專利名稱：高絕緣性膜的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及高絕緣性膜。更具體地說(shuō)，涉及電氣特性和耐熱性良好、特別是具有高擊穿電壓的高絕緣性膜。
背景技術(shù)：
含有間同立構(gòu)聚苯乙烯系樹(shù)脂組合物的膜(間同立構(gòu)聚苯乙烯系膜)是耐熱性、耐化學(xué)品性、耐熱水性、介電特性、電氣絕緣性等優(yōu)異的膜，期望在各種用途中使用。特別是由于介電特性優(yōu)異、具有高電氣絕緣性和耐熱性，因此，期望作為電容器的絕緣體使用(專利文獻(xiàn)1、2)。并且它們被進(jìn)一步改良，例如專利文獻(xiàn)3中的抑制膜的雜質(zhì)、提高耐電壓的技術(shù)，專利文獻(xiàn)4中的調(diào)節(jié)添加顆粒等使操作性和耐磨損性提高的技術(shù)，專利文獻(xiàn)5和6中的調(diào)節(jié)膜的折射率、改善厚度不均的技術(shù)，分別作為在電容器用途中使用的間同立構(gòu)聚苯乙烯系膜的技術(shù)進(jìn)行了公開(kāi)。另外，專利文獻(xiàn)7中公開(kāi)了添加抗氧化劑、提高擊穿電壓的技 術(shù)。(專利文獻(xiàn)I)日本特開(kāi)平1-182346號(hào)公報(bào)(專利文獻(xiàn)2)日本特開(kāi)平1-316246號(hào)公報(bào)
(專利文獻(xiàn)3)日本特開(kāi)平3-124750號(hào)公報(bào) (專利文獻(xiàn)4)日本特開(kāi)平6-80793號(hào)公報(bào) (專利文獻(xiàn)5)日本特開(kāi)平7-156263號(hào)公報(bào) (專利文獻(xiàn)6)日本特開(kāi)平8-283496號(hào)公報(bào) (專利文獻(xiàn)7)日本特開(kāi)2009-235321號(hào)公報(bào)。

發(fā)明內(nèi)容
但是，專利文獻(xiàn)1-6中公開(kāi)的間同立構(gòu)聚苯乙烯系膜是作為電容器的絕緣體使用的，而對(duì)于例如近年來(lái)的搭載于混合動(dòng)力車中的電容器等的更高性能的電容器，要求擊穿電壓等電氣特性和耐熱性更為優(yōu)異的膜，上述公開(kāi)的膜的性能可能不足。另外，專利文獻(xiàn)7公開(kāi)的間同立構(gòu)聚苯乙烯系膜適合作為混合動(dòng)力車等的電容器使用，但還需求耐熱性和擊穿電壓的進(jìn)一步提聞。并且，在提高電容器的靜電容量、或者使電容器小型化的目的中，作為絕緣體的膜要求進(jìn)一步的薄膜化，但通常伴隨著薄膜化，其操作性降低。因此，人們需求即使薄膜化也不會(huì)使膜制造工序的生產(chǎn)性降低、還可適應(yīng)近年所要求的電容器的制造速度、操作性更為優(yōu)異的膜。本發(fā)明是為了解決上述問(wèn)題而設(shè)，其目的在于提供電氣特性、耐熱性、卷取性和加工性等操作性優(yōu)異的高絕緣性膜。本發(fā)明人為解決上述課題進(jìn)行了深入的研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)，在間同立構(gòu)聚苯乙烯系雙軸拉伸膜中，除了配合抗氧化劑和特定的惰性微粒之外，進(jìn)一步配合具有特定的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度的聚合物，且制成特定的取向結(jié)構(gòu)，由此可獲得具有高擊穿電壓、耐熱性和操作性優(yōu)異的高絕緣性膜，從而實(shí)現(xiàn)了本發(fā)明。SP，本發(fā)明是
I.高絕緣性膜，該高絕緣性膜是以間同立構(gòu)結(jié)構(gòu)的苯乙烯系聚合物為主要的構(gòu)成成分的雙軸拉伸膜，其中，含有0. 05%質(zhì)量以上2. 0%質(zhì)量以下的平均粒徑為0. 05 i! m以上1.5um以下、粒徑的相對(duì)標(biāo)準(zhǔn)偏差為 0. 5以下的惰性微粒A，和0. 1%質(zhì)量以上8%質(zhì)量以下的抗氧化劑，以及5%質(zhì)量以上48%質(zhì)量以下的DSC測(cè)定的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg為130°C以上的聚合物Y ;該高絕緣性膜的厚度方向的折射率為I. 5750以上I. 6350以下。本發(fā)明進(jìn)一步包含以下方案。2.上述I的高絕緣性膜,其中,聚合物Y是下式(I)所示的聚苯醚
