專利名稱：聚合物電荷遷移組分和由其制得的電子器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及聚合物電荷遷移組分(composition)。本發(fā)明還涉及電子器件，它具有至少一層含這種電荷遷移組分的活性層。
背景技術(shù)：
在有機(jī)光活性電子器件(例如制造有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的發(fā)光二極管(OLED))中，有機(jī)活性層夾在有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的兩層電氣接觸層之間。在有機(jī)發(fā)光二極管中，通過向兩層透光電接觸層施加電壓，所述有機(jī)光活性層透過所述電氣接觸層發(fā)射光線。
已知在發(fā)光二極管中使用有機(jī)場致發(fā)光化合物作為活性組分。業(yè)已使用簡單的有機(jī)分子、共軛聚合物和有機(jī)金屬配合物。
使用光活性物質(zhì)的器件通常包括一層或多層電荷遷移層，該電荷遷移層位于光活性(例如發(fā)光)層和一層所述電氣接觸層之間。一層空穴遷移層可位于所述光活性層和空穴注入接觸層(也稱為陽極(anode))之間。一層電子遷移層可位于所述光活性層和電子注入接觸層(也稱為陰極(cathode))之間。
仍然需要開發(fā)電荷遷移物質(zhì)。
發(fā)明的概述本發(fā)明涉及已知電荷遷移組分，它是一種低聚物或聚合物。在本文中，術(shù)語“聚合物”的范圍包括具有一種或多種不同類型的單體單元的聚合物和低聚物，并指至少具有兩個重復(fù)的單體單元的化合物。術(shù)語“聚合物的”與術(shù)語“聚合物”具有相同的范圍。
在一個實例中，本發(fā)明涉及聚合物電荷遷移組分，它含有至少一種圖1所示的式1(a)第一單體單元，其中Ar1可相同或不同，各自選自芳基和雜芳基；Ar2可相同或不同，各自選自亞芳基和亞雜芳基；R1可相同或不同，各自選自H、烷基、雜烷基、芳基、雜芳基、芳烷基、雜芳烷基、CnHaFb和C6HcFd；或者相鄰的R1基團(tuán)可連接在一起形成5元或6元環(huán)；n是整數(shù)；a、b、c和d為0或整數(shù)，使得a+b＝2n+1，c+d＝5。
在一個實例中，本發(fā)明涉及一種聚合物電荷遷移組分，它含有至少一種式1(b)的第一單體單元 其中，Ar1可相同或不同，各自選自芳基和雜芳基；Ar2可相同或不同，各自選自亞芳基和亞雜芳基；R5可相同或不同，各自選自H、F、Cl、Br、羥基、羧基、羰基、甲硅烷基、甲硅烷氧基、烷基、雜烷基、烯基、炔基、芳基、雜芳基、亞烷基芳基、烯基芳基、炔基芳基、亞烷基雜芳基、烯基雜芳基、炔基雜芳基、CnHaFb、OCnHaFb、C6HcFd和OC6HcFd；或者兩個R5基團(tuán)一起形成一個亞芳基或雜亞芳基；a、b、c和d為0或整數(shù)，使得a+b＝2n+1，c+d＝5；n是整數(shù)(如上所述)；y是0或1-3的整數(shù)；z是0或1-4的整數(shù)。
在一個實例中，本發(fā)明涉及一種聚合物電荷遷移組分，它含有至少一種圖1式1(c)的第一單體單元
其中，Ar1可相同或不同，各自選自芳基和雜芳基；Ar2可相同或不同，各自選自亞芳基和亞雜芳基；R1可相同或不同，各自選自H、烷基、雜烷基、芳基、雜芳基、芳烷基、雜芳烷基、CnHaFb和C6HcFd；或者相鄰的R1基團(tuán)可連接在一起形成5元或6元環(huán)；R5可相同或不同，各自選自H、F、Cl、Br、羥基、羧基、羰基、甲硅烷基、甲硅烷氧基、烷基、雜烷基、烯基、炔基、芳基、雜芳基、亞烷基芳基、烯基芳基、炔基芳基、亞烷基雜芳基、烯基雜芳基、炔基雜芳基、CnHaFb、OCnHaFb、C6HcFd和OC6HcFd；或者兩個R5基團(tuán)一起形成一個亞芳基或雜亞芳基；a、b、c和d為0或整數(shù)，使得a+b＝2n+1，c+d＝5；n是整數(shù)(如上所述)；y是0或1-3的整數(shù)；z是0或1-4的整數(shù)。
在一個實例中，本發(fā)明涉及一種聚合物電荷遷移組分，它含有至少一種選自圖2式II(a)、II(b)和II(c)的第一單體單元，其中R2和R3可相同或不同，各自選自H、F、Cl、Br、烷基、雜烷基、烯基、炔基、芳基、雜芳基、CnHaFb、OCnHaFb、C6HcFd和OC6HcFd；R4可相同或不同，各自選自亞烷基、亞雜烷基、亞烯基、亞芳基、亞雜芳基、亞炔基或亞芳基亞炔基；a、b、c和d為0或整數(shù)，使得a+b＝2n+1，c+d＝5；n是整數(shù)；p是0或1；x是0、1或2；y是0或1-3的整數(shù)。
在一個實例中，本發(fā)明涉及一種聚合物電荷遷移組分，它含有至少一種選自上述圖2式II(a)、II(b)和II(c)的第一單體單元，并且在芳香基團(tuán)上至少具有一個選自F、CnHaFb、OCnHaFb、C6HcFd和OC6HcFd的取代基。
在一個實例中，本發(fā)明涉及一種聚合物電荷遷移組分，它含有至少一種選自圖3式III(a)、III(b)、III(c)和III(d)的第一單體單元，其中R4可相同或不同，各自選自亞烷基、亞雜烷基、亞烯基、亞芳基、亞雜芳基或亞芳基亞炔基；R5可相同或不同，各自選自H、F、Cl、Br、羥基、羧基、羰基、甲硅烷基、甲硅烷氧基、烷基、雜烷基、烯基、炔基、芳基、雜芳基、亞烷基芳基、烯基芳基、炔基芳基、亞烷基雜芳基、烯基雜芳基、炔基雜芳基、CnHaFb、OCnHaFb、C6HcFd和OC6HcFd；或者兩個R5基團(tuán)一起形成一個亞芳基或雜亞芳基；a、b、c和d為0或整數(shù)，使得a+b＝2n+1，c+d＝5；n是整數(shù)；x是0、1或2；y是0或1-3的整數(shù)；z是0或1-4的整數(shù)。
