醇鹽化合物以及薄膜形成用原料的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種由下述通式（I）表示的醇鹽化合物以及含有該醇鹽化合物的薄膜形成用原料。式中，R1表示碳原子數(shù)為2～4的直鏈或支鏈狀烷基，R2、R3表示碳原子數(shù)為1～4的直鏈或支鏈狀烷基。在下述通式（I）中，R1優(yōu)選為乙基。另外，還優(yōu)選R2和R3中的任一者或兩者為乙基。另外，含有由下述通式（I）表示的醇鹽化合物的薄膜形成用原料優(yōu)選用作化學(xué)氣相沉積法用原料。
【專利說(shuō)明】醇鹽化合物以及薄膜形成用原料
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種具有特定的配位基的新型鎳醇鹽化合物、含有該化合物的薄膜形成用原料。
【背景技術(shù)】
[0002]含有鎳的薄膜主要用于電阻膜、阻擋膜等電子部件的構(gòu)件、磁性膜等記錄介質(zhì)用的構(gòu)件、電極等薄膜太陽(yáng)電池用構(gòu)件等。
[0003]作為上述的薄膜的制造方法，可以列舉出火焰沉積法、濺射法、離子鍍法、涂布熱分解法以及溶膠凝膠法等MOD法、化學(xué)氣相沉積法等，由于具有組成控制性、階梯覆蓋性優(yōu)良，適合于批量生產(chǎn)化，以及能夠?qū)崿F(xiàn)混合集成等諸多優(yōu)點(diǎn)的緣故，包括ALD(Atomic Layer Deposition,原子層沉積)法在內(nèi)的化學(xué)氣相沉積(以下有時(shí)也僅記為CVD)法是最適合的制
造工藝。[0004]在MOD法或CVD法中，作為對(duì)薄膜供給鎳原子的前體，一直使用利用了有機(jī)配位基的化合物。在專利文獻(xiàn)I中報(bào)道了鎳的3級(jí)醇鹽(也稱為叔醇鹽)化合物，在專利文獻(xiàn)2中， 報(bào)道了通過(guò)使用了鎳的醇鹽的CVD法來(lái)制造含有鎳原子的復(fù)合氧化物薄膜的制造方法。另外，在非專利文獻(xiàn)I中，報(bào)道了通過(guò)使用了鎳的3級(jí)醇鹽化合物的ALD法來(lái)制作鎳氧化膜的技術(shù)。
[0005]有關(guān)鎳化合物，對(duì)本發(fā)明的2級(jí)醇鹽(也稱為仲醇鹽)化合物并沒有報(bào)道，并且對(duì)于使用了它的薄膜的制造方法也沒有報(bào)道。
[0006]現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0007]專利文獻(xiàn)
[0008]專利文獻(xiàn)1:W02006/107121A1
[0009]專利文獻(xiàn)2:W02006/021850A2
[0010]非專利文獻(xiàn)
[0011]非專利文獻(xiàn)I J.Vac.Sc1.Technol.A, Vol.23，N0.4，Jul/Aug20051238-1243
【發(fā)明內(nèi)容】

[0012]本發(fā)明要解決的問題
[0013]對(duì)于CVD法等通過(guò)使化合物(前體)氣化而形成薄膜的方法，該化合物被要求的性質(zhì)是:熔點(diǎn)較低、能夠以液體的狀態(tài)進(jìn)行輸送，以及蒸汽壓較大、容易使其氣化。以往的鎳化合物并非是在這些方面能夠充分滿足要求的化合物。
[0014]解決問題的手段
[0015]本
【發(fā)明者】等人反復(fù)研究的結(jié)果發(fā)現(xiàn)，配位基使用了特定的仲氨基醇的鎳醇鹽化合物能夠解決上述問題，從而完成了本發(fā)明。
[0016]即,本發(fā)明提供一種醇鹽化合物(alkoxide compound),其由下述通式(I)表示。
[0017]
【權(quán)利要求】
1.一種醇鹽化合物，其由下述通式(I)表示，
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的醇鹽化合物，其中，在所述通式(I)中，R1為乙基。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的醇鹽化合物，其中，在所述通式(I)中，R2和R3中的任一者或兩者為乙基。
4.根據(jù)權(quán)利要求1~3中任一項(xiàng)所述的醇鹽化合物，其是薄膜形成用原料。
5.一種薄膜形成用原料，其含有權(quán)利要求1~3中任一項(xiàng)所述的醇鹽化合物。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的薄膜形成用原料，其用作化學(xué)氣相沉積法用原料。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的薄膜形成用原料，其中，所述薄膜形成用原料由含有所述醇鹽化合物的前體本身構(gòu)成，所述醇鹽化合物與除了所述醇鹽化合物以外的前體的比率是， 相對(duì)于前者I摩爾，后者為0~10摩爾，在薄膜制造時(shí)，通過(guò)氣體輸送法或液體輸送法來(lái)輸送供給所述薄膜形成用原料。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的薄膜形成用原料，其中，所述薄膜形成用原料含有包含所述醇鹽化合物的前體以及有機(jī)溶劑，包含所述醇鹽化合物的前體的含量為0.01~2.0摩爾/ 升，所述醇鹽化合物與除了所述醇鹽化合物以外的前體的比率是，相對(duì)于前者I摩爾，后者為0~10摩爾，在薄膜制造時(shí)，通過(guò)液體輸送法來(lái)輸送供給所述薄膜形成用原料。
【文檔編號(hào)】C07F15/04GK103502202SQ201280022056
【公開日】2014年1月8日 申請(qǐng)日期:2012年5月15日 優(yōu)先權(quán)日:2011年8月2日
【發(fā)明者】和田仙二, 齋藤昭夫, 吉野智晴 申請(qǐng)人:株式會(huì)社艾迪科