門(mén)，然后避光保存，3d后取出與另ー干潔平整的PDMS蓋片封接，得到完成的PDMS微流控芯片。上述步驟②可為如下具體操作將質(zhì)量分?jǐn)?shù)5% Y-環(huán)氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷甲醇溶液在氮?dú)獾膲亥伦⑷胛⑼ǖ纼?nèi)，放入110°c的烘箱反應(yīng)40min后，用二次水反復(fù)沖洗微通道后用氮?dú)獯蹈?，得到硅烷偶?lián)劑接枝改性的PDMS微流控芯片。分別使用實(shí)施例I中得到的丙烯酸改性的G2超支化聚胺酯和丙烯酸改性的G3超支化聚胺酯制備得到超支化改性分子印跡聚合物，并將其分別使用在PDMS微流控芯片中。測(cè)試?yán)齀
將上述實(shí)例2得到丙烯酸改性的G2超支化聚胺酯超支化分子印跡聚合物(以下簡(jiǎn)稱(chēng)G2超支化分子印跡聚合物)改性PDMS微流控芯片和丙烯酸改性的G3超支化聚胺酯超支化分子印跡聚合物(以下簡(jiǎn)稱(chēng)G3超支化分子印跡聚合物)改性TOMS微流控芯片進(jìn)行接觸角和SEM表征。未經(jīng)改性的PDMS的表面接觸角為108°，是高度疏水的，G2超支化分子印跡聚合物改性PDMS芯片的接觸角轉(zhuǎn)為90°，G3超支化分子印跡聚合物改性PDMS芯片的接觸角為84°。隨著超支化聚胺-酯代數(shù)的增加，接觸角越來(lái)越小，親水性越來(lái)越好，這是因?yàn)殡S著超支化聚胺-酯代數(shù)的增加，其分子末端羥基的數(shù)量也不斷的增加，所以改性用的超支化聚胺-酯代數(shù)越大，改性后的PDMS微流控芯片親水性越好。G2超支化分子印跡聚合物改性PDMS芯片和G3超支化分子印跡聚合物改性PDMS的表面形貌SEM進(jìn)行表征。圖2是未經(jīng)改性分子印跡聚合物PDMS表面的SEM照片，圖3是G2超支化分子印跡聚合物改性PDMS芯片表面的SEM照片，圖4是G3超支化分子印跡聚合物改性PDMS芯片表面的SEM照片。圖2中分子印跡微球直徑較大，結(jié)構(gòu)松散。圖3、圖4中分子印跡微球半徑變小，排布致密。測(cè)試?yán)?
將磷酸氫二鈉和磷酸二氫鈉用二次水分別配成的溶液按一定比例混合，再用0. Olmol/L的氫氧化鈉和磷酸溶液進(jìn)行精確調(diào)節(jié)pH為5的磷酸緩沖溶液,然后用0. 45 u m的微濾膜過(guò)濾,超聲脫氣IOmin,放入冰箱備用。
用二次去離子水將L-色氨酸和D-色氨酸配成0. 2mg/mL的溶液，然后用45Mm的微濾膜過(guò)濾，并用超聲波進(jìn)行脫氣處理lOmin，放入冰箱中備用。使用紫外檢測(cè)，分離電壓8kV，檢測(cè)波長(zhǎng)214nm。將上述實(shí)例2中得到的G2和G3超支化分子印跡聚合物改性PDMS芯片分別對(duì)色氨酸手形體進(jìn)行拆分。圖5為未經(jīng)改性的微流控芯片分離D-色氨酸與L-色氨酸分離圖，圖6為經(jīng)傳統(tǒng)分子印跡聚合物改性的微流控芯片分離D-色氨酸與L-色氨酸分離圖，圖7為經(jīng)G2代超支化型分子印跡聚合物改性的微流控芯片分離D-色氨酸與L-色氨酸分離圖，圖8為經(jīng)G2代超支化型分子印跡聚合物改性的微流控芯片分離D-色氨酸與L-色氨酸分離圖。從圖5、6、7、8中可以看出，使用超支化分子印跡聚合物改性的微流控芯片分離D-色氨酸與L-色氨酸比未經(jīng)改性的和使用普通分子印跡聚合物改性的微流控芯片的分離效果都好，其中G3超支化分子印跡聚合物改性的微流控芯片比G2超支化分子印跡聚合物改性的微流控芯片分離效果好。雖然上述實(shí)施例和檢測(cè)例中使用的超支化聚合物為丙烯酸改性的超支化聚胺酯，但并不僅僅限于此種丙烯酸改性的超支化聚胺酯，只要是其末端官能團(tuán)能夠與Y -環(huán)氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷偶聯(lián)劑能夠發(fā)生偶聯(lián)的超支化聚合物，均可使用在本發(fā)明的超支化分子聚合物中，只是限于篇幅的考慮，本說(shuō)明書(shū)不可能一一列舉。以上實(shí)施例是對(duì)本發(fā)明進(jìn)行的詳細(xì)的描述，其目的在于說(shuō)明本發(fā)明的構(gòu)思及特點(diǎn)，并不能以此限制本發(fā)明的保護(hù)范圍，凡根據(jù)本發(fā)明精神實(shí)質(zhì)所作的等效變化或修飾，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種超支化改性分子印跡聚合物，其特征是由模板分子、功能單體、交聯(lián)劑、引發(fā)劑、催化劑和端羥基超支化聚合物組成。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的超支化改性分子印跡聚合物，其特征是所述端羥基超支化聚合物為丙烯酸改性的超支化聚胺酯。