專利名稱：用于封裝半導(dǎo)體器件的環(huán)氧樹脂組合物以及使用其的半導(dǎo)體器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于封裝半導(dǎo)體器件的環(huán)氧樹脂組合物以及使用其的半導(dǎo)體器件。更具體地，本發(fā)明涉及具有優(yōu)異阻燃性的用于封裝半導(dǎo)體器件的環(huán)氧樹脂組合物以及使用其的半導(dǎo)體器件。
背景技術(shù)：
一般而言，用于封裝半導(dǎo)體器件的環(huán)氧樹脂組合物需要符合VO的UL94可燃性?？苫诿绹踩珯z測實驗室(Underwriters Laboratories)的UL94標(biāo)準(zhǔn)確定可燃性。按照美國ASTM D635進(jìn)行UL94測試，基于燃燒棉花、燃燒時間、發(fā)光時間和燃燒程度等的實施可確定樣本V級別。
為了賦予用于封裝半導(dǎo)體器件的環(huán)氧樹脂組合物阻燃性，溴環(huán)氧樹脂或三氧化銻 (Sb2O3)已被普遍用作阻燃劑。然而，當(dāng)燃燒時，使用鹵代阻燃劑或三氧化二銻會產(chǎn)生有毒的致癌物質(zhì)，如二噁英或二呋喃。此外，當(dāng)燃燒時，鹵代阻燃劑會產(chǎn)生氣體如HBr和HC1，其對人有害并且導(dǎo)致半導(dǎo)體芯片或?qū)Ь€和引線框的腐蝕。為了解決此類問題，對包括磷阻燃劑的新型阻燃劑，例如磷腈和磷酸酯，以及含氮原子樹脂進(jìn)行了研究。然而，磷阻燃劑與水反應(yīng)，從而形成磷酸和聚磷酸，其劣化了半導(dǎo)體器件的可靠性。此外，含氮樹脂表現(xiàn)出的阻燃性不足。
此外，已經(jīng)建議通過增大無機填料如二氧化硅的含量來賦予阻燃性的方法。然而， 這種方法雖然保證了阻燃性和可靠性，但無機填料導(dǎo)致流動性、分散性和反應(yīng)性的急劇降低，從而劣化了成型性和加工性。發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的方面提供了用于封裝半導(dǎo)體器件的環(huán)氧樹脂組合物，包括勃姆石作為非鹵阻燃劑以提供優(yōu)異的熱穩(wěn)定性、可靠性和阻燃性，以及使用其的半導(dǎo)體器件。
本發(fā)明的一個方面提供了用于封裝半導(dǎo)體器件的環(huán)氧樹脂組合物。環(huán)氧樹脂組合物包括環(huán)氧樹脂、固化劑、固化促進(jìn)劑、無機填料和阻燃劑，其中阻燃劑包括式I表示的勃姆石，基于環(huán)氧樹脂組合物的總量，勃姆石存在的量為按重量計0. 1%至20% (wt% )。
[式I]
AlO(OH)
勃姆石的平均粒徑可為0. I至10 ii m。
無機填料可包括二氧化硅。
勃姆石與二氧化硅(硅石，silica)的重量比可為I : 3至I : 900。
環(huán)氧樹脂組合物可包括2至15wt%的環(huán)氧樹脂、0. 5至12wt%的固化劑、0. 01至 2界1:%的固化促進(jìn)劑、70至95wt%的無機填料、以及0. I至20wt%的勃姆石。
基于環(huán)氧樹脂的總量，環(huán)氧樹脂可包括10至90wt%的式2表示的環(huán)氧樹脂。3
[式2]
權(quán)利要求
1.一種用于封裝半導(dǎo)體器件的環(huán)氧樹脂組合物，包括環(huán)氧樹脂；固化劑；固化促進(jìn)劑；無機填料；和阻燃劑；其中，所述阻燃劑包括式I表示的勃姆石，基于環(huán)氧樹脂組合物的總量，所述勃姆石存在的量為按重量計0. I至20wt% [式I]AlO(OH)。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的環(huán)氧樹脂組合物，其中，所述勃姆石的平均粒徑為0.I至 10 u m0
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的環(huán)氧樹脂組合物，其中，所述無機填料包括二氧化硅。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的環(huán)氧樹脂組合物，其中，所述勃姆石與所述二氧化硅的重量比為I : 3至I : 900。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的環(huán)氧樹脂組合物，其中，所述環(huán)氧樹脂組合物包括2至 15wt%的所述環(huán)氧樹脂、0. 5至12wt%的所述固化劑、0. 01至2wt%的所述固化促進(jìn)劑、70 至95wt%的所述無機填料和0. I至2(^1:%的所述勃姆石。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的環(huán)氧樹脂組合物，其中，基于所述環(huán)氧樹脂的總量，所述環(huán)氧樹脂包括10至90wt%的式2表示的環(huán)氧樹脂[式2]其中n為I至7的整數(shù)。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的環(huán)氧樹脂組合物，其中，基于所述固化劑的總量，所述固化劑包括10至90wt%的式4表示的酹樹脂[式4]其中n為I至7的整數(shù)。
8.一種封裝半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括使用根據(jù)權(quán)利要求I所述的環(huán)氧樹脂組合物來封裝具有引線框的半導(dǎo)體器件；以及固化所述組合物。
9.一種利用根據(jù)權(quán)利要求I所述的環(huán)氧樹脂組合物封裝的半導(dǎo)體器件。
全文摘要
本文公開了用于封裝半導(dǎo)體器件的環(huán)氧樹脂組合物，一種封裝半導(dǎo)體器件的方法，以及一種利用環(huán)氧樹脂組合物封裝的半導(dǎo)體器件。環(huán)氧樹脂組合物包括環(huán)氧樹脂、固化劑、固化促進(jìn)劑、無機填料和阻燃劑。阻燃劑包括式1表示的勃姆石，并且基于環(huán)氧樹脂組合物的總量，勃姆石的量為0.1至20wt％。該環(huán)氧樹脂組合物顯示出優(yōu)異的阻燃性和足夠的成型性和可靠性，而無需使用燃燒時會產(chǎn)生對人體和環(huán)境有害的副產(chǎn)物的阻燃劑化合物。[式1]AlO(OH)。
文檔編號C08K3/36GK102532810SQ20111041877
公開日2012年7月4日 申請日期2011年12月14日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月29日
發(fā)明者李映均, 李殷禎, 裴慶徹 申請人:第一毛織株式會社