在一個實例中，本發(fā)明涉及一種聚合物電荷遷移組分，它含有至少一種選自上述圖1的式I(a)、I(b)和I(c)的第一單體單元、至少一種選自上述圖2的式II(a)-II(c)以及上述圖3的式III(a)、III(b)、III(c)和III(d)的第二單體單元。
在一個實例中，本發(fā)明涉及一種具有至少一層活性層的電子器件，所述活性層包括含有至少一種第一單體單元的聚合物，所述單體單元選自圖1-3所示的式I(a)、I(b)、I(c)、II(a)、II(b)、II(c)、III(a)、III(b)、III(c)和III(d)，其中，Ar1、Ar2、R1-R5、a-d、n、p和x-z如上所定義。
在一個實例中，本發(fā)明涉及一種具有至少一層活性層的電子器件，所述活性層包括含有至少一種上述圖1所示的式I(a)、I(b)、I(c)的第一單體單元和至少一種上述圖2所示的式II(a)、II(b)、II(c)以及上述圖3所示的式III(a)、III(b)、III(c)和III(d)的第二單體單元的聚合物。
在本文中，術(shù)語“電荷遷移組分”是指一種材料，它能從電極接受電荷，使之沿該材料的厚度以相對高的效率遷移，并且電荷的損耗小?？昭ㄟw移組分能夠接受來自陽極的正電荷并遷移之。電子遷移組分能夠接受來自陰極的負(fù)電荷并遷移之。
術(shù)語“抗淬滅組分”是指一種材料，它能夠防止、延緩或者減少光活性層激發(fā)態(tài)的能量遷移和電子遷移。
術(shù)語“光活性”是指呈現(xiàn)場致發(fā)光、光致發(fā)光和/或光敏感性的任何材料。
術(shù)語“HOMO”是指化合物的最高占據(jù)分子軌道。
術(shù)語“LUMO”是指化合物的最低未占據(jù)分子軌道。
術(shù)語“基團(tuán)”是指化合物的一部分，例如有機(jī)化合物中的取代基。
前綴“雜”是指一個或多個碳原子被一個不同原子所取代。
術(shù)語“烷基”是指具有一個連接點(diǎn)位的由脂肪烴衍生的基團(tuán)，該基團(tuán)可以是未取代的或者是取代的。
術(shù)語“雜烷基”是指由至少具有一個雜原子的脂肪烴形衍生的并具有一個連接點(diǎn)位的基團(tuán)，該基團(tuán)可以是取代的或者是未取代的。
術(shù)語“亞烷基”是指具有兩個或多個連接點(diǎn)位的由脂肪烴衍生的基團(tuán)。
術(shù)語“亞雜烷基”是指具有兩個或多個連接點(diǎn)位的由具有至少一個雜原子的脂肪烴衍生的基團(tuán)。
術(shù)語“烯基”是指具有一個連接點(diǎn)位的由具有一根或多根碳-碳雙鍵的烴衍生的基團(tuán)，該基團(tuán)可以是未取代的或者是取代的。
術(shù)語“炔基”是指具有一個連接點(diǎn)位的由具有一根或多根碳-碳三鍵的烴衍生的基團(tuán)，該基團(tuán)可以是未取代的或者是取代的。
術(shù)語“亞烯基”是指具有兩個或多個連接點(diǎn)位的由具有一根或多根碳-碳雙鍵的烴衍生的基團(tuán)，該基團(tuán)可以是未取代的或者是取代的。
術(shù)語“亞炔基”是指具有兩個或多個連接點(diǎn)位的由具有一根或多根碳-碳三鍵的烴衍生的基團(tuán)，該基團(tuán)可以是未取代的或者是取代的。
術(shù)語“雜烯基”、“亞雜烯基”、“雜炔基”、“亞雜炔基”是指具有一個或多個雜原子的類似基團(tuán)。
術(shù)語“亞雜烷基”是指由具有至少一個雜原子的脂肪烴衍生并具有兩個或多個連接點(diǎn)位的基團(tuán)。
術(shù)語“芳基”是指具有一個連接點(diǎn)位、由芳香烴衍生的基團(tuán)，該基團(tuán)可以是未取代的或者是取代的。
術(shù)語“雜芳基”是指具有一個連接點(diǎn)位的由具有至少一個雜原子的芳香基團(tuán)衍生的基團(tuán)，該基團(tuán)可以是未取代的或者是取代的。
術(shù)語“芳烷基”是指具有一個芳基取代基的烷基衍生的基團(tuán)，該基團(tuán)可以進(jìn)一步被取代或未取代。
術(shù)語“雜芳烷基”是指具有雜芳基取代基的烷基衍生的基團(tuán)，該基團(tuán)可進(jìn)一步被取代或未取代。
術(shù)語“亞芳基”是指由芳香烴形成的具有兩個連接點(diǎn)位的基團(tuán)，該基團(tuán)可以是未取代的或者是取代的。
術(shù)語“亞雜芳基”是指由具有至少一個雜原子的芳基衍生的具有兩個連接點(diǎn)位的基團(tuán)，該基團(tuán)可以是未取代的或者是取代的。
術(shù)語“亞芳基亞烷基”是指具有芳基和烷基的基團(tuán)，它在烷基上具有一個連接點(diǎn)位，在芳基上具有一個連接點(diǎn)位。
術(shù)語“雜亞芳基亞烷基”是指具有芳基和烷基的基團(tuán)，它在芳基上具有一個連接點(diǎn)位，在烷基上具有一個連接點(diǎn)位，并至少具有一個雜原子。
除非另有說明，否則所有基團(tuán)均可以是未取代的或者是取代的。短語“相鄰”在用于限定一個器件中的層時并不一定指一層與另一層緊鄰。另一方面，短語“相鄰的R基團(tuán)”是指在一個化學(xué)通式中相互鄰近的多個R基團(tuán)(即多個R基團(tuán)位于通過化學(xué)鍵連接的原子上)。
術(shù)語“化合物”是指由分子形成的不帶電物質(zhì)，所述分子由原子組成，所述原子不能通過物理方法分離。
術(shù)語“配位體”是指附著在金屬離子配位層上的分子、離子或原子。
術(shù)語“配合物”作為名詞時是指具有至少一個金屬離子和至少一個配位體的化合物。另外，在本文中使用IUPAC編號系統(tǒng)，其中周期表的族由左至右編號為1-18(CRC化學(xué)物理手冊，第81版，2000)。
