專利名稱：具有聚合網狀結構的低介電常數材料的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及低介電常數材料。
一種方法是使耐熱的聚合物和不耐熱的(可熱分解的)聚合物相混合。然后該混合物經交聯和不耐熱部分的熱分解以產生納米級的空穴。Hedrick等人的美國專利No.5776990給出了實例。另外的辦法是在單一的嵌段共聚物中不耐熱嵌段和耐熱嵌段相間，然后加熱該嵌段共聚物使不耐熱嵌段熱分解。在另一方案中，將耐熱嵌段和含不耐熱嵌段部分的耐熱嵌段混合并聚合以產生共聚物，然后加熱該共聚物以熱分解不耐熱嵌段。雖然以熱破壞來產生納米級空穴的方法是較簡單的，但在聚合物混合物或共聚物中混入不耐熱部分常常有明顯的限制。例如，在采用聚合物混合物的情況下，在聚合物混合物中的不耐熱部分的分布是較難控制的。此外，納米級空穴的尺寸也趨于不均勻。另外，雖然已嵌入不耐熱部分的共聚物或嵌段聚合物通常可較好地控制孔的大小和分布，但是這種共聚物和嵌段聚合物的合成常是更需要的。此外，一旦合成完共聚物或嵌段聚合物，納米級大小的孔的尺寸和數量的變化難以實現。
另一方法是將作為微穴載體的小空心玻璃球與介電材料混合，然后，在有空穴載體的存在下固化該介電材料。在Kamezaki的USP-5458709和Yokouchi的USP-5593526中給出了混入小玻璃球的實例。小玻璃球的混入不會造成機械穩(wěn)定性的下降，但玻璃球的均勻分布常常是有問題的。此外，Kamezaki和Yokouchi的方法通常限于較大的玻璃球。為了含有明顯小于玻璃球的空穴，Rostoker和Pasch在USP-5744399中描述使用富勒烯(fullerene)作為空穴載體，將其與聚合物基質材料混合，并接著將該材料交聯和固化。在另一任選的步驟中，所述富勒烯可通過在不溶解基質材料的溶劑中的溶解來去除。Rostoker和Pasch的方法的優(yōu)點是能含有比玻璃球明顯小的空穴，但是在其后的工藝中殘余的溶劑會出現問題，特別是在需要多層低介電常數材料的情況下。此外，由于富勒烯的尺寸變化有限，所以納米級空穴的尺寸變化也有限。
不論用于引入空穴的方法如何，但在制造納米多孔材料中經常會遇到結構問題。尤其是增加孔隙度超過臨界程度(通常是已知納米孔材料的約30％)會引起許多多孔材料的塌陷。通過加入能偶聯耐熱部分和其它耐熱部分的交聯添加劑，以產生更剛性的網狀結構可在一定程度上防止塌陷，通常在本領域已知的兩種不同的技術可用來交聯納米多孔材料中的耐熱部分。
在一種技術中，特定的官能團已引入聚合物中，在不耐熱部分熱分解之前或在產生納米孔隙度的本體除去之前，這些官能團互相反應以交聯聚合物鏈。例如在Auman的USP-5177176中，利用各種在聚合物鏈的端部的交聯官能團來交聯聚合物鏈。在另一種技術中，在交聯中采用外加交聯分子。然后加熱該交聯的聚合物以熱分解不耐熱部分。在Streckle，Jr.的USP-5710187中，例如采用外加的多官能的酰鹵或芐基鹵來交聯芳族單體。
雖然采用固有的或外加的交聯劑的交聯經?？芍辽僭谝欢ǔ潭壬细倪M納米多孔材料的結構特性，但新的問題經常來自固有的和外加的交聯劑的使用。例如，包含固有交聯劑的具有不耐熱部分和耐熱部分的共聚物或嵌段聚合物通常是難以合成的。此外，合適的固有交聯劑的選擇會進一步受到耐熱部分中的反應性基團的反應性和可利用性的限制。另一方面，在外加交聯劑的情況下，外加交聯劑的溶解度、化學相容性和選擇反應性常受限制。
因此，用于減少聚合物材料的介電常數的許多方法在本領域是已知的，但是所有方法或幾乎所有方法均有一個或多個缺點，所以仍需要提供改進的方法和組成以提供低介電常數材料。
