專利名稱：具有改進(jìn)的抗靜電性的抗靜電聚合物膜的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種具有改進(jìn)的抗靜電性的抗靜電聚合物膜或片(以下稱為 "膜")，更具體地，涉及一種新的抗靜電聚合物膜，其中含有導(dǎo)電聚合物作 為活性組分的抗靜電層形成于具有體積電阻系數(shù)的單層或多層的聚合物膜表面上，因此抗靜電聚合物膜的表面電阻系數(shù)為103-109^/平方，衰減時(shí)間低 于3秒，摩擦電壓低于50伏特，充電電壓低于所施加的電壓。
背景技術(shù)：
為了能防止它們?cè)谳斔瓦^程中被靜電破壞，像半導(dǎo)體集成電路芯片或各 種模塊等精確電子部件必須在抗靜電處理容器中輸送。例如，在輸送或處理 過程中，由于和電子部件的摩擦或與人體部位的接觸，作為輸送電子部件容 器的盤在盤表面將聚集電荷。這種表面電荷產(chǎn)生所謂的靜電，為了保護(hù)電子 部件必須適當(dāng)?shù)蒯尫胚@些表面電荷。最近，半導(dǎo)體和應(yīng)用半導(dǎo)體產(chǎn)品的集成密度和精度都提高了，因此也提 高了輸送這些電子部件的容器的抗靜電性。例如，以前表面電阻系數(shù)僅約為 10"Q/平方，盤就足以履行指定用途，最近卻要求表面電阻系數(shù)為103-109Q/ 平方、衰減時(shí)間低于3秒、摩擦電壓低于50伏特的抗靜電性。如此提高的 抗靜電性嚴(yán)格地專用于輸送精確電子部件的盤上，如電腦硬盤磁頭。能夠抑制雜質(zhì)產(chǎn)生同時(shí)滿足這些抗靜電性的技術(shù)一般包括使用導(dǎo)電聚 合物的方法或增加具有特定程度導(dǎo)電性的有機(jī)材料即永久耗散型聚合物 (inherently dissipative polymer, IDP)的方法。過去曾使用過的輸送電腦磁頭的盤使用一種通過將電阻系數(shù)約為 109-101(^/平方的稱為IDP (永久耗散型聚合物)的聚合物即抗靜電材料與聚合物材料混合而制得的膜，以使膜具有約109-101(^/平方的表面電阻系數(shù)或 1090*厘米的體積電阻系數(shù)。此材料目前被廣泛用作制備電腦磁頭部件的幾 乎所有容器的抗靜電材料。該材料是一種既有表面電阻系數(shù)又有體積電阻系數(shù)的好材料，因?yàn)樗删酆衔锊牧虾头Q為IDP的材料的混合物組成。然而，這種材料在提高表面電阻系數(shù)時(shí)，產(chǎn)生一些局限(表面電阻系數(shù)的上限1080/平方)，并且有時(shí)候摩擦電壓會(huì)超過50伏特，因?yàn)樵跓岢尚瓦^程中拉伸部分的表面電阻可能增加。隨著集成密度的提高，這些問題可能變得更加嚴(yán)重。特別是，如果將所 施加的電壓施加到該材料時(shí)，該材料將顯示能夠被超過所施加的電壓(appliedvolatge)的電壓充電的特性，這已被指出是該材料的最大缺點(diǎn)。 因此，在本發(fā)明所屬的領(lǐng)域，需求發(fā)明一種新抗靜電材料，能夠滿足上 述的要求，包括表面電阻系數(shù)為103-109^/平方，衰減時(shí)間低于3秒，摩擦電 壓低于50伏特，與此同時(shí)以低于所施加的電壓的電壓充電。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的是發(fā)明一種新的抗靜電聚合物膜及其制備的抗靜電產(chǎn)品， 該抗靜電聚合物膜的表面電阻系數(shù)能夠在103-1090/平方范圍內(nèi)調(diào)整，衰減時(shí) 間低于3秒，摩擦電壓低于50伏特，并且充電電壓遠(yuǎn)低于所施加的電壓。