專利名稱：高分子半導(dǎo)體及制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明在多個實施方案中涉及適于在電子裝置例如薄膜晶體
管("TFT")中使用的組合物和方法。本發(fā)明還涉及使用所述組 合物和方法制成的構(gòu)件或?qū)樱约昂兴霾牧系碾娮友b置。
背景技術(shù)：
薄膜晶體管(TFT)是現(xiàn)代電子設(shè)備包括例如傳感器、圖像 掃描器和電子顯示裝置的基本構(gòu)件。使用當(dāng)前主流硅技術(shù)的TFT 電路對于某些應(yīng)用來說可能太昂貴，特別是對于高切換速度并非 必需的大面積的電子裝置，例如顯示器的底板開關(guān)電路(例如活 性基質(zhì)液晶監(jiān)視器或電視機)?；诠璧腡FT電路的高成本主要 是由于使用了資金密集型硅生產(chǎn)設(shè)備，以及需要嚴格控制的復(fù)雜 的高溫、高真空光刻制造方法。通常希望制備不僅具有低得多的 生產(chǎn)成本而且具有吸引人的機械性能例如結(jié)構(gòu)緊湊、重量輕并且 柔韌的TFT。有機薄膜晶體管(OTFT)可適于那些不需要高切 換速度或高密度的應(yīng)用。
TFT通常由一個支承基底、三個電傳導(dǎo)電極(柵極、源極和 漏極)、 一個溝道半導(dǎo)體層和一個將柵極與半導(dǎo)體層分開的電絕 緣柵介電層組成。
改進已知TFT的性能讓人期待。可通過至少三個特性來測量 性能遷移率、開關(guān)電流比以及閾值電壓。遷移率以cm2/V.s為 單位測量；較高的遷移率是合乎需要的。較高的開關(guān)電流比也是 合乎需要的。閾值電壓與為使電流流動而需要施加于柵極的偏壓 有關(guān)。通常，希望閾值電壓盡可能地接近于零(0)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明在多個實施方案中涉及適于在薄膜晶體管的半導(dǎo)體層 中使用的高分子半導(dǎo)體。所述高分子半導(dǎo)體選自式(I)和(II):
<formula>formula see original document page 6</formula>其中
Ri和R2獨立地選自氫、烷基、被取代的烷基、芳基、被取代
的芳基和雜芳基；
X和Y獨立地為共軛的二價部分； a和b獨立地為O至約10的整數(shù)；并且 n為2至約5,000的整數(shù)。 X和Y可獨立地含有一個選自以下的部分
<formula>formula see original document page 6</formula>
及其結(jié)合，其中Rs獨立地選自氫、烷基、被取代的烷基、芳基、被 取代的芳基和雜芳基。
所述高分子半導(dǎo)體可選自式(I-a)至(I-h)
<formula>formula see original document page 6</formula><formula>formula see original document page 7</formula>式(I畫e)
式(I-g) 式(I國h) 其中Ri和R3獨立地選自烷基、被取代的烷基、芳基、被取代的 芳基和雜芳基。
所述高分子半導(dǎo)體可選自式(II-a)至(II-v)之一<formula>formula see original document page 7</formula>式(II-k )<formula>formula see original document page 8</formula>
式(II-l )<formula>formula see original document page 8</formula>