本發(fā)明主題的一方面是第一成分包括聚合物鏈，優(yōu)選是聚(亞芳基)，更優(yōu)選為聚(亞芳基醚)、聚(亞芳基醚-醚-酮)、聚(亞芳基醚-喹喔啉)、聚(亞芳基醚-苯偶酰)和聚(亞芳基醚-喹啉)。其它可考慮的聚合物鏈包括聚酰亞胺、聚酰胺、和聚酰亞胺-酰胺。
本發(fā)明主題的另一個方面是第二化合物包括星形分子，其中中心部分優(yōu)選包含金剛烷、金剛烴(dizmantane)或富勒烯。其它優(yōu)選的中心部分包括硅原子和至少一個芳環(huán)。
本發(fā)明主題的再一個方面是星形分子的至少一條臂包含芳環(huán)，優(yōu)選地還包含乙炔基，特別優(yōu)選的臂包括4-乙炔基苯基、二苯乙炔基(tolanyl)、4-苯基乙炔基聯苯基和雙二苯乙炔基。通常優(yōu)選的是在所述的臂上的反應性基團是三鍵，并且還設想網狀結構(優(yōu)選半互穿網狀結構)的形成涉及環(huán)加成反應。
通過本發(fā)明的下述優(yōu)選實施方案的詳細描述及附圖，本發(fā)明的目的、特征、內容及優(yōu)點將更明顯。
圖2是以芳環(huán)作為中心部分的示例性第二成分的結構圖。
圖3A-3B是以硅原子作為中心部分的示例性第二成分的結構圖。
圖4A-4D是按本發(fā)明主題制備的示例性聚合網狀結構的示意結構圖。
詳細描述按本發(fā)明主題的低介電常數材料一般具有聚合網狀結構，它是由至少一種第一成分和第二成分制得，其中第一成分包含聚合物鏈，第二成分包含具有中心部分的星形分子，從中心部分至少伸出3條臂，其中每一條臂包括主鏈，并且每一條臂在主鏈中具有反應性基團。當對第一和第二成分熱活化時，通過第一和第二成分的至少一個反應性基團的反應形成聚合網狀結構。
在本發(fā)明主題的優(yōu)選方面，第一成分為具有結構1通式的聚(亞芳基醚) 結構1其中n約為20-200。第二成分為示于結構2的四(二苯乙炔基)硅烷 結構2其中，硅原子是中心部分，每一個二苯乙炔基代表一條臂。在二苯乙炔基中的三鍵是反應性基團。將第一和第二成分以近似等摩爾比(如50mM)溶于溶劑(如苯甲醚)中，采用標準旋涂程序將該溶液涂布在合適的基片(如硅晶片)上，通過將涂布于基片上的該溶液加熱到約180℃近2小時使第一和第二成分熱活化。利用在二苯乙炔基中的三鍵，由聚(亞芳基醚)和多個四(二苯乙炔基)硅烷分子在環(huán)加成反應中形成半-互穿網狀結構。
在本發(fā)明主題的另一方面，第一成分的聚合物鏈不必限于聚(亞芳基醚)，通常也可包括各種其它的有機聚合物鏈，包括聚酯、聚碳酸酯、聚酰亞胺、聚酰胺、聚酰亞胺-酰胺等。在特別希望較高的玻璃轉變溫度(即Tg＞300℃)的情況下，特別優(yōu)選的有機聚合物鏈包括聚(亞芳基)例如聚(亞芳基醚)、聚(亞芳基醚-醚-酮)、聚(亞芳基醚-喹喔啉)、聚(亞芳基苯偶酰)、和聚(亞芳基醚-喹啉)。另外，有機金屬的和無機的聚合物鏈在本發(fā)明的情況下也可以是合適的聚合物鏈。例如，在希望改進粘合或結構韌性的情況下，將聚硅烷加到聚合物鏈中也是有利的。在要求耐溫高于500℃的另一實例中，特別考慮加入硅和氧化鋁。
這里的術語“聚合物鏈”意指重復和共價鍵合到至少一個其它單體上的單體組合物。例如聚合物鏈可以有許多單體，其中每個單體與兩個其它單體共價鍵合以形成單體的直鏈(即線性聚合物鏈)。在另一實例中，聚合物鏈可具有許多單體，其中每個單體與二個、三個或多個單體共價鍵合以形成單體的非直鏈(即支化聚合物鏈或線性或支化聚合物鏈的三維網狀結構)。
還應提及，適用的聚合物鏈可具有各種分子量。雖然通常優(yōu)選聚合物鏈的平均分子量為約5000-100000Da，但其它分子量也可考慮。例如在單體分子量小于200，并且聚合物鏈的長度優(yōu)選小于25個重復單體的情況下，也可考慮分子量為5000-1000Da或更小。類似地，在聚合物鏈應含有較高分子量的單體情況下(如＞1000Da)，或聚合物鏈應含有較高數目的單體情況下，也可考慮分子量為100000-1000000Da和更大。
