1.一種用于半導(dǎo)體級(jí)硅單晶爐的石墨坩堝座，石墨坩堝座內(nèi)設(shè)有坩堝安裝面，其特征在于：石墨坩堝座由四瓣結(jié)構(gòu)相同的基本單元組裝拼接后形成周邊閉合的桶形結(jié)構(gòu)，相鄰基本單元的結(jié)合部為安裝貼合面，拼裝后的桶形結(jié)構(gòu)的桶底的內(nèi)壁坩堝安裝面，桶底的外壁為承重面，桶底承重面的外緣設(shè)有環(huán)形定位堰，環(huán)形定位堰的內(nèi)壁上設(shè)有止動(dòng)槽，環(huán)形定位堰到桶壁之間通過(guò)倒錐形的輔助支撐面過(guò)渡連接，桶壁的外壁面周邊設(shè)有起吊口。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于半導(dǎo)體級(jí)硅單晶爐的石墨坩堝座，其特征在于：每個(gè)基本單元均含有一個(gè)止動(dòng)槽和兩個(gè)起吊口，起吊口對(duì)稱設(shè)在桶壁對(duì)稱線兩側(cè)的外壁上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的用于半導(dǎo)體級(jí)硅單晶爐的石墨坩堝座，其特征在于：所述的石墨坩堝座配有與基座，基座的內(nèi)壁與拼裝后桶形結(jié)構(gòu)的桶底承重面和輔助支撐面匹配，基座中設(shè)有與所述止動(dòng)槽對(duì)應(yīng)的止動(dòng)銷。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的用于半導(dǎo)體級(jí)硅單晶爐的石墨坩堝座，其特征在于：所述的四瓣結(jié)構(gòu)相同的基本單元均采用高強(qiáng)度等靜壓石墨制作，零件加工完成后須經(jīng)高溫純化處理，其純度要求為5 ppm。