技術(shù)特征：

1.一種并聯(lián)結(jié)構(gòu)的BST/MgO撓曲電復(fù)合薄膜的制備方法，其特征在于包括以下步驟：

步驟一，制備BST溶膠：將乙酸鋇、乙酸鍶、乙酸釔溶解于70℃的乙酸中，標(biāo)記為A液；稱取鈦酸正四丁酯、乙酰丙酮溶解于乙二醇甲醚中，磁力攪拌30min后標(biāo)為B液，將B液緩緩倒入到A液中，加入乙二醇，磁力攪拌2h后，加入乙酸調(diào)節(jié)pH值為3.5～4.3，獲得所述的BST溶膠，其中乙酸鋇、乙酸鍶、鈦酸正四丁酯、乙酰丙酮的摩爾比為0.65:0.35:1:2；乙酸釔的含量占整個(gè)BST溶膠的1mol％；乙酸、乙二醇的體積比為3:1；

步驟二，制備MgO溶膠：將乙酸鎂溶解于乙酸中得到澄清溶液，磁力攪拌30min后加入乙酰丙酮，使之與Mg²⁺形成環(huán)狀Mg(CH₃COO)_2-xAC_x從而抑制Mg²⁺過(guò)度水解；再繼續(xù)加入丙三醇磁力攪拌20min，利用丙三醇用來(lái)防止水解形成的Mg(OH)_2-xAC_x過(guò)度聚合；進(jìn)一步加入PVA溶液以調(diào)整粘度，且用以提高薄膜在熱處理時(shí)的塑性，減少薄膜的開(kāi)裂；最后再陳化24h得到MgO溶膠；所述乙酰丙酮、乙酸鎂的摩爾比為2:1；丙三醇、乙酸的摩爾比為1:3；PVA溶液質(zhì)量分?jǐn)?shù)為5％；

步驟三，制備BST薄膜：使用KW-4A型勻膠機(jī)在Si/SiO₂/Ti/Pt基片上涂膜，轉(zhuǎn)速為2500r/min，時(shí)間為10s；將旋涂好的薄膜在100℃下保溫10分鐘，隨后在400℃熱處理30min，重復(fù)上述步驟5～6次后，置于高溫爐中在800℃下退火15min，得到BST薄膜A；

步驟四，制備MgO薄膜：在所述步驟三中制得的BST薄膜上噴鍍電極，然后在電極上旋涂MgO溶膠，轉(zhuǎn)速為2000r/min，時(shí)間為20s，再在120℃下保溫20min，350℃下熱處理30min，重復(fù)以上步驟達(dá)到所需的MgO薄膜厚度，最后在800℃下退火15min，得到MgO薄膜；

步驟五，制備第二層BST薄膜：在上述步驟四中制得的MgO薄膜A上噴鍍電極，然后在電極上旋涂溶膠，轉(zhuǎn)速為2500r/min，時(shí)間為10s；將旋涂好的薄膜在100℃下保溫10分鐘，隨后在400℃熱處理30min，重復(fù)上述步驟5～6次后置于高溫爐中在800℃下退火時(shí)間為5～60min后得MgO薄膜B；

步驟六，制備并聯(lián)結(jié)構(gòu)的BST/MgO撓曲電復(fù)合薄膜：在所述步驟五中制得的BST薄膜B上噴鍍電極，即得到并聯(lián)結(jié)構(gòu)的BST/MgO撓曲電復(fù)合薄膜。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種并聯(lián)結(jié)構(gòu)的BST/MgO撓曲電復(fù)合薄膜的制備方法，其特征在于：所述的步驟一中BST溶膠pH值為3.5～4.3。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種并聯(lián)結(jié)構(gòu)的BST/MgO撓曲電復(fù)合薄膜的制備方法，其特征在于：所述的MgO薄膜可以用其他的氧化物薄膜代替，所述的其他的氧化物薄膜滿足下列條件：化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定，不與電極或者功能層薄膜發(fā)生反應(yīng)；熔點(diǎn)要高，在一定溫度下不與電極層互擴(kuò)散；熱膨脹系數(shù)與電極層和功能層的熱膨脹系數(shù)相匹配。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種并聯(lián)結(jié)構(gòu)的BST/MgO撓曲電復(fù)合薄膜的制備方法，其特征在于：所述步驟四、步驟五、步驟六中涉及到的噴鍍電極是用離子噴鍍儀噴鍍Au，也可以使用離子噴鍍儀噴鍍Pt；也可以用其他方法鍍電極，包括離子濺射和絲網(wǎng)印刷。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種并聯(lián)結(jié)構(gòu)的BST/MgO撓曲電復(fù)合薄膜的制備方法，其特征在于：所述的并聯(lián)結(jié)構(gòu)為雙層并聯(lián)、三層并聯(lián)或多層并聯(lián)中的任一種。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種并聯(lián)結(jié)構(gòu)的BST/MgO撓曲電復(fù)合薄膜的制備方法，其特征在于：所述其他的氧化物薄膜為ZrO₂薄膜。

7.一種并聯(lián)結(jié)構(gòu)的BST/MgO撓曲電復(fù)合薄膜，其特征在于：通過(guò)權(quán)利要求1-6中任一方法制備而得。