1.一種原位制備氧化銻薄膜的方法，其特征在于：是將基片浸沒于三氯化銻、三乙醇胺和氫氧化鈉配成的前驅(qū)體溶液中，使基片表面原位生成氧化銻前驅(qū)體薄膜，而后將氧化銻前驅(qū)體薄膜干燥，焙燒，即得。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述原位制備氧化銻薄膜的方法，其特征在于，包括如下步驟：
（1）將三乙醇胺加入濃度為0.01-10mol/L的氯化銻溶液中并攪拌充分，最后加入調(diào)節(jié)液調(diào)節(jié)溶液pH至8-12.5，得到澄清透明的氧化銻前驅(qū)體溶液；
（2）將基片浸入到步驟（1）配制的前驅(qū)體溶液中，將反應(yīng)容器置于水浴鍋中，在40-100℃溫度下反應(yīng)0.1-100h，而后取出基片用去離子水清洗干凈，烘干，在100-1000℃下空氣氣氛中進(jìn)行焙燒0.5-10h，得到氧化銻薄膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述原位制備氧化銻薄膜的方法，其特征在于：所述步驟（1）中，是將三乙醇胺加入濃度為4-6mol/L的氯化銻溶液中。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述原位制備氧化銻薄膜的方法，其特征在于：所述調(diào)節(jié)液為氫氧化鈉或氫氧化鉀。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述原位制備氧化銻薄膜的方法，其特征在于：所述步驟（1）中是將溶液pH值調(diào)節(jié)至9-10。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述原位制備氧化銻薄膜的方法，其特征在于：所述步驟（2）中，是將基片浸入到前驅(qū)體溶液中，將反應(yīng)容器置于水浴鍋中，在65-75℃溫度下反應(yīng)0.5-4h，而后取出基片用去離子水清洗干凈，烘干，在400-550℃下空氣氣氛中進(jìn)行焙燒3-5h，得到氧化銻薄膜。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的原位制備氧化銻薄膜的方法，其特征在于：步驟（2）所述的焙燒方法是以2-15℃/min的升溫速度進(jìn)行升溫。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的原位制備氧化銻薄膜的方法，其特征在于：所述基片為FTO導(dǎo)電玻璃、ITO導(dǎo)電玻璃或金屬基片。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的原位制備氧化銻薄膜的方法，其特征在于：所述金屬基片為銅、鋁或鋼。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的原位制備氧化銻薄膜的方法，其特征在于：所述基片在浸沒于前驅(qū)體溶液之前需依次經(jīng)過丙酮、無水乙醇和去離子水和超聲清洗，然后干燥后待用。