用于電致發(fā)光器件中的包含Cu、Ag、Au、Zn、Al的芳族氮雜雙環(huán)化合物的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及適于在有機電致發(fā)光器件中用作發(fā)光體的金屬絡(luò)合物，以及涉及包含 這些金屬絡(luò)合物的有機電致發(fā)光器件。
【背景技術(shù)】
[0002] 例如在 US 4539507、US 5151629、EP 0676461 和 TO 98/27136 中描述了其中將有 機半導(dǎo)體用作功能材料的有機電致發(fā)光器件（OLED)的結(jié)構(gòu)。此處使用的發(fā)光材料通常是 如下的有機金屬絡(luò)合物，其顯示磷光而不是焚光（M. A. Baldo等，Appl. Phys. Lett.(應(yīng)用物 理快報）1999, 75, 4-6)，或顯示單重態(tài)收集（熱活化延遲熒光）（例如WO 2010/006681)。 出于量子力學(xué)原因，使用這種類型的化合物作為發(fā)光體可實現(xiàn)最高達(dá)四倍的能量和功率效 率。總的來說，在OLED的情況下，仍然需要改進(jìn)，特別是在效率、工作電壓和壽命方面仍然 需要改進(jìn)。這特別適用于在相對短波區(qū)域發(fā)光、即發(fā)綠光和特別是發(fā)藍(lán)光的0LED。
[0003] 根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)，銥和鉑絡(luò)合物特別地用作磷光OLED中的發(fā)光體。然而，特別是對 于藍(lán)色發(fā)光，仍需要對這些絡(luò)合物進(jìn)行改進(jìn)。此外，銥和鉑是稀有金屬，這意味著對于資源 節(jié)約的用途合乎需要的是，能夠采用基于更普遍的金屬的金屬絡(luò)合物并且能夠避免使用Ir 或Pt，但仍然能夠?qū)崿F(xiàn)高效率。
[0004] WO 2006/061182公開了含有鄰位金屬化配體的銥和鉑絡(luò)合物，所述配體與所述金 屬形成6元環(huán)螯合物。未公開與銅、銀、金、釕或主族元素的絡(luò)合物。
[0005] 在申請日未提交

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006] X在每次出現(xiàn)時相同或不同地是CR或N ;
[0007] Y在每次出現(xiàn)時相同或不同地是CR或N;或確切地一個基團Y代表-CR = CR-或-CR = N-，以使得形成雜芳族六元環(huán)；
[0008] Z在每次出現(xiàn)時相同或不同地是N、0或S，其條件是如果基團Y代表-CR = CR-或-CR = N-，則 Z 代表 N ;
[0009] A是與M配位并且可被一個或多個取代基R取代的配位基團；
[0010] R 在每次出現(xiàn)時相同或不同地是 H，D，F(xiàn)，Cl，Br，I，N(R1) 2, P (R1) 2, CN，N02, 0H，C00H， C( = 0)N(R1)2, Si(R1)3^ B(OR1)2, C( = 0)R\ P( = 0) (R1)2, S( = 0)^, S( = 0)^1, OSO2R1, 具有I至20個C原子的直鏈烷基、烷氧基或硫代烷氧基基團，或具有2至20個C原子的烯 基或炔基基團，或具有3至20個C原子的支鏈或環(huán)狀的烷基、烷氧基或硫代烷氧基基團，所 述基團中的每個可被一個或多個基團R 1取代，其中一個或多個非相鄰的〇12基團可被R1C = CR1、C三c、Si (R%、C = 0、NR1、0、S或CONR1代替，并且其中一個或多個H原子可被D、F、 Cl、Br、I或CN代替，或具有5至60個芳族環(huán)原子的芳族或雜芳族環(huán)系，所述環(huán)系在每種情 況下可被一個或多個基團R1取代，或具有5至40個芳族環(huán)原子的芳氧基或雜芳氧基基團， 所述基團可被一個或多個基團R1取代，或具有5至40個芳族環(huán)原子的芳烷基或雜芳烷基 基團，所述基團可被一個或多個基團R1取代，或具有10至40個芳族環(huán)原子的二芳基氨基 基團、二雜芳基氨基基團或芳基雜芳基氨基基團，所述基團可被一個或多個基團R 1取代；此 處兩個相鄰的基團R還可彼此形成單環(huán)或多環(huán)的芳族或脂族環(huán)系；