除非另有說明，否則本文使用的所有技術(shù)和科學(xué)術(shù)語的含義與本領(lǐng)域普通技術(shù)人員通常認(rèn)知的術(shù)語具有相同的含義。除非另有說明，否則附圖中的所有字母符號代表具有該原子縮寫的原子。盡管在本發(fā)明實踐或試驗中可使用與本文所述的方法和材料相似或等同的方法或材料，但是合適的方法和材料描述如下。本文提到的所有出版物、專利申請、專利和其它參考文獻(xiàn)均在此全文引為參考。在發(fā)生矛盾時，以本說明書，包括定義為準(zhǔn)。另外，所述材料、方法和實施例是說明性的而非限定性的。
由下列詳細(xì)描述和權(quán)利要求書可顯示本發(fā)明的其它特征和優(yōu)點(diǎn)。


圖1顯示電荷遷移單體單元的通式I(a)、I(b)、I(c)；圖2顯示電荷遷移單體單元的通式II(a)-II(c)；圖3顯示電荷遷移單體單元的通式III(a)、III(b)、III(c)、III(d)；圖4顯示本發(fā)明聚合物電荷遷移組分的式IV(a)-IV(f)；
圖5是發(fā)光二極管(LED)的示意圖；圖6是場致發(fā)光銥配合物的式V(a)-V(e)。
較好實例的詳細(xì)描述本發(fā)明聚合物組分用作電荷遷移物質(zhì)。它們可單獨(dú)使用或者與其它材料組合使用。它們可以用作光活性材料的基質(zhì)材料(host)。
帶有式I(a)-I(c)的三芳基甲烷衍生物單體單元的聚合物特別適合作為空穴遷移材料。
一般來說，n是整數(shù)。在一個實例中，n是1-20的整數(shù)。在一個實例中，n是1-12的整數(shù)。
在一個實例中，Ar1選自苯基和聯(lián)苯基，其中的一個或多個碳原子可被雜原子所取代。所有這些基團(tuán)均可被進(jìn)一步取代。取代基的例子包括，但不限于烷基、雜烷基、芳基、雜芳基、芳烷基、雜芳烷基、CnHaFb和C6HcFd，其中，a-d和n如上限定。
在一個實例中，Ar2選自亞苯基和亞苯基亞烷基，它可以被進(jìn)一步取代。
在一個實例中，N(R1)2是稠合的雜環(huán)基團(tuán)。這種基團(tuán)的例子包括，但不限于咔唑、苯并二唑和苯并三唑。
在一個實例中，R1選自具有1-12個碳原子的烷基、苯基和芐基。
具有式II(a)-II(c)的菲咯啉衍生物單體單元的聚合物特別適合作為電子遷移材料和抗淬滅材料。
在一個實例中，R2選自苯基、聯(lián)苯基、吡啶基和聯(lián)吡啶基，它可被進(jìn)一步取代。取代基的例子包括，但不限于烷基、雜烷基、芳基、雜芳基、芳烷基、雜芳烷基、F、CnHaFb、OCnHaFb、C6HcFd和OC6HcFd，其中，a-d和n如上限定。
在一個實例中，至少一個R2選自苯基和聯(lián)苯基，它可被一個選自F、CnHaFb、OCnHaFb、C6HcFd和OC6HcFd的基團(tuán)取代，其中，a-d和n如上限定。
在一個實例中，R3選自具有1-12個碳原子的烷基。
在一個實例中，R4選自亞苯基、亞苯基亞烷基、亞烷基和亞烯基。
在一個實例中，芳環(huán)上至少具有一個選自F、CnHaFb、OCnHaFb、C6HcFd和OC6HcFd的取代基，其中，a-d和n如上限定。
一般來說，n是整數(shù)。在一個實例中，n是1-20的整數(shù)。在一個實例中，n是1-12的整數(shù)。
具有式III(a)、III(b)、III(c)和III(d)的喹啉衍生物單體單元并且是非均聚物的聚合物尤其適合作為電子遷移材料和抗淬滅材料。
一般來說，n是整數(shù)。在一個實例中，n是1-20的整數(shù)。在一個實例中，n是1-12的整數(shù)。
在一個實例中，R4選自亞苯基、亞苯基亞烷基、亞烷基和亞烯基。
在一個實例中，R5選自苯基烯基和苯基炔基，它們可進(jìn)一步被取代。
在一個實例中，R5選自乙酸烷酯基和芳基羰基，它們可進(jìn)一步被取代。
在一個實例中，R5選自具有1-12個碳原子的烷基。
在一個實例中，R5選自苯基、取代的苯基吡啶基和取代的吡啶基。所述取代基可選自F、Cl、Br、羥基、羧基、羰基、甲硅烷基、甲硅烷氧基、烷基、雜烷基、烯基、炔基、芳基、雜芳基、亞烷基芳基、烯基芳基、炔基芳基、亞烷基雜芳基、烯基雜芳基、炔基雜芳基、CnHaFb、OCnHaFb、C6HcFd和OC6HcFd。
在一個實例中，兩個相鄰的R5一起形成亞聯(lián)芳基，它可以進(jìn)一步被取代。在一個實例中，所述亞聯(lián)芳基選自亞聯(lián)苯基和亞聯(lián)吡啶基。所述取代基可選自F、Cl、Br、羥基、羧基、羰基、甲硅烷基、甲硅烷氧基、烷基、雜烷基、烯基、炔基、芳基、雜芳基、亞烷基芳基、烯基芳基、炔基芳基、亞烷基雜芳基、烯基雜芳基、炔基雜芳基、CnHaFb、OCnHaFb、C6HcFd和OC6HcFd。
在聚合物結(jié)構(gòu)中還可同時使用空穴遷移單體單元和電子遷移單體單元。在一個實例中，混合的電荷遷移材料包括含有至少一種圖1所示的式I(a)-I(c)的第一單體單元和至少一種圖2所示的式II(a)-II(c)以及圖3所示的式III(a)、III(b)、III(c)和III(d)的第二單體單元的聚合物。
所述空穴和電子遷移單體單元可以與同樣的單體單元聚合成均聚物。也可與一種或多種不同的單體單元聚合成共聚物。空穴和電子遷移單體單元可相互共聚或者與其它單體單元(例如三芳基胺、芴、亞苯基、亞苯基亞乙烯基、噁二唑、噻二唑、三唑、咔唑等)共聚。低聚的或共聚的空穴遷移和電子遷移材料的例子包括，但不限于圖4式IV(a)-IV(f)聚合物，其中，s和t可相同或不同，為1或更大的整數(shù)。