式(II-t )<formula>formula see original document page 8</formula><formula>formula see original document page 9</formula> 式(II-u )<formula>formula see original document page 9</formula> 式(II-v)
其中Rp R2和R3獨立地選自烷基、被取代的烷基、芳基、被 取代的芳基和雜芳基。在具體的實施方案中，Ri、 R2和R3獨立地為 C廣C20坑基。
所述雜芳基可選自噻喻基、呋喃基、吡咬基、噁唑基、吡咯基、 三噪基、咪唑基、嘧咬基、吡嚷基、噁二喳基、吡唑基、三唑基、
噻唑基、噻二唑基、'喹啉基、喹唑啉基、1，5-二氮雜萘基和^t唑基， 并且所迷雜芳基可被烷基、芳基、具有0至約36個碳原子的含雜原 子的基團，或鹵素取代。
在另一些實施方案中，所述高分子半導(dǎo)體具有式(I)或(II):
<formula>formula see original document page 9</formula>
式(I)<formula>formula see original document page 9</formula>
式(II)
其中
Ri和R2獨立地選自氫、烷基、被取代的烷基、芳基、被取代 的芳基和雜芳基；
每一個X和Y部分獨立地選自
<formula>formula see original document page 9</formula> 其中R3獨立地選自氫、烷基、被取代的烷基、芳基、被取代的芳基和雜芳基；
a和b獨立地為0至約IO的整數(shù)；并且 n為2至約5,000的整數(shù)。
實施方案中還公開了一種制備下式高分子半導(dǎo)體的方法:
其中R3獨立地選自烷基、被取代的烷基、芳基、被取代的芳基
和雜芳基；所述方法包括
合成5，5，-二曱?；?4，4，-二(R3)硫基-2，2，-二噻吩；和 將5，5，-二甲酰基-4，4，-二(R3)硫基-2，2，-二噻吩與肼聚合從而形成
聚合物II誦j。
在另外的實施方案中還包括通過本方法制得的半導(dǎo)體層和/ 或薄膜晶體管。所述晶體管可具有0.01 cm々V.s或更大的遷移率 和/或104或更大的開關(guān)電流比。
本發(fā)明的示例性實施方案的這些及其他非限制性特征在下文 進行更具體的描述。


以下是對附圖的簡要說明，所述附圖的給出是為了說明本發(fā) 明公開的示例性實施方案，而不是為了對其進行限制。 圖1為本發(fā)明的TFT的第一個示例性實施方案。 圖2為本發(fā)明的TFT的第二個示例性實施方案。 圖3為本發(fā)明的TFT的第三個示例性實施方案。 圖4為本發(fā)明的TFT的第四個示例性實施方案。
具體實施例方式
參照附圖可更全面地理解本發(fā)明公開的構(gòu)件、方法和裝置。 所述附圖僅為方便和易于說明本發(fā)明的示意圖，因此，并不意在
式(II-j)指明本發(fā)明的裝置或構(gòu)件的相對大小和尺寸和/或限定或限制示例 性實施方案的范圍。
雖然在以下描述中為清楚起見而使用了特定術(shù)語，但是這些 術(shù)語僅意在指代選擇用來在附圖中示出的實施方案的具體結(jié)構(gòu)， 并不意在限定或限制本發(fā)明的范圍。在以下的附圖和下文描述中， 應(yīng)理解的是，相同的附圖標(biāo)記指代相同功能的構(gòu)件。
本發(fā)明涉及式(I)或(II)的高分子半導(dǎo)體，其在下文進一 步描述。所述高分子半導(dǎo)體特別適于在薄膜晶體管或有機薄膜晶