[0011] R1 在每次出現(xiàn)時相同或不同地是 H，D，F(xiàn)，Cl，Br，I，N (R 2) 2, P (R2) 2, CN，N02, Si (R2) 3， B(OR2)2, C( = 0)R2, P( = 0) (R2)2, S( = 0)R2, S( = 0)2R2, 0S02R2,具有 1 至 20 個 C 原子的 直鏈烷基、烷氧基或硫代烷氧基基團，或具有2至20個C原子的烯基或炔基基團，或具有3 至20個C原子的支鏈或環(huán)狀的烷基、烷氧基或硫代烷氧基基團，所述基團中的每個可被一 個或多個基團R 2取代，其中一個或多個非相鄰的CH 2基團可被R2C = CR2、C = C、Si (R2)2、C =0、NR2、0、S或CONR2代替，并且其中一個或多個H原子可被D、F、Cl、Br、I、CN或NO 2代 替，或具有5至60個芳族環(huán)原子的芳族或雜芳族環(huán)系，所述環(huán)系在每種情況下可被一個或 多個基團R 2取代，或具有5至40個芳族環(huán)原子的芳氧基或雜芳氧基基團，所述基團可被一 個或多個基團R2取代，或具有5至40個芳族環(huán)原子的芳烷基或雜芳烷基基團，所述基團可 被一個或多個基團R 2取代，或具有10至40個芳族環(huán)原子的二芳基氨基基團、二雜芳基氨 基基團或芳基雜芳基氨基基團，所述基團可被一個或多個基團R 2取代；此處兩個或更多個 相鄰的基團R2可彼此形成單環(huán)或多環(huán)的芳族或脂族環(huán)系；
[0012] R2在每次出現(xiàn)時相同或不同地是H，D，F(xiàn)，或具有1至20個C原子的脂族、芳族和 /或雜芳族烴基團，其中一個或多個H原子還可被F代替；此處兩個或更多個取代基R 2還可 彼此形成單環(huán)或多環(huán)的芳族或脂族環(huán)系；
[0013] L'在每次出現(xiàn)時相同或不同地是任何所希望的共配體，或者如果L'經(jīng)由V連接至 L，則L'為配位基團；
[0014] η 是 1、2 或 3;
[0015] m 是 0、1、2、3 或 4;
[0016] 此處所述配體L上的一個或兩個取代基R或R1可另外鍵合至金屬M并且因此形 成三齒或四齒配體；
[0017] 此外，所述配體L可經(jīng)由一個或兩個橋連單元V連接至所述配體L'并且因此形成 線性的（Iinearen)三齒或四齒配體。
[0018] 如上文所述的，L是單陰離子配體。然而，根據(jù)本發(fā)明，這僅涉及式（2)中繪制的 配體的結(jié)構(gòu)，即配位單元A或配位原子Z是帶負(fù)電荷的。如果取代基R和/或R 1另外與M 配位，則這些還可以帶負(fù)電荷，總體上產(chǎn)生多陰離子配體。如果L'是經(jīng)由基團V與L鍵合 的配位基團，則同樣適用。這還可以是帶負(fù)電荷的，總體上產(chǎn)生多陰離子配體。
[0019] 此處選擇標(biāo)記η和m以使得金屬M上的總配位數(shù)對應(yīng)于這種金屬的通常的配位 數(shù)。對于本發(fā)明的金屬，這通常是配位數(shù)2、3、4或6。通常已知金屬配位化合物具有不同的 配位數(shù)，即鍵合不同數(shù)目的配體，這取決于金屬和所述金屬的氧化態(tài)。由于金屬或金屬離子 在各種氧化態(tài)中的優(yōu)選配位數(shù)屬于有機金屬化學(xué)或配位化學(xué)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員的一般 專業(yè)知識，因此本領(lǐng)域普通技術(shù)人員容易根據(jù)金屬和其氧化態(tài)以及根據(jù)配體L的確切結(jié)構(gòu) 來使用合適數(shù)目的配體，并且因此對于標(biāo)記η和m作出適當(dāng)選擇。
[0020] 式（2)結(jié)構(gòu)中的圓圈指示芳族或雜芳族體系，如有機化學(xué)中通常所指的。盡管在 這種結(jié)構(gòu)中為了簡化而繪制了兩個圓圈，但這仍然是指它是單個雜芳族體系。
[0021] 在本發(fā)明意義上的芳基基團含有6至40個C原子；在本發(fā)明意義上的雜芳基基團 含有2至40個C原子和至少一個雜原子，其條件是C原子和雜原子的總和至少為5。所述 雜原子優(yōu)選選自N、0和/或S。此處的芳基基團或雜芳基基團被認(rèn)為是指簡單的芳族環(huán)，即 苯，或簡單的雜芳族環(huán)，例如吡啶、嘧啶、噻吩等，或稠合的芳基或雜芳基基團，例如萘、蒽、 菲、喹啉、異喹啉等。
[0022] 在本發(fā)明意義上的芳族環(huán)系在環(huán)系中含有6至60個C原子。在本發(fā)明意義上的 雜芳族環(huán)系在環(huán)系中含有1至60個C原子和至少一個雜原子，其條件是C原子和雜原子的 總和至少為5。所述雜原子優(yōu)選選自N、0和/或S。在本發(fā)明意義上的芳族或雜芳族環(huán)系 旨在被認(rèn)為是指不必僅含有芳基或雜芳基基團的體系，而是其中多個芳基或雜芳基基團還 可被非芳族單元（優(yōu)選小于非H原子的10% )間斷，該非芳族單元例如為C、N或0原子或 羰基基團。因此，例如，和其中兩個或更多個芳基基團被例如直鏈或環(huán)