所述聚合物可采用已知的如實施例所述的合成技術(shù)(例如Suzuki或Yamamoto偶聯(lián)反應(yīng))制得。
可采用蒸發(fā)技術(shù)或常規(guī)的溶液加工方法將本發(fā)明化合物施涂成膜。在本文中，術(shù)語“溶液加工”是指由液體介質(zhì)成膜。所述液體介質(zhì)可以是溶液、分散液、乳液或其它形式。典型的溶液加工技術(shù)包括，例如溶液流延、下滴流延、簾流流延、旋轉(zhuǎn)涂覆、網(wǎng)印、噴墨印刷、凹槽輥印刷等。
電子器件本發(fā)明還涉及一種電子器件，它包括放在其光活性層和一個電極之間的至少一種本發(fā)明電荷遷移組分。一種典型的電子器件結(jié)構(gòu)如圖5所示。電子器件100具有陽極層110和陰極層160。與陽極層相鄰的是包括空穴遷移材料的層120。與陰極層相鄰的是包括電子遷移和/或抗淬滅材料的層140。在遷移空穴遷移層和電子遷移/抗淬滅層之間的是光活性層130。在靠近陰極處所述器件還通常任選地使用另一層電子遷移層150。層120、130、140和150可各自和共同地被稱為活性層。
根據(jù)器件100的用途，所述光活性層130可以是通過施加電壓激活的發(fā)光層(例如在發(fā)光二極管或發(fā)光電化學(xué)電池中的發(fā)光層)，通過施加或不施加偏壓響應(yīng)輻射能并產(chǎn)生信號的材料(例如光探測器)。光探測器的例子包括光導(dǎo)電池、光敏電阻、光開關(guān)、光晶體管和光電管，以及光伏電池(參見Markus，John，Electronics and Nucleonics Directionary，470和476(McGraw-Hill，Inc.1966))。
所述器件上的各層可以使用已知適合這些層的任何材料制得。陽極110是對注入正電荷載荷子特別有效的電極。它可以由例如含金屬、混合金屬、合金、金屬氧化物或混合金屬氧化物的材料制得，或它可以是導(dǎo)電聚合物，或它們的混合物。合適的金屬包括第11族的金屬、第4、5、6族的金屬和第8-10族的過渡金屬。如果要求陽極是透光的，則一般使用第12、13和14族的混合金屬氧化物，例如氧化銦錫。陽極110還可包括有機(jī)材料，例如聚苯胺(參見“Flexiblelight-emitting diodes made from soluble conducting polymer”，Nature Vol.357，pp477-479(1992年6月11日))。陽極和陰極中應(yīng)至少有一個是至少部分透明的，以觀察產(chǎn)生的光線。
本發(fā)明式I(a)-I(c)的三芳基甲烷衍生物的聚合物特別適合在層120中作為遷移空穴的組分。
適合作為層120的其它空穴遷移材料的例子概述在例如Y.Wang的Kirk-Othmer Encyclopedia of Chemical Technology，第4版，18卷，p837-860，1996?？赏瑫r使用空穴遷移分子和聚合物。常用的空穴遷移分子有N，N’-二苯基-N，N’-二(3-甲基苯基)-[1，1’-聯(lián)苯基]-4，4’-二胺(TPD)、1，1-二[(二-4-甲苯基氨基)苯基]環(huán)己烷(TAPG)、N，N’-二(4-甲基苯基)-N，N’-二(4-乙基苯基)-[1，1’-(3，3’-二甲基)聯(lián)苯基]-4，4’-二胺(ETPD)、四(3-甲基苯基)-N，N，N’，N’-2，5-苯二胺(PDA)、α-苯基-4-N，N-二苯基氨基苯乙烯(TPS)、對-(二乙基氨基)苯甲醛二苯基腙(DEH)、三苯胺(TPA)、二[4-(N，N--乙基氨基)-2-甲基苯基](4-甲基苯基)甲烷(MPMP)、1-苯基-3-[對(二乙基氨基)苯乙烯基]-5-[對(二乙基氨基)苯基]二氫吡唑(PPR或DEASP)、1，2-反式二(9H-咔唑-9-基)環(huán)丁烷(DCZB)、N，N，N’，N’-四(4-甲基苯基)-(1，1’-聯(lián)苯基)-4，4’-二胺(TTB)以及卟啉化合物，例如酞菁銅。常用的空穴遷移聚合物是聚乙烯基咔唑、(苯基甲基)聚硅烷和聚苯胺及其混合物。還可通過將例如上述的空穴遷移分子摻雜至聚合物(例如聚苯乙烯和聚碳酸酯)中制得空穴遷移聚合物。
光活性層130的例子包括所有已知的場致發(fā)光材料。較好是有機(jī)金屬場致發(fā)光化合物。最好的化合物包括環(huán)金屬化的銥和鉑場致發(fā)光化合物及其混合物。銥與苯基吡啶、苯基喹啉或苯基嘧啶配體的配合物公開在Petrov等的PCT公開申請WO 02/02714中作為場致發(fā)光化合物。其它有機(jī)金屬配合物可參見例如US2001/0019782、EP 1191612、WO02/15645和EP 1191614。帶有摻雜銥的金屬配合物的聚乙烯基咔唑(PVK)活性層的場致發(fā)光器件可參見Burrows和Thompson的PCT WO 00/70655和WO 01/41512。包括電荷載帶基質(zhì)材料和磷光鉑配合物的場致發(fā)光發(fā)射層可參見Thompson等的US 6,303,238、Bradley等的Synth.Met.(2001)，116(1-3)，379-383和Campbell等的Phys.Rev.B.Vol.65 085210。幾種合適的銥配合物的例子可參見圖6的式V(a)-V(f)。也可使用類似的四配合的鉑配合物。這些場致發(fā)光配合物可以單獨(dú)使用或者如上所述摻雜在電荷遷移基質(zhì)材料中。本發(fā)明聚合物電荷遷移材料可作為有機(jī)金屬和其它發(fā)射體的基質(zhì)材料。
本發(fā)明菲咯啉衍生物和喹啉衍生物的聚合物(式II(a)-II(c)、III(a)-III(d))特別適合在層140中作為電子遷移/抗淬滅組分，或者在層150中作為電子遷移組分。較好的是，本發(fā)明菲咯啉衍生物和喹啉衍生物的聚合物在發(fā)光二極管中用作電子遷移/抗淬滅層。
