二氧化硅無(wú)氧氯化酸萃處理方法及裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種二氧化硅無(wú)氧氯化酸萃裝置；本發(fā)明還涉及使用前述裝置進(jìn)行二氧化硅無(wú)氧氯化酸萃的處理方法。
【背景技術(shù)】
[0002]對(duì)二氧化硅進(jìn)行氯化酸萃處理去除石英砂中的鋰、鈉、鉀、銅等元素時(shí)，需要使用到氯化酸萃裝置?，F(xiàn)有氯化酸萃裝置中的氯化反應(yīng)爐有立式和臥式兩種，現(xiàn)有的立式氯化反應(yīng)爐工作效率低，并且氯化酸萃處理方法復(fù)雜，生產(chǎn)成本高。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，使用方便的二氧化硅無(wú)氧氯化酸萃處理的裝置。
[0004]本發(fā)明所要解決的另一個(gè)技術(shù)問題是提供了使用前述裝置進(jìn)行二氧化硅無(wú)氧氯化酸萃的處理方法。
[0005]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是通過以下的技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)的，本發(fā)明是一種二氧化硅無(wú)氧氯化酸萃裝置，其特點(diǎn)是:包括立式氯化反應(yīng)爐、酸萃槽和比重分離槽；酸萃槽通過出料管與立式氯化反應(yīng)爐的出料口相連，所述比重分離槽設(shè)在酸萃槽下方；所述立式氯化反應(yīng)爐設(shè)有殼體，殼體內(nèi)設(shè)有充滿磁場(chǎng)的耐腐蝕爐體，在殼體與爐體之間設(shè)有保溫層，所述爐體的頂端設(shè)有出氣口和進(jìn)料口，進(jìn)料口上設(shè)有插入到爐體內(nèi)的進(jìn)料管，爐體的底端連接有出料管，爐體的下側(cè)部設(shè)有進(jìn)氣口，進(jìn)氣口上連接有進(jìn)氣管，進(jìn)氣管盤繞在爐體外壁上；在爐體的中部、沿爐體軸向、爐壁向爐內(nèi)凹陷構(gòu)成若干個(gè)上大下小的圓錐臺(tái)，圓錐臺(tái)上下相連，由下向上圓錐臺(tái)的底面直徑逐漸變小，最下面的圓錐臺(tái)的底面直徑與爐體直徑比為1:1.3-2.5，最上面的圓錐臺(tái)的底面直徑與爐體直徑比為1: 1.6-6。
[0006]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題還可以通過以下的技術(shù)方案來(lái)進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)，所述的二氧化硅無(wú)氧氯化酸萃裝置中:所述圓錐臺(tái)設(shè)有4-8個(gè)，圓錐臺(tái)的總高度為1800-3000mm，所述爐體的直徑為120-260cm。
[0007]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題還可以通過以下的技術(shù)方案來(lái)進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)，所述的二氧化硅無(wú)氧氯化酸萃裝置中:所述圓錐臺(tái)設(shè)有6個(gè)，由下向上圓錐臺(tái)的底面直徑比依次為3.5:3:2.5:2:1.5:1 ο
[0008]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題還可以通過以下的技術(shù)方案來(lái)進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)，所述的二氧化硅無(wú)氧氯化酸萃裝置中:所述爐體頂部的出氣口上連接有出氣管，出氣管與噴射泵相連，在出氣口與噴射泵之間的出氣管上設(shè)有氣體冷卻器。
[0009]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題還可以通過以下的技術(shù)方案來(lái)進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)，所述的二氧化硅無(wú)氧氯化酸萃裝置中:所述進(jìn)料管的出口端設(shè)在最上端圓錐臺(tái)的頂面處。
