專利名稱：成型體、其制造方法、電子設(shè)備用構(gòu)件和電子設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及成型體、其制造方法、包含該成型體的電子設(shè)備用構(gòu)件以及具備該電子設(shè)備用構(gòu)件的電子設(shè)備。
背景技術(shù)：
一直以來，塑料薄膜等高分子成型體由于價(jià)格低廉、加工性優(yōu)異，因此可以賦予所需的功能，在各種領(lǐng)域中應(yīng)用。例如對(duì)于食品、藥品的包裝用薄膜，為了抑制蛋白質(zhì)、油脂等的氧化、變質(zhì)，而保持味道、鮮度，可以使用防止水蒸氣、氧的透過的阻氣性的塑料薄膜。另外，近年來，對(duì)于液晶顯示器或電致發(fā)光(EL)顯示器等顯示器，為了實(shí)現(xiàn)薄型化、輕量化、撓性化等，人們對(duì)于使用透明塑料薄膜代替玻璃板來作為具有電極的基板進(jìn)行了研究。但是，塑料薄膜與玻璃板相比，存在容易透過水蒸氣或氧等，顯示器內(nèi)部的元件容 易劣化的問題。為解決該問題，專利文獻(xiàn)I中提出了在透明塑料薄膜上層疊由金屬氧化物構(gòu)成的透明阻氣層的撓性顯示器基板。但是，該文獻(xiàn)記載的撓性顯示器基板由于是在透明塑料薄膜表面上利用蒸鍍法、離子鍍敷法、濺射法等疊層了由金屬氧化物形成的透明阻氣層的基板，因此在將該基板卷起或彎折時(shí)，存在阻氣層產(chǎn)生裂紋，阻氣性降低的問題。另外，專利文獻(xiàn)2中公開了塑料薄膜、和在該塑料薄膜的至少一面上疊層以聚有機(jī)硅倍半氧烷為主成分的樹脂層而成的阻氣性疊層體。但是，為了得到氧、水蒸氣等的阻氣性，需要進(jìn)而疊層無機(jī)化合物層，從而存在エ序繁雜，花費(fèi)成本，或具有使用具有毒性的氣體的危險(xiǎn)性等的問題。專利文獻(xiàn)3公開了在薄膜的至少一面上形成聚硅氮烷膜，對(duì)該聚硅氮烷膜實(shí)施等離子體處理來制造阻氣性薄膜的方法。但是，在該方法中，存在如果不使阻氣層的厚度為微米級(jí)別，就不能得到充分的阻氣性能的問題?，F(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn) 專利文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)I :日本特開2000 — 338901號(hào)公報(bào) 專利文獻(xiàn)2 :日本特開2006 — 123307號(hào)公報(bào) 專利文獻(xiàn)3 :日本特開2007 — 237588號(hào)公報(bào)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)而作出的發(fā)明，其目的在于提供阻氣性、透明性和耐彎折性優(yōu)異的成型體、其制造方法、包含該成型體的電子設(shè)備用構(gòu)件、和具有該電子設(shè)備用構(gòu)件的電子設(shè)備。