體管(OTFT)的半導(dǎo)體層中使用。所述晶體管可具有多種不同的 構(gòu)型。
圖1說明了第 一個OTFT實施方案或構(gòu)型。所述OTFT 10含 有一個與柵極30和介電層40相接觸的基底20。雖然此處將柵極 30描繪為處于基底20內(nèi)，但這并不是必需的。而介電層40將柵 極30與源極50、漏極60和半導(dǎo)體層70分開則是較重要的。源極 50接觸半導(dǎo)體層70。漏極60也接觸半導(dǎo)體層70。半導(dǎo)體層70蔓 延在源極50和漏極60之上和之間。任選的界面層80位于介電層 40和半導(dǎo)體層70之間。
圖2說明了第二個OTFT實施方案或構(gòu)型。OTFT10含有一 個與柵極30和介電層40接觸的基底20。半導(dǎo)體層70配置于介 電層40的上部或頂部并將介電層40與源極50和漏極60分開。 任選的界面層80位于介電層40和半導(dǎo)體層70之間。
圖3說明了第三個OTFT實施方案或構(gòu)型。OTFT IO含有一 個還用作柵極并與介電層40接觸的基底20。半導(dǎo)體層70配置于 介電層40的上部或頂部并將介電層40與源極50和漏極60分開。 任選的界面層80位于介電層40和半導(dǎo)體層70之間。
圖4說明了第四個OTFT實施方案或構(gòu)型。OTFT IO含有一 個與源極50、漏極60和半導(dǎo)體層70相接觸的基底20。半導(dǎo)體層 70蔓延在源極50和漏極60之上和之間。介電層40在半導(dǎo)體層 70的頂部。柵極30在介電層40的頂部并且不接觸半導(dǎo)體層70。 任選的界面層80位于介電層40和半導(dǎo)體層70之間。
所述高分子半導(dǎo)體選自式(I)和(II):<formula>formula see original document page 12</formula>
其中
Rj和R2獨立地選自氫、烷基、被取代的烷基、芳基、被取代
的芳基和雜芳基；
X和Y獨立地為共扼的二價部分； a和b獨立地為0至約10的整數(shù)；并且 n為2至約5,000的整數(shù)。
通常，所述烷基含有1至約20個碳原子，并且所述芳基含有 約2至約20個碳原子。在一些實施方案中，對于式(I)， a>0, 或者對于式(II) ， (a+b)>0。在另一些實施方案中，a為l至6。在 式(II)的特定實施方案中，a為0。在式(II)的另一些實施方案 中，a為O或l;并且b為l至6。在一些實施方案中，Ri和R2均為
氫，而在另一些實施方案中，Ri和R2獨立地為d-C20烷基。
每一個X和Y部分可選自
<formula>formula see original document page 12</formula>
及其結(jié)合，其中R3獨立地選自氫、烷基、被取代的烷基、芳基、被 取代的芳基和雜芳基。在特定的實施方案中，R3為烷基，例如d-C20烷基。應(yīng)注意的是，X和Y僅表示一個部分的存在，而a和b表示 部分的數(shù)目。換言之，X和Y部分可以相互不同，如下文所見。此 外，當(dāng)a例如大于l時，X部分本身可以不同。
在另一些實施方案中，X和Y為以下中的任何一個
<formula>formula see original document page 13</formula>
在實施方案中，所述高分子半導(dǎo)體可選自式(I-a)至(I-h)
<formula>formula see original document page 13</formula>其中R和Rs獨立地選自烷基、被取代的烷基、芳基、被取代 的芳基和雜芳基。Ri和R3可獨立地選自d-C2。烷基。
