專利名稱：組合物以及使用該組合物制成的發(fā)光元件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及組合物以及使用該組合物制成的發(fā)光元件。
背景技術(shù)：
作為發(fā)光元件的發(fā)光層中使用的發(fā)光材料，將顯示出通過三重態(tài)激發(fā)狀態(tài)而發(fā)光 的化合物(以下有時稱為“磷光發(fā)光性化合物”)用于發(fā)光層的元件，其發(fā)光效率高，這是已 知的。在將磷光發(fā)光性化合物用于發(fā)光層的情況下，通常使用將該化合物添加到基質(zhì)中而 形成的組合物作為發(fā)光材料。并使用聚乙烯基咔唑作為基質(zhì)，這樣可以通過涂布來形成薄 膜(專利文獻1)。然而，由于該化合物的最低未占分子軌道(以下稱為“LUM0”)高，因此，難以注入 電子。另一方面，聚芴等共軛系高分子化合物由于LUMO低，如果將其用作基質(zhì)，則可以比較 容易地實現(xiàn)低驅(qū)動電壓。可是，這種共軛系高分子化合物的最低三重態(tài)激發(fā)能量(以下稱 為"T1能量”)小，可以認為不適合作為發(fā)出比綠色還要短波長的光的基質(zhì)使用(專利文獻 2)。例如，含有屬于共軛系高分子化合物的聚芴和三重態(tài)發(fā)光化合物的發(fā)光材料(非專利 文獻1)，由于從三重態(tài)發(fā)光化合物發(fā)出的光弱，因此發(fā)光效率低。在先技術(shù)文獻專利文獻專利文獻1特開2002-50483號公報專利文獻2特開2002-M1455號公報非專利文獻非專利文獻1APPLIED PHYSICS LETTERS,80,13,2308(2002)

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明所要解決的課題因此，本發(fā)明的目的在于，提供能夠制作發(fā)光效率優(yōu)良的發(fā)光元件的發(fā)光材料。解決課題的手段本發(fā)明的第一個目的在于，提供包含具有飽和雜環(huán)結(jié)構(gòu)的化合物以及磷光發(fā)光性 化合物的組合物，所述飽和雜環(huán)結(jié)構(gòu)的環(huán)含有氮原子且該環(huán)的構(gòu)成元數(shù)為5以上。本發(fā)明的第二個目的在于，提供具有由選自下述式(1-1)、(1-2)、(1-3)、(2-1)、 (2-2), (2-3)和(2-4)中的式子表示的化合物的殘基以及上述磷光發(fā)光性化合物的殘基的 高分子化合物。本發(fā)明的第三個目的在于，提供使用上述組合物或者上述高分子化合物制成的薄 膜和發(fā)光元件。本發(fā)明的第四個目的在于，提供具備上述發(fā)光元件的面狀光源、顯示裝置和照明裝置。發(fā)明效果
本發(fā)明的組合物、高分子化合物(以下稱為“本發(fā)明的組合物等”)，其發(fā)光效率 高。因此，在用于制作發(fā)光元件等的情況下，可獲得發(fā)光效率優(yōu)良的發(fā)光元件。另外，本發(fā) 明的組合物等對于綠色 藍色的發(fā)光，通常具有比較優(yōu)良的發(fā)光性。這是因為，本發(fā)明的組 合物中所含的具有含氮原子的環(huán)且該環(huán)的構(gòu)成元數(shù)為5以上的飽和雜環(huán)結(jié)構(gòu)的化合物、本 發(fā)明的高分子化合物的T1能量大的緣故。
具體實施例方式以下詳細地說明本發(fā)明。予以說明，本說明書中，在結(jié)構(gòu)式中的烷基、烷氧基前不 帶接頭詞(“叔”等)的情況下，就意味為“正”。<組合物>本發(fā)明的組合物為包含具有飽和雜環(huán)結(jié)構(gòu)的化合物以及磷光發(fā)光性化合物的組 合物，所述飽和雜環(huán)結(jié)構(gòu)的環(huán)含有氮原子且該環(huán)的構(gòu)成元數(shù)為5以上。本說明書中，“飽和 雜環(huán)結(jié)構(gòu)”是指通過除去飽和雜環(huán)式化合物中的一部分或者全部氫原子(特別是1個或2 個)而形成的基團。另外，本說明書中，“高分子化合物”是指在一個分子中存在2個以上相 同結(jié)構(gòu)(重復(fù)單元)的化合物。-具有飽和雜環(huán)結(jié)構(gòu)的化合物-上述具有飽和雜環(huán)結(jié)構(gòu)的化合物為具有由選自例如，下述式(1-1)、(1-2)、(1-3)、 (2-1)、(2-2)、(2-3)和 0-4)化1
權(quán)利要求