可用于層150的其它電子遷移材料的例子包括金屬鰲合的8-羥基喹啉化合物，例如三(8-羥基喹啉)合鋁(Alq3)，和唑(azole)化合物，例如2-(4-聯(lián)苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1，3，4-噁二唑(PBD)和3-(4-聯(lián)苯基)-4-苯基-5-(4-叔丁基苯基)-1，2，4-三唑(TAZ)及其混合物。
陰極160是對于注入電子或負(fù)載荷子特別有效的電極。陰極可以是功函低于陽極的任何金屬或非金屬。陰極材料可選自第一族堿金屬(例如Li、Cs)、第二族金屬(堿土金屬)、第12族金屬，包括稀土元素和鑭系和錒系元素?？墒褂美玟X、銦、鈣、鋇、釤和鎂及其混合材料。還可將含鋰有機(jī)金屬化合物、LiF、Li2O沉積在有機(jī)層和陰極層之間以降低運(yùn)行電壓。
在有機(jī)電子器件中已知還有其它層。例如，在陽極110和空穴遷移層120之間還可具有一層(未顯示)用于促進(jìn)正電荷遷移和/或?qū)娱g帶隙匹配，或者作為保護(hù)層的層?？墒褂帽绢I(lǐng)域已知的層。另外，上述各層可以由兩層或多層組成?；蛘?，可對陽極層110、空穴遷移層120、電子遷移層140和150以及陰極層160中的一部分或全部進(jìn)行表面處理以提高載荷子遷移效率。各組分層材料的選擇較好兼顧提供高效器件的目的和合適的器件壽命。
可以理解各功能層可由多于一層的層形成。
所述器件可由多種技術(shù)制得，包括將各層依次蒸氣沉積在合適的基片上?？墒褂玫幕欣绮ＡШ途酆衔锬ぁ？墒褂贸Ｒ?guī)的蒸氣沉積技術(shù)，例如熱蒸發(fā)、化學(xué)氣相沉積等?；蛘?，可使用任何常規(guī)的涂覆技術(shù)，包括但不限于旋轉(zhuǎn)涂覆、蘸涂、輥對輥技術(shù)、噴墨打印、網(wǎng)印和凹槽輥印刷由合適的溶劑液體加工有機(jī)層。一般來說，各層可具有下列厚度范圍陽極110500-5000，較好1000-2000；空穴遷移層12050-2000，較好200-1000；光活性層13010-2000，較好100-1000；電子遷移層140和15050-2000，較好100-1000；陰極160200-10000，較好300-5000。各層的相對厚度可影響器件中的電子-空穴結(jié)合區(qū)的位置，從而影響器件的發(fā)射光譜。因此應(yīng)選擇電子遷移層的厚度使得電子-空穴結(jié)合區(qū)在發(fā)光層中。所需的層厚比例將取決于所用材料的實際性能。
本發(fā)明三芳基甲烷、菲咯啉衍生物和喹啉衍生物的聚合物可用于除有機(jī)發(fā)光二極管以外的用途。例如，這些組分可用于光伏器件中用于太陽能轉(zhuǎn)換。還可用于場效應(yīng)晶體管用于智能卡和薄膜晶體管(TFT)顯示驅(qū)動器用途。
實施例下列實施例說明本發(fā)明的一些特征和優(yōu)點(diǎn)。它們用于說明而非限定本發(fā)明。除非另有說明，否則所有的百分?jǐn)?shù)均是重量百分?jǐn)?shù)。
實施例1本實施例說明制造圖4所示的聚合物IV(c)。
在氮?dú)夥罩邢?a(3.96g，9mmol)、1b(3.63g，9mmol)、鋅(4.0g，61.2mmol)、NiCl2(0.234g，1.80mmol)、PPh3(1.87g，7.2mmol)和聯(lián)吡啶(0.29g，1.8mmol)的混合物中加入DMF(100ml)。形成的混合物在90℃加熱48小時。將其冷卻至室溫并用CH2Cl2稀釋。過濾后，用CH2Cl2洗滌固體，用1N HCl和鹽水洗滌合并的有機(jī)層。濃縮該溶液并用甲醇沉淀，得到聚合物IV(c)。
實施例2本實施例說明制備圖4所示的聚合物IV(a)。
按與聚合物IV(c)相似的聚合方法制備聚合物IV(a)。
實施例3本實施例說明制備圖4所示的聚合物IV(d)。
按與聚合物IV(c)相似的聚合 方法制備聚合物IV(d)。

實施例4本實施例說明制備圖4所示的聚合物IV(f)。
向置于氮?dú)夥罩醒b有Dean-Stark分水器的圓底燒瓶中加入4a(5mmol，根據(jù)J.P.Chen等的Synthetic Metals 2003，132，173所述方法合成)、苯甲醛4b(5mmol)、對甲苯磺酸(9.5mmol)和氯苯(20ml)。將形成的混合物回流三天，通過甲醇沉淀分離聚合物。
實施例5本實施例說明制備圖4所示的聚合物IV(e)。
在惰性氮?dú)夥罩校驁A底燒瓶中加入5a(0.5mol)、5b(0.5mol)、Pd(PAc)2(0.05mol)、P(oTol)3(0.15mol)、Et3N和DMF。將形成的混合物回流三天，用CH2Cl2稀釋并用甲醇沉淀而分離產(chǎn)物。
權(quán)利要求
1.一種組合物，它包括含有至少一種圖1所示的式1(a)第一單體單元的聚合物，其中Ar1可相同或不同，各自選自芳基和雜芳基；Ar2可相同或不同，各自選自亞芳基和亞雜芳基；R1可相同或不同，各自選自H、烷基、雜烷基、芳基、雜芳基、芳烷基、雜芳烷基、CnHaFb和C6HcFd；或者相鄰的R1基團(tuán)可連接在一起形成5元或6元環(huán)；n是整數(shù)；a、b、c和d為0或整數(shù)，使得a+b＝2n+1，c+d＝5。
2.如權(quán)利要求1所述的組合物，其特征在于Ar1選自苯基、取代的苯基、聯(lián)苯基、取代的聯(lián)苯基、吡啶基、取代的吡啶基、聯(lián)吡啶基和取代的聯(lián)吡啶基。
3.如權(quán)利要求1所述的組合物，其特征在于N(R1)2選自咔唑、苯并二唑利苯并三唑。