參照X和Y的含義，在式(I-e)中，a=2。兩個X部分相同(帶 有一個側(cè)鏈的瘞吩)，但是Rs側(cè)鏈在一個逸吩上位于3位碳上，而 在另一個噻吩上位于4位碳上。在式(I-f)中，a=4。兩個X部分為未被取代的噻吩，并且另兩個x部分為具有一個側(cè)鏈的蓬吩。同樣，
Rs側(cè)鏈在一個噻吩上位于3位碳上，而在另 一個瘞吩上位于4位碳 上。
在另 一些實施方案中，所述高分子半導(dǎo)體選自式(II-a )至(II-v )
之一:
<formula>formula see original document page 14</formula><formula>formula see original document page 15</formula>
R2 z n R3 式(II-u) 式(II畫v)
其中Rp R2和R3獨立地選自烷基、被取代的烷基、芳基、被 取代的芳基和雜芳基。在特定的實施方案中，Rp R2和Rs可獨立地 選自d-C2。烷基。所希望的是，高分子半導(dǎo)體具有式(II-j)。當(dāng)式(I)和(II)的Rp R2或R3為雜芳基時，該雜芳基可選
自嚷吩基、呋喃基、吡咬基、噁唑基、吡咯基、三漆基、咪唑基、 嘧啶基、吡噢基、噁二喳基、吡唑基、三唑基、蓬唑基、噢二唑基、
喹啉基、喹唑啉基、1，5-二氮雜萘基和啼唑基。所述雜芳基可被烷基、 芳基、具有0至約36個碳原子的含雜原子的基團，或鹵素取代。
在式(I)或(II)的一些實施方案中，每一個X和Y部分獨立 地選自
尸3 R3 i R3 R3
R3 R3 其中R3獨立地選自氫、烷基、被取代的烷基、芳基、被取代的
芳基和雜芳基。這些實施方案也涵蓋式(I-a)至(I-h)和式(II-a) 至式(II-v)。
式(I)或(II)的高分子半導(dǎo)體可通過任何適宜的合成方法形 成。例如，可將甲?；螋驶c氨基反應(yīng)形成聚合物(I)和(II)， 如方案1中所示。
求合# (7, ^ (7/, ^^辨遂合A。
<formula>formula see original document page 16</formula>
Ri和R2獨立地選自氫、烷基、被取代的烷基、芳基、被取代的
芳基和雜芳基；
X和Y獨立地為共軛的二價部分；a和b獨立地為0至約IO的整數(shù)；并且n為2至約5,000的整數(shù)。
如果需要，半導(dǎo)體層還可含有另一種有機半導(dǎo)體材料。其他有機半導(dǎo)體材料的實例包括但不限于并苯，例如蒽、并四苯、并五苯、
及它們被取代的衍生物、芘、富勒烯(fullerene)、低聚塞吩；其他高分子半導(dǎo)體例如三芳基胺聚合物、聚吲哚^唑、聚咔唑、聚并苯、聚芴、聚噻吩，及其被取代的衍生物；酞菁例如銅酞菁或鋅酞菁，及其被取代的衍生物。
半導(dǎo)體層約5 nm至約1000 nm厚，尤其為約10 nm至約100 nm厚。半導(dǎo)體層可通過任何合適的方法形成。但是，半導(dǎo)體層通常由液體組合物例如分散液或溶液形成，然后將其沉積于晶體管的基底上。示例性沉積方法包括液相沉積例如旋涂、浸涂、刮涂、棒涂、篩網(wǎng)印刷、沖壓、噴墨印刷等，及本領(lǐng)域已知的其他常規(guī)方法。
所述基底可由包括但不限于硅、玻璃板、塑料膜或薄片的材料組成。對于結(jié)構(gòu)柔韌的裝置，可使用塑料基底，例如聚酯、聚碳酸酯、聚酰亞胺薄片等?；椎暮穸瓤蔀榧s10微米至超過10亳米，示例性厚度為約50微米至約5亳米一一尤其對于柔韌的塑料基底，對于硬質(zhì)基底例如玻璃或硅，厚度為約0.5至約10毫米。
