發(fā)明涉及電路板制作技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種階梯板及其制作方法。

背景技術(shù)：

PCB板是提供電子元器件在安裝與互連時的主要支撐，其依照電路設(shè)計，將連接電路零件的電氣布線繪制成布線圖形，并利用機械加工、表面處理等方式，在絕緣體上使電氣導(dǎo)體重現(xiàn)。隨著電子行業(yè)日新月異的變化，電子產(chǎn)品向著輕、薄、短、小型化發(fā)展，相應(yīng)的PCB板也面臨高精度、細線化、高密度的挑戰(zhàn)。

現(xiàn)有階梯板制作技術(shù)中，需對PCB板進行開蓋處理，使得PCB板內(nèi)層芯板的線路部分裸露在外界，即直接使用激光燒蝕內(nèi)層芯板上方的基材(基材為樹脂和玻纖)，但在此操作過程中，有一定缺點：

(1)當基材中玻纖密度過低時，使用激光進行開蓋，激光燒穿芯板上方的基材和保護膠層，進而有可能燒傷芯板上開蓋區(qū)的線路，對芯板造成損傷，嚴重時會毀壞整個芯板，造成浪費。

(2)當基材中玻纖密度過高時，在使用激光燒蝕內(nèi)層芯板上方的基材的時候，有可能造成燒蝕不徹底，容易造成芯板上有殘膠遺留，甚至無法進行揭蓋工序，而導(dǎo)致PCB板無法使用。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

為了克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，發(fā)明的目的在于提供一種階梯板及其制作方法，只要使用激光燒蝕掉空腔中的純膠體以及開蓋區(qū)范圍內(nèi)未經(jīng)過開窗處理的第一PP層，然后使用外力將揭蓋區(qū)與本體區(qū)進行分離，即可將第一芯片層上表面的線路部分裸露在外界，不會損傷第一芯片層上位于開蓋區(qū)的線路并且第一芯片層上沒有殘膠遺留，能解決因芯板上方的基材中玻纖密度不均(過低或過高)，在使用激光燒蝕基材的時候，有可能燒傷開蓋區(qū)范圍內(nèi)的線路或燒蝕不徹底使得芯板上有殘膠遺留的問題。

發(fā)明的目的采用以下技術(shù)方案實現(xiàn)：

一種階梯板，包括第一面銅層、第一PP層、第一芯片層、第二PP層、第二面銅層，第一PP層上進行開窗處理形成揭蓋區(qū)、開蓋區(qū)和本體區(qū)，使得揭蓋區(qū)和本體區(qū)之間形成有空腔，空腔位于開蓋區(qū)內(nèi)，第一面銅層、第一PP層、第一芯片層、第二PP層和第二面銅層依次壓合在一起。

優(yōu)選的，還包括保護膠層，保護膠層位于揭蓋區(qū)和第一芯片層之間，保護膠層上表面和揭蓋區(qū)下表面相接觸，保護膠層下表面和第一芯片層上表面相接觸。

優(yōu)選的，第一芯片層上設(shè)有底銅部。

優(yōu)選的，第一芯片層上還設(shè)有圖形部，圖形部和底銅部并行分布于第一芯片層上。

優(yōu)選的，還包括第三PP層和第二芯片層，所述第一面銅層、第一PP層、第一芯片層、第三PP層、第二芯片層、第二PP層和第二面銅層依次壓合在一起。

優(yōu)選的，還包括第四PP層和第三芯片層，第一面銅層、第一PP層、第一芯片層、第三PP層、第二芯片層、第四PP層、第三芯片層、第二PP層和第二面銅層依次壓合在一起。

優(yōu)選的，第一PP層和第一芯片層鉚合固定在一起。

一種階梯板的制作方法，其特征在于：包括以下步驟：

S101、對第一芯片層的外表面進行棕化處理，再用UV鐳射對保護膠層進行切割處理，然后用自動貼膜機將經(jīng)過切割處理的保護膠層轉(zhuǎn)貼到第一芯片層的上表面，

S102、對第一PP層進行開窗處理形成揭蓋區(qū)、開蓋區(qū)和本體區(qū)，并使得保護膠層位于揭蓋區(qū)下方，然后將第一PP層和第一芯片層進行鉚合固定，使得所述揭蓋區(qū)和本體區(qū)之間形成有空腔，并保證空腔位于開蓋區(qū)內(nèi)，