4.如權(quán)利要求1所述的組合物，其特征在于R1選自具有1-12個碳原子的烷基、苯基和芐基。
5.一種組合物，它包括含有至少一種選自圖2式II(a)的第一單體單元的聚合物，其中R2和R3相同或不同，各自選自H、F、Cl、Br、烷基、雜烷基、烯基、炔基、芳基、雜芳基、CnHaFb、OCnHaFb、C6HcFd和OC6HcFd；R4相同或不同，各自選自亞烷基、亞雜烷基、亞烯基、亞芳基、亞雜芳基；a、b、c和d為0或整數(shù)，使得a+b＝2n+1，c+d＝5；n是整數(shù)；x是0、1或2；y是0或1-3的整數(shù)；條件是在芳環(huán)上具有至少一個選自F、CnHaFb、OCnHaFb、C6HcFd和OC6HcFd的取代基。
6.一種組合物，它包括含有至少一種選自圖2式II(b)的第一單體單元的聚合物，其中R2和R3相同或不同，各自選自H、F、Cl、Br、烷基、雜烷基、烯基、炔基、芳基、雜芳基、CnHaFb、OCnHaFb、C6HcFd和OC6HcFd；R4相同或不同，各自選自亞烷基、亞雜烷基、亞烯基、亞芳基、亞雜芳基；a、b、c和d為0或整數(shù)，使得a+b＝2n+1，c+d＝5；n是整數(shù)；x是0、1或2；y是0或1-3的整數(shù)；條件是在芳環(huán)上具有至少一個選自F、CnHaFb、OCnHaFb、C6HcFd和OC6HcFd的取代基。
7.一種組合物，它包括含有至少一種選自圖2式II(c)的第一單體單元的聚合物，其中R2和R3相同或不同，各自選自H、F、Cl、Br、烷基、雜烷基、烯基、炔基、芳基、雜芳基、CnHaFb、OCnHaFb、C6HcFd和OC6HcFd；R4相同或不同，各自選自亞烷基、亞雜烷基、亞烯基、亞芳基、亞雜芳基；a、b、c和d為0或整數(shù)，使得a+b＝2n+1，c+d＝5；n是整數(shù)；p是0或1；y是0或1-3的整數(shù)；條件是在芳環(huán)上具有至少一個選自F、CnHaFb、OCnHaFb、C6HcFd和OC6HcFd的取代基。
8.如權(quán)利要求5-7中任一項所述的組合物，其特征在于R2選自苯基、取代的苯基、聯(lián)苯基、取代的聯(lián)苯基、吡啶基、取代的吡啶基、聯(lián)吡啶基和取代的聯(lián)吡啶基。
9.如權(quán)利要求5-7中任一項所述的組合物，其特征在于R4選自亞苯基、亞苯基亞烷基、亞烷基和亞烯基。
10.一種組合物，它包括含有至少一種選自圖3式III(a)的第一單體單元的聚合物，其中R4相同或不同，各自選自亞烷基、亞雜烷基、亞烯基、亞芳基、亞雜芳基；R5相同或不同，各自選自H、F、Cl、Br、羥基、羧基、羰基、甲硅烷基、甲硅烷氧基、烷基、雜烷基、烯基、炔基、芳基、雜芳基、亞烷基芳基、烯基芳基、炔基芳基、亞烷基雜芳基、烯基雜芳基、炔基雜芳基、CnHaFb、OCnHaFb、C6HcFd和OC6HcFd；或者兩個R5基團(tuán)一起形成一個亞芳基或雜亞芳基；a、b、c和d為0或整數(shù)，使得a+b＝2n+1，c+d＝5；n是整數(shù)；z是0或1-4的整數(shù)，并且所述聚合物不是均聚物。
11.一種組合物，它包括含有至少一種選自圖3式III(a)的第一單體單元的聚合物，其中R4相同或不同，各自選自亞烷基、亞雜烷基、亞烯基、亞芳基、亞雜芳基；R5相同或不同，各自選自H、F、Cl、Br、羥基、羧基、羰基、甲硅烷基、甲硅烷氧基、烷基、雜烷基、烯基、炔基、芳基、雜芳基、亞烷基芳基、烯基芳基、炔基芳基、亞烷基雜芳基、烯基雜芳基、炔基雜芳基、CnHaFb、OCnHaFb、C6HcFd和OC6HcFd；或者兩個R5基團(tuán)一起形成一個亞芳基或雜亞芳基；a、b、c和d為0或整數(shù)，使得a+b＝2n+1，c+d＝5；n是整數(shù)；x是0、1或2。
12.如權(quán)利要求10或11所述的組合物，其特征在于R4選自亞苯基、亞苯基亞烷基、亞烷基和亞烯基。
13.如權(quán)利要求10或11所述的組合物，其特征在于R5選自苯基烯基、苯基炔基、乙酸烷酯基、芳基羰基、具有1-12個碳原子的烷基、苯基、取代的苯基、吡啶基和取代的吡啶基。
14.如權(quán)利要求10或11所述的組合物，其特征在于兩個相鄰的R5一起形成一個聯(lián)芳基。
15.一種材料，它包括一種聚合物，所述聚合物含有至少一種選自圖1的式I，I(a)-I(c)，的第一單體單元和至少一種選自圖2的式II(a)-II(c)以及圖3的式III(a)-III(d)的第二單體單元，在式I(a)-I(c)中Ar1可相同或不同，各自選自芳基和雜芳基；Ar2可相同或不同，各自選自亞芳基和亞雜芳基；R1可相同或不同，各自選自H、烷基、雜烷基、芳基、雜芳基、芳烷基、雜芳烷基、CnHaFb和C6HcFd；或者相鄰的R1基團(tuán)可連接在一起形成5元或6元環(huán)；n是整數(shù)；a、b、c和d為0或整數(shù)，使得a+b＝2n+1，c+d＝5；在式II(a)-II(c)中R2和R3相同或不同，各自選自H、F、Cl、Br、烷基、雜烷基、烯基、炔基、芳基、雜芳基、CnHaFb、OCnHaFb、C6HcFd和OC6HcFd；R4相同或不同，各自選自亞烷基、亞雜烷基、亞烯基、亞芳基、亞雜芳基；a、b、c和d為0或整數(shù)，使得a+b＝2n+1，c+d＝5；n是整數(shù)；p是0或1；x是0、1或2；y是0或1-3的整數(shù)；條件是在芳環(huán)上具有至少一個選自F、CnHaFb、OCnHaFb、C6HcFd和OC6HcFd的取代基；在式III(a)-III(d)中R4相同或不同，各自選自亞烷基、亞雜烷基、亞烯基、亞芳基、亞雜芳基；R5相同或不同，各自選自H、F、Cl、Br、羥基、羧基、羰基、甲硅烷基、甲硅烷氧基、烷基、雜烷基、烯基、炔基、芳基、雜芳基、亞烷基芳基、烯基芳基、炔基芳基、亞烷基雜芳基、烯基雜芳基、炔基雜芳基、CnHaFb、OCnHaFb、C6HcFd和OC6HcFd；或者兩個R5基團(tuán)一起形成一個亞芳基或雜亞芳基；a、b、c和d為0或整數(shù)，使得a+b＝2n+1，c+d＝5；n是整數(shù)；x是0、1或2；y是0、1、2或3；z是0或1-4的整數(shù)。