權(quán)利要求
1.高絕緣性膜，該高絕緣性膜是以間同立構(gòu)結(jié)構(gòu)的苯乙烯系聚合物為主要的構(gòu)成成分的雙軸拉伸膜，其中，含有0. 05%質(zhì)量以上2. 0%質(zhì)量以下的平均粒徑為O. 05 μ m以上I. 5 μ m以下、粒徑的相對(duì)標(biāo)準(zhǔn)偏差為O. 5以下的惰性微粒AjP O. 1%質(zhì)量以上8%質(zhì)量以下的抗氧化劑，以及5%質(zhì)量以上48%質(zhì)量以下的DSC測(cè)定的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg為130°C以上的聚合物Y ;該高絕緣性膜的厚度方向的折射率為I. 5750以上I. 6350以下。
2.權(quán)利要求I的高絕緣性膜，其中，聚合物Y是下式所示的聚苯醚
3.權(quán)利要求I或2的高絕緣性膜，其中，聚合物Y與抗氧化劑的含量比(聚合物Y的含量/抗氧化劑的含量)為1-100。
4.權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)的高絕緣性膜，其中，該高絕緣性膜通過(guò)動(dòng)態(tài)粘彈性測(cè)定、以振蕩頻率IOHz測(cè)定的損耗模量(E”)的峰溫度為120°C以上150°C以下，在120°C、頻率IkHz下的介電損耗角正切(tan δ )為O. 0015以下。
5.權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)的高絕緣性膜，其中，該高絕緣性膜的縱向和橫向的2000C X 10分鐘的熱收縮率為6%以下。
6.權(quán)利要求1-5中任一項(xiàng)的高絕緣性膜，其中，該高絕緣性膜在120°C下的擊穿電壓(BDV)為 350V/ym 以上。
7.權(quán)利要求1-6中任一項(xiàng)的高絕緣性膜，其中，該高絕緣性膜通過(guò)動(dòng)態(tài)粘彈性測(cè)定、以振蕩頻率IOHz測(cè)定的120°C下的儲(chǔ)能模量(E’ )為600MPa以上。
8.權(quán)利要求1-7中任一項(xiàng)的高絕緣性膜，其中，該高絕緣性膜的膜厚度為O.4 μ m以上且低于6. 5 μ m。
9.權(quán)利要求1-8中任一項(xiàng)的高絕緣性膜，其中，該高絕緣性膜含有O.01%質(zhì)量以上I.5%質(zhì)量以下的惰性微粒B，該惰性微粒B的平均粒徑為O. 5 μ m以上3. O μ m以下，該平均粒徑比惰性微粒A的平均粒徑大O. 2 μ m以上，粒徑的相對(duì)標(biāo)準(zhǔn)偏差為O. 5以下。
10.權(quán)利要求1-9中任一項(xiàng)的高絕緣性膜，其中，惰性微粒A是粒徑比為I.O以上I. 3以下的球狀顆粒。
11.權(quán)利要求10的高絕緣性膜，其中，惰性微粒A為球狀高分子樹(shù)脂顆粒。
12.權(quán)利要求10的高絕緣性膜，其中，惰性微粒A為球狀有機(jī)硅樹(shù)脂顆粒。
13.權(quán)利要求9-12中任一項(xiàng)的高絕緣性膜，其中，惰性微粒B是粒徑比為I.O以上I. 3以下的球狀高分子樹(shù)脂顆粒。
14.權(quán)利要求1-13中任一項(xiàng)的高絕緣性膜，其中，抗氧化劑的熱解溫度為250°C以上。
15.電容器，其中，該電容器使用權(quán)利要求1-14中任一項(xiàng)的高絕緣性膜。
全文摘要
本發(fā)明的目的在于提供具有高電氣特性(擊穿電壓)、耐熱性、卷取性和加工性等操作性優(yōu)異的高絕緣性膜。本發(fā)明的高絕緣性膜是以間同立構(gòu)結(jié)構(gòu)的苯乙烯系聚合物作為主要的構(gòu)成成分的雙軸拉伸膜，其中，分別以特定的含量含有特定的惰性微粒A、抗氧化劑、DSC測(cè)定的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg為130℃以上的聚合物Y，且厚度方向的折射率為1.5750以上1.6350以下。
文檔編號(hào)C08L25/04GK102712770SQ20108006273
公開(kāi)日2012年10月3日 申請(qǐng)日期2010年11月26日 優(yōu)先權(quán)日2009年11月30日
發(fā)明者中川大, 升田重嘉, 西山公典, 長(zhǎng)谷川欣治 申請(qǐng)人:帝人株式會(huì)社