為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供了一種具有體積電阻系數(shù)和表面電阻系 數(shù)的抗靜電聚合物膜，該抗靜電聚合物膜包括具有單層或多層結(jié)構(gòu)的抗靜 電基體聚合物膜，該基體聚合物膜含有抗靜電劑，因此具有抗靜電性；在基 體聚合物膜表面通過使用導(dǎo)電聚合物作為活性組分形成的抗靜電層，所述抗 靜電聚合物膜具有優(yōu)異的抗靜電性，包括表面電阻系數(shù)為103-109^/平方，衰 減時(shí)間低于3秒，摩擦電壓低于50伏特，以及充電電壓低于實(shí)際所施加的 電壓。本發(fā)明也可以使用通過用含有導(dǎo)電聚合體和粘結(jié)劑作為活性組分的導(dǎo) 電聚合體涂覆溶液涂覆在聚合物膜的兩個(gè)表面，而使具有體積電阻系數(shù)的該 膜具有包括表面電阻系數(shù)和體積電阻系數(shù)在內(nèi)的抗靜電性的方法，或者使用 一種技術(shù)，包括使基體聚合物形成為由一層或更多層組成的結(jié)構(gòu)，在基體聚 合物結(jié)構(gòu)的兩個(gè)表面層加入抗靜電劑，調(diào)整兩個(gè)表面層的厚度為基體聚合物 膜總厚度的5-50%，然后在該結(jié)構(gòu)的最外層部分形成含有導(dǎo)電聚合物作為活 性組分的抗靜電層。當(dāng)將基體聚合物形成為多層結(jié)構(gòu)時(shí)，優(yōu)選將基體聚合物 形成為兩個(gè)表面含有抗靜電劑、中間層由絕緣材料形成的三層結(jié)構(gòu)。使用本發(fā)明技術(shù)能制備聚合物膜或片，該聚合物膜或片的表面電阻系數(shù)可在103-1090/平方的范圍內(nèi)調(diào)整，衰減時(shí)間低于3秒，摩擦電壓低于50伏 特，充電電壓遠(yuǎn)低于實(shí)際施加于其表面的電壓，因此具有非常良好的抗靜電 性。所制備的膜能用來制備輸送精確電子部件的盤和其他產(chǎn)品。


，圖1是根據(jù)本發(fā)明一種實(shí)施方式的具有改進(jìn)的抗靜電性的抗靜電聚合物 膜的橫截面圖；圖2是根據(jù)本發(fā)明的另一種實(shí)施方式的具有改進(jìn)的抗靜電性的抗靜電聚 合物膜的橫截面圖。
具體實(shí)施方式
使用以前開發(fā)的方法可以在基體聚合物材料表面形成含有導(dǎo)電聚合物 和粘結(jié)劑作為活性組分的抗靜電層。作為以前開發(fā)的方法，韓國專利申請(qǐng) 10-1999-10982和10-2001-20546公開了通過將導(dǎo)電聚合物如聚苯胺、聚吡咯 或聚噻吩，或者改性導(dǎo)電聚合物如聚(3,4-乙撐二氧噻吩)與含有選自丙烯酰 基、聚氨酯、環(huán)氧、酰胺、酰亞胺、酯、羧基、羥基、硅垸、鈦酸鹽和硅酸鹽的官能團(tuán)的粘結(jié)劑中的至少一種粘結(jié)劑混合，以制備導(dǎo)電涂覆溶液，將該 涂覆溶液施用于聚合物材料的表面，然后將涂覆溶液干燥，以在聚合物材料 表面形成導(dǎo)電層的能夠制備具有良好抗靜電能力的透明聚合物膜和片的技 術(shù)。在上述專利申請(qǐng)中公開的發(fā)明涉及一種所謂的使用通過使用在粘結(jié)劑 和溶劑中溶解導(dǎo)電聚合物而制備的涂覆溶液形成表面導(dǎo)電層的溶液涂覆方 法，但通過使用所謂的界面聚合法或氣相聚合法也能產(chǎn)生與上述專利申請(qǐng)相 同的效果，對(duì)于所述界面聚合法或氣相聚合法，其中用于制備導(dǎo)電聚合物的 單體直接和聚合物表面接觸，以直接在聚合物表面合成導(dǎo)電聚合物(例如，日本特開平5-320388)。在上述專利申請(qǐng)中公開的發(fā)明還涉及通過在膜表面形成厚度小于幾微 米的抗靜電層而賦予表面電阻系數(shù)的方法，并且膜表面顯示優(yōu)異的抗靜電 性。然而，因?yàn)樾纬赡げ牧系拇蟛糠值闹虚g層，是由絕緣材料組成的基材形 成的，因此中間基材本身，而不是涂層表面具有絕緣值，這樣顯示出高于 1012^*厘米的體積電阻系數(shù)和高于幾十秒的衰減時(shí)間，導(dǎo)致抗靜電性減弱。