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全息記錄材料、其制造方法及全息記錄介質(zhì)的制作方法

文檔序號:3671439閱讀:215來源:國知局

專利名稱::全息記錄材料、其制造方法及全息記錄介質(zhì)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
:本發(fā)明涉及適于體積型全息記錄的全息記錄材料、其制造方法及具有上述全息記錄材料的全息記錄介質(zhì)。本發(fā)明特別涉及不僅適于利用綠色激光的記錄/再現(xiàn)而且還適于利用青色激光的記錄/再現(xiàn)的全息記錄材料、其制造方法及具有上述全息記錄材料的全息記錄介質(zhì)。
背景技術(shù)
:作為能夠?qū)崿F(xiàn)大容量、高速傳送的記錄技術(shù),正在積極進(jìn)行對全息照相存儲器(holographicmemory)的研究開發(fā)。在OplusE,Vol.25,No.4,385—390(2003)中,記載有全息照相存儲器的基本結(jié)構(gòu)及今后的展望。作為對全息記錄材料要求的特性,可以舉出記錄之時(shí)的高折射率變化、高靈敏度、低散射、耐環(huán)境性、耐久性、低尺寸變化及高多重度等。迄今為止,如下所示報(bào)告過各種使用了綠色激光器的全息照相存儲器記錄。作為全息記錄材料,己知以有機(jī)粘合劑聚合物和光聚合性單體作為主成分的光致聚合物材料。但是,光致聚合物材料在耐環(huán)境性、耐久性等方面有問題。為了解決光致聚合物材料的問題,以無機(jī)基質(zhì)和光聚合性單體作為主成分的有機(jī)一無機(jī)混合材料受到關(guān)注而被研究。無機(jī)基質(zhì)在耐環(huán)境性、耐久性方面很出色。例如,在日本專利2953200號公報(bào)中,公布了在無機(jī)物質(zhì)網(wǎng)狀膜中含有光聚合性單體或低聚物及光聚合引發(fā)劑的光記錄用膜。另外,還公布了對無機(jī)網(wǎng)狀物進(jìn)行有機(jī)修飾而改善無機(jī)網(wǎng)狀膜的脆性的內(nèi)容。但是,無機(jī)物質(zhì)網(wǎng)絡(luò)與光聚合性單體或低聚物的相溶性不好。由此難以獲得均勻的膜。在相同公報(bào)中具體地公布的是,將厚約l(Him的感光層()用514.5nm的氬激光器曝光()。在曰本特開平11—344917號公報(bào)中,公布了在有機(jī)一無機(jī)混合基質(zhì)中含有光活性單體的光記錄介質(zhì)。上述有機(jī)無機(jī)混合基質(zhì)在金屬元素上具有烷基(甲基)或芳基(苯基)。但是,利用甲基的導(dǎo)入,無法改善混合基質(zhì)與光活性單體的相溶性。苯基的導(dǎo)入與甲基的導(dǎo)入相比可以獲得相溶性的改善。但是,因苯基的導(dǎo)入,混合基質(zhì)前驅(qū)體的固化速度降低(相同編號公報(bào))。相同編號公報(bào)中具體地公布的是,將厚100pm的全息記錄層用532nm的YAG激光器記錄(例3,)。在日本特開2002—236439號公報(bào)中,公布了含有基質(zhì)、光聚合性化合物及光聚合引發(fā)劑的全息記錄材料,其中,基質(zhì)由將作為主鏈構(gòu)成成分含有乙烯性不飽和雙鍵的有機(jī)金屬化合物與具有乙烯性不飽和雙鍵的有機(jī)單體共聚而成的有機(jī)一無機(jī)混合聚合物及/或其水解縮聚物構(gòu)成。通過將大的有機(jī)主鏈成分導(dǎo)入基質(zhì)材料,可以改善基質(zhì)與光聚合性化合物的相溶性。但是認(rèn)為,在導(dǎo)入大的有機(jī)主鏈成分時(shí),由于在基質(zhì)材料中存在有機(jī)主鏈與無機(jī)網(wǎng)絡(luò)的雙成分結(jié)構(gòu),從而有可能無法顯示出記錄之時(shí)的作為基質(zhì)的單一的性質(zhì),引起記錄的不均。另外,當(dāng)基質(zhì)中的有機(jī)主鏈成分的比例較大時(shí),則會產(chǎn)生與使用有機(jī)粘合劑聚合物的光致聚合物材料中的情況相同的問題。在相同編號公報(bào)中具體地公布的是,將厚20pm的全息記錄材料層()用514.5nm的氬激光器曝光()。為了解決上述各公報(bào)中所公布的全息記錄材料的問題,在日本特開2005—321674號公報(bào)中,公布了包含有機(jī)金屬化合物、光聚合性化合物的全息記錄材料,其中,所述有機(jī)金屬化合物具有至少含有兩種金屬(Si、Ti)、氧及芳香族基并且兩個(gè)芳香族基與一個(gè)金屬(Si)直接結(jié)合的有機(jī)金屬單位。在相同編號公報(bào)的實(shí)施例l(特別是)中,具有上述全息記錄材料的厚10(Him的層的全息記錄介質(zhì)在Nd:YAG激光器(532nm)的記錄中,可以獲得高透過率、高折射率變化、低散射及高多重度。雖然在上述任何的公報(bào)中都公開了使用綠色激光器的全息照相存儲器記錄,但是沒有公開使用青色激光器的全息照相存儲器記錄。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于,提供一種全息記錄材料及其制造方法,其不僅在使用綠色激光器的全息照相存儲器記錄中,而且在使用青色激光器的全息照相存儲器記錄中,都能實(shí)現(xiàn)高折射率變化、柔軟性、高靈敏度、低散射、耐環(huán)境性、耐久性、低尺寸變化(低收縮性)以及高多重度,適于體積型全息記錄。此外,本發(fā)明的目的在于,提供一種具有由上述全息記錄材料構(gòu)成的全息記錄層的全息記錄介質(zhì)。本發(fā)明者等研究后發(fā)現(xiàn),如果在日本特開2005—321674號公報(bào)中所公布的全息記錄介質(zhì)上使用青色激光器進(jìn)行全息照相存儲器記錄,則會發(fā)生透過率的降低,無法得到良好的全息照相存儲器記錄特性。此外,發(fā)現(xiàn)透過率的降低是因?qū)i作為構(gòu)成金屬元素含有而引起的。如果透過率降低,則會在記錄層中沿記錄層的厚度方向不均勻地形成全息記錄圖(干涉條紋),從而產(chǎn)生散射性噪音(noise)等。已經(jīng)判明,為得到良好的全息圖像特性,介質(zhì)需要具有50%以上的光透過率。全息記錄層的光透過率依賴于它的厚度。如果減小記錄層的厚度,則光透過率提高,但向已記錄了的圖案射入再現(xiàn)光后所得的衍射峰的寬度展寬,鄰接的衍射峰之間的分離性變差。所以,為了得到充分的SN比(SignaltoNoiseratio),在進(jìn)行多重記錄時(shí)必須使移動間隔(角度等)較寬,這樣就不能實(shí)現(xiàn)高多重度。為了實(shí)現(xiàn)確保了高多重度的全息照相存儲器記錄特性,無論在哪種記錄系統(tǒng)中使用全息記錄介質(zhì),也都需要最低lOOjxm厚度的記錄層。在日本特愿2006—238357(2006年9月1日申請)中提出過如下的全息記錄材料,其含有金屬氧化物和光聚合性化合物,該金屬氧化物作為金屬含有選自由Si、Ta及Zr構(gòu)成的組中的至少一種,并且在Ta及/或Zr上配位有絡(luò)合物形成配位體(Complexingligand)。上述申請?jiān)诒旧暾執(zhí)岢鰰r(shí)尚未公開。絡(luò)合物形成配位體例如選自由P—二羰基化合物、多羥基化配位體及a—或(3—羥基酸構(gòu)成的組中。本發(fā)明人等進(jìn)行了進(jìn)一步研究,發(fā)現(xiàn)了對青色激光器具有更高的透光性,可以實(shí)現(xiàn)高靈敏度及高多重度的全息記錄材料。本發(fā)明中包括以下的發(fā)明。(1)一種全息記錄材料,是含有金屬氧化物和光聚合性化合物,其中的金屬氧化物作為金屬至少含有Si和Zr,并且在Zr上配位有卩一二羰基化合物的全息記錄材料,在上述金屬氧化物中,(3—二羰基化合物與Zr原子的摩爾比(P—二羰基化合物/Zr)在2/1以上3/1以下,并且Si原子與Zr原子的摩爾比(Si/Zr)大于1/1而在1.15/1以下。(2)根據(jù)上述(1)中所述的全息記錄材料,其中,上述金屬氧化物具有在Si上直接結(jié)合有兩個(gè)芳香族基的有機(jī)金屬單位。(3)根據(jù)上述(1)或(2)中所述的全息記錄材料,其中,還含有光聚合引發(fā)劑。