1.一種干法制備二維超薄雙金屬氫氧化物納米片的方法，其特征在于，以氬氣、氮氣或氧氣中的一種作為反應(yīng)性氣體，采用等離子體對體相層狀雙金屬氫氧化物進行剝離，得到所述二維超薄雙金屬氫氧化物納米片。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的干法制備二維超薄雙金屬氫氧化物納米片的方法，其特征在于，采用射頻等離子體、介質(zhì)阻擋放電等離子體或等離子體球磨的方法對體相層狀雙金屬氫氧化物進行剝離。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的干法制備二維超薄雙金屬氫氧化物納米片的方法，其特征在于，包括：將總氣壓維持在10-2Pa以下，溫度保持在298K-673K，開起射頻等離子體對所述體相層狀雙金屬氫氧化物進行處理，射頻等離子體的輸出功率為50W-300W，處理時間15min-180min。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的干法制備二維超薄雙金屬氫氧化物納米片的方法，其特征在于，包括：將總氣壓維持在10-2Pa以下，溫度保持在298-373K，開起介質(zhì)阻擋放電等離子體對所述體相層狀雙金屬氫氧化物進行處理，介質(zhì)阻擋放電等離子體的輸出功率為50W-300W，處理時間1min-120min。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的干法制備二維超薄雙金屬氫氧化物納米片的方法，其特征在于，反應(yīng)罐中通入所述反應(yīng)性氣體，溫度保持在298K-373K，開起等離子體球磨對所述體相層狀雙金屬氫氧化物進行處理，等離子體球磨的輸出功率為50W-300W，處理時間15min-300min。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5任意一項所述的干法制備二維超薄雙金屬氫氧化物納米片的方法，其特征在于，所述體相層狀雙金屬氫氧化物是通過水熱法、共沉淀法、陰離子交換法、焙燒復(fù)原法及電化學(xué)法中的一種方法制備得到的。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的干法制備二維超薄雙金屬氫氧化物納米片的方法，其特征在于，所述體相層狀雙金屬氫氧化物是通過水熱法制備得到的。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至5任意一項所述的干法制備二維超薄雙金屬氫氧化物納米片的方法，其特征在于，所述體相層狀雙金屬氫氧化物為具有水滑石結(jié)構(gòu)的層狀雙金屬氫氧化物。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的干法制備二維超薄雙金屬氫氧化物納米片的方法，其特征在于，所述體相層狀雙金屬氫氧化物為MgAlLDHs、CoFeLDHs、CoNiLDHs、NiFeLDHs、CoAlLDHs中的一種。
10.一種由權(quán)利要求1至9任意一項所述方法制備得到的二維超薄雙金屬氫氧化物納米片，其特征在于，所述二維超薄雙金屬氫氧化物納米片的厚度小于2nm。