專利名稱：一種導(dǎo)電聚合物一維納米結(jié)構(gòu)陣列的制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及聚合物材料領(lǐng)域，具體涉及導(dǎo)電聚合物有序微/納結(jié)構(gòu)陣列的制備方法。
背景技術(shù)：
近年來，在微米和納米尺度范圍內(nèi)具有規(guī)則形貌(如具有球、線、帶、管等形狀)的導(dǎo)電聚合物材料成為各國(guó)科學(xué)家的研究熱點(diǎn)。這些新穎的導(dǎo)電聚合物納米結(jié)構(gòu)與大氣中某些介質(zhì)作用后，由于材料具有較大的比表面積及優(yōu)良的表面條件，使得氣體分子能夠在敏感材料表面較快的吸附/脫附，使氣體傳感器具有快速響應(yīng)、高選擇性、室溫工作的特點(diǎn)， 是下一代氣體傳感器敏感材料的研究熱點(diǎn)。但是，目前這種導(dǎo)電聚合物材料在氣體敏感(吸附/脫附)過程中基本處于無序態(tài)，這種無序堆積態(tài)的復(fù)雜性一方面嚴(yán)重制約了氣體分子的吸附/脫附速度，使得敏感薄膜的響應(yīng)特性無法進(jìn)一步提高；另一方面復(fù)雜的界面態(tài)及邊界條件下很難模擬研究該類材料氣敏動(dòng)力學(xué)過程，是清楚分析氣體吸附/脫附過程并進(jìn)行相應(yīng)動(dòng)力學(xué)模型的建立的極大障礙。因此，將導(dǎo)電聚合物納米材料定域并有序排列，研究有序態(tài)下納米結(jié)構(gòu)的氣體敏感性對(duì)高性能氣敏材料及傳感器具有迫切的現(xiàn)實(shí)意義。另外，目前該類材料的氣敏機(jī)理大都基于納米材料的表面效應(yīng)，而納米結(jié)構(gòu)形態(tài)的變化會(huì)導(dǎo)致氣敏薄膜中不同的表面、界面態(tài)，對(duì)氣體吸附/脫附過程也將產(chǎn)生很大程度的影響。因此，通過導(dǎo)電聚合物納米結(jié)構(gòu)有序化這一手段，有序化(或簡(jiǎn)化)敏感薄膜中的納米結(jié)構(gòu)的分布后再進(jìn)行相應(yīng)氣體敏感過程的研究，對(duì)于提高導(dǎo)電聚合物氣體傳感器的性能具有非常重要的意義。當(dāng)前在國(guó)際上，納米結(jié)構(gòu)的有序化一直是研究的熱點(diǎn)，取向有序的、圖案化的納米結(jié)構(gòu)在新型的光電子、微電子器件及生物敏感方面具有極其重要的意義。在氣敏傳感方面， 導(dǎo)電聚合物納米結(jié)構(gòu)作為一種新穎的敏感材料在學(xué)術(shù)界收到普遍關(guān)注。然而，國(guó)內(nèi)外的研究大多基于無序態(tài)納米結(jié)構(gòu)敏感性能的探索，而對(duì)于有序化納米結(jié)構(gòu)氣敏性能研究很少。納米結(jié)構(gòu)的有序、圖案化一直是國(guó)內(nèi)外材料領(lǐng)域研究的熱點(diǎn)，經(jīng)過大量的研究，目前已經(jīng)取得了一定的進(jìn)展。對(duì)納米結(jié)構(gòu)進(jìn)行有序化的方法有原位法、模版法、LB膜法等，大量的實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，納米結(jié)構(gòu)(如碳納米管、ZnO等)的有序化后有效的提高了微電子、光電子等器件的性能。導(dǎo)電聚合物納米結(jié)構(gòu)作為新穎的氣體敏感材料，國(guó)內(nèi)外學(xué)者對(duì)其進(jìn)行了大量的研究。