[0010]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題還可以通過以下的技術(shù)方案來(lái)進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。本發(fā)明是一種如以上技術(shù)方案所述的二氧化硅無(wú)氧氯化酸萃裝置的處理方法，其特點(diǎn)是，其步驟如下:將S12顆粒通過進(jìn)料管加入到立式氯化反應(yīng)爐的爐體中；后對(duì)S12顆粒進(jìn)行預(yù)熱，使其溫度達(dá)到1000°c -1200°c，然后從氯化反應(yīng)爐的底部進(jìn)氣管通入溫度為500°C _1500°C的氯化氣體進(jìn)行無(wú)氧氯化反應(yīng)，氯化反應(yīng)時(shí)間為60-100分鐘；氯化反應(yīng)結(jié)束后，出料，使S12顆粒落入酸萃槽中進(jìn)行酸萃處理，后進(jìn)入比重分離槽中進(jìn)行浮選，去除雜質(zhì)，即可。
[0011]氯化反應(yīng)時(shí)，根據(jù)S12的雜質(zhì)不同，對(duì)通入的氯化氣體溫度和氯化反應(yīng)時(shí)間進(jìn)行適當(dāng)?shù)恼{(diào)整。
[0012]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題還可以通過以下的技術(shù)方案來(lái)進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)，所述的二氧化硅無(wú)氧氯化酸萃裝置的處理方法中:對(duì)S12顆粒進(jìn)行預(yù)熱，使其溫度達(dá)到1100°C，從氯化反應(yīng)爐的底部進(jìn)氣管通入溫度為800-1200°C的氯化氣體進(jìn)行無(wú)氧氯化反應(yīng)，氯化反應(yīng)時(shí)間為80分鐘。
[0013]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的立式氯化反應(yīng)爐的爐體中部有若干個(gè)上下相連的圓錐臺(tái)，因此，氯化氣體由爐底進(jìn)入從爐頂排出時(shí)，會(huì)在爐體內(nèi)形成渦流，提高了氯化反應(yīng)的效果；在氯化處理方法中，要先將S12顆粒進(jìn)行預(yù)熱，然后將500°C -1500°c的氯化氣體從氯化反應(yīng)爐的底部通入，其氯化效率高，效果好。
【附圖說明】
[0014]圖1是本發(fā)明的一種結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0015]以下參照附圖，進(jìn)一步描述本發(fā)明的具體技術(shù)方案，以便于本領(lǐng)域的技術(shù)人員進(jìn)一步地理解本發(fā)明，而不構(gòu)成對(duì)其權(quán)利的限制。
[0016]實(shí)施例1，參照附圖，一種二氧化硅無(wú)氧氯化酸萃裝置，包括立式氯化反應(yīng)爐、酸萃槽6和比重分離槽7 ;酸萃槽6通過出料管5與立式氯化反應(yīng)爐的出料口相連，所述比重分離槽7設(shè)在酸萃槽6下方；所述立式氯化反應(yīng)爐設(shè)有殼體，殼體內(nèi)設(shè)有充滿磁場(chǎng)的耐腐蝕爐體1，所述的磁場(chǎng)由設(shè)在爐體I外的磁鐵形成。在殼體與爐體I之間設(shè)有保溫層，所述爐體I的頂端設(shè)有出氣口和進(jìn)料口，進(jìn)料口上設(shè)有插入到爐體I內(nèi)的進(jìn)料管，爐體I的底端連接有出料管5，爐體I的下側(cè)部設(shè)有進(jìn)氣口，進(jìn)氣口上連接有進(jìn)氣管8，進(jìn)氣管8盤繞在爐體I外壁上；爐體I在加熱過程中可以通過熱傳導(dǎo)的方式將熱量直接傳遞給進(jìn)氣管8，從而可以對(duì)進(jìn)氣管8內(nèi)的氣體進(jìn)行加熱，進(jìn)氣管8可以為波紋管。在爐體I的中部、沿爐體軸向、爐壁向爐內(nèi)凹陷構(gòu)成若6個(gè)上大下小的圓錐臺(tái)，圓錐臺(tái)上下相連，由下向上圓錐臺(tái)的底面直徑逐漸變小，最下面的圓錐臺(tái)的底面直徑與爐體I直徑比為1: 1.3，最上面的圓錐臺(tái)的底面直徑與爐體I直徑比為1:3。所述進(jìn)料管的出口端設(shè)在最上端圓錐臺(tái)的頂面處。