(4)一種全息記錄材料的制造方法,是制造如下全息記錄材料的方法,該全息記錄材料含有金屬氧化物和光聚合性化合物,其中的金屬氧化物作為金屬至少含有Si和Zr,并且在Zr上配位有|3—二羰基化合物,該方法包括將作為起始原料的Zr的醇鹽化合物和(3—二羰基化合物以使P—二羰基化合物與Zr原子的摩爾比(P—二羰基化合物/Zr)在2/1以上3/1以下的方式混合,將Zr的醇鹽化合物用(3—二羰基化合物修飾的工序;將用P—二羰基化合物修飾了的Zr的醇鹽化合物和Si的醇鹽化合物以使Si原子與Zr原子的摩爾比(Si/Zr)大于1/1而在1.15/1以下的方式混合的工序;將所混合的醇鹽化合物水解,得到金屬氧化物的前驅(qū)體的工序;在上述水解之前、水解之時(shí)或水解之后,混合光聚合性化合物的工序;使混合了光聚合性化合物的金屬氧化物前驅(qū)體進(jìn)行縮聚反應(yīng)的工序。(5)根據(jù)上述(4)中所述的全息記錄材料的制造方法,其中,作為起始原料的Zr的醇鹽化合物,使用以Zr(OR)n(1)(式中,R為碳數(shù)34的直鏈狀的飽和烷基,n為4)表示的Zr醇鹽化合物。(6)—種全息記錄介質(zhì),其具有由上述(1)(3)中任意一項(xiàng)所述的全息記錄材料或利用上述(4)或(5)中所述的制造方法得到的全息記錄材料構(gòu)成的全息記錄層。(7)根據(jù)上述(6)中所述的全息記錄介質(zhì),其被利用波長350450nm的激光進(jìn)行記錄/再現(xiàn)。(8)根據(jù)上述(6)或(7)中所述的全息記錄介質(zhì),其中,記錄介質(zhì)是在波長405nrn具有50%以上的光透過率的材料,或者是在波長405nm具有25%以上的光反射率的材料。(9)根據(jù)上述(6)(8)中任意一項(xiàng)所述的全息記錄介質(zhì),其中,全息記錄層至少具有O.lmm(100pm)的厚度。根據(jù)本發(fā)明的全息記錄材料,由于作為基質(zhì)或光聚合性化合物的分散劑發(fā)揮作用的含有機(jī)基金屬氧化物,作為構(gòu)成金屬元素含有Si和Zr,并且在Zr上配位有作為絡(luò)合物形成配位體的卩一二羰基化合物,因此是非常均一的形態(tài)的材料,與作為構(gòu)成金屬元素含有Ti的材料相比,對青色區(qū)域的波長的光的吸收更少。另外,根據(jù)本發(fā)明的全息記錄材料,由于設(shè)為金屬氧化物中P—二羰基化合物與Zr原子的摩爾比((3—二羰基化合物/Zr)在2/1以上3/1以下,并且Si原子與Zr原子的摩爾比(Si/Zr)大于1/1而在1.15/1以下,因此對青色區(qū)域的波長的光的吸收非常少。由此,使用本發(fā)明的全息記錄材料,可以提供如下的全息記錄介質(zhì),即,對青色激光具有更高的透光性,不僅可以在利用綠色激光的記錄/再現(xiàn)中,而且可以在利用青色激光的記錄/再現(xiàn)中,實(shí)現(xiàn)高靈敏度及高多重度。圖1是表示實(shí)施例中制作的全息記錄介質(zhì)的概略剖面的圖。圖2是表示實(shí)施例中所用的全息記錄光學(xué)系統(tǒng)的概略情況的平面圖。具體實(shí)施方式本發(fā)明的全息記錄材料由作為必需成分含有含有機(jī)基金屬氧化物和光聚合性化合物的組合物構(gòu)成,其中,含有機(jī)基金屬氧化物作為金屬以特定比率至少含有Si和Zr,并且在Zr上以特定比率配位有作為絡(luò)合物形成配位體(Complexligand)的P—二羰基化合物。將全息記錄材料制成薄膜狀而作為全息記錄材料層。雖然也可以還使用Si及Zr以外的其他的任意金屬,但是最好不使用Ti。通過作為構(gòu)成元素含有兩種以上的金屬,對折射率等的特性控制就會變得容易,在記錄材料的設(shè)計(jì)上是理想的。上述含有機(jī)基金屬氧化物是通過將用作為絡(luò)合物形成配位體的(3—二羰基化合物修飾了的Zr的醇鹽化合物及Si所對應(yīng)的醇鹽化合物進(jìn)行水解及聚合反應(yīng)(所謂的溶膠一凝膠反應(yīng))而得到的,成為非常均一的形態(tài)的凝膠狀或溶膠狀。上述含有機(jī)基金屬氧化物在全息記錄材料層中作為基質(zhì)或光聚合性化合物的分散劑發(fā)揮作用。即,可以將液相的光聚合性化合物均一地相溶性良好地分散于凝膠狀或溶膠狀的上述含有機(jī)基金屬氧化物中。如果向全息記錄材料層照射具有干涉性的光,則會在曝光部光聚合性有機(jī)化合物(單體)引起聚合反應(yīng)而聚合化,并且光聚合性有機(jī)化合物從未曝光部向曝光部擴(kuò)散移動,進(jìn)一步推進(jìn)曝光部的聚合化。其結(jié)果是,可以與光強(qiáng)度分布對應(yīng)地形成由光聚合性有機(jī)化合物生成的聚合物多的區(qū)域和聚合物少的區(qū)域。此時(shí),上述含有機(jī)基金屬氧化物從上述聚合物多的區(qū)域向上述聚合物少的區(qū)域移動,上述聚合物多的區(qū)域成為上述金屬氧化物少的區(qū)域,上述聚合物少的區(qū)域成為上述金屬氧化物多的區(qū)域。這樣,就可以利用曝光形成上述聚合物多的區(qū)域和上述金屬氧化物多的區(qū)域,在上述聚合物與上述金屬氧化物之間具有折射率差時(shí),就可以與光強(qiáng)度分布對應(yīng)地記錄折射率變化。為了在全息記錄材料中獲得更好的記錄特性,由光聚合性化合物生成的上述聚合物的折射率與上述金屬氧化物的折射率的差需要較大。對于上述聚合物與上述金屬氧化物的兩者的折射率的高低,無論將哪一個(gè)設(shè)定得較高,將哪一個(gè)設(shè)定得較低都可以。如果使用很多的Si,則可以考慮將上述金屬氧化物的折射率設(shè)定為低折射率的設(shè)計(jì)。但是,本發(fā)明中,由于上述金屬氧化物作為必需構(gòu)成元素含有Zr,因此可以獲得上述金屬氧化物的高折射率。所以,將上述金屬氧化物設(shè)為高折射率,將上述聚合物設(shè)為低折射率,來設(shè)計(jì)全息記錄材料即可。本發(fā)明中,在構(gòu)成上述金屬氧化物的Zr原子的至少一部分配位有作為絡(luò)合物形成配位體的(3—二羰基化合物。卩一二羰基化合物與Zr原子的摩爾比(P—二羰基化合物/Zr)在2/1以上3/1以下的范圍中。作為P—二羰基化合物,可以舉出乙酰丙酮(AcAc)、苯甲酰丙酮等P—二酮、乙酰乙酸乙酯(EtAcAc)等p—酮酸酯。如果將Zr的醇鹽化合物和Si的醇鹽化合物的混合物用于溶膠一凝膠反應(yīng),則由于Si的醇鹽化合物的水解及聚合反應(yīng)的速度一般來說較小,Zr的醇鹽化合物的水解及聚合反應(yīng)的速度較大,因此Zr的氧化物就會凝聚,無法獲得均勻的溶劑一凝膠反應(yīng)生成物。本發(fā)明人等研究后發(fā)現(xiàn),通過在Zr的醇鹽化合物上以達(dá)到上述特定的摩爾比(P—二羰基化合物/Zr)的方式配位卩一二羰基化合物而進(jìn)行化學(xué)修飾,就可以適度地抑制(控制)其水解及聚合反應(yīng),獲得由與Si的醇鹽化合物的混合物構(gòu)成的均勻的溶膠一凝膠反應(yīng)生成物。本發(fā)明中,在溶膠一凝膠反應(yīng)之前,在Zr的醇鹽化合物上以使(3—二羰基化合物與Zr原子的摩爾比((3—二羰基化合物/Zr)達(dá)到2/1以上3/1以下,例如達(dá)到大于2/l而在3/1以下的方式配位卩—二羰基化合物。艮口,在Zr的醇鹽化合物Zr(OR)4(這里R為垸基)上配位卩一二羰基化合物,例如如果是卩—二羰基化合物為乙酰丙酮(AcAc)的情況,則變成含有數(shù)個(gè)Zr的簇、Zr(OR)3(AcAc)、Zr(OR)2(AcAc)2、Zr(OR)(AcAc)3之類的Zr化合物的混合物。其結(jié)果是,有助于水解和聚合反應(yīng)的垸氧基數(shù)目的減少,并且可以利用乙酰丙酮(AcAc)之類的絡(luò)合物形成配位體的立體的因子來抑制烷氧基的反應(yīng)性,從而適度地抑制水解及聚合反應(yīng)??紤]到上述的反應(yīng)抑制作用,如果(3—二羰基化合物/Zr的摩爾比小于2/1,則由于P—二羰基化合物的量少,Zr醇鹽化合物的水解及聚合反應(yīng)的速度大,因此無法獲得Si醇鹽化合物共存下的均勻的溶膠一凝膠反應(yīng)生成物。由此,就難以實(shí)現(xiàn)全息記錄介質(zhì)的高靈敏度及高多重度。