專利名稱：光致抗蝕劑組合物和用于制備光致抗蝕劑圖案的方法
技術領域：
本發(fā)明涉及光致抗蝕劑組合物和用于制備光致抗蝕劑圖案的方法。
背景技術：
光致抗蝕劑組合物用于采用光刻工藝的半導體微制造，所述光致抗蝕劑組合物含有具有酸不穩(wěn)定基團的樹脂、溶劑和包含鹽的酸生成劑。US2007/122750A1提及一種光致抗蝕劑組合物，所述光致抗蝕劑組合物包含樹脂，所述樹脂具有由式(al-1-2)表示的結構單元，由式(a2-l_l)表示的結構單元和由式(a3-l_l)表示的結構單元，由式(BI)表示的鹽，以及溶劑。US2006/194982提及一種光致抗蝕劑組合物，所述光致抗蝕劑組合物包含如上提及的樹脂、由式(B2)表示的鹽以及溶劑。

權利要求
1.一種光致抗蝕劑組合物，所述光致抗蝕劑組合物包含 (A)樹脂，所述樹脂具有含有酸不穩(wěn)定基團的結構單元和含有內(nèi)酯環(huán)的結構單元，以及 (B)由式⑴表示的鹽
2.根據(jù)權利要求I所述的光致抗蝕劑組合物，所述光致抗蝕劑組合物還包含溶劑。
3.根據(jù)權利要求I所述的光致抗蝕劑組合物，其中n是I。
4.根據(jù)權利要求1、2或3所述的光致抗蝕劑組合物，其中L1是單鍵。
5.根據(jù)權利要求1、2或3所述的光致抗蝕劑組合物，其中R1是羥基。
6.根據(jù)權利要求1、2或3所述的光致抗蝕劑組合物，其中R1是由保護基保護的羥基，并且由式(2A)表示，
7.根據(jù)權利要求1、2或3所述的光致抗蝕劑組合物，其中Z+是芳基锍陽離子。
8.根據(jù)權利要求1、2或3所述的光致抗蝕劑組合物，其中所述含有內(nèi)酯環(huán)的結構單元由式(a3-l)、式(a3~2)或式(a3~3)表不
9.根據(jù)權利要求8所述的光致抗蝕劑組合物，其中所述含有內(nèi)酯環(huán)的結構單元由式(a3-2)表示，其中La5表示*-0-(CH2)k3-CO-O-,其中*表示與-CO-的結合位置并且k3表示I至7的整數(shù)，并且ql是O。
10.根據(jù)權利要求1、2或3所述的光致抗蝕劑組合物，其中所述含有酸不穩(wěn)定基團的結構單元由式(al-1)或式(al-2)表示
11.根據(jù)權利要求1、2或3所述的光致抗蝕劑組合物，其中所述樹脂還包含含有羥基金剛烷-I-基的結構單元。
12.根據(jù)權利要求1、2或3所述的光致抗蝕劑組合物，所述光致抗蝕劑組合物還包含含由式(a4_l)表示的結構單元的樹脂
13.根據(jù)權利要求I、2或3所述的光致抗蝕劑組合物，所述光致抗蝕劑組合物還包含堿性化合物。
14.一種用于制備光致抗蝕劑圖案的方法，所述方法包括以下步驟(I)至(5) (1)將根據(jù)權利要求1、2或3所述的光致抗蝕劑組合物涂覆在基板上的步驟， (2)通過進行干燥而形成光致抗蝕劑膜的步驟， (3)將所述光致抗蝕劑膜曝光于輻射的步驟， (4)將曝光過的光致抗蝕劑膜烘焙的步驟，以及 (5)將烘焙過的光致抗蝕劑膜用堿性顯影液顯影，從而形成光致抗蝕劑圖案的步驟。
15.—種用于制備由式(I_a)表不的化合物的方法
全文摘要
本發(fā)明提供光致抗蝕劑組合物和用于制備光致抗蝕劑圖案的方法。一種光致抗蝕劑組合物，所述光致抗蝕劑組合物包含(A)樹脂，所述樹脂具有含有酸不穩(wěn)定基團的結構單元和含有內(nèi)酯環(huán)的結構單元；以及(B)由式(I)表示的鹽其中Q1和Q2各自獨立地表示氟原子或C1-C6全氟烷基，n表示0或1，L1表示單鍵或其中亞甲基可以被氧原子或羰基代替的C1-C10烷烴二基，條件是當n是0時，L1不是單鍵，R1表示羥基或由保護基保護的羥基，并且Z+表示有機陽離子。
文檔編號C07C17/35GK102749805SQ20121011037
公開日2012年10月24日 申請日期2012年4月13日 優(yōu)先權日2011年4月20日
發(fā)明者安立由香子, 市川幸司, 藤田真吾 申請人:住友化學株式會社