S103、第一面銅層、第一PP層、第一芯片層、第二PP層和第二面銅層依次壓合在一起，使得開蓋區(qū)內(nèi)的空腔充滿純膠體，

S104、用激光燒蝕填充在空腔內(nèi)的純膠體以及開蓋區(qū)范圍內(nèi)未經(jīng)過開窗處理的第一PP層，使得所述開蓋區(qū)中露出第一芯片層上表面，然后撕去所述保護膠層以及位于保護膠層上方的第一PP層和第一面銅層，完成對揭蓋區(qū)進行揭蓋工序。

優(yōu)選的，所述開窗處理采用刀模沖切方式或者鑼邊機加工方式獲得。

優(yōu)選的，對揭蓋區(qū)進行揭蓋工序時，保護膠層隨著揭蓋區(qū)的揭開從第一芯片層上脫離，殘留在第一芯片層上的保護膠層殘留物用Plasma清洗工藝除去。

相比現(xiàn)有技術(shù)，發(fā)明的有益效果在于：在第一PP層上進行開窗處理形成揭蓋區(qū)、開蓋區(qū)和本體區(qū)，促使揭蓋區(qū)和本體區(qū)之間形成有空腔，并保證空腔位于開蓋區(qū)內(nèi)，然后將第一面銅層、第一PP層、第一芯片層、第二PP層和第二面銅層依次壓合在一起，使得開蓋區(qū)內(nèi)的空腔充滿純膠體，使用激光燒蝕掉空腔中的純膠體以及開蓋區(qū)范圍內(nèi)未經(jīng)過開窗處理的第一PP層，然后使用外力將揭蓋區(qū)與本體區(qū)進行分離，即可將第一芯片層上表面的線路部分裸露在外界，不會損傷第一芯片層上位于開蓋區(qū)的線路并且第一芯片層上沒有殘膠遺留，能解決因芯板上方的基材中玻纖密度不均(過低或過高)，在使用激光燒蝕基材的時候，有可能燒傷開蓋區(qū)范圍內(nèi)的線路或燒蝕不徹底使得芯板上有殘膠遺留的問題。

附圖說明

圖1為本發(fā)明階梯板的一種實施方式的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2為圖1所示A部的放大結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3為圖1所示階梯板中第一PP層的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖4為本發(fā)明階梯板中第一芯片層的局部剖視結(jié)構(gòu)示意圖。

圖5為本發(fā)明階梯板的另一種實施方式的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖6為本發(fā)明階梯板的第三種實施方式的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖7為圖1所示階梯板的制作方法的流程原理示意框圖。

圖中：1、第一面銅層；2、第一PP層；21、揭蓋區(qū)；22、本體區(qū)；23、空腔；3、第一芯片層；31、圖形部；32、底銅部；4、第二PP層；5、第二面銅層；6、保護膠層；7、第三PP層；8、第二芯片層；101、第四PP層；102、第三芯片層。

具體實施方式

下面，結(jié)合附圖以及具體實施方式，對發(fā)明做進一步描述：

實施例一

請參見圖1-圖4，本發(fā)明涉及一種階梯板，包括第一面銅層1、第一PP層2、第一芯片層3、第二PP層4、第二面銅層5和保護膠層6。

對第一芯片層3的外表面進行棕化處理，再用UV鐳射對保護膠層6進行切割處理，然后用自動貼膜機將經(jīng)過切割處理的保護膠層6轉(zhuǎn)貼到第一芯片層3的上表面。

第一芯片層3的上表面成型圖形部31，此圖形部31為有效線路分布圖形。對第一PP層2進行開窗處理形成揭蓋區(qū)21、開蓋區(qū)和本體區(qū)22(圖3中空腔23和虛線內(nèi)部分共同構(gòu)成開蓋區(qū))，并使得保護膠層6位于揭蓋區(qū)21下方，然后將第一PP層2中的揭蓋區(qū)21、本體區(qū)22和第一芯片層3進行鉚合固定，使得揭蓋區(qū)21和本體區(qū)22之間形成有空腔23，空腔23位于開蓋區(qū)內(nèi)。由于第一PP層2和第一芯片層3鉚合固定在一起，可以防止壓合時第一PP層2和第一芯片層3出現(xiàn)錯位的情況，從而影響第一芯片層3中的有效線路分布圖形和第一PP層2之間的位置關(guān)系。

