用于分子束外延工藝中碲鋅鎘襯底的轉(zhuǎn)移夾具的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及分子束外延工藝技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種用于分子束外延工藝中碲鋅鎘襯底的轉(zhuǎn)移夾具。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，紅外焦平面探測(cè)器得到較廣的應(yīng)用，而紅外焦平面技術(shù)正向著大陣列、雙多色等三代焦平面技術(shù)方向發(fā)展。其中，基于碲鎘汞材料的焦平面探測(cè)器由于其較高的量子效率、截止波長(zhǎng)在全譜段可調(diào)等諸多優(yōu)點(diǎn)占據(jù)著絕對(duì)的市場(chǎng)份額。
[0003]而實(shí)現(xiàn)碲鎘汞材料的外延過(guò)程中，晶格匹配的碲鋅鎘襯底始終是外延碲鎘汞的最佳選擇。由于液相外延技術(shù)無(wú)法實(shí)現(xiàn)多層異質(zhì)外延進(jìn)而無(wú)法實(shí)現(xiàn)雙多色材料外延、材料表面起伏較大等無(wú)法克服的缺點(diǎn)，因此，分子束外延技術(shù)在該技術(shù)領(lǐng)域中扮演者越來(lái)越重要的角色。
[0004]在進(jìn)行碲鋅鎘基碲鎘汞外延工藝過(guò)程中，襯底的清洗和轉(zhuǎn)移是一項(xiàng)關(guān)鍵的技術(shù)。具體地:碲鋅鎘襯底在清洗時(shí)，襯底的正面需要向上以便噴洗和保證清洗的質(zhì)量，在轉(zhuǎn)移過(guò)程中同樣需要襯底的正面向上，以避免劃傷襯底的表面。但是，在將襯底裝入分子束外延生長(zhǎng)腔室時(shí)，由于分子束外延設(shè)備的結(jié)構(gòu)關(guān)系需要將襯底翻轉(zhuǎn)過(guò)來(lái)正面向下安放在鏤空的鉬拖上面。現(xiàn)有技術(shù)中，通常使用聚四氟乙烯材料的鑷子將碲鋅鎘襯底材料夾起，之后使用真空吸筆吸住襯底背面再放在材料外延所用的鉬拖上。存在的難題是:1、鑷子的力度需要掌握，因?yàn)轫阡\鎘襯底極脆，用力過(guò)大會(huì)導(dǎo)致襯底碎裂，而在使用吸筆時(shí)候用力不夠可能將襯底碰落；2、需要在密閉的超凈柜里進(jìn)行，操作過(guò)程要戴著厚的橡膠手套，由此加大了操作難度；3、為了保證清洗后的材料表面不被二次污染，操作過(guò)程要盡可能的快速進(jìn)行。上述三個(gè)難題要求操作人員的技術(shù)熟練度極高。因此，需要一種用于分子束外延工藝中碲鋅鎘襯底的轉(zhuǎn)移夾具，以解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述技術(shù)問(wèn)題。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0005]本實(shí)用新型提供一種用于分子束外延工藝中碲鋅鎘襯底的轉(zhuǎn)移夾具，可以方便地將襯底轉(zhuǎn)移至分子束外延設(shè)備中，并且避免襯底表面受到污染。
[0006]本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案是:
[0007]—種用于分子束外延工藝中碲鋅鎘襯底的轉(zhuǎn)移夾具，其包括上夾板和下夾板，所述上夾板和所述下夾板分別包括:基板，所述基板上設(shè)置有沉降槽，所述沉降槽的側(cè)壁上設(shè)置有用于支撐襯底的凸臺(tái)，當(dāng)所述上夾板扣合于所述下夾板上時(shí)，所述上夾板的沉降槽對(duì)應(yīng)所述下夾板的沉降槽，以形成容納所述襯底的空腔。
[0008]優(yōu)選地，所述沉降槽的周緣設(shè)置有限位件，當(dāng)所述上夾板扣合于所述下夾板時(shí)，所述上夾板上的限位件與所述下夾板上的限位件配合，以限制所述上夾板和所述下夾板沿所述上夾板和所述下夾板的接觸面相對(duì)移動(dòng)。
[0009]優(yōu)選地，所述沉降槽的形狀為矩形，所述限位件設(shè)置在所述沉降槽的對(duì)角線上，所述上夾板上的限位件為限位孔，所述下夾板上的限位件為與所述限位孔配合的凸起部。