另一方面,如果卩一二羰基化合物/Zr的摩爾比超過3/1,則由于卩一二羰基化合物的量過多,過度地抑制Zr醇鹽化合物的水解及聚合反應(yīng)的速度,因此就難以促進(jìn)溶劑一凝膠反應(yīng)生成物的固化。另外,由于金屬氧化物基質(zhì)中的卩一二羰基化合物的含量增加,因此金屬氧化物基質(zhì)的折射率降低。由此就難以實(shí)現(xiàn)全息記錄介質(zhì)的高靈敏度及高多重度。優(yōu)選在Zr的醇鹽化合物上以使j3—二羰基化合物與Zr原子的摩爾比(卩—二羰基化合物/Zr)達(dá)到2.2A2,8/1的方式配位(3—二羰基化合物。作為起始原料的Zr的醇鹽化合物,雖然沒有限定,但是優(yōu)選使用以Zr(OR)n(1)表示的Zr醇鹽化合物。式中,R為碳數(shù)34的直鏈狀的飽和烷基,n為4。而且,四個(gè)R既可以相同也可以不同。具體來說,可以舉出四正丙氧基鋯、四正丁氧基鋯。具有直鏈狀的飽和烷氧基的Zr醇鹽化合物與具有支鏈狀的垸氧基的化合物相比,立體障礙小,容易配位(3—二羰基化合物,因此優(yōu)選。但是,也可以使用四異丙氧基鋯、四叔丁氧基鋯等。本發(fā)明中,如上所述,在金屬氧化物中,(3—二羰基化合物與Zr原子的摩爾比(P—二羰基化合物/Zr)在2/1以上3/1以下,并且Si原子與Zr原子的摩爾比(Si/Zr)大于1/1而在1.15/1以下,例如在1.01/1以上1.15/1以下。為了獲得此種Si/Zr的摩爾比,只要將作為原料的Zr醇鹽化合物及Si醇鹽化合物以達(dá)到此種Si/Zr的摩爾比的方式使用即可。如果Si/Zr的摩爾比在1/1以下,則Zr醇鹽化合物相對于Si醇鹽化合物來說過多,難以獲得在Si醇鹽化合物共存下的均勻的溶劑一凝膠反應(yīng)生成物。由此就難以實(shí)現(xiàn)全息記錄介質(zhì)的高靈敏度及高多重度。另一方面,如果Si/Zr的摩爾比超過1.15/1,則Zr醇鹽化合物相對于Si醇鹽化合物來說過少,難以促進(jìn)溶劑一凝膠反應(yīng)生成物的固化。另外,由于金屬氧化物基質(zhì)中的Zr的比率降低,因此金屬氧化物基質(zhì)的折射率降低。由此就難以實(shí)現(xiàn)全息記錄介質(zhì)的高靈敏度及高多重度。通過將Si原子與Zr原子的摩爾比(Si/Zr)設(shè)為大于1/1而在1.15/1以下的范圍,就很容易將金屬氧化物基質(zhì)的折射率控制為所需的值,容易獲得均勻的溶劑一凝膠反應(yīng)生成物。Si/Zr的摩爾比優(yōu)選1.05/1以上1.1/1以下。像這樣,本發(fā)明的上述含有機(jī)基金屬氧化物是非常均一的形態(tài)的凝膠狀或溶膠狀的材料。此外,上述含有機(jī)基金屬氧化物與作為構(gòu)成金屬元素含有Ti的材料相比,對青色區(qū)域的波長的光的吸收非常少。在上述含有機(jī)基金屬氧化物中,金屬之間(同種金屬之間、異種金屬之間)借助氧原子結(jié)合。本發(fā)明中,在上述金屬氧化物中,出于獲得所需的折射率等目的,也可以以不損害全息記錄介質(zhì)的高靈敏度及高多重度的程度的量含有Si及Zr以外的其他的任意金屬,例如從Ta、Ge、Sn、Al及Zn等中任意地選擇的金屬。本發(fā)明中,對具有柔軟性的優(yōu)選的含有機(jī)基金屬氧化物進(jìn)行說明。本發(fā)明中,為了在全息記錄材料中獲得更好的記錄特性,需要在與上述含有機(jī)基金屬氧化物共存的狀態(tài)下容易地進(jìn)行光聚合性化合物的擴(kuò)散/聚合物化。如果上述含有機(jī)基金屬氧化物具有柔軟性,則會作為基質(zhì)或光聚合性化合物的分散劑發(fā)揮作用,可以容易地進(jìn)行光聚合性化合物的擴(kuò)散/聚合物化。這樣,利用光照射,曝光部與未曝光部之間的折射率變化就會變得更大。本發(fā)明中優(yōu)選的上述含有機(jī)基金屬氧化物具有如下的有機(jī)金屬單元(Ar—Si—Ar),其作為金屬(M),含有Si和Zr,并且在Zr上配位有卩一二羰基化合物,另外在Si上直接結(jié)合有兩個(gè)芳香族基(Ar)?;蛘咭部梢跃哂腥缦碌挠袡C(jī)金屬單元(Ar—M—Ar),其作為金屬(M),還使用Si及Zr以外的其他的任意金屬(但是不使用Ti),在上述任意金屬(M)上直接結(jié)合有兩個(gè)芳香族基(Ar)。具有此種有機(jī)金屬單元的上述金屬氧化物具有柔軟性。為了向上述金屬氧化物中導(dǎo)入上述有機(jī)金屬單元(Ar—M—Ar),在溶膠一凝膠反應(yīng)之時(shí),使用構(gòu)成上述有機(jī)金屬單位的金屬(M)的二芳基醇鹽化合物即可。Si的二芳基醇鹽化合物作為原料很容易獲得。可以舉出二苯基二甲氧基硅烷、二苯基二乙氧基硅垸等。但是,并不是除去在Si以外的其他的金屬上直接結(jié)合芳香族基的材料。更優(yōu)選的上述有機(jī)金屬單元(Ar—Si—Ar)是將兩個(gè)苯基(Ph)與一個(gè)Si直接結(jié)合的單元(Ph—Si—Ph)。Si的二苯基醇鹽化合物作為原料很容易獲得,水解及聚合的反應(yīng)性也良好。另外,苯基也可以具有取代基。優(yōu)選的上述含有機(jī)基金屬氧化物具有在一個(gè)金屬上直接結(jié)合兩個(gè)芳香族基的有機(jī)金屬單元,而除了此種有機(jī)金屬單元以外,也可以具有在一個(gè)金屬上直接結(jié)合一個(gè)芳香族基的有機(jī)金屬單元,還可以具有在一個(gè)金屬上直接結(jié)合三個(gè)芳香族基的有機(jī)金屬單元。通過向Si上導(dǎo)入兩個(gè)芳香族基(苯基),與后述的光聚合性化合物或其因聚合而生成的有機(jī)聚合物的相溶性就會變得良好。另外,上述含有機(jī)基金屬氧化物的折射率也變高。本發(fā)明中,上述含有機(jī)基金屬氧化物中所含的苯基的個(gè)數(shù)(p)及Si的個(gè)數(shù)(s)優(yōu)選在上述金屬氧化物的組合物中滿足s蕓p〈3s的關(guān)系。具體來說,作為上述金屬氧化物組合物整體,從與光聚合性化合物或因其聚合而生成的有機(jī)聚合物的相溶性的觀點(diǎn)考慮,優(yōu)選在一個(gè)Si原子上結(jié)合一個(gè)以上而小于三個(gè)苯基。本發(fā)明中,在上述含有機(jī)基金屬氧化物的Si上,也可以導(dǎo)入芳香族基以外的有機(jī)基,例如導(dǎo)入垸基。例如,在不損害本發(fā)明的效果的范圍中,可以使用甲基苯基二甲氧基硅烷等。另外,由于如果存在三甲基甲氧基硅垸等單烷氧基硅烷,則聚合反應(yīng)就被停止,因此可以將單垸氧基硅烷用于分子量的調(diào)整。另外,在上述金屬氧化物中,也可以含有上述以外的其他的微量的元素。本發(fā)明中,光聚合性化合物是可以光聚合的單體。作為光聚合性化合物,可以使用從自由基聚合性化合物及陽離子聚合性化合物中選擇的化合物。作為自由基聚合性化合物,只要是在分子內(nèi)具有1個(gè)以上的自由基聚合性不飽和雙鍵的化合物就沒有特別的限定,例如可以使用具有(甲基)丙烯?;?、乙烯基的單官能或多官能化合物。而且,所謂(甲基)丙烯酰基就是甲基丙烯?;氨;目偡Q。此種自由基聚合性化合物中,作為具有(甲基)丙烯?;幕衔锟梢耘e出(甲基)丙烯酸苯氧基乙酯、(甲基)丙烯酸2—甲氧乙酯、(甲基)丙烯酸一2—羥乙酯、(甲基)丙烯酸芐酯、(甲基)丙烯酸環(huán)己酯、(甲基)丙烯酸乙氧基二甘醇酯、(甲基)丙烯酸甲氧基聚乙二醇酯、(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸聚乙二醇酯、(甲基)丙烯酸聚丙二醇酯、(甲基)丙烯酸十八垸醇酯等單官能(甲基)丙烯酸酯;三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、二甘醇二(甲基)丙烯酸酯、三甘醇二(甲基)丙烯酸酯、四甘醇二(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、雙(2—羥基乙基)三聚異氰酸酯二(甲基)丙烯酸酯、2,2—雙(4一(丙烯酰氧二乙氧)苯基)丙烷等多官能(甲基)丙烯酸酯,但不一定限定于它們。另外,作為具有乙烯基的化合物,可以舉出單乙烯基苯(苯乙烯)、乙二醇單乙烯基醚等單官能乙烯基化合物;二乙烯基苯、乙二醇二乙烯基醚、二甘醇二乙烯基醚、三甘醇二乙烯基醚等多官能乙烯基化合物,但不一定限定于它們??梢灾皇褂靡环N自由基聚合性化合物,也可以并用2種以上。