本實施方式中，空腔23的寬度為8mm。在其他實施方式中，空腔23的寬度也可以為9mm或者10mm，只要空腔23的寬度大于8mm即可。

其中，保護膠層6位于第一PP層2中的揭蓋區(qū)21和第一芯片層3之間，即保護膠層6上表面和揭蓋區(qū)21下表面相接觸，保護膠層6下表面和第一芯片層3上表面相接觸，其中，揭蓋區(qū)21、保護膠層6和第一芯片層3依次疊合在一起呈階梯結(jié)構(gòu)，而且保護膠層6上表面積大于揭蓋區(qū)21下表面積，本體區(qū)22和第一芯片層3之間的邊緣線與護膠層邊緣線之間的距離為0.25mm，使得在進行揭蓋程序的時候，方便對揭蓋區(qū)21進行揭蓋。

本實施方式中，本體區(qū)22和第一芯片層3之間的邊緣線與護膠層邊緣線之間的距離為0.25mm。在其他實施方式中，本體區(qū)22和第一芯片層3之間的邊緣線與護膠層邊緣線之間的距離可以大于0.25mm。

本實施方式中，第一PP層2和第一芯片層3以鉚合的方式固定在一起。在其他實施方式中，第一PP層2和第一芯片層3以熔合的方式固定在一起。只要保證壓合時第一PP層2和第一芯片層3不會出現(xiàn)錯位的情況即可。

將第一面銅層1、第一PP層2、第一芯片層3、第二PP層4和第二面銅層5依次壓合在一起，使得開蓋區(qū)內(nèi)的空腔23充滿純膠體(純膠體為純樹脂而且不含玻纖)。在第一芯片層3的上表面還成型有底銅部32，由于圖形部31和底銅部32并行分布于第一芯片層3的上表面，在用激光(CO2鐳射光)燒蝕填充在空腔23中的純膠體時，可以將第一芯片層3中的圖形部31裸露在外界，方便對PCB板進行使用，而底銅部32可以防止激光燒傷底銅部32下面的底層基材。

第一PP層2和第二PP層4均為半固化片，半固化片的厚度為42.7um。

在使用激光(CO2鐳射光)燒蝕填充在空腔23內(nèi)的純膠體以及開蓋區(qū)范圍內(nèi)未經(jīng)過開窗處理的第一PP層2(開蓋區(qū)范圍內(nèi)未經(jīng)過開窗處理的第一PP層2為圖3中虛線內(nèi)部分)完畢的時候，用外力揭開揭蓋區(qū)21，揭蓋區(qū)21的保護膠層6以及黏附在保護膠層6上方的第一PP層2和第一面銅層1一起從第一芯片層3的上表面脫離，可以防止樹脂殘留在揭蓋區(qū)21下方的第一芯片層3上，使得揭蓋區(qū)21下方第一芯片層3上的有效線路分布圖形不會有樹脂殘留，可以很好地為元器件的固定騰出空間。

階梯板的制作方法的流程原理如圖7所示，包括以下步驟：

S201、對第一芯片層3的外表面進行棕化處理，再用UV鐳射對保護膠層6進行切割處理，然后用自動貼膜機將經(jīng)過切割處理的保護膠層6轉(zhuǎn)貼到第一芯片層3的上表面；

S202、采用刀模沖切方式對第一PP層2進行開窗處理形成揭蓋區(qū)21、開蓋區(qū)和本體區(qū)22，并使得保護膠層6位于揭蓋區(qū)21下方，然后將第一PP層2和第一芯片層3進行鉚合固定，使得所述揭蓋區(qū)21和本體區(qū)22之間形成有空腔23，并保證空腔23位于開蓋區(qū)內(nèi)；