目前，為了獲得導(dǎo)電聚合物納米材料氣體敏感薄膜，普遍采用了滴涂和旋涂的方法，而采用這種方法獲得的是納米結(jié)構(gòu)無序堆積狀態(tài)，這也是目前該類材料作為氣體傳感器敏感層存在的普遍問題。Hyeonseok等人采用反向膠束法得到了導(dǎo)電聚合物PEDOT納米粒子和納米管結(jié)構(gòu)，他們采用滴涂的方法將這些納米結(jié)構(gòu)制備在叉指電極間，制得的氣體傳感器具有較快的響應(yīng)速度和良好的選擇性。Jang等人同樣通過反向膠束方法獲得了一種PEDOT 納米桿裝結(jié)構(gòu)，研究結(jié)果表明這種新穎的一維納米結(jié)構(gòu)具有優(yōu)良的氣體敏感特性，對(duì)低濃度的氨氣具有很快的響應(yīng)，并將這一現(xiàn)象歸結(jié)為納米材料較大的比表面積。國(guó)內(nèi)魏志祥等人通過控制生成條件得到了導(dǎo)電聚合物納米結(jié)構(gòu)定向生長(zhǎng)陣列，但這種有序納米結(jié)構(gòu)很難組裝為氣敏元件中的敏感層。另外，國(guó)外學(xué)者采用電噴法來獲得導(dǎo)電聚合物有序納米結(jié)構(gòu)排列，這種方法能獲得纖維狀結(jié)構(gòu)的有序排列，在納米結(jié)構(gòu)取向及穩(wěn)定組裝上還有待提高。從納米結(jié)構(gòu)有序組裝方法來看，采用LB膜方法來制備聚合物納米結(jié)構(gòu)有序體成為國(guó)際上的研究熱點(diǎn)，LB膜不僅可以從分子尺度控制薄膜厚度得到高度有序超薄膜，同時(shí)還可以對(duì)分散良好的納米結(jié)構(gòu)通過自組裝的方式形成高密度、高有序的納米薄膜。但是，對(duì)這些納米結(jié)構(gòu)在氣/液界面的組裝過程的研究還處于起步階段，納米結(jié)構(gòu)在氣/液界面的動(dòng)態(tài)組裝機(jī)理及過程需要深入系統(tǒng)的研究。從目前研究來看，對(duì)PEDOT有序納米薄膜的研究取得了一定的進(jìn)展，但也存在很多問題，其中最主要的問題是有序納米結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定可靠的組裝，這對(duì)于制備器件后對(duì)器件的性能具有非常重的影響。因此迫切需要一種方法來得到結(jié)構(gòu)上嚴(yán)格有序并穩(wěn)定可控測(cè)的導(dǎo)電聚合物納米結(jié)構(gòu)有序排列結(jié)構(gòu)，同時(shí)制備的過程中我們還希望聚合物是原位制備的， 分子鏈結(jié)構(gòu)未發(fā)生變化，不影響導(dǎo)電聚合物自身的電導(dǎo)率，這樣材料的電導(dǎo)率才高，在作為氣體敏感薄膜時(shí)，可以提高氣體敏感材料的響應(yīng)時(shí)間，有效的提高器件性能。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的問題是如何提供一種導(dǎo)電聚合物一維納米結(jié)構(gòu)陣列的制備方法，該方法所制備的聚合物納米結(jié)構(gòu)陣列化技術(shù)克服了現(xiàn)有技術(shù)中所存在的缺陷，并且制備方法合理簡(jiǎn)單，易于操作。本發(fā)明所提出的技術(shù)問題是這樣解決的提供一種導(dǎo)電聚合物一維納米結(jié)構(gòu)陣列的制備方法，首先通過旋涂方法獲得氧化劑薄膜，然后通過刻蝕的方法獲得氧化劑一維納米結(jié)構(gòu)陣列，最后采用化學(xué)原位聚合的方法將獲得的氧化劑一維納米結(jié)構(gòu)陣列暴露于導(dǎo)電聚合物單體氣氛中引發(fā)聚合，從而獲得導(dǎo)電聚合物一維納米結(jié)構(gòu)陣列，其特征在于，具體包括以下步驟