在本發(fā)明中,當(dāng)將所述金屬氧化物設(shè)為高折射率,將有機(jī)聚合物設(shè)為低折射率時(shí),上述的自由基聚合性化合物中優(yōu)選不具有芳香族基的低折射率(例如折射率在1.5以下)的化合物。另外,為了進(jìn)一步提高與上述金屬氧化物的相溶性,優(yōu)選更親水的(甲基)丙烯酸聚乙二醇酯、聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯等二醇衍生物。作為陽離子聚合性化合物,只要是具有從環(huán)狀醚基及乙烯基醚基中選擇的至少一種反應(yīng)性基團(tuán)的化合物,就對其結(jié)構(gòu)沒有特別限定。在此種陽離子聚合性化合物中,作為具有環(huán)狀醚基的化合物,例如可以舉出具有環(huán)氧基或脂環(huán)環(huán)氧基、氧雜環(huán)丁垸基的化合物。作為具有環(huán)氧基的化合物,具體來說,可以舉出l,2—環(huán)氧十六烷、2—乙基己基二甘醇縮水甘油醚等單官能環(huán)氧化合物;雙酚A二縮水甘油醚、線型酚醛清漆型環(huán)氧樹脂類、三苯酚甲垸三縮水甘油醚、1,4一丁二醇二縮水甘油醚、1,6—己二醇二縮水甘油醚、甘油三縮水甘油醚、三羥甲基丙垸三縮水甘油醚、丙二醇二縮水甘油醚、聚乙二醇二縮水甘油醚等多官能環(huán)氧化合物。另外,作為具有脂環(huán)環(huán)氧基的化合物,具體來說,可以舉出l,2—環(huán)氧一4一乙烯基環(huán)己烷、D—2,2,6—三甲基一2,3—環(huán)氧二環(huán)[3,1,1]庚烷、(甲基)丙烯酸一3,4一環(huán)氧環(huán)己基甲酯等單官能化合物;羧酸一2,4一環(huán)氧環(huán)己基甲基一3,4一環(huán)氧環(huán)己烷酯、二(3,4一環(huán)氧環(huán)己基甲基)己二酸酯、2—(3,4一環(huán)氧環(huán)己基一5,5—螺一3,4一環(huán)氧)環(huán)己酮一間位一二噁烷、二(2,3—環(huán)氧環(huán)戊基)醚、EHPE—3150(Daicel化學(xué)工業(yè)(株)制,脂環(huán)式環(huán)氧樹脂)等多官能化合物。作為具有氧雜環(huán)丁垸基的化合物,具體來說,可以舉出3—乙基一3—羥甲基氧雜環(huán)丁烷、3—乙基一3—(2—乙基己氧基甲基)氧雜環(huán)丁垸、3—乙基一3—(2—環(huán)己氧基甲基)氧雜環(huán)丁烷等單官能氧雜環(huán)丁烷基化合物;1,4—二〔(3—乙基一3—氧雜環(huán)丁垸基甲氧基)甲基)苯、1,3一二(G—乙基一3—氧雜環(huán)丁烷基甲氧基)甲基〕丙垸、乙二醇二(3—乙基一3—氧雜環(huán)丁烷基甲基)醚、三羥甲基丙烷三(3—乙基一3—氧雜環(huán)丁烷基甲基)醚、季戊四醇四(3—乙基一3—氧雜環(huán)丁烷基甲基)醚、二季戊四醇六(3—乙基一3—氧雜環(huán)丁烷基甲基)醚、環(huán)氧乙垸改性雙酚A二(3—乙基一3—氧雜環(huán)丁垸基甲基)醚等多官能氧雜環(huán)丁垸基化合物。陽離子聚合性化合物中,作為具有乙烯基醚基的化合物,具體來說,可以舉出三甘醇單乙烯基醚、環(huán)己垸二甲醇單乙烯基醚、4一羥基環(huán)己基乙烯基醚等單官能化合物;三甘醇二乙烯基醚、四甘醇二乙烯基醚、三羥甲基丙烷三乙烯基醚、環(huán)己烷一l,4一二羥甲基二乙烯基醚、1,4一丁二醇二乙烯基醚、聚酯二乙烯基醚、聚氨酯聚乙烯基醚等多官能化合物。可以只使用1種陽離子聚合性化合物,也可以并用2種以上。另外,作為光聚合性化合物還可以使用上述例示的陽離子聚合性化合物的低聚物。在本發(fā)明中,當(dāng)將所述金屬氧化物設(shè)為高折射率,將有機(jī)聚合物設(shè)為低折射率時(shí),上述的陽離子聚合性化合物中優(yōu)選不具有芳基的低折射率(例如折射率在1.5以下)的化合物。另外,為了進(jìn)一步提高與所述金屬氧化物的相溶性,優(yōu)選更親水的聚乙二醇二縮水甘油醚等二醇衍生物。在本發(fā)明中,光聚合性化合物相對于所述金屬氧化物總重量,例如使用51000重量%左右,優(yōu)選使用10300重量%即可。如果低于5重量%,則記錄時(shí)難以得到大的折射率變化,在高于1000重量%的情況下,記錄時(shí)也難以得到大的折射率變化。在本發(fā)明中,優(yōu)選在全息記錄材料中還含有與記錄光的波長對應(yīng)的光聚合引發(fā)劑。如果含有光聚合引發(fā)劑,則可以利用記錄時(shí)的曝光促進(jìn)光聚合性化合物的聚合,可以獲得更高的靈敏度。在作為光聚合性化合物使用自由基聚合性化合物的情況下,使用光自由基引發(fā)劑。另一方面,在作為光聚合性化合物使用陽離子聚合性化合物的情況下,使用光陽離子引發(fā)劑。作為光自由基引發(fā)劑,例如可以舉出Darocur1173、Irgacure784、Irgacure651、Irgacure184、Irgacure907(均為汽巴精化(CibaSpecialtyChemicals)公司制)。光自由基引發(fā)劑的含量例如以自由基聚合性化合物為基準(zhǔn),為0.110重量%左右,優(yōu)選為0.55重量%左右。作為光陽離子引發(fā)劑,例如可以使用重氮鹽、锍鹽、碘鑰鹽等鎗鹽,特別優(yōu)選使用芳香族鑰鹽。除此之外,還可以優(yōu)選使用二茂鐵衍生物等鐵一芳烴絡(luò)合物或芳基硅烷醇一鋁絡(luò)合物等,從中適當(dāng)?shù)剡x擇即可。具體來說,可以舉出CyracureUVI—6970、CyracureUVI—6974、CyracureUVI—6990(均為美國DowChemical公司制)、Irgacure264、Irgacure250(均為汽巴精化(CibaSpecialtyChemicals)公司制)、CIT—1682(日本曹達(dá)制)等。光陽離子引發(fā)劑的含量例如以陽離子聚合性化合物為基準(zhǔn),為0.110重量%左右,優(yōu)選為0.55重量%左右。也可以除了光聚合引發(fā)劑之外還含有作為與記錄光波長對應(yīng)的光增感劑起作用的色素等。作為光增感劑,例如可以舉出噻噸一9一酮、2,4一二乙基一9H—噻噸一9一酮等噻噸酮類,咕噸類、花青類、部花菁類、噻嗪類、吖啶類、蒽醌及斯夸琳(squalirium)類。光增感劑的使用量為光自由基引發(fā)劑的350重量%左右,例如設(shè)為10重量%左右即可。下面,對全息記錄材料的制造進(jìn)行說明。本發(fā)明的全息記錄材料沒有特別限定,然而優(yōu)選利用如下的制造方法來制造,其包括將作為起始原料的Zr的醇鹽化合物和卩一二羰基化合物以使卩一二羰基化合物與Zr原子的摩爾比(p—二羰基化合物/Zr)在2/1以上3/1以下的方式混合,將Zr的醇鹽化合物用(3—二羰基化合物修飾的工序;將用(3—二羰基化合物修飾了的Zr的醇鹽化合物和Si的醇鹽化合物以使Si原子與Zr原子的摩爾比(Si/Zr)大于1/1而在1.15/1以下的方式混合的工序;將所混合的醇鹽化合物水解,得到金屬氧化物的前驅(qū)體的工序;在上述水解之前、水解之時(shí)或水解之后,混合光聚合性化合物的工序;使混合了光聚合性化合物的金屬氧化物前驅(qū)體迸行縮聚反應(yīng)的工序。首先,將作為起始原料的Zr的醇鹽化合物和卩一二羰基化合物以使卩—二羰基化合物與Zr原子的摩爾比((3—二羰基化合物/Zr)在2/1以上3/1以下的方式混合,將Zr的醇鹽化合物用作為絡(luò)合物形成配位體的(3—二羰基化合物修飾。作為起始原料的Zr的醇鹽化合物,優(yōu)選使用以上述式(1)表示的Zr醇鹽化合物。作為此時(shí)的溶劑,只要使用與在溶膠一凝膠反應(yīng)中所用的溶劑相同的溶劑即可。然后,將用P—二羰基化合物修飾而抑制了反應(yīng)性的Zr的醇鹽化合物和Si的醇鹽化合物以使Si原子與Zr原子的摩爾比(Si/Zr)大于1/1而在1.15/1以下,例如在1.01/1以上1.15/1以下的方式混合。作為Si的醇鹽化合物,優(yōu)選使用Si二芳基醇鹽化合物。然后,將所混合的醇鹽化合物水解及縮聚,得到金屬氧化物的前驅(qū)體。該水解及縮聚反應(yīng)可以利用與公知的溶膠一凝膠法相同的操作及條件來實(shí)施。例如,可以將規(guī)定比例的金屬醇鹽化合物(Si的二苯基醇鹽化合物、被修飾的Zr化合物)溶于恰當(dāng)?shù)牧既軇┲卸瞥删蝗芤?,通過向該溶液中滴加適當(dāng)?shù)乃岽呋瘎?,在水的存在下攪拌溶液,來進(jìn)行反應(yīng)。