[0017]S12*料在連續(xù)出料過程中，物料會(huì)整體動(dòng)起來(lái)，從而將磁場(chǎng)轉(zhuǎn)為電場(chǎng)，S12中的金屬離子容易析出，從而對(duì)S12進(jìn)行提純。
實(shí)施例2，實(shí)施例1所述的二氧化硅無(wú)氧氯化酸萃裝置中，所述圓錐臺(tái)的總高度為1800mm,所述爐體I的直徑為120cm。
[0018]實(shí)施例3，實(shí)施例1所述的二氧化硅無(wú)氧氯化酸萃裝置中，所述圓錐臺(tái)由下向上圓錐臺(tái)的底面直徑比依次為3.5:3:2.5:2:1.5:1。
[0019]實(shí)施例4，實(shí)施例1所述的二氧化硅無(wú)氧氯化酸萃裝置中，所述爐體I頂部的出氣口上連接有出氣管，出氣管與噴射泵相連，在出氣口與噴射泵之間的出氣管上設(shè)有氣體冷卻器。從氯化反應(yīng)爐出來(lái)的氯化氣體冷卻后通過噴射泵形成鹽酸溶液，鹽酸溶液可以再回收使用，而不是將氯化氣體直接排出污染環(huán)境。
[0020]實(shí)施例5，如實(shí)施例1-4所述的二氧化硅無(wú)氧氯化酸萃裝置的處理方法，其步驟如下:將粒度為50-150目的S12顆粒通過進(jìn)料管加入到立式氯化反應(yīng)爐的爐體中；后對(duì)S12顆粒進(jìn)行預(yù)熱，使其溫度達(dá)到1000°C，然后從氯化反應(yīng)爐的底部進(jìn)氣管8通入溫度為1000C的氯化氣體進(jìn)行無(wú)氧氯化反應(yīng)，氯化反應(yīng)時(shí)間為60分鐘；首批3102顆粒氯化反應(yīng)結(jié)束后，即可連續(xù)出料，調(diào)節(jié)好出料速度，氣體連續(xù)不斷的通入，同時(shí)S12顆粒通過進(jìn)料管不斷的加入到爐體中，S12顆粒處在進(jìn)料管過程中即得到了預(yù)熱，S12顆粒從爐體頂部到出料口的時(shí)間正好為氯化反應(yīng)時(shí)間。氯化反應(yīng)過程中S12顆粒中的鋰、鈉、鉀、銅隨著氣體排出。從爐體中出來(lái)的3102顆粒落入酸萃槽6中進(jìn)行酸萃處理，后進(jìn)入比重分離槽7中進(jìn)行浮選，去除雜質(zhì)，即可。
[0021]實(shí)施例6，如實(shí)施例5所述的二氧化硅無(wú)氧氯化酸萃裝置的處理方法，其步驟如下:將粒度為50-150目的S12顆粒通過進(jìn)料管加入到立式氯化反應(yīng)爐的爐體中；后對(duì)S12顆粒進(jìn)行預(yù)熱，使其溫度達(dá)到1100°C，然后從氯化反應(yīng)爐的底部進(jìn)氣管通入溫度為1200°C的氯化氣體進(jìn)行無(wú)氧氯化反應(yīng)，氯化反應(yīng)時(shí)間為80分鐘；連續(xù)不斷的進(jìn)料出料，使3;102顆粒落入酸萃槽6中進(jìn)行酸萃處理，后進(jìn)入比重分離槽7中進(jìn)行浮選，去除雜質(zhì)，即可。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種二氧化硅無(wú)氧氯化酸萃裝置，其特征在于:包括立式氯化反應(yīng)爐、酸萃槽和比重分離槽；酸萃槽通過出料管與立式氯化反應(yīng)爐的出料口相連，所述比重分離槽設(shè)在酸萃槽下方；所述立式氯化反應(yīng)爐設(shè)有殼體，殼體內(nèi)設(shè)有充滿磁場(chǎng)的耐腐蝕爐體，在殼體與爐體之間設(shè)有保溫層，所述爐體的頂端設(shè)有出氣口和進(jìn)料口，進(jìn)料口上設(shè)有插入到爐體內(nèi)的進(jìn)料管，爐體的底端連接有出料管，爐體的下側(cè)部設(shè)有進(jìn)氣口，進(jìn)氣口上連接有進(jìn)氣管，進(jìn)氣管盤繞在爐體外壁上；在爐體的中部、沿爐體軸向、爐壁向爐內(nèi)凹陷構(gòu)成若干個(gè)上大下小的圓錐臺(tái)，圓錐臺(tái)上下相連，由下向上圓錐臺(tái)的底面直徑逐漸變小，最下面的圓錐臺(tái)的底面直徑與爐體直徑比為1:1.3-2.5，最上面的圓錐臺(tái)的底面直徑與爐體直徑比為1:1.6-6O