為了解決這個(gè)缺點(diǎn)，本發(fā)明使用方法如下當(dāng)基體聚合物層具有體積電 阻系數(shù)或基體聚合物具有三層結(jié)構(gòu)時(shí)，增加表面層的厚度來提高抗靜電性。 可以用各種方法來使基體聚合物具有體積電阻系數(shù)，其中可以使用顆粒填料 如炭黑、碳纖維、摻雜金屬氧化物或金屬顆粒，并且也可以將有機(jī)化合物， 所謂的具有抗靜電特性的IDP (永久耗散型聚合物)，或有機(jī)物例如各種表 面活性劑與基體聚合物混合。在這些物質(zhì)中，最優(yōu)選的是永久耗散型聚合物 (IDP)和表面活性劑，所述永久耗散型聚合物沒有顆粒雜質(zhì)且不會(huì)極大地 降低基體聚合物的物理性質(zhì)，所述表面活性劑具有101()^/平方的高的表面電 阻系數(shù)和具有隨著時(shí)間它們能夠遷移到聚合物的表面的特征，或者隨著時(shí)間 它們的性能消失的特征；然而，在所述聚合物表面形成的導(dǎo)電聚合物層能有效用于防止這種現(xiàn)象在聚合物表面發(fā)生。當(dāng)炭黑和金屬氧化物用于賦予基體 聚合物抗靜電性時(shí)，還可以觀察到低表面電阻系數(shù)和體積電阻系數(shù)，但是涂 覆在基體聚合物層的導(dǎo)電聚合物膜可以顯示防止如炭黑或金屬氧化物等異 物被分離的有利效果。在本發(fā)明中，在位于基體聚合物膜表面上的抗靜電層的形成中合成的導(dǎo) 電聚合物優(yōu)選以與聚合物粘結(jié)劑的混合物使用，如果必要的話，更優(yōu)選使用 其它額外的成分形成抗靜電層。對(duì)于如上所述的位于基體聚合物上的抗靜電 層的信息，可以參考現(xiàn)有的專利。作為導(dǎo)電聚合物，優(yōu)選使用諸如聚噻吩、 聚苯胺或聚吡咯的導(dǎo)電聚合物或者是例如聚(3,4-乙撐二氧噻吩)的改性導(dǎo)電 聚合物。用于合成導(dǎo)電聚合物的單體優(yōu)選也是改性單體，例如，噻吩、苯胺、吡咯或者3,4-乙撐二氧噻吩?；w聚合物，作為上面描述的具有體積電阻系數(shù)的膜或片的聚合物材 料，由聚酯聚合物、苯乙烯聚合物、烯烴聚合物、碳酸酯聚合物或者含有所述聚合物中的至少一種的共聚物組成，商購可得的抗靜電片(例如，M690、 Noveon，美國)不用任何進(jìn)一步的處理可以直接使用。如在這里使用的，術(shù)語"抗靜電"表示主要發(fā)生在表面的現(xiàn)象，其中形 成于與之接觸的聚合物膜材料表面上的或在空氣中形成的電荷會(huì)通過合適 的方式減弱。這樣，抗靜電性必須主要表現(xiàn)在表面上，最有效的是促使穿透 膜的殘留電荷通過合適的方式消失。因此，對(duì)于賦予抗靜電性的最有效的方 法是制備一種能使它維持體積電阻系數(shù)約為109-101(^*厘米，同時(shí)維持表面 電阻系數(shù)約為106-109^/平方的材料。如上所述，所述的抗靜電劑中的表面活性劑和永久耗散型聚合物(IDP) 是最有利于使基體聚合物具有抗靜電性的。能在本發(fā)明中使用的表面活性劑 的例子包括鹽，如硫酸銨和磷酸銨，在本發(fā)明中使用的IDP的優(yōu)選例子包括 聚醚酰胺、聚酯酰胺、聚醚酯酰胺和聚脲垸?？梢詫⒓s1-50重量份的這些抗靜電成分與用作基體聚合物的聚合物小球混合，然后擠出以制備膜或片。 作為選擇，最終產(chǎn)品也可以通過注模法直接制備。在下文中，根據(jù)本發(fā)明的抗靜電膜將參考附圖詳細(xì)描述。 圖1是使用以下方法制備的膜的橫截面圖在具有抗靜電性的基體聚合 物10的兩個(gè)表面涂覆含有導(dǎo)電聚合物作為主要成分的導(dǎo)電性聚合物20，使 基體聚合物10的兩個(gè)表面具有表面電阻系數(shù)和體積電阻系數(shù)。