作為此種溶劑,例如可以舉出水;甲醇、乙醇、丙醇、異丙醇、丁醇等醇類;二乙醚、二噁烷、二甲氧基乙垸、四氫呋喃等醚類;N—甲基吡咯烷酮、乙腈、N,N—二甲基甲酰胺、N,N—二甲基乙酰胺、二甲亞砜、丙酮、苯等。從它們中適宜選擇即可。或者也可以采用它們的混合溶劑。溶劑的量沒有限定,然而相對于金屬醇鹽化合物整體100重量份設(shè)為101000重量份即可。另外,作為酸催化劑,例如可以舉出鹽酸、硫酸、硝酸、磷酸等無機(jī)酸;甲酸、乙酸、三氯乙酸、三氟乙酸、丙酸、甲磺酸、乙磺酸、對甲苯磺酸等有機(jī)酸等。雖然還要根據(jù)金屬烷氧基化合物的反應(yīng)性而定,然而水解聚合反應(yīng)通常在室溫下也可進(jìn)行,可以在015(TC左右的溫度,優(yōu)選在室溫5(TC左右的溫度下進(jìn)行。反應(yīng)時(shí)間可以根據(jù)與反應(yīng)溫度間的關(guān)系進(jìn)行適當(dāng)?shù)脑O(shè)定,為0.1240小時(shí)左右。另外,反應(yīng)既可以在氮?dú)獾榷栊詺夥障逻M(jìn)行,也可以在0.51氣壓左右的減壓下,一邊除去聚合反應(yīng)中生成的醇一邊進(jìn)行。在上述水解之前、水解之時(shí)或水解之后,混合光聚合性有機(jī)化合物。光聚合性有機(jī)化合物與溶膠一凝膠原料的金屬醇鹽化合物既可以在水解后混合,也可以在水解時(shí)或水解前混合。在水解后混合的情況下,為了均勻地混合,最好在含有金屬氧化物或其前驅(qū)體的溶膠一凝膠反應(yīng)體系為溶膠的狀態(tài)下,添加混合光聚合性有機(jī)化合物。在水解前混合的情況下,最好在Zr醇鹽化合物的修飾工序之后進(jìn)行,在被修飾了的Zr醇鹽化合物與Si醇鹽化合物的混合工序之后進(jìn)行。另外,光聚合引發(fā)劑或光增感劑的混合也是可以在上述水解之前、水解時(shí)或水解之后進(jìn)行。使混合了光聚合性化合物的金屬氧化物前驅(qū)體進(jìn)行縮聚反應(yīng),得到在溶膠狀態(tài)的金屬氧化物基質(zhì)中均勻地混合了光聚合性化合物的全息記錄材料液。該全息記錄材料液含有各種分子量的上述金屬氧化物。該方法中,通過以規(guī)定量的p—二羰基化合物進(jìn)行修飾來控制Zr的醇鹽化合物的反應(yīng)性,另外,通過以規(guī)定比例使用Zr的醇鹽化合物與Si的醇鹽化合物,就可以得到非常均一的形態(tài)的凝膠狀或溶膠狀的上述金屬氧化物基質(zhì)。通過將均勻地混合了光聚合性化合物和溶膠狀態(tài)的上述含有機(jī)基金屬氧化物的全息記錄材料液涂布于基板上,進(jìn)行溶劑干燥,并根據(jù)情況進(jìn)一步進(jìn)行溶膠一凝膠反應(yīng),就可以得到薄膜狀的全息記錄材料層。這樣就可以制作出在上述金屬氧化物基質(zhì)中均勻地含有光聚合性化合物的全息記錄材料層。本發(fā)明的全息記錄介質(zhì)至少含有上述全息記錄材料層。通常來說,全息記錄介質(zhì)含有支承基體(即基板)和全息記錄材料層,然而也有不具有支承基體而僅由全息記錄材料層構(gòu)成的情況。例如通過在基板上利用涂布形成全息記錄材料層,其后將全息記錄材料層從基板上剝離,就可以獲得僅由全息記錄材料層構(gòu)成的介質(zhì)。該情況下,全息記錄材料層例如為mm級別的膜厚的材料。本發(fā)明的全息記錄介質(zhì)不僅適合利用綠色激光的記錄/再現(xiàn),還適合利用波長為350450nm的青色激光的記錄/再現(xiàn)。在利用透過光進(jìn)行再現(xiàn)時(shí),優(yōu)選在波長405nm下具有50%以上的光透過率的記錄介質(zhì),在利用反射光進(jìn)行再現(xiàn)時(shí),優(yōu)選在波長405nm下具有25%以上的光反射率的記錄介質(zhì)。全息記錄介質(zhì)根據(jù)所使用的光學(xué)系統(tǒng)裝置不同,有利用透過光進(jìn)行再現(xiàn)的結(jié)構(gòu)的介質(zhì)(以下,稱透過光再現(xiàn)型)、或者是利用反射光進(jìn)行再現(xiàn)的結(jié)構(gòu)的介質(zhì)(以下,稱反射光再現(xiàn)型)的任意一種。透過光再現(xiàn)型的介質(zhì)的結(jié)構(gòu)如下用于讀取的激光射入介質(zhì),所射入的上述激光根據(jù)全息記錄材料層的記錄結(jié)束信號而發(fā)生衍射,再利用攝像元件將透過了介質(zhì)的上述激光轉(zhuǎn)換為電信號?!熠?,在透過光再現(xiàn)型的介質(zhì)中,透過應(yīng)當(dāng)在與再現(xiàn)激光向介質(zhì)中的入射側(cè)相反一側(cè)檢測到的激光。透過光再現(xiàn)型的介質(zhì)通常為記錄材料層被2個(gè)支承基體夾持的結(jié)構(gòu)。所使用的光學(xué)系統(tǒng)裝置以介質(zhì)為基準(zhǔn),在與從光源激發(fā)出的再現(xiàn)激光的入射側(cè)相反的一側(cè)上設(shè)置有檢測透過激光的攝像元件。所以,在透過光再現(xiàn)型的介質(zhì)中,支承基體、記錄材料層及其他的任意層均由透光性材料構(gòu)成,實(shí)質(zhì)上不存在遮擋再現(xiàn)激光的透過的因素。支承基體通常是玻璃或者樹脂制的剛性基板。另一方面,反射光再現(xiàn)型的結(jié)構(gòu)如下用于讀取的激光射入介質(zhì),所射入的上述激光根據(jù)全息記錄材料層的記錄結(jié)束信號而發(fā)生衍射,之后被反射膜反射,再利用攝像元件將反射的上述激光轉(zhuǎn)換為電信號。即,在反射光再現(xiàn)型的介質(zhì)中,在應(yīng)當(dāng)與再現(xiàn)激光向介質(zhì)中的入射側(cè)相同的一側(cè)檢測到的激光發(fā)生反射。反射光再現(xiàn)型的介質(zhì)的結(jié)構(gòu)通常為,在位于再現(xiàn)激光的入射側(cè)的支承基體上設(shè)置記錄材料層,在記錄材料層上設(shè)置有反射膜及支承基體。所使用的光學(xué)系統(tǒng)裝置以介質(zhì)為基準(zhǔn),在與從光源激發(fā)的再現(xiàn)激光的入射側(cè)相同的一側(cè)上設(shè)置有檢測反射激光的攝像元件。所以,在反射再現(xiàn)型的介質(zhì)中,與位于再現(xiàn)激光的入射側(cè)的支承基體、記錄材料層及其他的任意層中的反射膜相比處于更靠向再現(xiàn)激光的入射側(cè)的層分別由透光性材料形成,實(shí)質(zhì)上不存在遮擋入射及反射的再現(xiàn)激光的因素。支承基體通常為玻璃或者樹脂制的剛性基板,位于再現(xiàn)激光的入射側(cè)的支承基體需要是透光性的。無論是透過光再現(xiàn)型的介質(zhì)還是反射光再現(xiàn)型的介質(zhì),重要的是全息記錄材料層在波長405nm下例如具有50%以上的高的光透過率。例如,在考慮到僅由基質(zhì)材料(含有機(jī)基金屬氧化物材料)構(gòu)成的層(厚度100pm)時(shí),優(yōu)選在波長405nm下具有90X以上的高的光透過率。如上所述地制得的全息記錄材料層具有對青色激光的高透過率。因此,即使在記錄材料層的厚度為lOO)am的情況下,就透過光再現(xiàn)型的情況而言,也可以得到在波長405nm下具有50。Z以上,優(yōu)選具有55%以上的光透過率的記錄介質(zhì),或者就反射光再現(xiàn)型的情況而言,也可以得到在波長405nm下具有25%以上,優(yōu)選具有27.5%以上的光反射率的記錄介質(zhì)。為了實(shí)現(xiàn)確保高多重度的全息照相存儲器記錄特性,需要100pm以上,優(yōu)選200pm以上厚度的記錄材料層,不過根據(jù)本發(fā)明,例如即使在記錄材料層厚度為lmm的情況下,也可以確保波長405nm下的50%以上的光透過率(透過光再現(xiàn)型),或者在波長405nm下的25X以上的光反射率(反射光再現(xiàn)型)。通過使用上述全息記錄材料層,可以得到具有適于數(shù)據(jù)存儲的100pm以上的記錄層厚度的全息記錄介質(zhì)。全息記錄介質(zhì)可通過在基板上形成薄膜狀的全息記錄材料,或者將薄膜狀的全息記錄材料夾入于基板間來制作。