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的二氧化硅無(wú)氧氯化酸萃裝置，其特征在于:所述圓錐臺(tái)設(shè)有4-8個(gè)，圓錐臺(tái)的總高度為1800-3000mm，所述爐體的直徑為120_260cm。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的二氧化硅無(wú)氧氯化酸萃裝置，其特征在于:所述圓錐臺(tái)設(shè)有6個(gè)，由下向上圓錐臺(tái)的底面直徑比依次為3.5:3:2.5:2:1.5:1。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的二氧化硅無(wú)氧氯化酸萃裝置，其特征在于:所述爐體頂部的出氣口上連接有出氣管，出氣管與噴射泵相連，在出氣口與噴射泵之間的出氣管上設(shè)有氣體冷卻器。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的二氧化硅無(wú)氧氯化酸萃裝置，其特征在于:所述進(jìn)料管的出口端設(shè)在最上端圓錐臺(tái)的頂面處。
6.一種基于權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的二氧化硅無(wú)氧氯化酸萃裝置的處理方法，其特征在于，其步驟如下:將S12顆粒通過進(jìn)料管加入到立式氯化反應(yīng)爐的爐體中；后對(duì)S12顆粒進(jìn)行預(yù)熱，使其溫度達(dá)到1000°c -1200°c，然后從氯化反應(yīng)爐的底部進(jìn)氣管通入溫度為500°C -1500°C的氯化氣體進(jìn)行無(wú)氧氯化反應(yīng)，氯化反應(yīng)時(shí)間為60-100分鐘；氯化反應(yīng)結(jié)束后，出料，使S12顆粒落入酸萃槽中進(jìn)行酸萃處理，后進(jìn)入比重分離槽中進(jìn)行浮選，去除雜質(zhì)，即可。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的處理方法，其特征在于:對(duì)S12顆粒進(jìn)行預(yù)熱，使其溫度達(dá)到1100°C，從氯化反應(yīng)爐的底部進(jìn)氣管通入溫度為800-1200 °C的氯化氣體進(jìn)行無(wú)氧氯化反應(yīng)，氯化反應(yīng)時(shí)間為80分鐘。
【專利摘要】本發(fā)明是一種二氧化硅無(wú)氧氯化酸萃裝置及處理方法，包括立式氯化反應(yīng)爐、酸萃槽和比重分離槽；酸萃槽通過出料管與立式氯化反應(yīng)爐的出料口相連，所述比重分離槽設(shè)在酸萃槽下方；所述立式氯化反應(yīng)爐的爐體的中部、沿爐體軸向、爐壁向爐內(nèi)凹陷構(gòu)成若干個(gè)上大下小的圓錐臺(tái)，圓錐臺(tái)上下相連，由下向上圓錐臺(tái)的底面直徑逐漸變小。本發(fā)明的立式氯化反應(yīng)爐的爐體中部有若干個(gè)上下相連的圓錐臺(tái)，因此，氯化氣體由爐底進(jìn)入從爐頂排出時(shí)，會(huì)在爐體內(nèi)形成渦流，提高了氯化反應(yīng)的效果；在氯化處理方法中，要先將SiO2顆粒進(jìn)行預(yù)熱，然后將500℃-1500℃的氯化氣體從氯化反應(yīng)爐的底部通入，其氯化效率高，效果好。
【IPC分類】C01B33-12
【公開號(hào)】CN104843718
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510191285
【發(fā)明人】陳懷斌, 陳麟鑫
【申請(qǐng)人】連云港神匯硅材料科技有限公司
【公開日】2015年8月19日
【申請(qǐng)日】2015年4月22日