根據(jù)圖1所 示的膜是根據(jù)本發(fā)明的最簡單的結(jié)構(gòu)。這樣，因?yàn)樯a(chǎn)方法簡單，根據(jù)圖1 的膜是在大規(guī)模生產(chǎn)和降低生產(chǎn)成本方面最優(yōu)選的結(jié)構(gòu)，并且根據(jù)圖1的膜 具有表面電阻系數(shù)和體積電阻系數(shù)。圖2是使用如下方法制備的膜的橫截面圖在具有三層結(jié)構(gòu)的基體聚合 物膜的表面形成含有導(dǎo)電聚合物作為主要成分的導(dǎo)電層涂層，所述三層結(jié)構(gòu) 是在具有多層結(jié)構(gòu)的基體聚合物膜中的典型的層結(jié)構(gòu)。在這種情況下，可以 將抗靜電劑加入到基體聚合物的中間層11、表面層12和表面層13來賦予它們體積電阻系數(shù)。即使只將抗靜電劑加入到表面層12和表面層13，同時(shí)保持中間層ll的絕緣特性，也能產(chǎn)生相同的效果。特別地，制作多層結(jié)構(gòu)的方法也能在制備具有體積電阻系數(shù)的基體聚合 物中使用，并能進(jìn)一步分為兩種方法。第一種方法就是上述描述的將抗靜電劑加入到如圖2所示的三層結(jié)構(gòu)的基本結(jié)構(gòu)的各層來賦予各層體積電阻系數(shù)的方法。第二種方法是如下的技術(shù)僅將抗靜電劑加入到基體聚合物膜的表面層，同時(shí)賦予中間層以絕緣性，然后在基體聚合物膜的最外層形成如上所 述的含有導(dǎo)電聚合物作為活性組分的抗靜電層。這兩種方法都能滿足抗靜電性的要求，包括表面電阻系數(shù)為103-109^/平方，衰減時(shí)間低于3秒，摩擦電 壓低于50伏特，并且充電電壓低于所施加的電壓。為了賦予基體聚合物體積電阻系數(shù)，可以將一種上述抗靜電劑或者兩種 或更多種選自上述抗靜電劑的混合物加入基體聚合物中?；诨w聚合物的使用目的，在優(yōu)選抗靜電聚合物膜是不透明且具有顏色的情況下，可以使用 著色的抗靜電劑例如炭黑，因?yàn)樾纬傻暮袑?dǎo)電聚合物作為活性組分的抗靜 電層很薄。炭黑也能以與其它金屬氧化物或IDP的混合物使用，以符合基體 聚合物的特性和根據(jù)本發(fā)明的抗靜電聚合物膜的使用目的。此外，當(dāng)基體聚 合物具有多層結(jié)構(gòu)時(shí)，可以將不同的抗靜電劑加入到多層結(jié)構(gòu)的各層中，并 且在三層結(jié)構(gòu)的兩個(gè)表面層的情況下，例如，可以將炭黑用于該結(jié)構(gòu)的一個(gè) 表面層，將IDP用于另一個(gè)表面層。特別是，抗靜電劑能被設(shè)計(jì)和制備，使 適合于基體聚合物的特性和根據(jù)本發(fā)明的抗靜電聚合物膜的使用目的。本發(fā)明的技術(shù)可以應(yīng)用于大多數(shù)聚合物，包括酯聚合物、苯乙烯聚合物、 烯烴聚合物、碳酸酯聚合物或它們的混合物，或者含有選自這些聚合物中至 少一種的共聚物。以下，參考實(shí)施例詳細(xì)描述本發(fā)明。然而，需要理解的是本發(fā)明的范圍 并不局限于這些實(shí)施例。比較例1將10克作為導(dǎo)電聚合物的聚(3,4-乙撐二氧噻吩)分散體(Baytron PH, H.C. Starck，德國)、20克氨基甲酸乙酯粘結(jié)劑(U710， ALBERDINGK，德 國)、1克乙二醇、1克N-甲基-2-吡咯垸酮和0.01克氟基潤滑劑在67.99克 水和異丙醇(15: 85)的混合溶劑中彼此混合，以制備抗靜電涂覆溶液。將 該涂覆溶液施用于無定形聚酯片的表面，以制備抗靜電無定形聚酯片。這樣制備的無定形聚酯片的表面電阻系數(shù)為106^/平方，摩擦電壓低于 20伏特，在所施加的電壓為1000伏特時(shí)測(cè)得的充電電壓為約400伏特，充 電電壓較低，表明膜的表面抗靜電性優(yōu)異。另一方面，它的體積電阻系數(shù)高 于10120，厘米，衰減時(shí)間超過10秒。