在透過光再現(xiàn)型的介質(zhì)中,在基板中優(yōu)選使用玻璃或樹脂等對記錄再現(xiàn)波長透明的材料。優(yōu)選對與全息記錄材料層相反側(cè)的基板表面,實(shí)施用于防止噪音的針對記錄再現(xiàn)波長的防反射膜,并且賦予地址信號等。為了防止成為噪音的界面反射,全息記錄材料的折射率和基板的折射率最好大致相同。另外,還可以在全息記錄材料層和基板間設(shè)置由具有與記錄材料或基板大致相同的折射率的樹脂材料或油材料構(gòu)成的折射率調(diào)整層。為了保持基板間的全息記錄材料層的厚度,還可以設(shè)置適于所述基板間的厚度的間隔件。另外,最好對記錄材料介質(zhì)的端面進(jìn)行記錄材料的密封處理。在反射光再現(xiàn)型的介質(zhì)中,優(yōu)選在位于再現(xiàn)激光的入射側(cè)的基板中使用玻璃或樹脂等對記錄再現(xiàn)波長透明的材料。作為位于與再現(xiàn)激光的入射側(cè)相反一側(cè)的基板,使用帶有反射膜的基板。具體來說,利用蒸鍍、濺射、離子鍍等各種成膜法在玻璃或樹脂制的剛性基板(不需要是透光性)的表面形成例如由Al、Ag、Au或以這些金屬為主成分的合金等構(gòu)成的反射膜,從而得到帶有反射膜的基板。在該基板的反射膜表面以規(guī)定厚度設(shè)置全息記錄材料層,進(jìn)而在該記錄材料層表面貼合透光性基板。還可以在全息記錄材料層和上述反射膜之間,及/或全息記錄材料層和上述透光性基板之間設(shè)置粘接劑層、平坦化層等,然而這些層都不能成為激光透過的障礙。除此之外的情況與上述的透過光再現(xiàn)型的介質(zhì)相同。根據(jù)本發(fā)明的全息記錄介質(zhì),由于記錄材料層是均一的,因此不會引起光散射的問題。另外,在記錄之時(shí),雖然在曝光部中光聚合性有機(jī)化合物被聚合化,然而由于優(yōu)選的上述含有機(jī)基金屬氧化物具有在一個(gè)Si上直接結(jié)合有兩個(gè)芳香族基的有機(jī)金屬單元,因此在上述含有機(jī)基金屬氧化物與聚合物的相溶性方面非常優(yōu)良。由此,根據(jù)本發(fā)明的全息記錄介質(zhì),無論是在記錄時(shí)還是記錄后,都可以確保足夠的相溶性,不會引起光散射或透過率降低的問題。所以,本發(fā)明的具有全息記錄材料的全息記錄介質(zhì)不僅可以適用于利用綠色激光進(jìn)行記錄/再現(xiàn)的系統(tǒng),還適用于利用波長350450nm的青色激光進(jìn)行記錄/再現(xiàn)的系統(tǒng)。實(shí)施例以下舉實(shí)施例更具體地說明本發(fā)明,但本發(fā)明不限定于這些實(shí)施例。[實(shí)施例1](基質(zhì)材料的合成)將3.21g四正丁氧基鋯(Zr(0—nBu)4,Azmax制)和2.10g乙酰乙酸乙酯(EtAcAc),在l.OmL正丁醇溶劑中在室溫下混合,攪拌10分鐘。EtAcAc/Zr(O—nBu)4=2.25/1(摩爾比)。向該反應(yīng)液中添加二苯基二甲氧基硅烷(信越化學(xué)工業(yè)制)1.95g,制成金屬醇鹽溶液。Si/Zr=l.l/1(摩爾比)。將由水0.113mL、2N鹽酸水溶液0.045mL及乙醇0.75mL構(gòu)成的酸催化劑溶液,在攪拌的同時(shí),在室溫下,向上述金屬醇鹽溶液中滴加,持續(xù)攪拌30分鐘,進(jìn)行了水解及縮合反應(yīng)。這樣就得到了溶膠溶液。(光聚合性化合物)向作為光聚合性化合物的聚乙二醇二丙烯酸酯(東亞合成制,M—245)100重量份中,添加作為光聚合引發(fā)劑的IRG—907(汽巴精工)3重量份、作為光增感劑的2,4一二乙基一9H—噻噸一9一酮0.15重量份,制成含有光聚合性化合物的混合物。(全息記錄材料)以使基質(zhì)材料(作為不揮發(fā)成分)的比例達(dá)到67重量份,光聚合性化合物的比例達(dá)到33重量份的方式,將上述溶膠溶液與光聚合性化合物的混合物在室溫下混合,在遮光的狀態(tài)下進(jìn)一步充分地進(jìn)行1小時(shí)溶膠一凝膠反應(yīng),得到了全息記錄材料溶液。將所得的全息記錄材料溶液如下說明所示地涂布于玻璃基板上,干燥,制成了記錄介質(zhì)樣品。參照表示全息記錄介質(zhì)的概略剖面的圖1進(jìn)行說明。準(zhǔn)備在一面設(shè)置了防反射膜22a的lmm厚的玻璃基板22。在玻璃基板22的未設(shè)置防反射膜22a的一面上,放置規(guī)定厚度的間隔件24,涂布所得的全息記錄材料溶液,在室溫下干燥l小時(shí),然后在40'C干燥24小時(shí),使溶劑揮發(fā)。利用該干燥工序,進(jìn)行含有機(jī)基金屬氧化物的凝膠化(縮合反應(yīng)),得到了均勻地分散了含有機(jī)基金屬氧化物和光聚合性化合物的干燥膜厚340pm的全息記錄材料層21。(全息記錄介質(zhì))將形成于玻璃基板22上的全息記錄材料層21上面,用在一面設(shè)置了防反射膜23a的另一個(gè)lmm厚的玻璃基板23覆蓋。此時(shí),以使玻璃基板23的未設(shè)置防反射膜23a的一面與全息記錄材料層21面接觸的方式覆蓋。這樣就得到了具有將全息記錄材料層21用兩片玻璃基板22、23夾持的結(jié)構(gòu)的全息記錄介質(zhì)11。(特性評價(jià))對于所得的全息記錄介質(zhì)樣品,在如圖2所示的全息記錄光學(xué)系統(tǒng)中,進(jìn)行了特性評價(jià)。為了方便起見,將圖2的紙面的方向設(shè)為水平方向。在圖2中,全息記錄介質(zhì)樣品11設(shè)置為記錄材料層與水平方向垂直。在圖2的全息記錄光學(xué)系統(tǒng)中,使用單模激發(fā)的半導(dǎo)體激光器(405nm)的光源101,利用光束整流器102、光隔離器103、快門104、凸透鏡105、針孔106及凸透鏡107,對從該光源101中激發(fā)的光進(jìn)行空間過濾處理并同時(shí)將其準(zhǔn)直,擴(kuò)大為約10mmct的束徑。將擴(kuò)大的光束經(jīng)由反射鏡108及1/2波阻片109取出45。(deg)偏振的光,再用偏振光束分光器110將其分離為S波/P波二1/1。所分離的S波經(jīng)由反射鏡115、偏振光濾光片116、可變光闌117,而所分離的P波使用1/2波阻片111轉(zhuǎn)變成S波再經(jīng)由反射鏡112、偏振光濾光片113、可變光闌114,從而使兩條光束在全息記錄介質(zhì)樣品11上的入射角總和9為37°,在樣品11上記錄了兩條光束的干涉條紋。全息是通過使樣品U在水平方向上旋轉(zhuǎn),進(jìn)行多重化(角度多重Anglemultiplexing,樣品角度一21°+21°,角度間隔3°),此外,以相對于樣品11面的垂直軸為中心使樣品11旋轉(zhuǎn),進(jìn)行多重化(Peristrophicmultiplexing,樣品角度0°90°,角度間隔10°)而記錄。多重度為150。記錄時(shí)將可變光闌114、可變光闌117設(shè)為44)而進(jìn)行曝光。對該多重記錄的細(xì)節(jié)進(jìn)行敘述。使樣品11在水平方向(以相對于紙面的垂直軸作為中心)上,以3。的角度間隔在一21。+21。旋轉(zhuǎn),進(jìn)行多重化,之后,使樣品11以相對于樣品11面的垂直軸為中心旋轉(zhuǎn)10°(從激光入射側(cè)來看為10°),再使樣品在水平方向上,以3。的角度間隔在一21。+21°旋轉(zhuǎn),進(jìn)行多重化,將上述操作重復(fù)10次,以相對于樣品11面的垂直軸為中心,使樣品11以0°90°旋轉(zhuǎn),以此進(jìn)行多重度為150的多重記錄。而且,將相對于將兩條光束所成的角度e進(jìn)行2等分的中心線(未圖示)來說,樣品11面達(dá)到90°的位置設(shè)為水平方向旋轉(zhuǎn)中的±0°。另外,所謂相對于樣品ll面的垂直軸,在樣品11為矩形時(shí)是指穿過兩條對角線的交點(diǎn)的垂直軸,當(dāng)樣品11為圓形時(shí)是指穿過圓的中心的垂直軸。全息記錄后,為了使殘留的未反應(yīng)成分進(jìn)行反應(yīng),用一條光束照射足夠的光。