柵極由電傳導(dǎo)材料組成。其可為金屬薄膜、傳導(dǎo)聚合物膜、由傳導(dǎo)油墨或糊劑制成的傳導(dǎo)膜，或基底本身，例如重度摻雜的硅。柵極材料的實例包括但不限于鋁、金、銀、鉻、銦錫氧化物、傳導(dǎo)聚合物例如聚苯乙烯磺酸鹽摻雜的聚(3,4-亞乙二氧噻吩)(PSS-PEDOT)、以及由炭黑/石墨或銀膠體組成的傳導(dǎo)油墨/糊劑。柵極可通過真空蒸發(fā)、濺射金屬或傳導(dǎo)性金屬氧化物、常規(guī)平版印刷及刻蝕、化學(xué)氣相沉積、旋涂、澆鑄或印制、或其他沉積方法而制備。柵極的厚度，對于金屬膜在約10至約500納米的范圍內(nèi)，對于傳導(dǎo)聚合物在約0.5至約10微米的范圍內(nèi)。
所述介電層通?？蔀闊o機材料膜、有機聚合物膜、或有機-無機復(fù)合膜。適于作為介電層的無機材料的實例包括氧化硅、氮化硅、氧化鋁、鈦酸鋇、鋇鋯鈦酸鹽等。適宜的有機聚合物的實例包括聚酯、聚碳酸酯、聚乙烯基苯酚、聚酰亞胺、聚苯乙烯、聚曱基丙烯酸酯、聚丙烯酸酯、環(huán)氧樹脂等。介電層的厚度取決于所用材料的
介電常數(shù)，并且可為例如約10nm至約500nm。介電層可具有例如小于約UK12西門子每厘米(S/cm)的電導(dǎo)率。介電層使用本領(lǐng)域已知的常規(guī)方法形成，所述方法包括在形成柵極中所述的那些方法。
如果需要，可在介電層和半導(dǎo)體層之間設(shè)置一個界面層。當(dāng)有機薄膜晶體管中的電荷傳輸發(fā)生在所述兩層的界面處時，所述界面層可能會影響TFT的性能。示例性界面層可由硅烷形成，例如2008年4月11日提交的序列號為No. 12/101,942的美國專利申請中所述。
適于用作源極和漏極的典型材料包括用作柵極材料的那些，例如金、銀、鎳、鋁、鉑、傳導(dǎo)聚合物和傳導(dǎo)油墨。在具體的實施方案中，電極材料提供較低的對半導(dǎo)體的接觸電阻。典型的厚度為例如約40納米至約1微米，更具體的厚度為約IOO至約400納米。本發(fā)明的OTFT裝置含有半導(dǎo)體溝道。該半導(dǎo)體溝道的寬度可為例如約5微米至約5亳米，具體的溝道寬度為約100微米至約1毫米。半導(dǎo)體溝道長度可為例如約1微米至約1亳米，更具體的溝道長度為約5微米至約100微米。
當(dāng)向柵極施加例如約+10伏至約-80伏的電壓時，可將源極接地并向漏極施加例如約0伏至約80伏的偏壓以收集穿過半導(dǎo)體溝道傳輸?shù)妮d流子。所述電極可使用本領(lǐng)域已知的常規(guī)方法來形成或沉積。
如果需要，也可在TFT的頂部沉積一個屏障層來保護其免受環(huán)境條件例如光、氧和濕氣等的影響，這些可降低其電性能。所述屏障層為本領(lǐng)域已知并且可僅由聚合物構(gòu)成。
OTFT的各個構(gòu)件可以任意順序沉積于基底上，如圖中所見。術(shù)語"基底上"不應(yīng)理解為要求每一個構(gòu)件直接接觸基底。該術(shù)語應(yīng)被理解為描述構(gòu)件相對于基底的位置。但是，通常地，柵極和半導(dǎo)體層兩者均應(yīng)與介電層接觸。此外，源極和漏極兩者均應(yīng)與半導(dǎo)體層接觸。通過本發(fā)明方法形成的高分子半導(dǎo)體可沉積于有機薄膜晶體管的任何合適的構(gòu)件上從而形成該晶體管的半導(dǎo)體層。
18所得晶體管在實施方案中可具有0.001 cm2/V's或更大的遷移率。在一些實施方案中，遷移率為0.01cmVv.s或更大。
以下實施例說明了根據(jù)本發(fā)明方法制得的OTFT。所述實施例僅為示例性的，并不意在將本發(fā)明限制于本文所述的材料、條件或過程參數(shù)。除非另外指出，所有份數(shù)均為重量百分比。
實施例
