【技術(shù)領(lǐng)域】

本發(fā)明涉及電子材料技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種高介電常數(shù)陶瓷電容器材料及其制造方法。

背景技術(shù)：

隨著電子產(chǎn)品的發(fā)展，電子元器件越來越小型化，集成化程度越來越高。要實(shí)現(xiàn)微波設(shè)備的小型化、高可靠性和廉價性，就需要研發(fā)出更具有優(yōu)越性的新型介質(zhì)材料。電子元器件的尺寸與介質(zhì)的介電常數(shù)成負(fù)相關(guān)，要實(shí)現(xiàn)微波設(shè)備的小型化，就必須研發(fā)出更高介電常數(shù)的材料，但高介電常數(shù)會有更大的介電損耗，尋求高介電常數(shù)、低介質(zhì)損耗一直以來都是研發(fā)的目標(biāo)。

相關(guān)技術(shù)中，得到高介電常數(shù)、低介電損耗的陶瓷材料需要在較高的燒結(jié)溫度條件下進(jìn)行，使該陶瓷材料制造工藝中的能耗、生產(chǎn)成本高，不利于高介電常數(shù)陶瓷電容器材料的應(yīng)用與發(fā)展。

因此，有必要提供一種新的工藝解決上述技術(shù)問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的是克服上述技術(shù)問題，提供一種高介電常數(shù)陶瓷電容器材料的制造方法，實(shí)現(xiàn)在較低燒結(jié)溫度下得到的電容器材料同樣具有較高的介電常數(shù)。

本發(fā)明的技術(shù)方案是：

一種高介電常數(shù)陶瓷電容器材料的制造方法，包括如下步驟：

步驟s1：將baco3、zro2、tio2按摩爾比10:1:9配料，加入0.5wt％的聚乙烯醇與酒精混合球磨10～12小時，烘干后于1050℃～1100℃下煅燒，并保溫2～3小時，制得bazr0.1ti0.9o3粉體；

步驟s2：將所述bazr0.1ti0.9o3粉體與batio3、nb2o5、ta2o5、bi2o3按質(zhì)量比5～7：3～4：0.2～1：0.2～1：0.1～0.5配料，加入0.5wt％的聚乙烯醇與酒精混合球磨10～12小時，將漿料烘干；

步驟s3：將步驟2制備的粉料壓制成型為坯體，并將坯體于1150℃～1200℃下燒結(jié)，并保溫4～6小時，隨爐冷卻得到所述高介電常數(shù)陶瓷電容器材料。

優(yōu)選的，所述步驟s1、s2中，烘干工藝均采用紅外烘干，烘干溫度為60-80℃。

優(yōu)選的，所述步驟s2中，將漿料過濾后進(jìn)行烘干，過濾篩網(wǎng)孔徑為200-320目。

本發(fā)明還提供一種高介電常數(shù)陶瓷電容器材料，由所述的高介電常數(shù)陶瓷電容器材料的制造方法制造得到。

優(yōu)選的，所述高介電常數(shù)陶瓷電容器材料的介電常數(shù)εr＞10000，介電損耗為0.002-0.02。

與相關(guān)技術(shù)相比，本發(fā)明提供的高介電常數(shù)陶瓷電容器材料的制造方法，有益效果在于：通過優(yōu)化材料的組分以及制造工藝的步驟，使在較低溫度下燒結(jié)得到的電容器材料具有介電常數(shù)高、介電損耗低的優(yōu)點(diǎn)。經(jīng)檢測，采用本發(fā)明提供的高介電常數(shù)陶瓷電容器材料的制造方法，制造得到的電容器材料的介電常數(shù)εr＞10000，介電損耗為0.002-0.02。

【具體實(shí)施方式】

下面將通過具體實(shí)施方式對本發(fā)明作進(jìn)一步說明。

實(shí)施例1

一種高介電常數(shù)陶瓷電容器材料的制造方法，包括如下步驟：

步驟s1：將baco3、zro2、tio2按摩爾比10:1:9配料，加入0.5wt％的聚乙烯醇與酒精混合球磨10～12小時，烘干后于1050℃下煅燒，并保溫2～3小時，制得bazr0.1ti0.9o3粉體；

其中，采用紅外烘干工藝，烘干溫度為60℃；

步驟s2：將所述bazr0.1ti0.9o3粉體與batio3、nb2o5、ta2o5、bi2o3按質(zhì)量比6：3：0.25：0.25：0.5配料，加入0.5wt％的聚乙烯醇與酒精混合球磨10～12小時，將漿料通過200目過篩后烘干；烘干工藝為紅外烘干，烘干溫度為60℃；