1.一種組合物，其中包含具有飽和雜環(huán)結(jié)構(gòu)的化合物以及磷光發(fā)光性化合物，所述飽 和雜環(huán)結(jié)構(gòu)的環(huán)含有氮原子且該環(huán)的構(gòu)成元數(shù)為5以上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的組合物，其中，具有上述飽和雜環(huán)結(jié)構(gòu)的化合物為具有由選 自下述式(1-1)、(1-2)、(1-3)、(2-1)、(2-2) “2-3)和(2-4)中的式子表示的化合物的殘 基的化合物，化1
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的組合物，其中，具有上述飽和雜環(huán)結(jié)構(gòu)的化合物為下述式(3) 表示的化合物、或者具有其殘基的化合物，化2
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的組合物，其中，上述ET1和ET2中的至少一方為可以具有取代 基的雜芳基。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的組合物，其中，上述可以具有取代基的雜芳基為被烷基、烷氧 基、可以具有取代基的芳基、或者可以具有取代基的雜芳基取代的雜芳基。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的組合物，其中，上述可以具有取代基的雜芳基為被碳數(shù)3 10的烷基、碳數(shù)3 10的烷氧基、被碳數(shù)3 10的烷基或者碳數(shù)3 10的烷氧基取代的 芳基、或者被碳數(shù)3 10的烷基或者碳數(shù)3 10的烷氧基所取代的雜芳基。
7.根據(jù)權(quán)利要求1 6中的任一項所述的組合物，其中，采用計算科學(xué)的方法算出的、 具有上述飽和雜環(huán)結(jié)構(gòu)的化合物的最低三重態(tài)激發(fā)能量的值為3. OeV以上。
8.根據(jù)權(quán)利要求1 7中的任一項所述的組合物，其中，采用計算科學(xué)的方法算出的、 具有上述飽和雜環(huán)結(jié)構(gòu)的化合物的最低未占分子軌道的能級絕對值為1. 5eV以上。
9.根據(jù)權(quán)利要求1 7中的任一項所述的組合物，其中，采用計算科學(xué)的方法算出的、 具有上述飽和雜環(huán)結(jié)構(gòu)的化合物的最高占有分子軌道的能級絕對值為6. OeV以下。
10.根據(jù)權(quán)利要求3 9中的任一項所述的組合物，其中，在上述式C3)表示的化合物 或者含有其殘基的化合物中，ET1和ET2表示的基團與至少具有2個π共軛電子的部分結(jié) 構(gòu)相鍵合，ET1和ET2表示的基團與該部分結(jié)構(gòu)之間的2面角為20°以上。
11.根據(jù)權(quán)利要求1 10中的任一項所述的組合物，其中，具有上述飽和雜環(huán)結(jié)構(gòu)的化 合物的最低三重態(tài)激發(fā)能量的值ETP與上述磷光發(fā)光性化合物的最低三重態(tài)激發(fā)能量的 值ETT滿足下述式ETP > ETT (eV)。
12.根據(jù)權(quán)利要求2 11中的任一項所述的組合物，其中，具有上述式(1-1)、(1-2)、 (1-3), (2-1), (2-2), (2-3)或者(2_4)表示的化合物的殘基作為重復(fù)單元的化合物為高分 子化合物。
13.一種高分子化合物，其中，該高分子化合物具有由選自下述式(1-1)、(1-2)、 (1-3), (2-1), (2-2), (2-3)和Q-4)中的式子表示的化合物的殘基和上述磷光發(fā)光性化合 物的殘基，化3
14.一種薄膜，其中，該薄膜使用權(quán)利要求1 12中的任一項所述的組合物或者權(quán)利要 求13所述的高分子化合物制成。
15.一種發(fā)光元件，其中，該元件使用權(quán)利要求1 12中的任一項所述的組合物或者權(quán) 利要求13所述的高分子化合物制成。
16.一種面狀光源，其中，該光源具備權(quán)利要求15所述的發(fā)光元件。
17.—種顯示裝置，其中，該裝置具備權(quán)利要求15所述的發(fā)光元件。
18.一種照明裝置，其中，該裝置具備權(quán)利要求15所述的發(fā)光元件。
全文摘要
本發(fā)明提供一種組合物，其中包括具有飽和雜環(huán)結(jié)構(gòu)的化合物以及磷光發(fā)光性化合物，所述飽和雜環(huán)結(jié)構(gòu)的環(huán)含有氮原子且該環(huán)的構(gòu)成元數(shù)為5以上。
文檔編號C08G61/12GK102106015SQ200980129129
公開日2011年6月22日 申請日期2009年6月23日 優(yōu)先權(quán)日2008年6月23日
發(fā)明者秋野喜彥 申請人:住友化學(xué)株式會社, 薩美甚株式會社