雖然優(yōu)選的聚合物鏈一般是線性聚合物鏈，但包括支化和交聯的聚合物鏈的非直鏈聚合物鏈也是可考慮的。例如，在特別希望提高結構剛性的情況下，合適的聚合物鏈可交聯到各種程度。盡管認為交聯程度對本發(fā)明概念不是關鍵的，但優(yōu)選合適的聚合物鏈的交聯可為1個交聯/100單體-1個交聯/10000單體。但在優(yōu)選較高交聯度的情況下，也可考慮大于1個交聯/100單體。另外，特別是在結構剛性已引入聚合物鏈的情況下(如剛性棒聚合物)，也可考慮小于1個交聯/10000單體。另一些聚合物鏈包括支化聚合物鏈，其中聚合物鏈的支化有利于改進結構或物理化學特性。例如當一些聚合物鏈包括含有交聯官能團的分支時，其它一些聚合物鏈可包括空間需要的分支，這些分支可有效地減少包含這種聚合物鏈的材料的總密度，由此降低該材料的介電常數。
還應提及的是第一成分還可包含除聚合物鏈外的各種分子，它包括一種或多種溶劑、有助于加工的分子或組合物、交聯劑等。例如可考慮的溶劑包括各種醚、苯甲醚、和二氯甲烷。可考慮的便于加工的分子或組合物包括粘合增強劑、防沫劑和穩(wěn)定劑。
關于分子的中心部分，除硅原子外的許多原子和/或部分也是適合的。如這里所用的術語“中心部分”涉及至少三條臂與其共價鍵合的原子或部分，以致所有的臂沿基本不同的空間方向延伸。例如，在四(二苯乙炔基)硅烷或四(二苯乙炔基)金剛烷中的硅原子或金剛烷基被認為是在此定義范圍內的中心部分，因為所有四個二苯乙炔基都共價連在硅原子或金剛烷基上，并且所有四個二苯乙炔基都以基本不同的空間方向取向。特別優(yōu)選的另外的中心部分包括籠型化合物(即由共價鍵合的原子形成的多環(huán)界定體積的分子，以致在該體積內的點不穿越一個環(huán)就不能離開該體積)，并且特別考慮的籠型化合物是金剛烷、金剛烴和富勒烯。另外，在中心部分是原子的情況下，所考慮的其它原子可包括磷和鍺。
本發(fā)明主題的另一方面是共價鍵合到中心部分的臂不需局限于三個相同的二苯乙炔基，而是可以顯著地變化。所以適合的臂可包括具有至少一個芳環(huán)的臂，并且優(yōu)選的是在臂含有芳環(huán)的情況下，在臂上也可有另外的乙炔基。特別優(yōu)選的另一些臂包括含三鍵和芳環(huán)的化學基團，更優(yōu)選的另一些臂是4-乙炔基苯基、4-苯基乙炔基聯苯基、和雙二苯乙炔基。雖然一般優(yōu)選的是所有的臂是相同的，但也可考慮在同一分子中一條或多于一條的臂可有與一條或多條其它的臂不同的化學組成和長度。例如，在采用第二成分形成聚合物鏈的情況下，可考慮利用第一組臂中的第一組反應性基團用于聚合反應，而可采用第二組臂中的第二組不同的反應性基團用于交聯。另外，在中心部分與四條臂相偶合，并且所有四條臂均有用于聚合和/或交聯的反應性基團的情況下，可利用具有不同長度的臂來產生具有不均勻結構的交聯聚合物。此外，根據中心部分的化學性質，應理解臂的數目不需局限于四條臂。例如，在中心部分包含苯環(huán)(如間苯三酚)的情況下，可考慮三條臂。另外，在中心部分包含六亞苯基(sexiphenylene)環(huán)體系的情況下，在分子中可采用多于三條或四條臂。但是，應提及，在所考慮的分子中的臂的數目將不少于三條臂。因此，具有兩條或僅一條臂的分子在本發(fā)明的情況下不被考慮。
根據臂的化學性質，反應性基團可有明顯變化，只要反應性基團位于主鏈上。這里的術語“主鏈”意指共價鍵合的原子或部分的鄰接鏈，以致任何原子或部分的去除都會導致鏈的斷裂。在特別優(yōu)選的臂中，反應性基團是三鍵。另外，反應性基團可包括二烯和親二烯體、親核基團和親電基團。因此，根據反應性基團的化學性質，反應可明顯變化，但是優(yōu)選該反應包括環(huán)加成反應。