①將氧化劑溶于有機(jī)溶劑中，形成氧化劑良好分散的溶液；
②將氧化劑溶液采用旋涂的方法在基片上獲得均勻的氧化劑薄膜；
③將沉積于基片上的氧化劑薄膜采用刻蝕的方法獲得氧化劑一維納米結(jié)構(gòu)陣列；
④將獲得的氧化劑一維納米結(jié)構(gòu)陣列暴露于導(dǎo)電聚合物單體氣氛中引發(fā)聚合，得到導(dǎo)電聚合物一維納米結(jié)構(gòu)陣列，所述導(dǎo)電聚合物單體為導(dǎo)電聚合物單體為3，4-乙烯二氧噻吩或吡咯；
⑤將獲得的導(dǎo)電聚合物一維納米結(jié)構(gòu)陣列在溶劑中進(jìn)行清洗及烘干以驅(qū)除多余的氧化劑。按照本發(fā)明提供的導(dǎo)電聚合物一維納米結(jié)構(gòu)陣列的制備方法，其特征在于，所述氧化劑為FeCl3等能溶于氯仿、正丁醇的氧化性材料。按照本發(fā)明提供的導(dǎo)電聚合物一維納米結(jié)構(gòu)陣列的制備方法，其特征在于，所述刻蝕方法為電子束刻蝕。按照本發(fā)明提供的導(dǎo)電聚合物一維納米結(jié)構(gòu)陣列的制備方法，其特征在于，所述導(dǎo)電聚合物單體為3，4-乙烯二氧噻吩、吡咯等具有較高蒸汽壓的材料。按照本發(fā)明提供的導(dǎo)電聚合物一維納米結(jié)構(gòu)陣列的制備方法，其特征在于，所述
4基片是處理過的石英、ITO玻璃或叉指電極。按照本發(fā)明提供的導(dǎo)電聚合物一維納米結(jié)構(gòu)陣列的制備方法，其特征在于，步驟 ⑤中，清洗用溶劑為超純水或無水乙醇，烘干溫度為12(T140°C。按照本發(fā)明提供的導(dǎo)電聚合物一維納米結(jié)構(gòu)陣列的制備方法，其特征在于，通過控制刻蝕過程的線寬能得到不同尺寸的導(dǎo)電聚合物一維納米結(jié)構(gòu)陣列。按照本發(fā)明提供的導(dǎo)電聚合物一維納米結(jié)構(gòu)陣列的制備方法，其特征在于，包括以下步驟
①將!^eCl3溶于氯仿中，F(xiàn)eCl3的濃度為50mg/ml，形成分散良好的氧化劑溶液；
②采用滴管抽取5mlFeCl3氧化劑溶液緩慢滴加于至于旋涂機(jī)上的基片上，控制旋涂機(jī)的轉(zhuǎn)速為800轉(zhuǎn)/分鐘，形成均勻的氧化劑薄膜，然后將獲得的氧化劑薄膜在100°C溫度下烘干45分鐘；
③將沉積了氧化劑旋涂膜的基片放入電子束刻蝕系統(tǒng)進(jìn)行刻蝕，刻蝕線寬為150納米，得到FeCl3氧化劑一維納米結(jié)構(gòu)陣列。④將沉積了 FeCl3氧化劑一維納米結(jié)構(gòu)陣列的基片放入3，4_乙烯二氧噻吩氣體氣氛中進(jìn)行聚合，聚合時(shí)間為30分鐘，反應(yīng)溫度為室溫，得到導(dǎo)電聚合物3，4-聚乙烯基二氧噻吩一維納米結(jié)構(gòu)陣列。⑤將獲得的3，4-聚乙烯二氧噻吩一維納米結(jié)構(gòu)陣列在超純水中清洗并在125°C 下烘干30分鐘，以去除多余的氧化劑。本發(fā)明所提供的導(dǎo)電聚合物一維納米結(jié)構(gòu)陣列的制備方法，所用氧化劑材料為引發(fā)聚合物單體發(fā)生聚合的材料，因而選擇范圍寬，可通過控制旋涂膜的厚度來實(shí)現(xiàn)不同縱向尺寸的一維納米結(jié)構(gòu)陣列。導(dǎo)電聚合物一維納米結(jié)構(gòu)陣列之間的距離可以通過刻蝕線寬的調(diào)整來進(jìn)行調(diào)控，并實(shí)現(xiàn)大面積陣列化結(jié)構(gòu)。這種有序一維納米結(jié)構(gòu)之間不存在相互的干擾，可以實(shí)現(xiàn)載流子在分離一維納米結(jié)構(gòu)中快速遷移、氣體分子敏感分子在微/納結(jié)構(gòu)中能夠快速吸附及脫附，使得器件性能大幅度地提高。這種制備方法還可以滿足其它聚合物有序一維納米結(jié)構(gòu)陣列組裝，能夠滿足多方面不同的需要。制備方法合理簡(jiǎn)單，易于操作。


