技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
一種SiC被覆碳復(fù)合材料，其包含石墨基材、和覆蓋石墨基材的CVD?SiC被覆物。石墨基材的芯部的氣孔率為12％～20％，并且，在石墨基材的芯部的周圍具有從CVD?SiC被覆物延伸的SiC滲透層。SiC滲透層由從CVD?SiC被覆物側(cè)的第1面向石墨基材側(cè)的第2面依次按照Si的含量以階梯狀減小的方式配置的多個區(qū)域構(gòu)成。

技術(shù)研發(fā)人員：古賀靖隆;奧田正俊
受保護的技術(shù)使用者：揖斐電株式會社
技術(shù)研發(fā)日：2016.01.22
技術(shù)公布日：2017.09.26