在另一方面，合適的反應包括各種取代反應(如親核的、芳族的)、消除反應、和加成反應。特別應提及的是，具有中心部分和延伸臂的優(yōu)選分子可在有第一成分存在下聚合和交聯(即起熱固性單體作用)。具有籠形化合物作為中心部分的示例性第二成分的結構示于

圖1A和1B，而具有芳環(huán)作為中心部分的示例性第二成分的結構示于圖1A。圖3A-3C示出具有硅原子作為中心部分的示例性第二成分的結構。另一些示例性分子和它們的合成描述于Lau等人的美國專利申請，其題目是“用于有機組合物中的熱固性分子的組成和方法”，將其全部引入本文。
關于熱活化，根據反應性基團的化學性質，活化不需限于將第一和第二成分加熱到至少200℃，可有較大的變化。例如，采用活化的反應性基團時，加熱溫度可小于200℃，并且溫度可為150-200℃或更低。在其它情況下，加熱溫度需大于200℃，并且溫度可為200-350℃或更高。另外，網狀結構的形成除利用熱活化外，還可包括其它機理，所述的其它機理包括自由基聚合、光聚合、微波誘發(fā)聚合等。還應指出的是，網狀結構也可通過外加的交聯劑來形成，該交聯劑交聯第二成分和第一成分、第二成分和另一第二成分、或第二成分與第一成分和另一第二成分。
還應理解，第二成分可包括附加的分子，它包括一種或多種溶劑、起動聚合反應的活化劑、有助于加工的分子或組合物、交聯劑等。例如，所考慮的溶劑包括各種醚、苯甲醚、和二氯甲烷。所考慮的便于加工的分子和組合物包括粘合增強劑、防沫劑、和穩(wěn)定劑，所考慮的用于聚合的活化劑包括自由基引發(fā)劑和光活化劑。
雖然優(yōu)選聚合網狀結構是半互穿網狀結構，但也可考慮各種其它的網狀結構。例如，在線性聚合物鏈存在下聚合和交聯第二成分并在第二成分和線性聚合物鏈之間形成附加的交聯情況下，將形成改性的半互穿網狀結構。類似地，在交聯的聚合物鏈存在下聚合和交聯第二成分時，將形成互穿網狀結構。另外，在交聯的聚合物鏈存在下聚合和交聯第二成分并在第二成分和交聯的聚合物鏈之間形成附加的交聯情況下，將形成改性的互穿網狀結構。預料的是改性半互穿網狀結構、改性的互穿網狀結構或互穿網狀結構的形成會有利地增加結構的穩(wěn)定性。這里的術語“聚合網狀結構”意指一種材料，其中至少兩個聚合物鏈摻和以形成復雜結構，其中至少一個聚合物鏈是交聯的。
聚合網狀結構可通過各種已知方法形成，所有這些方法都可在本發(fā)明中使用。所考慮的示例性的其它聚合網狀結構示于圖4A-4D。在圖4A中，半互穿網狀結構1有多個聚合物鏈10、多個有中心部分24和三條臂22的星形分子20。這些分子通過共價鍵26聚合/交聯。在圖4B中，互穿網狀結構101有多個經交聯鍵112交聯的聚合物鏈110。星形分子120有中心部分124和三條臂122。該分子經共價鍵126聚合/交聯。在圖4C中，改性的半互穿網狀結構201有多個聚合物鏈210。星形分子220有中心部分224和三條臂222。該分子經共價鍵226聚合/交聯，并經共價鍵230進一步共價偶合到聚合物鏈上。在圖4D中，改性的互穿網狀結構301有多個經交聯鍵312交聯的聚合物鏈310。星形分子320有中心部分324和三條臂322。該分子經共價鍵326聚合/交聯，并經共價鍵330進一步共價偶合到聚合物鏈上。在圖4A-4D中，以虛線表示聚合物鏈的連續(xù)，間斷線表示兩個聚合物鏈重疊的位置。
在本發(fā)明主題的特別優(yōu)選的方面，將低介電常數材料涂在電子基片(優(yōu)選為硅晶片)表面上。還期待低介電常數材料具有的介電常數小于3.0、較優(yōu)選小于2.7、更優(yōu)選小于2.4。關于所考慮的低介電常數材料的玻璃轉變溫度(Tg)，期待低介電常數材料的Tg一般高于350℃，更優(yōu)選高于400℃，最優(yōu)選高于450℃。