圖1是獲得導(dǎo)電聚合物一維納米結(jié)構(gòu)陣列原理圖。其中，1、基片，2、氧化劑旋涂膜，3、氧化劑一維納米結(jié)構(gòu)陣列，4、導(dǎo)電聚合物一維納米結(jié)構(gòu)陣列。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步描述
本發(fā)明提供了一種不溶不熔性導(dǎo)電聚合物一維納米結(jié)構(gòu)陣列的制備方法，通過旋涂方法首先獲得氧化劑薄膜，然后通過電子束刻蝕在氧化劑薄膜上得到氧化劑一維納米結(jié)構(gòu)陣列結(jié)構(gòu)，最后采用化學(xué)氣相聚合的方法獲得導(dǎo)電聚合物一維納米結(jié)構(gòu)陣列，導(dǎo)電聚合物一維納米結(jié)構(gòu)尺寸及間距可以通過刻蝕線寬的大小來進(jìn)行調(diào)控。構(gòu)造包括氧化劑旋涂薄膜、 氧化劑一維納米結(jié)構(gòu)陣列結(jié)構(gòu)，通過對(duì)氧化劑一維納米結(jié)構(gòu)陣列結(jié)構(gòu)的化學(xué)修飾，在氧化劑一維納米結(jié)構(gòu)中引入導(dǎo)電聚合物單體進(jìn)行化學(xué)氣象聚合，得到不溶不熔導(dǎo)電聚合物一維納米結(jié)構(gòu)陣列，其被修飾的氧化劑一維納米結(jié)構(gòu)陣列結(jié)構(gòu)通過常規(guī)的旋涂制膜方法獲得。 氧化劑材料為具有較好可溶性的材料，可以在有機(jī)溶劑中形成良好的分散溶液，保證旋涂膜具有良好的均勻性，在旋涂機(jī)的控制下可以有效的轉(zhuǎn)移至不同的基片。成膜基片可以是處理過的石英、ITO玻璃或叉指電極(陣列)。單體材料為具有較高蒸汽壓的導(dǎo)電聚合物單體材料，如3，4-乙烯基二氧噻吩、吡咯等，可以通過一定的氣壓狀況下把單體分子引入氧化劑一維納米結(jié)構(gòu)中而發(fā)生化學(xué)聚合。圖1是獲得導(dǎo)電聚合物一維納米結(jié)構(gòu)陣列原理圖。圖中1、基片，2、氧化劑旋涂膜， 3、氧化劑一維納米結(jié)構(gòu)陣列，4、聚合物一維納米結(jié)構(gòu)陣列
本發(fā)明的特點(diǎn)是通過旋涂方法首先獲得氧化劑薄膜，然后通過刻蝕的方法獲得氧化劑一維納米結(jié)構(gòu)陣列，最后采用化學(xué)原位聚合的方法將獲得的氧化劑一維納米結(jié)構(gòu)陣列暴露于單體氣氛中引發(fā)聚合，從而獲得導(dǎo)電聚合物一維納米結(jié)構(gòu)陣列。本發(fā)明中選擇的氧化劑材料在有機(jī)溶液中具有良好的分散性，在旋涂機(jī)的控制下具有較好的成膜性能，能夠獲得均勻一致的氧化劑薄膜材料。并且該種材料形成的薄膜可以用電子束刻蝕的方式進(jìn)行刻蝕。依托成熟的旋涂膜成膜及電子束刻蝕方法，本發(fā)明制備的導(dǎo)電聚合物一維納米結(jié)構(gòu)陣列，可以制備于多種基片上，并實(shí)現(xiàn)大面積陣列結(jié)構(gòu)。采用本發(fā)明制備的一些薄膜結(jié)構(gòu)舉例如下
①聚3，4-乙烯基二氧噻吩一維納米結(jié)構(gòu)陣列；
②聚吡咯一維納米結(jié)構(gòu)陣列； 以下是本發(fā)明的具體實(shí)施例 實(shí)施例1