本發(fā)明人等為解決上述課題進(jìn)行了深入地研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)通過在表面部具有含有聚硅氮烷化合物和粘土礦物的層的成型物的、上述含有聚硅氮烷化合物和粘土礦物的層中注入離子，可以簡(jiǎn)便且高效地制造目標(biāo)成型體，從而完成了本發(fā)明。這樣根據(jù)本發(fā)明的第I發(fā)明，提供了下述(I) (6)的成型體。(I)成型體，其特征在于，包含含有聚硅氮烷化合物和粘土礦物的層，且在40°C、相對(duì)濕度90%氣氛下的水蒸氣透過率為6. Og/m2/天以下。(2)如(I)所述的成型體，其特征在于，具有在含有聚硅氮烷化合物和粘土礦物的層中注入離子而得到的層。(3)如(2)所述的成型體，其特征在于，上述離子是將選自氫、氮、氧、氬、氦、氖、氙、氪、硅化合物和烴中的至少ー種的氣體進(jìn)行離子化而成的物質(zhì)。(4)如(2)或(3)所述的成型體，其特征在于，具有在上述含有聚硅氮烷化合物和粘土礦物的層中，通過等離子體離子注入將離子注入而得到的層。 (5)如(I)或(2)所述的成型體，其特征在于，上述聚硅氮烷化合物為全氫化聚硅氮烷。(6)如(I)或(2)所述的成型體，其特征在于，上述含有聚硅氮烷化合物和粘土礦物的層中的粘土礦物的含量，以聚硅氮烷化合物和粘土礦物的總量作為100質(zhì)量％計(jì)，為
O. 01質(zhì)量％ 10質(zhì)量％。根據(jù)本發(fā)明的第2發(fā)明，提供下述(7) (10)的成型體的制造方法。(7)如(2)所述的成型體的制造方法，其具有下述步驟在表面部具有含有聚硅氮烷化合物和粘土礦物的層的成型物的、上述含有聚硅氮烷化合物和粘土礦物的層的表面部注入尚子。(8)如(7)所述的成型體的制造方法，其具有下述步驟在具有含有聚硅氮烷化合物和粘土礦物的表面部的成型物的、上述含有聚硅氮烷化合物和粘土礦物的層的表面部，將選自氫、氮、氧、氬、氦、氙、氖、氪、硅化合物和烴中的至少ー種的氣體進(jìn)行離子注入。(9)如(7)或(8)所述的成型體的制造方法，其特征在于，上述離子注入的步驟是等離子體離子注入的步驟。(10)如(2)所述的成型體的制造方法，其特征在于，一邊將在表面部具有含有聚硅氮烷化合物和粘土礦物的層的長(zhǎng)的成型物沿一定方向運(yùn)送，一邊向上述含有聚硅氮烷化合物和粘土礦物的層中注入離子。根據(jù)本發(fā)明的第3發(fā)明，提供了下述(11)的電子設(shè)備用構(gòu)件。(11)電子設(shè)備用構(gòu)件，其包含(I)或(2)所述的成型體。根據(jù)本發(fā)明的第4發(fā)明，提供了下述(12)的電子設(shè)備。(12)電子設(shè)備，其具有(11)所述的電子設(shè)備用構(gòu)件。發(fā)明的效果
本發(fā)明的成型體具有優(yōu)異的阻氣性、透明性和耐彎折性。本發(fā)明的成型體可以適合用作撓性的顯示器、或太陽能電池等的電子設(shè)備用構(gòu)件(例如太陽能電池背板)。根據(jù)本發(fā)明的制造方法，可以簡(jiǎn)便且高效地制造具有優(yōu)異的阻氣性、透明性、耐彎折性的本發(fā)明的成型體。另外，與將無機(jī)膜作為阻氣膜成膜的成型體相比，可以由低的成本容易地實(shí)現(xiàn)大面積化。
本發(fā)明的電子設(shè)備用構(gòu)件具有優(yōu)異的阻氣性、透明性和耐彎折性等，因此可以適合用于顯示器、太陽能電池等的電子設(shè)備。附圖
的說明
圖I是表示本發(fā)明中使用的等離子體離子注入裝置的簡(jiǎn)要構(gòu)成的圖。圖2是表示本發(fā)明中使用的等離子體離子注入裝置的簡(jiǎn)要構(gòu)成的圖。
具體實(shí)施例方式以下分成I)成型體、2)成型體的制造方法、以及3)電子設(shè)備用構(gòu)件和電子設(shè)備的項(xiàng)目，詳細(xì)說明本發(fā)明。I)成型體