實施例1示例性聚(亞芳基醚)聚合物鏈的合成制備聚(亞芳基醚)聚合物鏈的通常的合成方案示于下面的圖1中。AR和AR1可獨立地包含具有芳族部分或稠合芳族部分占優(yōu)勢的任何合適的熱穩(wěn)定結構，并且在方案1的實施例中，HO-C6H4-AR-C6H4-OH是芴雙酚，并且F-C6H4-AR1-C6H4-F是含至少一個二苯乙炔部分的二氟芳族化合物。
方案1 用于聚(亞芳基醚)的通常的合成程序由芴雙酚和4-氟-3’-(4-氟苯甲?；?二苯乙炔之間的反應舉例說明如下將配有磁攪拌器、熱電偶、迪安-斯達克分水器、回流冷凝器和N2入口-出口連接的1升3-頸RB燒瓶吹N2數小時，并加入0.2升熱的環(huán)丁砜。在70-80℃下，加入35.042g(0.1摩爾)芴雙酚(FBP)、31.8320g(0.1摩爾)4-氟-3’-(4-氟苯甲?；?-二苯乙炔(FBZT)和27.64g(0.2摩爾)碳酸鉀，并用165ml熱環(huán)丁砜和165ml甲苯漂洗。將反應物料加熱到140℃，并在該溫度下共沸1-2小時，然后通過去除甲苯將溫度升至175℃，并在175℃下繼續(xù)共沸反應15-20小時。將溫度降至165℃，加入4-氟二苯酮，并繼續(xù)封端5小時。用165ml的NMP稀釋該反應物料，并放置過夜。然后通過紙過濾器過濾，在5×MeOH(0.03％HNO3)中沉淀，再溶于NMP中并在5×MeOH(0.01％HNO3)中再沉淀。沉淀物經紙過濾器過濾，在過濾器上每次用1升MeOH洗滌3次，并在60-70℃的真空爐中干燥過夜。
實施例2四溴金剛烷(TBA)的合成 先前在Sollot，G.P.和Gilbert，E.E.的有機化學雜志(J.Org.Chem)，45，5405-5408(1980)中描述的程序之后，使金剛烷溴化為TBA。
四(3/4溴苯基)金剛烷(TBPA)的合成 如Reichert，V.R.和Mathias，L.J.在高分子(Macromolecules)，27，7015-7022(1990)中所描述的使TBA與溴苯反應得到四(3/4溴苯基)金剛烷(TBPA)。未料到該反應導致各種副產物的形成，并且所需的TBPA的產率約為50％。但是，當用新試劑和催化劑(溴苯和AlCl3，20℃下1分鐘)處理產物混合物時，則TBPA的產率約為90％。
四(二苯乙炔基)金剛烷(TTA)的合成 按用于芳族取代反應(例如工程塑料-R.J.Cotter的聚芳基醚手冊，Gordon和Breach出版社，ISBN 2-88449-112-0)常規(guī)反應程序，TBPA與苯乙炔(可商購)反應得到最終產物四(二苯乙炔基)金剛烷。
實施例3聚合網狀結構的制造通過將按照實施例1的聚(亞芳基醚)溶于環(huán)己酮中達到約5-15重量％的濃度以制備第一溶液。將第一溶液與在環(huán)己酮中含5-20重量％四(二苯乙炔基)金剛烷的第二溶液(見實施例2)相混合，將所得混合物旋涂在晶片上。接著在250℃下烘烤該晶片近2分鐘以除去溶劑，并且排除氧的可控爐中于400℃下固化約1小時，以形成聚合網狀結構?？稍诓ㄩL2200cm-1下通過FTIR來監(jiān)測乙炔基的消失。
因此，已公開了具有聚合網狀結構的低介電常數材料的特定實施方案和應用。但是對本領域技術人員來說，在不偏離本發(fā)明的概念情況下，除上述已描述的外，還可有許多修改。所以除所附權利要求外，本發(fā)明的內容不受限制。此外，在闡明說明書及權利要求中，所有術語都應以與本文一致的盡可能寬的方式來描述。特別是術語“包含”和“含”應以非排除的方式涉及元素、成分或步驟，表明所涉及的元素、成分或步驟是可存在和利用的，或可與未特意涉及的元素、成分、或步驟相組合。
