用于有機發(fā)光裝置的化合物和包含該化合物的有機發(fā)光裝置制造方法
【專利摘要】本公開的實施方案涉及由通式1表示的化合物，并且涉及包含該化合物的有機發(fā)光二極管。通式1
【專利說明】用于有機發(fā)光裝置的化合物和包含該化合物的有機發(fā)光裝
[0001]相關申請的引用
[0002]本申請要求于2012年6月12日向韓國知識產(chǎn)權局提交的第10-2012-0062860號韓國專利申請的優(yōu)先權和權益，所述申請的全部內(nèi)容并入本文作為參考。 [0003]背景
1.【技術領域】
[0004]本發(fā)明的一個或多個實施方案涉及用于有機發(fā)光裝置的化合物和包含該化合物的有機發(fā)光裝置。
[0005]2.相關技術的描述
[0006]有機發(fā)光二極管(OLED)是具有諸如廣視角、良好對比度、快速響應時間、高亮度和良好驅(qū)動電壓的優(yōu)勢的自發(fā)射裝置。OLED能提供多色圖像。通常，OLED的結構包括襯底，在其上(依次)堆疊陽極、空穴傳輸層(HTL)、發(fā)射層(EML)、電子傳輸層(ETL)和陰極。對此，HTL、EML和ETL是由有機化合物形成的有機薄膜。
[0007]具有上述結構的OLED的工作原理如下。當在陽極和陰極之間施加電壓時，從陽極注入的空穴通過HTL遷移至EML，并且從陰極注入的電子通過ETL遷移至EML?？昭ê碗娮釉贓ML中再結合以產(chǎn)生激子。當激子從激發(fā)態(tài)下降至基態(tài)時發(fā)射光。
[0008]用于決定OLED發(fā)光效率的最重要的因素之一是包含具有空穴注入能力的材料或具有空穴傳輸能力的材料。然而，包含這類在本領域中已知材料的OLED未表現(xiàn)出令人滿意的效率、驅(qū)動電壓和壽命。
[0009]概述
[0010]本發(fā)明的實施方案提供了用于有機發(fā)光二極管的新穎的化合物，其具有良好的電學性質(zhì)、高的電荷傳輸能力和高的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度?；衔锬芊乐菇Y晶，并且可以用作適用于諸如紅色、綠色、藍色、白色等的全色熒光和磷光裝置的空穴注入材料或空穴傳輸材料?？昭ㄗ⑷氩牧匣蚩昭▊鬏敳牧吓c常規(guī)空穴注入材料或常規(guī)空穴傳輸材料相比具有更高的發(fā)光效率和更長的使用壽命。
[0011]本發(fā)明的實施方案還提供了包含上述化合物并具有高效率、低電壓、高亮度和長使用壽命的有機發(fā)光二極管。
[0012]根據(jù)本發(fā)明的一方面，具有空穴注入能力和/或空穴傳輸能力的化合物由下列通式I表示:
[0013]通式I
[0014]
【權利要求】
1.具有空穴注入能力和/或空穴傳輸能力的化合物，所述化合物由通式I表示: 通式I
2.如權利要求1所述的化合物，其中: R1和R2各自獨立地為鹵素、氰基、取`代或未取代的C1-C3tl烷基、取代或未取代的C5-C3tl芳基、取代或未取代的C3-C3tl雜芳基或者取代或未取代的C6-C3tl稠合多環(huán)基團； R3為氫、氘、鹵素、氰基、取代或未取代的C5-C3tl芳基、取代或未取代的C3-C3tl雜芳基或者取代或未取代的C6-C3tl稠合多環(huán)基團； A是選自取代或未取代的C6-Cltl亞芳基、取代或未取代的C2-C11雜亞芳基的連接基團，或者是其中至少兩個亞芳基和/或雜亞芳基連接的連接基團；以及 Ar1和Ar2各自獨立地為取代或未取代的C5-C3tl芳基、取代或未取代的C3-C3tl雜芳基或者取代或未取代的C6-C3tl稠合多環(huán)基團。