S203、將第一面銅層1、第一PP層2、第一芯片層3、第二PP層4和第二面銅層5依次壓合在一起，使得開蓋區(qū)內(nèi)的空腔23充滿純膠體；

S204、用激光依次燒蝕掉空腔23上方的第一面銅層1、開蓋區(qū)范圍內(nèi)未經(jīng)過開窗處理的第一PP層2和填充在空腔23內(nèi)的純膠體，由于第一PP層2中的揭蓋區(qū)21、保護膠層6和第一芯片層3依次疊合在一起呈階梯結(jié)構(gòu)，使得空腔23中露出第一芯片層3上表面，然后撕去所述保護膠層6以及位于保護膠層6上方的第一PP層2和第一面銅層1，完成對揭蓋區(qū)21進行揭蓋工序。對揭蓋區(qū)21進行揭蓋工序時，保護膠層6隨著揭蓋區(qū)21的揭開從第一芯片層3上脫離，殘留在第一芯片層3上的保護膠層6殘留物用Plasma清洗工藝除去。

本實施方式中，步驟S202中的開窗處理采用刀模沖切方式。在其他實施方式中，步驟S202中的開窗處理可以采用鑼邊機加工方式。

實施例二

請參見圖5，本發(fā)明涉及一種階梯板，還包括第三PP層7和第二芯片層8，第三PP層7為半固化片，半固化片的厚度為42.7um。

與實施例一不同的是，本實施例中，所述第一面銅層1、第一PP層2、第一芯片層3、第三PP層7、第二芯片層8、第二PP層4和第二面銅層5依次壓合在一起。

實施例三

請參見圖6，本發(fā)明涉及一種階梯板，還包括第四PP層101和第三芯片層102，第四PP層101為半固化片，半固化片的厚度為42.7um。

與實施例二不同的是，本實施例中，所述第一面銅層1、第一PP層2、第一芯片層3、第三PP層7、第二芯片層8、第四PP層101和第三芯片層102、第二PP層4和第二面銅層5依次壓合在一起。

使用本發(fā)明時，在第一PP層2上進行開窗處理設(shè)有揭蓋區(qū)21、開蓋區(qū)和本體區(qū)22，再將第一PP層2中的揭蓋區(qū)21、本體區(qū)22和第一芯片層3進行鉚合固定，使得第一PP層2中揭蓋區(qū)21和本體區(qū)22之間形成有空腔23，空腔23位于開蓋區(qū)內(nèi)，然后將第一面銅層1、第一PP層2、第一芯片層3、第二PP層4和第二面銅層5依次壓合在一起，使得開蓋區(qū)內(nèi)的空腔23充滿純膠體，用激光依次燒蝕掉空腔23上方的第一面銅層1和空腔23內(nèi)的純膠體以及開蓋區(qū)范圍內(nèi)未經(jīng)過開窗處理的第一PP層2，然后使用外力將揭蓋區(qū)21與本體區(qū)22進行分離，即可將第一芯片層2上表面的線路部分裸露在外界，不會損傷第一芯片層3上位于開蓋區(qū)的線路；另外，由于保護膠層6位于揭蓋區(qū)21和第一芯片層3之間，在使用激光燒蝕填充在空腔23內(nèi)的純膠體以及開蓋區(qū)范圍內(nèi)未經(jīng)過開窗處理的第一PP層2完畢的時候，然后使用外力撕去所述保護膠層6以及位于保護膠層6上方的第一PP層2和第一面銅層1，即使用外力揭開揭蓋區(qū)21，可能殘留在保護膠層6上的純膠體會隨著揭蓋區(qū)21和保護膠層6一起脫離第一芯片，防止純膠體殘留在揭蓋區(qū)21下方的第一芯片層3上，使得揭蓋區(qū)21下方第一芯片層3上的有效線路分布圖形不會有純膠體殘留，可以很好地為元器件的固定騰出空間。能解決因芯板上方的基材中玻纖密度不均(過低或過高)，在使用激光燒蝕基材的時候，有可能燒傷開蓋區(qū)范圍內(nèi)的線路或燒蝕不徹底使得芯板上有殘膠遺留的問題。

對本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，可根據(jù)以上描述的技術(shù)方案以及構(gòu)思，做出其它各種相應(yīng)的改變以及形變，而所有的這些改變以及形變都應(yīng)該屬于發(fā)明權(quán)利要求的保護范圍之內(nèi)。