權利要求
1.一種低介電常數的材料，包含由至少第一成分和第二成分制造的聚合網狀結構；其中第一成分包含聚合物鏈；其中第二成分包含具有中心部分的分子，從中心分子至少延伸出3條臂，其中每條臂包括具有反應性基團的主鏈；和其中當第一和第二成分經熱活化時，在包括至少一個反應性基團的反應中，第一成分和第二成分形成聚合網狀結構。
2.權利要求1的低介電常數材料，其中所述聚合物鏈包含聚(亞芳基)。
3.權利要求2的低介電常數材料，其中所述聚(亞芳基)選自聚(亞芳基醚)、聚(亞芳基醚-醚-酮)、聚(亞芳基醚-喹喔啉)、聚(亞芳基醚-苯偶酰)、和聚(亞芳基醚-喹啉)。
4.權利要求1的低介電常數材料，其中所述聚合物鏈包含選自聚酰亞胺、聚酰胺、聚酰亞胺-酰胺的聚合物。
5.權利要求1的低介電常數材料，其中所述分子的中心部分包含籠形化合物。
6.權利要求5的低介電常數材料，其中所述籠形化合物選自金剛烷、金剛烴和富勒烯。
7.權利要求1的低介電常數材料，其中所述分子的中心部分包含硅原子。
8.權利要求1的低介電常數材料，其中所述分子的三條臂的至少一條包含芳環(huán)。
9.權利要求8的低介電常數材料，其中所述三條臂的至少一條還包含乙炔基。
10.權利要求9的低介電常數材料，其中，所述三條臂的至少一條包含選自4-乙炔基苯基、二苯乙炔基、4-苯基乙炔基聯苯基、和雙二苯乙炔基的化學基團。
11.權利要求1的低介電常數材料，其中所述分子具有選自下列的結構 和
12.權利要求1的低介電常數材料，其中所述分子具有下列結構
13.權利要求1的低介電常數材料，其中所述分子具有選自下列的結構
14.權利要求1的低介電常數材料，其中所述反應性基團是三鍵。
15.權利要求1的低介電常數材料，其中所述聚合網狀結構是半-互穿網狀結構。
16.權利要求1的低介電常數材料，其中所述反應包括環(huán)加成反應。
17.權利要求1的低介電常數材料，其中所述反應在無另外交聯分子的條件下進行。
18.權利要求1的低介電常數材料，其中所述熱活化包括將第一和第二成分加熱到至少200℃。
19.權利要求1的低介電常數材料，其中所述低介電常數材料的介電常數小于2.4。
20.權利要求1的低介電常數材料，其中所述低介電常數材料的介電常數小于2.7。
21.權利要求1的低介電常數材料，其中所述材料的玻璃化轉變溫度高于400℃。
22.權利要求1的低介電常數材料，其中所述材料的玻璃化轉變溫度高于450℃。
23.一種制備低介電常數材料的方法，包括提供包含聚合物鏈的第一成分；提供包含有中心部分的分子的第二成分，從中心部分延伸出三條臂，其中每條臂包括具有反應性基團的主鏈；和由第一成分和第二成分形成聚合網狀結構，其中當所述第一成分和第二成分經熱活化時，在包括至少一個反應性基團的反應中，第一成分和第二成分形成聚合網狀結構。
24.權利要求23的方法，其中所述聚合物鏈包含聚(亞芳基)，并且其中所述中心部分選自金剛烷、金剛烴、富勒烯、和硅原子。
全文摘要
一種低介電常數材料具有聚合網狀結構，該網狀結構由第一和第二成分制造。該第一成分包含聚合物鏈，并且該第二成分包含有中心部分的分子，并從中心部分延伸出至少三條臂，其中每條臂包括具有反應性基團的主鏈。當第一成分和第二成分經熱活化時，在包括至少一個反應性基團的反應中，第一成分和第二成分形成聚合網狀結構。所述低介電常數材料可有利地用于制造電子設備，特別是該電子設備包括集成電路。
文檔編號C08G69/48GK1455789SQ01815352
公開日2003年11月12日 申請日期2001年7月12日 優(yōu)先權日2000年7月19日
發(fā)明者K·勞, F·Q·劉, B·科羅勒夫, E·布羅克, R·澤雷賓, D·納勒瓦杰克 申請人:霍尼韋爾國際公司