進(jìn)行再現(xiàn)時(shí),利用快門121遮光,將可變光闌117設(shè)為34)而僅照射一條光束,使樣品11在水平方向上從一23°連續(xù)旋轉(zhuǎn)至+23°,進(jìn)而以相對于樣品11面的垂直軸為中心使樣品11以10°的角度間隔從0°旋轉(zhuǎn)至90°,用瓦特表120在各個(gè)角度位置上測定衍射效率。在記錄前后沒有記錄材料層的體積變化(記錄收縮)或平均折射率的變化的情況下,上述水平方向的衍射峰角度在記錄時(shí)和再現(xiàn)時(shí)一致。但是,實(shí)際上由于發(fā)生記錄收縮或平均折射率的變化,因此再現(xiàn)時(shí)的水平方向的衍射峰角度稍微偏離記錄時(shí)的水平方向的衍射峰角度。因此,進(jìn)行再現(xiàn)時(shí),使水平方向的角度發(fā)生連續(xù)的變化,根據(jù)出現(xiàn)衍射峰時(shí)的峰強(qiáng)度求出衍射效率。而且,在圖2中,119是在該實(shí)施例中沒有用到的瓦特表。這時(shí),動態(tài)范圍(dynamicrange):M賴(衍射效率的平方根之和)得到高達(dá)24.0(將全息記錄材料層的厚度設(shè)為lmm后換算的值)的值。另外,記錄曝光前(初期)的405nm下的介質(zhì)(記錄層厚30(Him)的光透過率為68.8%??床怀鲇涗浐蟮?05nm(記錄波長)下的介質(zhì)的光透過率的降低。此時(shí)的帶有防反射膜的玻璃基板22、23所致的光透過率的減少為0.6%。即,參照圖l,在對樣品11使激光從基板22的一側(cè)射入而向基板23一方透過的情況下,因存在防反射膜22a,從而在空氣與防反射膜22a間的界面反射0.3%,透過99.7%(吸收是0%),然后,在基板23的防反射膜23a與空氣之間的界面上,所透過的光(即99.7%)的0.3%進(jìn)行反射,因此其結(jié)果是透過99.4%。而且,由于玻璃基板22、23的折射率與全息記錄材料層21的折射率大致相同,因此可以忽略在玻璃基板22與記錄材料層21的界面、以及在記錄材料層21與玻璃基板23的界面上的反射。[實(shí)施例2](基質(zhì)材料的合成)將4.28g四正丁氧基鋯(Zr(O—nBu)4,Azmax制)、3.07g乙酰乙酸乙酯(EtAcAc),在l.OmL正丁醇溶劑中,在室溫下混合,攪拌10分鐘。EtAcAc/Zr(0—nBu)4=2.50/1(摩爾比)。向該反應(yīng)液中添加二苯基二甲氧基硅垸(信越化學(xué)工業(yè)制)2.60g,制成金屬醇鹽溶液。Si/Zr=l.l/1(摩爾比)。將由水0.15mL、2N鹽酸水溶液0.06mL及乙醇l.OmL構(gòu)成的酸催化劑溶液,在攪拌的同時(shí),在室溫下,向上述金屬醇鹽溶液中滴加,持續(xù)攪拌30分鐘,進(jìn)行了水解及縮合反應(yīng)。這樣就得到了溶膠溶液。除了使用上述溶膠溶液以外,與實(shí)施例l相同地得到了全息記錄材料溶液。將所得的全息記錄材料溶液與實(shí)施例l相同地涂布,得到干燥膜厚290ym的全息記錄材料層21,得到全息記錄介質(zhì)11。與實(shí)施例1同樣地進(jìn)行了特性評價(jià),其結(jié)果是,動態(tài)范圍M/射導(dǎo)到高達(dá)20.6(將全息記錄材料層的厚度設(shè)為lmm后換算的值)的值。另外,記錄曝光前(初期)的405nm下的介質(zhì)(記錄層厚290pm)的光透過率為78.6%??床怀鲇涗浐蟮?05nm(記錄波長)下的介質(zhì)的光透過率的降低。[實(shí)施例3](基質(zhì)材料的合成)將4.28g四正丁氧基鋯(Zr(0—nBu)4,Azmax制)、3.49g乙酰乙酸乙酯(EtAcAc)在l,OmL正丁醇溶劑中在室溫下混合,攪拌IO分鐘。EtAcAc/Zr(O—nBu)4=2.80/l(摩爾比)。向該反應(yīng)液中添加二苯基二甲氧基硅烷(信越化學(xué)工業(yè)制)2.60g,制成金屬醇鹽溶液。Si/Zr=l.l/1(摩爾比)。將由水0.15mL、2N鹽酸水溶液0.06mL及乙醇l.OmL構(gòu)成的酸催化劑溶液,在攪拌的同時(shí),在室溫下,向上述金屬醇鹽溶液中滴加,持續(xù)攪拌30分鐘,進(jìn)行了水解及縮合反應(yīng)。這樣就得到了溶膠溶液。除了使用上述溶膠溶液以外,與實(shí)施例l相同地得到了全息記錄材料溶液。將所得的全息記錄材料溶液與實(shí)施例1相同地涂布,得到干燥膜厚330ym的全息記錄材料層21,得到全息記錄介質(zhì)11。與實(shí)施例1同樣地進(jìn)行了特性評價(jià),其結(jié)果是,動態(tài)范圍M賴得到高達(dá)17.6(將全息記錄材料層的厚度設(shè)為lmm后換算的值)的值。另外,記錄曝光前(初期)的405nm下的介質(zhì)(記錄層厚330|im)的光透過率為76.0%。看不出記錄后的405nm(記錄波長)下的介質(zhì)的光透過率的降低。[比較例1](基質(zhì)材料的合成)將2.56g四正丁氧基鋯(Zr(O—nBu)4,Azmax制)、1.43g乙酰乙酸乙酯(EtAcAc),在0.5mL正丁醇溶劑中,在室溫下混合,攪拌10分鐘。EtAcAc/Zr(O—nBu)4=1.95/1(摩爾比)。向該反應(yīng)液中添加二苯基二甲氧基硅烷(信越化學(xué)工業(yè)制)1.40g,制成金屬醇鹽溶液。Si/Zr=l/1(摩爾比)。將由水0.075mL、2N鹽酸水溶液0.03mL及乙醇0.5mL構(gòu)成的酸催化劑溶液,在攪拌的同時(shí),在室溫下,向上述金屬醇鹽溶液中滴加,持續(xù)攪拌30分鐘,進(jìn)行了水解及縮合反應(yīng)。這樣就得到了溶膠溶液。除了使用上述溶膠溶液以外,與實(shí)施例l相同地得到了全息記錄材料溶液。將所得的全息記錄材料溶液與實(shí)施例l相同地涂布,得到干燥膜厚330nm的全息記錄材料層21,得到全息記錄介質(zhì)11。與實(shí)施例1同樣地進(jìn)行了特性評價(jià),其結(jié)果是,動態(tài)范圍膨#為6.4(將全息記錄材料層的厚度設(shè)為lmm后換算的值)。另外,記錄曝光前(初期)的405nm下的介質(zhì)(記錄層厚330pm)的光透過率為60.0%??床怀鲇涗浐蟮?05nm(記錄波長)下的介質(zhì)的光透過率的降低。[比較例2](基質(zhì)材料的合成)將4.28g四正丁氧基鋯(Zr(O—nBu)4,Azmax制)、4.19g乙酰乙酸乙酯(EtAcAc)在l.OmL正丁醇溶劑中在室溫下混合,攪拌10分鐘。EtAcAc/Zr(O—nBu)4=3.30/1(摩爾比)。向該反應(yīng)液中添加二苯基二甲氧基硅垸(信越化學(xué)工業(yè)制)2.60g,制成金屬醇鹽溶液。Si/Zr=l.l/1(摩爾比)。將由水0.15mL、2N鹽酸水溶液0.06mL及乙醇l.OmL構(gòu)成的酸催化劑溶液,在攪拌的同時(shí)在室溫下向上述金屬醇鹽溶液中滴加,持續(xù)攪拌30分鐘,進(jìn)行了水解及縮合反應(yīng)。這樣就得到了溶膠溶液。除了使用上述溶膠溶液以外,與實(shí)施例1相同地得到了全息記錄材料溶液。將所得的全息記錄材料溶液與實(shí)施例l相同地涂布,得到干燥膜厚300um的全息記錄材料層21,得到全息記錄介質(zhì)11。與實(shí)施例1同樣地進(jìn)行了特性評價(jià),其結(jié)果是,動態(tài)范圍M賴為14.0(將全息記錄材料層的厚度設(shè)為imm后換算的值)。另外,記錄曝光前(初期)的405nm下的介質(zhì)(記錄層厚330pm)的光透過率為78.2%??床怀鲇涗浐蟮?05nm(記錄波長)下的介質(zhì)的光透過率的降低。[比較例3](基質(zhì)材料的合成)將5.10g四正丁氧基鋯(Zr(0—nBu)4,Azmax制)、3.46g乙酰乙酸乙酯(EtAcAc)在l.OmL正丁醇溶劑中在室溫下混合,攪拌10分鐘。EtAcAc/Zr(O—nBu)4=2.30/1(摩爾比)。向該反應(yīng)液中添加二苯基二甲氧基硅垸(信越化學(xué)工業(yè)制)2.60g,制成金屬醇鹽溶液。Si/Zr=0.93/1(摩爾比)。將由水0.15mL、2N鹽酸水溶液0.06mL及乙醇l.OmL構(gòu)成的酸催化劑溶液,在攪拌的同時(shí)在室溫下向上述金屬醇鹽溶液中滴加,持續(xù)攪拌30分鐘,進(jìn)行了水解及縮合反應(yīng)。這樣就得到了溶膠溶液。除了使用上述溶膠溶液以外,與實(shí)施例1相同地得到了全息記錄材料溶液。