比較例2使用熔融捏合機(jī)(meltkneader)將3重量份的作為表面活性劑的硫酸季 銨鹽和高抗沖聚苯乙烯樹脂在130。C下持續(xù)捏和IO分鐘，以制備抗靜電聚苯 乙烯，然后使用壓縮模塑機(jī)制備成l毫米厚的薄片。這樣制備的抗靜電聚苯乙烯薄片的體積電阻系數(shù)為101()^>厘米，衰減時(shí) 間約為3秒，很好。然而，其表面電阻系數(shù)為10"Q/平方，摩擦電壓為750 伏特，所施加的電壓為1000伏特時(shí)的充電電壓為1500伏特，均非常高。比較例3比較例3使用和比較例2—樣的方式進(jìn)行，不同的是，使用無定形聚酯 作為聚合物材料，并且表面活性劑是在30(TC的溫度下混合的。這樣制備的無定形聚酯薄片的體積電阻系數(shù)為1(TQ，厘米，衰減時(shí)間約 為3秒，這很好。然而，其表面電阻系數(shù)為10"Q/平方，摩擦電壓為350伏 特，所施加的電壓為1000伏特時(shí)的充電電壓為1400伏特，均非常高。實(shí)施例1在實(shí)施例1中，將根據(jù)比較例1制備的導(dǎo)電涂覆溶液施用于比較例2中 制備的抗靜電聚苯乙烯薄片的表面上，然后干燥，以在薄片表面形成導(dǎo)電層。這樣制備的抗靜電聚苯乙烯薄片的表面電阻系數(shù)為106^1/平方，摩擦電 壓為25伏特，體積電阻系數(shù)為1(TQ，厘米，衰減時(shí)間低于0.5秒，所施加的 電壓為1000伏特時(shí)的充電電壓約為400伏特，充電電壓特別低。實(shí)施例2在實(shí)施例2中，將根據(jù)比較例1制備的導(dǎo)電涂覆溶液施用于比較例3制 備的抗靜電無定形聚酯薄片的表面上，然后干燥，以在薄膜表面形成導(dǎo)電層。這樣制備的抗靜電無定形聚酯薄片的表面電阻系數(shù)為106^平方，摩擦電壓為20伏特，體積電阻系數(shù)為I(TQ，厘米，衰減時(shí)間低于0.1秒，所施加的電壓為1000伏特時(shí)的充電電壓約為400伏特。 實(shí)施例3在實(shí)施例3中，將根據(jù)比較例1制備的導(dǎo)電涂覆溶液施用于商購得到的 無定形聚酯薄片上，隨后干燥，以在薄膜表面上形成導(dǎo)電層。這樣制備的無定形聚酯薄片的表面電阻系數(shù)為106^/平方，摩擦電壓為 20伏特，體積電阻系數(shù)為101()0*厘米，衰減時(shí)間低于0.1秒，所施加的電壓 為1000伏特時(shí)的充電電壓約為400伏特，充電電壓較低。實(shí)施例4在實(shí)施例4中，將三層共擠擠出機(jī)用于具有由中間層和兩個(gè)表面層組成 的三層結(jié)構(gòu)的基體聚合物，其中中間層由絕緣高抗沖聚苯乙烯制成，表面層 由使用比較例2的技術(shù)制備的抗靜電劑/聚苯乙烯混合物制成,所述三層結(jié)構(gòu) 的厚度比為20 (表面層)60 (中間層)20 (表面層)。然后，將使用比較 例1的方法制備的涂覆溶液施用于所得結(jié)構(gòu)的最外層表面，隨后干燥，從而 在該結(jié)構(gòu)的表面形成導(dǎo)電層。這樣制備的抗靜電無定形聚酯薄片的表面電阻系數(shù)為106^/平方，摩擦 電壓為20伏特，體積電阻系數(shù)為101()￡>厘米，衰減時(shí)間低于0.1秒，所施加 的電壓為1000伏特時(shí)的充電電壓約為400伏特，充電電壓較低。將比較例和實(shí)施例的結(jié)果進(jìn)行比較可以看出，使用比較例1-3的技術(shù)制 備的聚合物薄片具有良好的表面電阻系數(shù)，但體積電阻系數(shù)較差，或者具有 良好的體積電阻系數(shù)，但表面電阻系數(shù)較差。然而，使用實(shí)施例l-4公開的 技術(shù)制備的聚合物薄片可以滿足輸送精確電子部件的盤的要求，該要求要求表面電阻系數(shù)必須約為106^/平方，摩擦電壓必須低于20伏特，衰減時(shí)間必須低于3秒，充電電壓必須低。工業(yè)實(shí)用性如上所述，根據(jù)本發(fā)明的抗靜電聚合物膜能用于制造容器，如能安全地 存儲(chǔ)和管理部件或產(chǎn)品如對(duì)于靜電力敏感的半導(dǎo)體芯片的盤。