16.一種組合物，它包括含有至少一種選自圖4式IV(a)-IV(e)的第一單體單元的聚合物。
17.一種組合物，它包括含有至少一種選自圖4式IV(f)的第一單體單元的聚合物。
18.一種電子器件，它包括一種組合物，所述組合物包括含有至少一種圖1所示的式I(a)、I(b)或I(c)的第一單體單元的聚合物，其中Ar1可相同或不同，各自選自芳基和雜芳基；Ar2可相同或不同，各自選自亞芳基和亞雜芳基；R1可相同或不同，各自選自H、烷基、雜烷基、芳基、雜芳基、芳烷基、雜芳烷基、CnHaFb和C6HcFd；或者相鄰的R1基團(tuán)可連接在一起形成5元或6元環(huán)；n是整數(shù)；y是0、1、2或3；z是0、1、2、3或4；a、b、c和d為0或整數(shù)，使得a+b＝2n+1，c+d＝5。
19.如權(quán)利要求18所述的電子器件，其特征在于Ar1選自苯基、取代的苯基、聯(lián)苯基、取代的聯(lián)苯基、吡啶基、取代的吡啶基、聯(lián)吡啶基和取代的聯(lián)吡啶基。
20.如權(quán)利要求18所述的電子器件，其特征在于N(R1)2選自咔唑、苯并二唑和苯并三唑。
21.如權(quán)利要求18所述的電子器件，其特征在于R1選自具有1-12個碳原子的烷基、苯基和芐基。
22.一種電子器件，它包括一種組合物，所述組合物包括含有至少一種選自圖2式II(a)的第一單體單元的聚合物，其中R2和R3相同或不同，各自選自H、F、Cl、Br、烷基、雜烷基、烯基、炔基、芳基、雜芳基、CnHaFb、OCnHaFb、C6HcFd和OC6HcFd；R4相同或不同，各自選自亞烷基、亞雜烷基、亞烯基、亞芳基、亞雜芳基；a、b、c和d為0或整數(shù)，使得a+b＝2n+1，c+d＝5；n是整數(shù)；x是0、1或2；y是0或1-3的整數(shù)；條件是在芳環(huán)上具有至少一個選自F、CnHaFb、OCnHaFb、C6HcFd和OC6HcFd的取代基。
23.一種電子器件，它包括一種組合物，所述組合物包括含有至少一種選自圖2式II(b)的第一單體單元的聚合物，其中R2和R3相同或不同，各自選自H、F、Cl、Br、烷基、雜烷基、烯基、炔基、芳基、雜芳基、CnHaFb、OCnHaFb、C6HcFd和OC6HcFd；R4相同或不同，各自選自亞烷基、亞雜烷基、亞烯基、亞芳基、亞雜芳基；a、b、c和d為0或整數(shù)，使得a+b＝2n+1，c+d＝5；n是整數(shù)；x是0、1或2；y是0或1-3的整數(shù)；條件是在芳環(huán)上具有至少一個選自F、CnHaFb、OCnHaFb、C6HcFd和OC6HcFd的取代基。
24.一種電子器件，它包括一種組合物，所述組合物包括含有至少一種選自圖2式II(c)的第一單體單元的聚合物，其中R2和R3相同或不同，各自選自H、F、Cl、Br、烷基、雜烷基、烯基、炔基、芳基、雜芳基、CnHaFb、OCnHaFb、C6HcFd和OC6HcFd；R4可相同或不同，各自選自亞烷基、亞雜烷基、亞烯基、亞芳基、亞雜芳基；a、b、c和d為0或整數(shù)，使得a+b＝2n+1，c+d＝5；n是整數(shù)；p是0或1；y是0或1-3的整數(shù)；條件是在芳環(huán)上具有至少一個選自F、CnHaFb、OCnHaFb、C6HcFd和OC6HcFd的取代基。
25.如權(quán)利要求22-24中任一項所述的電子器件，其特征在于R2選自苯基、取代的苯基、聯(lián)苯基、取代的聯(lián)苯基、吡啶基、取代的吡啶基、聯(lián)吡啶基和取代的聯(lián)吡啶基。
26.如權(quán)利要求22-24中任一項所述的電子器件，其特征在于R4選自亞苯基、亞苯基亞烷基、亞烷基和亞烯基。
27.一種電子器件，它包括一種組合物，所述組合物包括含有至少一種選自圖3式III(a)的第一單體單元的聚合物，其中R4相同或不同，各自選自亞烷基、亞雜烷基、亞烯基、亞芳基、亞雜芳基；R5相同或不同，各自選自H、F、Cl、Br、羥基、羧基、羰基、甲硅烷基、甲硅烷氧基、烷基、雜烷基、烯基、炔基、芳基、雜芳基、亞烷基芳基、烯基芳基、炔基芳基、亞烷基雜芳基、烯基雜芳基、炔基雜芳基、CnHaFb、OCnHaFb、C6HcFd和OC6HcFd；或者兩個R5基團(tuán)一起形成一個亞芳基或雜亞芳基；a、b、c和d為0或整數(shù)，使得a+b＝2n+1，c+d＝5；n是整數(shù)；z是0或1-4的整數(shù)。
28.一種電子器件，它包括一種組合物，所述組合物包括含有至少一種選自圖3式III(b)-III(d)的第一單體單元的聚合物，其中R4可相同或不同，各自選自亞烷基、亞雜烷基、亞烯基、亞芳基、亞雜芳基；R5可相同或不同，各自選自H、F、Cl、Br、羥基、羧基、羰基、甲硅烷基、甲硅烷氧基、烷基、雜烷基、烯基、炔基、芳基、雜芳基、亞烷基芳基、烯基芳基、炔基芳基、亞烷基雜芳基、烯基雜芳基、炔基雜芳基、CnHaFb、OCnHaFb、C6HcFd和OC6HcFd；或者兩個R5基團(tuán)一起形成一個亞芳基或雜亞芳基；a、b、c和d為0或整數(shù)，使得a+b＝2n+1，c+d＝5；n是整數(shù)；x是0、1或2；y是0、1、2或3；z是0、1、2、3或4。