[0010]優(yōu)選地，所述沉降槽的側(cè)邊相對(duì)設(shè)置有與所述沉降槽貫通的外擴(kuò)耳，并且所述外擴(kuò)耳的深度大于所述凸臺(tái)的深度，所述外擴(kuò)耳沿所述沉降槽的側(cè)邊的長(zhǎng)度大于用于夾持所述襯底的鑷子尖部的長(zhǎng)度。
[0011]優(yōu)選地，相比于所述襯底的寬度和長(zhǎng)度，所述沉降槽的寬度和長(zhǎng)度對(duì)應(yīng)地多出
0.5mmο
[0012]優(yōu)選地，所述凸臺(tái)沿所述沉降槽的橫截面方向的寬度為0.1_。
[0013]優(yōu)選地，所述凸臺(tái)的深度為0.65mm。
[0014]優(yōu)選地，所述凸臺(tái)的上表面距離所述沉降槽的底部為0.5mm。
[0015]優(yōu)選地，所述轉(zhuǎn)移夾具采用聚四氟乙烯材料制成。
[0016]采用上述技術(shù)方案，本實(shí)用新型至少具有下列效果:采用本實(shí)用新型的用于分子束外延工藝中碲鋅鎘襯底的轉(zhuǎn)移夾具在轉(zhuǎn)移碲鋅鎘徹底時(shí)操作簡(jiǎn)單，方便地將襯底以簡(jiǎn)單的方式快速地轉(zhuǎn)移到分子束外延設(shè)備中，并且在襯底的轉(zhuǎn)移過(guò)程中，避免了襯底表面的污染。
【附圖說(shuō)明】
[0017]圖1為本實(shí)用新型一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例轉(zhuǎn)移夾具的下夾板的俯視示意圖；
[0018]圖2為圖1所示下夾板的沿A-A線的剖視示意圖；
[0019]圖3為圖1所示下夾板的沿B-B線的剖視示意圖。
[0020]其中，1-基板;2_沉降槽;3_凸臺(tái);4_外擴(kuò)耳;5_凸起部;6_限位孔。
【具體實(shí)施方式】
[0021]為更進(jìn)一步闡述本實(shí)用新型為達(dá)成預(yù)定目的所采取的技術(shù)手段及功效，以下結(jié)合附圖及較佳實(shí)施例，對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明如后。
[0022]本實(shí)用新型提供的用于分子束外延工藝中碲鋅鎘襯底的轉(zhuǎn)移夾具包括上夾板和下夾板。下面將詳細(xì)地描述本實(shí)用新型的轉(zhuǎn)移夾具及其各個(gè)部分。
[0023]如圖1和圖2所示，作為本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例，上夾板和下夾板分別包括:基板1，基板I上設(shè)置有沉降槽2，沉降槽2的側(cè)壁上設(shè)置有用于支撐襯底的凸臺(tái)3，當(dāng)上夾板扣合于下夾板上時(shí)，上夾板的沉降槽2對(duì)應(yīng)下夾板的沉降槽2，以形成容納襯底的空腔。凸臺(tái)3的作用是支撐襯底，襯底可以放置在凸臺(tái)3上，僅是襯底的邊緣抵靠在凸臺(tái)3上，而襯底的下方?jīng)]有接觸到沉降槽的底部。進(jìn)一步地，上夾板和下夾板可以是一模一樣的，當(dāng)上夾板扣合在下夾板上時(shí)，上夾板的沉降槽2對(duì)應(yīng)下夾板的沉降槽2，由此當(dāng)放置好襯底于下夾板的凸臺(tái)3上后，上夾板的沉降槽2和下夾板的沉降槽2形成空腔。從而，在通過(guò)扣合好的上夾板和下夾板做一個(gè)翻轉(zhuǎn)后，上夾板被翻轉(zhuǎn)到下夾板的下方，以完成對(duì)襯底的上表面和下表面的對(duì)調(diào)。即，如果襯底的上表面原來(lái)朝上的，經(jīng)過(guò)翻轉(zhuǎn)后，襯底的上表面朝上。從而避免了現(xiàn)有技術(shù)中，操作人員通過(guò)雙手操作鑷子和吸筆來(lái)完成襯底的上表面與下表面的對(duì)調(diào)，使得這個(gè)工序的操作簡(jiǎn)單、方便，降低了對(duì)操作人員的操作要求。
[0024]如圖1所示，作為優(yōu)選地，沉降槽2的周緣設(shè)置有限位件，當(dāng)上夾板扣合于下夾板時(shí)，上夾板上的限位件與下夾板上的限位件配合，以限制上夾板和下夾板沿上夾板和下夾板的接觸面相對(duì)移動(dòng)。限位件的設(shè)置目的是防止在將扣合的上夾板和下夾板翻轉(zhuǎn)時(shí)，出現(xiàn)上夾板和下夾板的相對(duì)錯(cuò)動(dòng)，而使得襯板掉出，甚至掉落的情況，由此確保襯底的安全