3.如權利要求1所述的化合物，其中R1和R2可以各自獨立地為氫、氘、鹵素、氰基、取代或未取代的C1-C2tl烷基或者下列通式2a至2c之一:
4.如權利要求1所述的化合物，其中R3為氫、氘、鹵素或下列通式3a至3d中的至少之
5.如權利要求1所述的化合物，其中A為選自通式4a至4c之一的連接基團，或者為其中至少兩個通式4a至4c表示的基團連接的連接基團:
6.如權利要求1所述的化合物，其中Ar1和Ar2各自獨立為通式5a至5e之一:
7.如權利要求1所述的化合物，其中R1和R2結合以形成環(huán)。
8.如權利要求1所述的化合物，其中所述通式I的化合物為化合物1、6、13、40、53、77、80和87之一:
9.有機發(fā)光二極管，其包括: 第一電極； 第二電極；以及在所述第一電極和所述第二電極之間的有機層， 其中所述有機層包含權利要求1所述的化合物。
10.如權利要求9所述的有機發(fā)光二極管，其中所述有機層為空穴注入層、空穴傳輸層或者具有空穴注入和空穴傳輸能力的功能層。
11.如權利要求9所述的有機發(fā)光二極管，其中所述有機層為空穴傳輸層或空穴注入層。
12.如權利要求9所述的有機發(fā)光二極管，其中所述有機發(fā)光二級管包括:發(fā)射層；以及空穴注入層、空穴傳輸層和具有空穴注入和空穴傳輸能力的功能層中的至少一種，其中所述空穴注入層、空穴傳輸層和功能層中的至少一種包含權利要求1所述的化合物，并且所述發(fā)射層包含基于蒽的化合物、基于芳基胺的化合物或者基于苯乙烯基的化合物。
13.如權利要求9所述的有機發(fā)光二極管，其中所述有機發(fā)光二級管包括:發(fā)射層；以及空穴注入層、空穴傳輸層和具有空穴注入和空穴傳輸能力的功能層中的至少一種，其中所述空穴注入層、空穴傳輸層和功能層中的至少一種包含權利要求1所述的化合物，并且所述發(fā)射層的紅色層、綠色層、藍色層和白色層中的任一層包含磷光化合物。
14.如權利要求13所述的有機發(fā)光二極管，其中所述空穴注入層、空穴傳輸層和功能層之一包含電荷產(chǎn)生材料。
15.如權利要求14所述的有機發(fā)光二極管，其中所述電荷產(chǎn)生材料為P摻雜劑，其選自醌衍生物、金屬氧化物或含氰基的化合物。
16.如權利要求9所述的有機發(fā)光二極管，其中所述有機層包括含電子傳輸有機化合物和金屬絡合物的電子傳輸層。
17.如權利要求16所述的有機發(fā)光二極管，其中所述金屬絡合物為Li絡合物。
18.如權利要求16所述的有機發(fā)光二極管，其中所述金屬絡合物包括喹啉鋰(LiQ)或化合物203: 化合物203
19.如權利要求9所述的有機發(fā)光二極管，其中利用濕法，使用權利要求1所述的化合物形成所述有機層。
20.平板顯示裝置，其包括權利要求9所述的有機發(fā)光二極管，其中所述有機發(fā)光二極管的第一電極與薄膜晶體管的源電極或漏電極電連接。
【文檔編號】C07C211/54GK103483208SQ201310053295
【公開日】2014年1月1日 申請日期:2013年2月19日 優(yōu)先權日:2012年6月12日
【發(fā)明者】林珍娛, 黃皙煥, 金榮國, 鄭惠珍, 韓相鉉, 金秀娟, 鄭恩在, 樸俊河, 李銀永, 吳一洙, 李鍾赫 申請人:三星顯示有限公司