1.一種制備低硼雜質(zhì)濃度SiC單晶的坩堝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包含石墨坩堝、籽晶、粉料和節(jié)流裝置，其中，所述籽晶設(shè)置在所述石墨坩堝的頂部，所述粉料設(shè)置在所述石墨坩堝的底部，所述節(jié)流裝置設(shè)置在所述粉料及所述籽晶之間，用于使粉料升華的氣相生長組分在輸運至籽晶前經(jīng)歷結(jié)晶-再升華過程，從而在一次生長過程中做到原料提純，進而降低單晶中的硼雜質(zhì),其中,所述節(jié)流裝置的孔隙率在30-60%,所述節(jié)流裝置的氣體透過率與坩堝側(cè)壁的氣體透過率比在10-1000之間。
2.如權(quán)利要求1所述的坩堝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述節(jié)流裝置沿坩堝的高度方向設(shè)置為多個，并且在所述節(jié)流裝置在數(shù)量大于1時，相鄰兩個節(jié)流裝置間距不小于5mm。
3.如權(quán)利要求1所述的坩堝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述節(jié)流裝置由能夠耐受2500℃以上溫度的多孔材料或復(fù)合材料構(gòu)成，包含但不僅限于多孔石墨。
4.如權(quán)利要求1所述的坩堝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述粉料為SiC多晶粉料，其硼雜質(zhì)濃度不大于0.5ppmw；所述籽晶的晶型為4H-SiC、6H-SiC或15R-SiC；所述石墨坩堝為等靜壓石墨構(gòu)成，密度大于1.7g/cm3，所述石墨坩堝的B雜質(zhì)濃度不大于1ppmw。
5.如權(quán)利要求4所述的坩堝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述粉料硼雜質(zhì)濃度不大于0.2ppmw。