29.如權(quán)利要求27或28所述的電子器件，其特征在于R4選自亞苯基、亞苯基亞烷基、亞烷基和亞烯基。
30.如權(quán)利要求27或28所述的電子器件，其特征在于R5選自苯基烯基、苯基炔基、乙酸烷酯基、芳基羰基、具有1-12個碳原子的烷基、苯基、取代的苯基、吡啶基和取代的吡啶基。
31.如權(quán)利要求27或28所述的電子器件，其特征在于兩個相鄰的R5一起形成一個聯(lián)芳基。
32.一種電子器件，它包括一種材料，所述材料包括一種聚合物，所述聚合物含有至少一種選自圖1的式I(a)-I(c)的第一單體單元和至少一種選自圖2的式II(a)-II(c)以及圖3的式III(a)-III(d)的第二單體單元，在式I(a)-I(c)中Ar1可相同或不同，各自選自芳基和雜芳基；Ar2可相同或不同，各自選自亞芳基和亞雜芳基；R1可相同或不同，各自選自H、烷基、雜烷基、芳基、雜芳基、芳烷基、雜芳烷基、CnHaFb和C6HcFd；或者相鄰的R1基團(tuán)可連接在一起形成5元或6元環(huán)；n是整數(shù)；y是0、1、2或3；z是0、1、2、3或4；a、b、c和d為0或整數(shù)，使得a+b＝2n+1，c+d＝5；在式II(a)-II(c)中R2和R3相同或不同，各自選自H、F、Cl、Br、烷基、雜烷基、烯基、炔基、芳基、雜芳基、CnHaFb、OCnHaFb、C6HcFd和OC6HcFd；R4相同或不同，各自選自亞烷基、亞雜烷基、亞烯基、亞芳基、亞雜芳基；a、b、c和d為0或整數(shù)，使得a+b＝2n+1，c+d＝5；n是整數(shù)；p是0或1；x是0、1或2；y是0或1-3的整數(shù)；條件是在芳環(huán)上具有至少一個選自F、CnHaFb、OCnHaFb、C6HcFd和OC6HcFd的取代基；在式III(a)-III(d)中R4相同或不同，各自選自亞烷基、亞雜烷基、亞烯基、亞芳基、亞雜芳基；R5相同或不同，各自選自H、F、Cl、Br、羥基、羧基、羰基、甲硅烷基、甲硅烷氧基、烷基、雜烷基、烯基、炔基、芳基、雜芳基、亞烷基芳基、烯基芳基、炔基芳基、亞烷基雜芳基、烯基雜芳基、炔基雜芳基、CnHaFb、OCnHaFb、C6HcFd和OC6HcFd；或者兩個R5基團(tuán)一起形成一個亞芳基或雜亞芳基；a、b、c和d為0或整數(shù)，使得a+b＝2n+1，c+d＝5；n是整數(shù)；x是0、1或2；y是0、1、2或3；z是0或1-4的整數(shù)。
33.一種電子器件，它包括一種組合物，所述組合物含有至少一種選自圖4式IV(a)-IV(e)的第一單體單元的聚合物。
34.一種電子器件，它包括一種組合物，所述組合物包括含有至少一種選自圖4式IV(f)的第一單體單元的聚合物。
35.一種組合物，它包括含有至少一種圖1所示的式1(b)或I(c)的第一單體單元的聚合物，其中Ar1可相同或不同，各自選自芳基和雜芳基；Ar2可相同或不同，各自選自亞芳基和亞雜芳基；R5相同或不同，各自選自H、F、Cl、Br、羥基、羧基、羰基、甲硅烷基、甲硅烷氧基、烷基、雜烷基、烯基、炔基、芳基、雜芳基、亞烷基芳基、烯基芳基、炔基芳基、亞烷基雜芳基、烯基雜芳基、炔基雜芳基、CnHaFb、OCnHaFb、C6HcFd和OC6HcFd；或者兩個R5基團(tuán)一起形成一個亞芳基或雜亞芳基；a、b、c和d為0或整數(shù)，使得a+b＝2n+1，c+d＝5；n是整數(shù)(如上所述)；y是0或1-3的整數(shù)；z是0或1-4的整數(shù)；這種聚合物不是均聚物。
36.一種組合物，它包括含有至少一種選自圖3中式III(c)或III(d)的第一單體單元，其中R4相同或不同，各自選自亞烷基、亞雜烷基、亞烯基、亞芳基、亞雜芳基或亞芳基亞炔基；R5相同或不同，各自選自H、F、Cl、Br、羥基、羧基、羰基、甲硅烷基、甲硅烷氧基、烷基、雜烷基、烯基、炔基、芳基、雜芳基、亞烷基芳基、烯基芳基、炔基芳基、亞烷基雜芳基、烯基雜芳基、炔基雜芳基、CnHaFb、OCnHaFb、C6HcFd和OC6HcFd；或者兩個R5基團(tuán)一起形成一個亞芳基或雜亞芳基；a、b、c和d為0或整數(shù)，使得a+b＝2n+1，c+d＝5；n是整數(shù)；x是0、1或2；y是0或1-3的整數(shù)；所述聚合物不是均聚物。
37.一種組合物，它包括含有至少一種選自圖3式III(b)的第一單體單元，其中R4相同或不同，各自選自亞烷基、亞雜烷基、亞烯基、亞芳基、亞雜芳基或亞芳基亞炔基；R5相同或不同，各自選自H、F、Cl、Br、羥基、羧基、羰基、甲硅烷基、甲硅烷氧基、烷基、雜烷基、烯基、炔基、芳基、雜芳基、亞烷基芳基、烯基芳基、炔基芳基、亞烷基雜芳基、烯基雜芳基、炔基雜芳基、CnHaFb、OCnHdFb、C6HcFd和OC6HcFd；或者兩個R5基團(tuán)一起形成一個亞芳基或雜亞芳基；a、b、c和d為0或整數(shù)，使得a+b＝2n+1，c+d＝5；n是整數(shù)；x是0、1或2；所述聚合物不是均聚物。
37.一種器件，它包括一層含有權(quán)利要求35、36或37所述聚合物的材料的層。
38.如權(quán)利要求18、35、35和37所述的器件，其特征在于所述器件是發(fā)光二極管、發(fā)光電化學(xué)電池或者光探測器。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種聚合物電荷遷移組分。本發(fā)明還涉及電子器件，其至少一層活性層包括這種電荷遷移組合物。
文檔編號C07D475/00GK1666357SQ03816185
公開日2005年9月7日 申請日期2003年7月9日 優(yōu)先權(quán)日2002年7月10日
發(fā)明者N·海隆, N·S·拉杜, E·M·史密斯 申請人:E.I.內(nèi)穆爾杜邦公司