將一定比例的氧化劑材料溶于氯仿溶液并充分?jǐn)嚢杈鶆颍缓笥玫喂芪∩倭康难趸瘎?氯仿溶液緩緩滴加于置于旋涂機(jī)的基片上，控制旋涂機(jī)的轉(zhuǎn)速以防轉(zhuǎn)速太慢不能成膜或太快薄膜不夠致密。獲得一定厚度且均勻一致的氧化劑薄膜后，將沉積了氧化劑薄膜的基片置于真空烘箱中烘干一定時(shí)間固化薄膜并驅(qū)除氯仿溶劑。從而獲得氧化劑旋涂膜，如圖1中2所示。在圖1中，將2獲得的氧化劑旋涂膜通過電子束刻蝕的方法獲得氧化劑一維納米結(jié)構(gòu)陣列。在圖1中，再將氧化劑一維納米結(jié)構(gòu)陣列進(jìn)一步暴露于導(dǎo)電聚合物單體氣氛中， 單體分子擴(kuò)散并吸附于氧化劑一維納米結(jié)構(gòu)中引發(fā)聚合，生成導(dǎo)電聚合物一維納米結(jié)構(gòu)， 從而得到導(dǎo)電聚合物一維納米結(jié)構(gòu)陣列。制備方法如下
①將FeCl3溶于氯仿中，F(xiàn)eCl3的濃度為50mg/ml，形成分散良好的氧化劑溶液；
②采用滴管抽取5mlFeCl3氧化劑溶液緩慢滴加于至于旋涂機(jī)上的基片上，控制旋涂機(jī)的轉(zhuǎn)速為800轉(zhuǎn)/分鐘，形成均勻的氧化劑薄膜，然后將獲得的氧化劑薄膜在100°C溫度下烘干45分鐘；
③將沉積了FeCl3氧化劑薄膜的基片放入電子束刻蝕系統(tǒng)進(jìn)行刻蝕，刻蝕線寬為150 納米，得到FeCl3氧化劑一維納米結(jié)構(gòu)陣列。
④將沉積了 FeCl3氧化劑一維納米結(jié)構(gòu)陣列的基片放入3，4_乙烯二氧噻吩氣體氣氛中進(jìn)行聚合，聚合時(shí)間為30分鐘，反應(yīng)溫度為室溫，得到導(dǎo)電聚合物3，4-聚乙烯二氧噻吩一維納米結(jié)構(gòu)陣列。⑤將獲得的3，4-聚乙烯二氧噻吩一維納米結(jié)構(gòu)陣列在超純水中清洗并在125°C 下烘干30分鐘，以去除多余的氧化劑。實(shí)施例2 單體材料為吡咯。一維納米結(jié)構(gòu)陣列的制備流程與實(shí)施方式一相似，由于單體材料為吡咯，從而得到聚吡咯一維納米結(jié)構(gòu)陣列?？涛g線寬為150納米，從而得到寬度為150納米的聚吡咯一維納米結(jié)構(gòu)陣列。實(shí)施例3 單體材料為吡咯。一維納米結(jié)構(gòu)陣列的制備流程與實(shí)施方式一相似，由于單體材料為吡咯，從而得到聚吡咯一維納米結(jié)構(gòu)陣列?？涛g線寬為120納米，從而得到寬度為120納米的聚吡咯一維納米結(jié)構(gòu)陣列。實(shí)施例4
單體材料為3，4-乙烯二氧噻吩。一維納米結(jié)構(gòu)陣列的制備流程與實(shí)施方式一相似，由于單體材料為3，4-乙烯二氧噻吩，從而得到3，4-聚乙烯二氧噻吩一維納米結(jié)構(gòu)陣列?？涛g線寬為120納米，從而得到寬度為120納米的3，4_聚乙烯二氧噻吩一維納米結(jié)構(gòu)陣列。
權(quán)利要求
1.一種導(dǎo)電聚合物一維納米結(jié)構(gòu)陣列的制備方法，首先通過旋涂方法獲得氧化劑薄膜，然后通過刻蝕的方法獲得氧化劑一維納米結(jié)構(gòu)陣列，最后采用化學(xué)原位聚合的方法將獲得的氧化劑一維納米結(jié)構(gòu)陣列暴露于導(dǎo)電聚合物單體氣氛中引發(fā)聚合，從而獲得導(dǎo)電聚合物一維納米結(jié)構(gòu)陣列，其特征在于，具體包括以下步驟①將氧化劑FeCl3溶于有機(jī)溶劑中，形成氧化劑良好分散的溶液，②將氧化劑FeCl3溶液采用旋涂的方法在基片上獲得均勻的氧化劑FeCl3薄膜；③將沉積于基片上的氧化劑薄膜采用刻蝕的方法獲得氧化劑一維納米結(jié)構(gòu)陣列；④將獲得的氧化劑一維納米結(jié)構(gòu)陣列暴露于導(dǎo)電聚合物單體氣氛中引發(fā)聚合，得到導(dǎo)電聚合物一維納米結(jié)構(gòu)陣列，所述導(dǎo)電聚合物單體為導(dǎo)電聚合物單體為3，4-乙烯二氧噻吩或吡咯；⑤將獲得的導(dǎo)電聚合物一維納米結(jié)構(gòu)陣列在溶劑中進(jìn)行清洗及烘干以驅(qū)除多余的氧化劑。