聚(l，2-二((3-十二烷基-5-甲基噻吩-2-基)亞甲基)肼)式(II-j)的聚(l，2-二((3-十二烷基-5-甲基噻吩-2-基)亞曱基)肼)的合成概述于方案2中。才黃么
<formula>formula see original document page 19</formula>
5，5，-二曱酰基-4,4，-雙十二烷硫基-2,2，-二漆吩2的合成在氬氣氛下，將正丁基鋰的己烷溶液(18.65 mmol， 7.46 mL， 2.5M)在10分鐘內(nèi)添加到N，N，N，N，-四甲基乙二胺(TMEDA)(18.65mmol)和固體3，4，-雙十二烷基瘞吩1(9.33 mmol)的干燥己烷(100 mL)的混合物中。固體溶解變?yōu)辄S色透明溶液，然后形成淡黃色沉淀物。再添加40 mL己烷。將該混合物回流攪拌30分鐘，然后冷卻至-78。C。在氬氣氛下5分鐘內(nèi)逐滴添加過量的千燥N，N-二甲基曱酰胺(DMF)(32 mmol)?；旌衔锪⒓醋?yōu)辄S色。放置該反應(yīng)混合物至達到室溫(過夜)并在劇烈攪拌且保持在0'C以下的情況下將所得溶液倒入3.7%HC1水溶液(400 mL)中。用碳酸氳鈉中和后，將有機層用乙醚萃取幾次并用硫酸鈉干燥。首先使用異丙醇然后使用庚烷使固體結(jié)晶。產(chǎn)率4.35 g (83.5%)
的合成
將肼(52.67 mg， 1.052 mmol)和5，5，-二甲?；?4，4，-雙十二烷硫基國2，2，陽二蓉汾2 (0.5881 g， 1.052 mmol)在乙醇(20 mL)和氯仿(10 mL)中混合。將該混合物回流加熱24小時，然后冷卻至室溫并倒入曱醇(200mL)中。過濾后將固體在碳酸氫鈉水溶液中攪拌，然后過濾。固體使用己烷通過Sohxlet萃取法萃取24小時進行純化，然后用曱苯溶解。除去溶劑得到暗紫色金屬薄片狀的II-j。
產(chǎn)率0.21 g (36%)。
DSC:熔點170。C;211。C。
GPC: Mw肌=45066/21349 = 2.11
OTFT的制造及表征
使用圖3中示意說明的頂部接觸式薄膜晶體管構(gòu)型作為試驗裝置的結(jié)構(gòu)。試驗裝置構(gòu)建在其上具有約200納米厚的熱生長氧化硅層的n-摻雜硅晶片上，并且用電容表測得具有約15 nF/cm2 (納法/平方厘米)的電容。該硅晶片起柵極的作用而氧化硅層起柵電介質(zhì)的作用。硅晶片首先用異丙醇、氬等離子體、異丙醇清洗，空氣干燥，然后將其浸在601C的0.1 M辛基三氯硅烷(OTS-8)的甲苯溶液中達20 min。隨后，用甲苯、異丙醇洗滌晶片，并用空氣干燥。聚合物(Ii-j)的二氯苯溶液(0.5重量％)首先通過1.0微米的針頭式過濾器過濾，然后將其在室溫下以1000 rpm在經(jīng)OTS-8處理的硅晶片上旋涂120秒。在該硅晶片上形成厚度為20-50納米的半導(dǎo)體層，然后將該半導(dǎo)體層在8(TC的真空烘箱中干燥5-10小時。其后，借助具有多種溝道長度和寬度的陰軍通過真空沉積在該半導(dǎo)體層的頂部沉積約50納米厚度的金源極和漏極，從而產(chǎn)生一系列多種尺度的晶體管。在評側(cè)之前將裝置在140。C退火10-15分鐘。
晶體管性能的評測在環(huán)境條件下使用Keithley 4200 SCS半導(dǎo)體表征體系在黑箱(即排除了環(huán)境光的封閉箱)中完成。載流子遷移率H由飽和區(qū)域(柵電壓，VG<源-漏電壓，VSD)的數(shù)據(jù)根據(jù)方程式(1)進行計算
lSD - Ci n (W/2L) (Vg國Vt)2 (1)