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的超支化改性分子印跡聚合物，其特征是所述的丙烯酸改性的超支化聚胺酯是通過(guò)以下步驟得到的 (1)取等摩爾的二乙醇胺和丙烯酸甲酯，加入甲醇，混合均勻后加入反應(yīng)器中，升溫至35 °C保持4 h，得到N，N-二羥乙基-3-胺基丙酸甲酯； (2)將N，N-二羥乙基-3-胺基丙酸甲酯、對(duì)甲苯磺酸和三羥甲基丙烷加入反應(yīng)器中，通氮?dú)?，攪拌溶解，升溫?5 0C，攪拌24 h， 當(dāng)三羥甲基丙烷與N，N- 二羥乙基-3-胺基丙酸甲酯的摩爾比為I :9時(shí)，得到G2代端羥基超支化聚胺酯聚合物； 當(dāng)三羥甲基丙烷與N，N-二羥乙基-3-胺基丙酸甲酯的摩爾比為I :21時(shí)，得到G3代端羥基超支化聚胺酯聚合物； (3)將合成的端羥基超支化聚胺-酯聚合物與過(guò)量丙烯酸反應(yīng)，加入對(duì)苯二酚和對(duì)甲苯磺酸鈉，85-90°C反應(yīng)3h，得到丙烯酸改性的超支化聚胺酯。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的超支化改性分子印跡聚合物，其特征是原料配比為模板分子功能單體交聯(lián)劑引發(fā)劑=1 mmol:4 mmol: 16 mmol: 2mmol,端輕基超支化聚合物lg,催化劑占總質(zhì)量的千分之二，所述的模板分子為L(zhǎng)-色氨酸，所述的功能單體為甲基丙烯酸，所述的交聯(lián)劑為二甲基丙烯酸乙二醇酯，所述的引發(fā)劑為偶氮二異丁腈，所述的催化劑為三氟化硼乙基醚。
5.根據(jù)權(quán)利要求I或2或4所述的超支化改性分子印跡聚合物，其特征是通過(guò)以下步驟得到的 將模板分子、功能單體、交聯(lián)劑、引發(fā)劑溶于乙腈中，溶解，得改性基礎(chǔ)溶液，將超支化聚合物和催化劑加入，溶解。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的超支化改性分子印跡聚合物，其特征是模板分子、功能單體、交聯(lián)劑、引發(fā)劑溶于乙腈中，使用超聲波溶解。
7.—種權(quán)利要求1、2、3、4中任一項(xiàng)所述的超支化改性分子印跡聚合物在微流控芯片中的應(yīng)用，其特征是包括以下步驟 (1)將PDMS微流控芯片在氧氣氛中氧化； (2)將PDMS微流控芯片的微通道使用Y-環(huán)氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷改性； (3)將所述的超支化改性分子印跡聚合物注入PDMS微流控芯片的微通道內(nèi)，60°C水浴中反應(yīng)4h,即得。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的應(yīng)用，其特征是PDMS微流控芯片在氧氣氛中氧化步驟為在容器中加入NaOH水溶液和H2O2水溶液，將制作好的微流控芯片放入容器中，固定在液面以上氧化。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的應(yīng)用，其特征在于Y-環(huán)氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷配制成質(zhì)量分?jǐn)?shù)為5%的甲醇溶液。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的應(yīng)用，其特征在于NaOH水溶液的濃度為lmol/L，H2O2水溶液的質(zhì)量濃度為30%，NaOH水溶液與H2O2水溶液的體積比為1:4?！?br> 全文摘要
本發(fā)明涉及分子印跡技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種超支化改性分子印跡聚合物，包括模板分子、功能單體、交聯(lián)劑、引發(fā)劑、催化劑、超支化聚合物，、超支化聚合物為經(jīng)丙烯酸改性的超支化聚胺酯。超支化改性分子印跡聚合物在微流控芯片中的應(yīng)用將微流控芯片在氧氣氛中氧化；將微流控芯片的微通道使用γ-環(huán)氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷改性；將超支化改性分子印跡聚合物注入PDMS微流控芯片的微通道內(nèi)，60℃水浴中反應(yīng)4h。將超支化聚合物應(yīng)用于改性分子印跡聚合物可以提高分子印跡聚合物對(duì)模板分子的吸附能力，解決單純使用分子印跡聚合物改性芯片不能完全拆分手性氨基酸的問(wèn)題，也可以解決分子印跡聚合物與PDMS微流控芯片微通道內(nèi)壁接枝的問(wèn)題。
文檔編號(hào)C08F290/06GK102702447SQ20121021360
公開(kāi)日2012年10月3日 申請(qǐng)日期2012年6月27日 優(yōu)先權(quán)日2012年6月27日
發(fā)明者劉冰, 壽崇琦 申請(qǐng)人:濟(jì)南大學(xué)