技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種并聯(lián)結(jié)構(gòu)的BST/MgO撓曲電復合薄膜及其制備方法，通過溶膠–凝膠法制備，制備了BST溶膠pH值在3.5～4.3和MgO溶膠，使用勻膠機在Pt/Ti/SiO2/Si基片上旋涂BST溶膠、燒結(jié)形成BST薄膜；然后噴鍍電極；在電極上旋涂MgO溶膠、燒結(jié)形成MgO薄膜；然后噴鍍電極；在電極上旋涂BST溶膠，最后將其放入退火爐中干燥、熱處理、燒結(jié)、并噴鍍電極，其中燒結(jié)溫度為800℃，保溫時間在5～60min，最終得到BST/MgO撓曲電復合薄膜，其結(jié)構(gòu)等效于兩個薄膜電容器并聯(lián)連接，解決了單層BST薄膜撓曲電系數(shù)相對較低的問題。BST層為撓曲電功能層，而MgO層由于撓曲電性能很弱，為非功能層。本發(fā)明表面無明顯的微裂紋，具有高的撓曲電性能，能應(yīng)用于微型傳感器件中。

技術(shù)研發(fā)人員：劉軍;姜楠;洪瑋;駱英
受保護的技術(shù)使用者：江蘇大學
文檔號碼：201710176556
技術(shù)研發(fā)日：2017.03.23
技術(shù)公布日：2017.06.30