步驟s3：將步驟2制備的粉料壓制成型為坯體，并將坯體于1150℃下燒結(jié)，并保溫4～6小時，隨爐冷卻得到所述高介電常數(shù)陶瓷電容器材料。

實(shí)施例2

一種高介電常數(shù)陶瓷電容器材料的制造方法，包括如下步驟：

步驟s1：將baco3、zro2、tio2按摩爾比10:1:9配料，加入0.5wt％的聚乙烯醇與酒精混合球磨10～12小時，烘干后于1050℃下煅燒，并保溫2～3小時，制得bazr0.1ti0.9o3粉體；

其中，采用紅外烘干工藝，烘干溫度為80℃；

步驟s2：將所述bazr0.1ti0.9o3粉體與batio3、nb2o5、ta2o5、bi2o3按質(zhì)量比5：4：0.2：0.2：0.1配料，加入0.5wt％的聚乙烯醇與酒精混合球磨10～12小時，將漿料通過320目過篩后烘干；烘干工藝為紅外烘干，烘干溫度為80℃；

步驟s3：將步驟2制備的粉料壓制成型為坯體，并將坯體于1160℃下燒結(jié)，并保溫4～6小時，隨爐冷卻得到所述高介電常數(shù)陶瓷電容器材料。

實(shí)施例3

一種高介電常數(shù)陶瓷電容器材料的制造方法，包括如下步驟：

步驟s1：將baco3、zro2、tio2按摩爾比10:1:9配料，加入0.5wt％的聚乙烯醇與酒精混合球磨10～12小時，烘干后于1100℃下煅燒，并保溫2～3小時，制得bazr0.1ti0.9o3粉體；

其中，采用紅外烘干工藝，烘干溫度為65℃；

步驟s2：將所述bazr0.1ti0.9o3粉體與batio3、nb2o5、ta2o5、bi2o3按質(zhì)量比5.5：3.5：1：0.7：0.4配料，加入0.5wt％的聚乙烯醇與酒精混合球磨10～12小時，將漿料通過200目過篩后烘干；烘干工藝為紅外烘干，烘干溫度為65℃；

步驟s3：將步驟2制備的粉料壓制成型為坯體，并將坯體于1170℃下燒結(jié)，并保溫4～6小時，隨爐冷卻得到所述高介電常數(shù)陶瓷電容器材料。

實(shí)施例4

一種高介電常數(shù)陶瓷電容器材料的制造方法，包括如下步驟：

步驟s1：將baco3、zro2、tio2按摩爾比10:1:9配料，加入0.5wt％的聚乙烯醇與酒精混合球磨10～12小時，烘干后于1080℃下煅燒，并保溫2～3小時，制得bazr0.1ti0.9o3粉體；

其中，采用紅外烘干工藝，烘干溫度為75℃；

步驟s2：將所述bazr0.1ti0.9o3粉體與batio3、nb2o5、ta2o5、bi2o3按質(zhì)量比6.8：3.3：0.8：0.4：0.2配料，加入0.5wt％的聚乙烯醇與酒精混合球磨10～12小時，將漿料通過320目過篩后烘干；烘干工藝為紅外烘干，烘干溫度為75℃；

步驟s3：將步驟2制備的粉料壓制成型為坯體，并將坯體于1190℃下燒結(jié)，并保溫4～6小時，隨爐冷卻得到所述高介電常數(shù)陶瓷電容器材料。

實(shí)施例5

一種高介電常數(shù)陶瓷電容器材料的制造方法，包括如下步驟：

步驟s1：將baco3、zro2、tio2按摩爾比10:1:9配料，加入0.5wt％的聚乙烯醇與酒精混合球磨10～12小時，烘干后于1060℃下煅燒，并保溫2～3小時，制得bazr0.1ti0.9o3粉體；

其中，采用紅外烘干工藝，烘干溫度為68℃；

步驟s2：將所述bazr0.1ti0.9o3粉體與batio3、nb2o5、ta2o5、bi2o3按質(zhì)量比5.4:3.8:0.6:0.5:0.3配料，加入0.5wt％的聚乙烯醇與酒精混合球磨10～12小時，將漿料通過320目過篩后烘干；烘干工藝為紅外烘干，烘干溫度為68℃；