將所得的全息記錄材料溶液與實(shí)施例1相同地涂布,得到干燥膜厚360txm的全息記錄材料層21,得到全息記錄介質(zhì)11。與實(shí)施例1同樣地進(jìn)行了特性評價(jià),其結(jié)果是,動態(tài)范圍M^為6.6(將全息記錄材料層的厚度設(shè)為lmm后換算的值)。另外,記錄曝光前(初期)的405nm下的介質(zhì)(記錄層厚360nm)的光透過率為72.5%。看不出記錄后的405nm(記錄波長)下的介質(zhì)的光透過率的降低。[比較例4](基質(zhì)材料的合成)將8.2g四正丁氧基鋯(Zr(O—nBu)4,高純度化學(xué)制)、5.56g乙酰乙酸乙酯(EtAcAc),在2.0mL正丁醇溶劑中在室溫下混合,攪拌10分鐘。EtAcAc/Zr(O—nBu)4=2.00/1(摩爾比)。向該反應(yīng)液中添加二苯基二甲氧基硅烷(信越化學(xué)工業(yè)制)5.2g,制成金屬醇鹽溶液。Si/Zr=l/1(摩爾比)。將由水0.6mL、2N鹽酸水溶液0.24mL及四氫呋喃2mL構(gòu)成的酸催化劑溶液,在攪拌的同時(shí),在室溫下,向上述金屬醇鹽溶液中滴加,持續(xù)攪拌1小時(shí),進(jìn)行了水解及縮合反應(yīng)。這樣就得到了溶膠溶液。(光聚合性化合物)向作為光聚合性化合物的聚乙二醇二丙烯酸酯(東亞合成制,M—245)100重量份中,添加作為光聚合引發(fā)劑的IRG—907(汽巴精工)3重量份、作為光增感劑的2,4一二乙基一9H—噻噸一9一酮0.3重量份,制成含有光聚合性化合物的混合物。(全息記錄材料)以使基質(zhì)材料(作為不揮發(fā)成分)的比例達(dá)到67重量份,光聚合性化合物的比例達(dá)到33重量份的方式,將上述溶膠溶液與光聚合性化合物的混合物在室溫下混合,在遮光的狀態(tài)下進(jìn)一步充分地進(jìn)行1小時(shí)溶膠一凝膠反應(yīng),得到了全息記錄材料溶液。將所得的全息記錄材料溶液與實(shí)施例1相同地涂布,得到干燥膜厚380ym的全息記錄材料層21,得到全息記錄介質(zhì)11。與實(shí)施例1同樣地進(jìn)行了特性評價(jià),其結(jié)果是,動態(tài)范圍雨#為8.1(將全息記錄材料層的厚度設(shè)為lmm后換算的值)。另外,記錄曝光前(初期)的405nm下的介質(zhì)(記錄層厚380|im)的光透過率為61.0%??床怀鲇涗浐蟮?05nm(記錄波長)下的介質(zhì)的光透過率的降低。[比較例5]該比較例中,未使用Zr醇鹽化合物,而使用了Ti醇鹽化合物(以下面的結(jié)構(gòu)式表示的丁氧基鈦十聚體)。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage28</formula>(基質(zhì)材料的合成)將7.8g二苯基二甲氧基硅烷(信越化學(xué)工業(yè)制)、7.2g丁氧基鈦十聚體(日本曹達(dá)制,B—IO)在室溫下在6ml四氫呋喃溶劑中進(jìn)行混合,制成醇鹽溶液。Si/Ti=l/1(摩爾比)。將由水0.9ml、2N鹽酸水溶液0.36ml及四氫呋喃3ml構(gòu)成的酸催化劑溶液,一邊攪拌一邊在室溫下向上述醇鹽溶液中滴加,持續(xù)攪拌l小時(shí),進(jìn)行水解反應(yīng)及縮合反應(yīng)。這樣就得到溶膠溶液。(光聚合性化合物)向作為光聚合性化合物的聚乙二醇二丙烯酸酯(東亞合成制,M—245)100重量份中,添加作為光聚合引發(fā)劑的IRG—907(汽巴精工)3重量份、作為光增感劑的噻噸一9一酮0.3重量份,制成含有光聚合性化合物的混合物。(全息記錄材料)以使基質(zhì)材料(作為不揮發(fā)成分)的比例達(dá)到67重量份,光聚合性化合物的比例達(dá)到33重量份的方式,將上述溶膠溶液與光聚合性化合物的混合物在室溫下混合,在遮光的狀態(tài)下進(jìn)一步充分地進(jìn)行1小時(shí)溶膠一凝膠反應(yīng),得到了全息記錄材料溶液。將所得的全息記錄材料溶液與實(shí)施例1相同地涂布,得到干燥膜厚390Pm的全息記錄材料層21,得到全息記錄介質(zhì)11。與實(shí)施例1同樣地進(jìn)行了特性評價(jià),其結(jié)果是,動態(tài)范圍膨#為11.4(將全息記錄材料層的厚度設(shè)為lmm后換算的值)。但是,記錄曝光前(初期)的405nm下的介質(zhì)(記錄層厚390)am)的光透過率為31.0%。記錄后的405nm(記錄波長)下的介質(zhì)的光透過率的降低為1。%。將以上的結(jié)果表示于表1中。實(shí)施例1、2及3中,可以得到非常高的動態(tài)范圍M/#。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage30</column></row><table>權(quán)利要求1.一種全息記錄材料,其含有金屬氧化物和光聚合性化合物,其中的金屬氧化物作為金屬至少含有Si和Zr,并且在Zr上配位有β-二羰基化合物,在上述金屬氧化物中,β-二羰基化合物與Zr原子的摩爾比(β-二羰基化合物/Zr)在2/1以上3/1以下,并且Si原子與Zr原子的摩爾比(Si/Zr)大于1/1而在1.15/1以下。2.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的全息記錄材料,其中,上述金屬氧化物具有在Si上直接結(jié)合有兩個(gè)芳香族基的有機(jī)金屬單元。3.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的全息記錄材料,其中,還含有光聚合引發(fā)劑。4.一種全息記錄材料的制造方法,是制造如下所述全息記錄材料的方法,該全息記錄材料含有金屬氧化物和光聚合性化合物,其中的金屬氧化物作為金屬至少含有Si和Zr,并且在Zr上配位有P—二羰基化合物,所述制造方法包括將作為起始原料的Zr的醇鹽化合物和卩一二羰基化合物以使P—二羰基化合物與Zr原子的摩爾比(p—二羰基化合物/Zr)在2/1以上3/1以下的方式混合,將Zr的醇鹽化合物用p—二羰基化合物修飾的工序;將用P—二羰基化合物修飾了的Zr的醇鹽化合物和Si的醇鹽化合物以使Si原子與Zr原子的摩爾比(Si/Zr)大于1/1而在1.15/1以下的方式混合的工序;將所混合的醇鹽化合物水解,得到金屬氧化物的前驅(qū)體的工序;在上述水解之前、水解之時(shí)或水解之后,混合光聚合性化合物的工序;使混合了光聚合性化合物的金屬氧化物前驅(qū)體進(jìn)行縮聚反應(yīng)的工序。5.根據(jù)權(quán)利要求4中所述的全息記錄材料的制造方法,其中,作為起始原料的Zr的醇鹽化合物,使用以Zr(OR)n(1)表示的Zr醇鹽化合物,式中,R為碳數(shù)34的直鏈狀的飽和烷基,n為4。6.—種全息記錄介質(zhì),其具有由權(quán)利要求1所述的全息記錄材料制成的全息記錄層。7.根據(jù)權(quán)利要求6中所述的全息記錄介質(zhì),其被利用波長350450nm的激光進(jìn)行記錄/再現(xiàn)。全文摘要本發(fā)明提供一種全息記錄材料,其不僅在使用綠色激光器的全息照相存儲器記錄中,而且在使用青色激光器的全息照相存儲器記錄中,都能實(shí)現(xiàn)高折射率變化、柔軟性、高靈敏度、低散射、耐環(huán)境性、耐久性、低收縮性及高多重度,適于體積型全息記錄,本發(fā)明還提供上述全息記錄材料的制造方法以及具有全息記錄材料層(21)的全息記錄介質(zhì)(11)。本發(fā)明的全息記錄材料含有金屬氧化物和光聚合性化合物,其中的金屬氧化物作為金屬至少含有Si和Zr,并且在Zr上配位有β-二羰基化合物,在金屬氧化物中,β-二羰基化合物與Zr原子的摩爾比(β-二羰基化合物/Zr)在2/1以上3/1以下,并且Si原子與Zr原子的摩爾比(Si/Zr)大于1/1而在1.15/1以下。文檔編號C08G79/00GK101241306SQ20081000909公開日2008年8月13日申請日期2008年2月13日優(yōu)先權(quán)日2007年2月9日發(fā)明者吉成次郎,小須田敦子,林田直樹申請人:Tdk株式會社
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