權(quán)利要求
1、一種具有體積電阻系數(shù)和表面電阻系數(shù)的抗靜電聚合物膜，該抗靜電聚合物膜包括具有單層或多層結(jié)構(gòu)的抗靜電基體聚合物膜，該基體聚合物膜含有抗靜電劑，因此具有抗靜電性；和在所述基體聚合物膜表面使用導(dǎo)電聚合物作為活性組分而形成的抗靜電層，所述抗靜電聚合物膜具有優(yōu)異的抗靜電性，包括表面電阻系數(shù)能夠在103-109Ω/平方范圍內(nèi)調(diào)整，衰減時(shí)間低于3秒，摩擦電壓低于50伏特，充電電壓低于實(shí)際所施加的電壓。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的抗靜電聚合物膜，其中，所述抗靜電劑為選 自表面活性劑、永久耗散型聚合物IDP、金屬氧化物和炭黑中的至少一種。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的抗靜電聚合物膜，其中，在位于所述基 體聚合物膜表面上的所述抗靜電層的形成過程中合成的所述導(dǎo)電聚合物以 與聚合物粘結(jié)劑的混合物的形式使用。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1-3中任意一項(xiàng)所述的抗靜電聚合物膜，其中，所述 導(dǎo)電聚合物選自包括聚噻吩、聚苯胺和聚吡咯在內(nèi)的導(dǎo)電聚合物以及包括聚 (3，4-乙撐二氧噻吩)在內(nèi)的改性導(dǎo)電聚合物中。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1-4中任意一項(xiàng)所述的抗靜電聚合物膜，其中，所述 抗靜電層是使用導(dǎo)電聚合物作為活性組分通過氣相聚合法或直接聚合法形 成的。
6、 根據(jù)權(quán)利要求5所述的抗靜電聚合物膜，其中，用于合成所述導(dǎo)電聚合物的單體選自包括噻吩、苯胺、吡咯和3,4-乙撐二氧噻吩在內(nèi)的改性單體中。
7、 根據(jù)權(quán)利要求1-6中任意一項(xiàng)所述抗靜電聚合物膜，其中，所述基 體聚合物由酯聚合物、苯乙烯聚合物、烯烴聚合物、碳酸酯聚合物、或含有 這些聚合物中的至少一種的共聚物組成。
8、 根據(jù)權(quán)利要求1-7中任意一項(xiàng)所述的抗靜電聚合物膜，其中，所述 基體聚合物膜具有由三層或更多層組成的層狀結(jié)構(gòu)，其中形成于所述層狀結(jié) 構(gòu)的兩個(gè)表面的層含有抗靜電劑。
9、 根據(jù)權(quán)利要求8所述的抗靜電聚合物膜，其中，所述層狀結(jié)構(gòu)的兩 個(gè)表面的厚度為所述層狀結(jié)構(gòu)的總厚度的5-50%。
全文摘要
在此公開了一種新的用于抗靜電目的的導(dǎo)電聚合物膜或片的制備技術(shù)。特別地，該抗靜電聚合物膜包括在單層或多層聚合物膜上使用導(dǎo)電聚合物作為活性組分的形成的抗靜電層，表面電阻系數(shù)為10-10Ω/平方，衰減時(shí)間低于3秒，摩擦電壓低于50伏特，充電電壓低于所施加的電壓。還公開了一種由這樣的導(dǎo)電聚合物膜制備的抗靜電產(chǎn)品。
文檔編號(hào)C08J5/18GK101277996SQ200680036613
公開日2008年10月1日 申請(qǐng)日期2006年10月4日 優(yōu)先權(quán)日2005年10月4日
發(fā)明者徐光錫, 金鐘銀 申請(qǐng)人:徐光錫