步驟s3：將步驟2制備的粉料壓制成型為坯體，并將坯體于1190℃下燒結(jié)，并保溫4～6小時，隨爐冷卻得到所述高介電常數(shù)陶瓷電容器材料。

實(shí)施例6

一種高介電常數(shù)陶瓷電容器材料的制造方法，包括如下步驟：

步驟s1：將baco3、zro2、tio2按摩爾比10:1:9配料，加入0.5wt％的聚乙烯醇與酒精混合球磨10～12小時，烘干后于1070℃下煅燒，并保溫2～3小時，制得bazr0.1ti0.9o3粉體；

其中，采用紅外烘干工藝，烘干溫度為72℃；

步驟s2：將所述bazr0.1ti0.9o3粉體與batio3、nb2o5、ta2o5、bi2o3按質(zhì)量比6.5:3.8:0.5:0.6:0.2配料，加入0.5wt％的聚乙烯醇與酒精混合球磨10～12小時，將漿料通過200目過篩后烘干；烘干工藝為紅外烘干，烘干溫度為72℃；

步驟s3：將步驟2制備的粉料壓制成型為坯體，并將坯體于1200℃下燒結(jié)，并保溫4～6小時，隨爐冷卻得到所述高介電常數(shù)陶瓷電容器材料。

實(shí)施例7

一種高介電常數(shù)陶瓷電容器材料的制造方法，包括如下步驟：

步驟s1：將baco3、zro2、tio2按摩爾比10:1:9配料，加入0.5wt％的聚乙烯醇與酒精混合球磨10～12小時，烘干后于1090℃下煅燒，并保溫2～3小時，制得bazr0.1ti0.9o3粉體；

其中，采用紅外烘干工藝，烘干溫度為76℃；

步驟s2：將所述bazr0.1ti0.9o3粉體與batio3、nb2o5、ta2o5、bi2o3按質(zhì)量比7：3.2：0.7：1：0.3配料，加入0.5wt％的聚乙烯醇與酒精混合球磨10～12小時，將漿料通過200目過篩后烘干；烘干工藝為紅外烘干，烘干溫度為76℃；

步驟s3：將步驟2制備的粉料壓制成型為坯體，并將坯體于1165℃下燒結(jié)，并保溫4～6小時，隨爐冷卻得到所述高介電常數(shù)陶瓷電容器材料。

實(shí)施例8

一種高介電常數(shù)陶瓷電容器材料的制造方法，包括如下步驟：

步驟s1：將baco3、zro2、tio2按摩爾比10:1:9配料，加入0.5wt％的聚乙烯醇與酒精混合球磨10～12小時，烘干后于1070℃下煅燒，并保溫2～3小時，制得bazr0.1ti0.9o3粉體；

其中，采用紅外烘干工藝，烘干溫度為78℃；

步驟s2：將所述bazr0.1ti0.9o3粉體與batio3、nb2o5、ta2o5、bi2o3按質(zhì)量比6.2：3.6：0.3：0.3：0.4配料，加入0.5wt％的聚乙烯醇與酒精混合球磨10～12小時，將漿料通過200目過篩后烘干；烘干工藝為紅外烘干，烘干溫度為78℃；

步驟s3：將步驟2制備的粉料壓制成型為坯體，并將坯體于1170℃下燒結(jié)，并保溫4～6小時，隨爐冷卻得到所述高介電常數(shù)陶瓷電容器材料。

將實(shí)施例1-8所述的高介電常數(shù)陶瓷電容器材料的制造方法制造得到的高介電常數(shù)陶瓷電容器材料進(jìn)行性能檢測，檢測結(jié)果如下：

與相關(guān)技術(shù)相比，本發(fā)明提供的高介電常數(shù)陶瓷電容器材料的制造方法，有益效果在于：通過優(yōu)化材料的組分以及制造工藝的步驟，使在較低溫度下燒結(jié)得到的電容器材料具有介電常數(shù)高、介電損耗低的優(yōu)點(diǎn)。經(jīng)檢測，采用本發(fā)明提供的高介電常數(shù)陶瓷電容器材料的制造方法，制造得到的電容器材料的介電常數(shù)εr＞10000，介電損耗為0.002-0.02。

以上所述的僅是本發(fā)明的實(shí)施方式，在此應(yīng)當(dāng)指出，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明創(chuàng)造構(gòu)思的前提下，還可以做出改進(jìn)，但這些均屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。