其中IsD是飽和區(qū)域的漏電流，W和L分別為半導(dǎo)體溝道的寬度和長度，Ci為每單位面積柵介電層的電容，VG和VT分別為柵電壓和閾值電壓。裝置的Vt由炮和區(qū)域Isd的平方根和裝置的Vc之間的關(guān)聯(lián)式通過將所測數(shù)據(jù)外推至ISD = 0來確定。
裝置的遷移和輸出特性表明，化合物為p型半導(dǎo)體。使用尺寸
為W = 5,000 pm且L = 90 pm的晶體管，由至少五個晶體管得到以下性能平均值
遷移率0.03cm2/Vs
開關(guān)電流比106。
完全在環(huán)境條件下對OTFT裝置進行制造和測量，表明該類型聚合物具有優(yōu)良的空氣穩(wěn)定性。
雖然對具體實施方案進行了描述，但是申請人或本領(lǐng)域其他技術(shù)人員，仍可想到目前無法預(yù)料或可能無法預(yù)料的替代、修改、改變、改進及基本等同的方案。因此，所提交的(也可能會作修改)權(quán)利要求書意在包括所有這些替代、修改、改變、改進及基本等同的方案。
權(quán)利要求
1.一種選自式(I)和(II)的高分子半導(dǎo)體式(I)式(II)其中R1和R2獨立地選自氫、烷基、被取代的烷基、芳基、被取代的芳基和雜芳基；X和Y獨立地為共軛的二價部分；a和b獨立地為0至約10的整數(shù)；并且n為2至約5,000的整數(shù)。
2.權(quán)利要求l的高分子半導(dǎo)體，其中所述高分子半導(dǎo)體選自式(I-a) 至(I-h):<formula>formula see original document page 2</formula>)其中Ri和R3獨立地選自烷基、被取代的烷基、芳基、被取代的芳 基和雜芳基。
3. 權(quán)利要求2的高分子半導(dǎo)體，其中所述高分子半導(dǎo)體具有式 (I國b)。
4. 一種選自式(I)和(II)的高分子半導(dǎo)體<formula>formula see original document page 3</formula>式(I)式(II)其中Ri和R2獨立地選自氫、烷基、被取代的烷基、芳基、被取代的芳 基和雜芳基；每一個X和Y部分獨立地選自,R3R3 's、 R3 R3R3 R3 其中R3獨立地選自氫、烷基、被取代的烷基、芳基、被取代的芳基和雜芳基；a和b獨立地為0至約IO的整數(shù)；并且 n為2至約5,000的整數(shù)。
5. 權(quán)利要求4的高分子半導(dǎo)體，其中a為1至6。
6. 權(quán)利要求4的高分子半導(dǎo)體，選自式(II)，其中a為0或l; 并且b為l至6。
7. 權(quán)利要求4的高分子半導(dǎo)體，其中Ri和R2為氫。
8. 權(quán)利要求4的高分子半導(dǎo)體，其中R和R2獨立地為d-C2Q烷基。
9. 權(quán)利要求4的高分子半導(dǎo)體，其中R3為d-C2o烷基。
10. —種制備下式的高分子半導(dǎo)體的方法R3式(n誦j)其中Rs獨立地選自烷基、被取代的烷基、芳基、被取代的芳基和雜 芳基；所述方法包括合成5，5，-二曱酰基-4，4，-二(R3)硫基-2，2，-二噻吩；和 將5，5，-二甲酰基-4，4，-二(R3)硫基-2，2，-二噻吩與肼聚合從而形成聚合 物II-j。
全文摘要
一種高分子半導(dǎo)體，選自式(I)和(II)，式(I) (II)其中X、Y、a、b、n、R₁和R₂如本文所定義。
文檔編號C08G73/00GK101654517SQ20091016651
公開日2010年2月24日 申請日期2009年8月17日 優(yōu)先權(quán)日2008年8月18日
發(fā)明者Y·李 申請人:施樂公司