本發(fā)明的成型體的特征在于，包含含有聚硅氮烷化合物和粘土礦物的層(以下有時(shí)稱為“粘土礦物等含有層”)，在40°C、相対濕度90%氣氛下的水蒸氣透過率為6. Og/m2/天以下。本發(fā)明中使用的聚硅氮烷化合物是在分子內(nèi)具有含有一 Si — N —鍵(硅氮烷鍵)的重復(fù)單元的高分子化合物。具體來說，優(yōu)選是具有式(I)所示的重復(fù)單元的化合物，
[化I]
權(quán)利要求
1.成型體，其特征在于，包含含有聚硅氮烷化合物和粘土礦物的層，且在400C、相對(duì)濕度90%氣氛下的水蒸氣透過率為6. Og/m2/天以下。
2.權(quán)利要求I所述的成型體，其特征在于，具有在含有聚硅氮烷化合物和粘土礦物的層中注入離子而得到的層。
3.權(quán)利要求2所述的成型體，其特征在于，上述離子是將選自氫、氮、氧、氬、氦、氖、氙、氪、硅化合物和烴中的至少一種的氣體進(jìn)行離子化而成的物質(zhì)。
4.權(quán)利要求2或3所述的成型體，其特征在于，具有在上述含有聚硅氮烷化合物和粘土礦物的層中，通過等離子體離子注入法將離子注入而得到的層。
5.權(quán)利要求I或2所述的成型體，其特征在于，上述聚硅氮烷化合物為全氫化聚硅氮燒。
6.權(quán)利要求I或2所述的成型體，其特征在于，上述含有聚硅氮烷化合物和粘土礦物的層中的粘土礦物的含量，以聚硅氮烷化合物和粘土礦物的總量作為100質(zhì)量％時(shí)，為O. 01質(zhì)量％ 10質(zhì)量％。
7.權(quán)利要求2所述的成型體的制造方法，其具有下述步驟在表面部具有含有聚硅氮烷化合物和粘土礦物的層的成型物的、上述含有聚硅氮烷化合物和粘土礦物的層的表面部注入尚子。
8.權(quán)利要求7所述的成型體的制造方法，其具有下述步驟在表面部具有含有聚硅氮烷化合物和粘土礦物的層的成型物的、上述含有聚硅氮烷化合物和粘土礦物的層的表面部，將選自氫、氮、氧、氬、氦、氙、氖、氪、硅化合物和烴中的至少一種的氣體進(jìn)行離子注入。
9.權(quán)利要求7或8所述的成型體的制造方法，其特征在于，上述離子注入的步驟是等離子體離子注入的步驟。
10.權(quán)利要求2所述的成型體的制造方法，其特征在于，一邊將在表面部具有含有聚硅氮烷化合物和粘土礦物的層的長(zhǎng)的成型物沿一定方向運(yùn)送，一邊向上述含有聚硅氮烷化合物和粘土礦物的層中注入離子。
11.電子設(shè)備用構(gòu)件，其包含權(quán)利要求I或2所述的成型體。
12.電子設(shè)備，其具有權(quán)利要求11所述的電子設(shè)備用構(gòu)件。
全文摘要
本發(fā)明是成型體、其制造方法、包含該成型體的電子設(shè)備用構(gòu)件以及具備該電子設(shè)備用構(gòu)件的電子設(shè)備，所述成型體的特征在于，包含含有聚硅氮烷化合物和粘土礦物的層，且在40℃、相對(duì)濕度90％氣氛下的水蒸氣透過率為6.0g/m2/天以下。根據(jù)本發(fā)明，可以提供阻氣性、透明性和耐彎折性優(yōu)異的成型體、其制造方法、包含該成型體的電子設(shè)備用構(gòu)件、和具有該電子設(shè)備用構(gòu)件的電子設(shè)備。
文檔編號(hào)C08K3/34GK102834466SQ20118001743
公開日2012年12月19日 申請(qǐng)日期2011年3月28日 優(yōu)先權(quán)日2010年3月31日
發(fā)明者巖屋涉, 近藤健 申請(qǐng)人:琳得科株式會(huì)社