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電聚合物一維納米結(jié)構(gòu)陣列的制備方法，其特征在于，步驟③中所述刻蝕方法為電子束刻蝕。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電聚合物一維納米結(jié)構(gòu)陣列的制備方法，其特征在于，所述基片是處理過的石英、ITO玻璃或叉指電極。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電聚合物一維納米結(jié)構(gòu)陣列的制備方法，其特征在于，步驟⑤中，清洗用溶劑為超純水或無水乙醇，烘干溫度為12(T140°C。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電聚合物一維納米結(jié)構(gòu)陣列的制備方法，其特征在于，通過控制電子束刻蝕的線寬能得到不同尺寸的導(dǎo)電聚合物一維納米結(jié)構(gòu)陣列。
6.一種導(dǎo)電聚合物一維納米結(jié)構(gòu)陣列的制備方法，其特征在于，包括以下步驟①將FeCl3溶于氯仿中，F(xiàn)eCl3的濃度為50mg/ml，形成分散良好的氧化劑溶液；②采用滴管抽取5mlFeCl3氧化劑溶液緩慢滴加于至于旋涂機(jī)上的基片上，控制旋涂機(jī)的轉(zhuǎn)速為800轉(zhuǎn)/分鐘，形成均勻的氧化劑薄膜，然后將獲得的氧化劑薄膜在100°C溫度下烘干45分鐘；③將沉積了氧化劑旋涂膜的基片放入電子束刻蝕系統(tǒng)進(jìn)行刻蝕，刻蝕線寬為150納米，得到!^eCl3氧化劑一維納米結(jié)構(gòu)陣列；④將沉積了FeCl3氧化劑一維納米結(jié)構(gòu)陣列的基片放入3，4-乙烯二氧噻吩氣體氣氛中進(jìn)行聚合，聚合時(shí)間為30分鐘，反應(yīng)溫度為室溫，得到導(dǎo)電聚合物3，4-聚乙烯基二氧噻吩一維納米結(jié)構(gòu)陣列；⑤將獲得的3，4-聚乙烯二氧噻吩一維納米結(jié)構(gòu)陣列在超純水中清洗并在125°C下烘干30分鐘，以去除多余的氧化劑。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種導(dǎo)電聚合物一維納米結(jié)構(gòu)陣列的制備方法，首先通過旋涂方法獲得氧化劑薄膜，然后通過刻蝕的方法獲得氧化劑一維納米結(jié)構(gòu)陣列，最后采用化學(xué)原位聚合的方法將獲得的氧化劑一維納米結(jié)構(gòu)陣列暴露于導(dǎo)電聚合物單體氣氛中引發(fā)聚合，從而獲得導(dǎo)電聚合物一維納米結(jié)構(gòu)陣列。該方法所制備的聚合物納米結(jié)構(gòu)陣列化技術(shù)克服了現(xiàn)有技術(shù)中所存在的缺陷，并且制備方法合理簡(jiǎn)單，易于操作。
文檔編號(hào)C08G61/12GK102358610SQ201110191360
公開日2012年2月22日 申請(qǐng)日期2011年7月9日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月9日
發(fā)明者徐建華, 楊亞杰, 蔣亞東 申請(qǐng)人:電子科技大學(xué)